DE1293519B

DE1293519B - Verfahren zur Herstellung von dielektrischen oder halbleitenden Oxidschichten

Info

Publication number: DE1293519B
Application number: DEM51809A
Authority: DE
Inventors: Yamashita Akio; Matsuda Asao; Hagiwara Hiroshi
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1961-02-15
Filing date: 1962-02-14
Publication date: 1969-04-24
Also published as: GB1003223A; US3259558A; NL274733A

Description

Das erfindungsgemäße Erhitzen wird beispielsweise wie folgt durchgeführt: Erwärmen des Basismetalls, indem man einen Strom durch das Metall 15 selbst leitet und so Joulesche Wärme erzeugt; Hochfrequenzinduktionsheizung und ein Heizverfahren unter Verwendung anderer Mittel als des elektrischen Stroms, beispielsweise ein Verfahren zur Erzeugung eines Oxidfilms auf einer Oberfläche einer Metalloxydierenden Atmosphäre erhitzt. Dabei entsteht ao platte, indem man deren andere Oberfläche mit innerhalb der auf dem Metallmaterial entstehenden einem Gasbrenner erhitzt. Bei einem solchen Ver-Oxidschicht ein Temperaturgefälle, das von der inne- fahren des inneren Erhitzens besteht im Oxidfilm ren Metallschicht zu der gebildeten äußeren Oxid- ein solches Temperaturgefälle, daß dessen Tempeschicht abfällt. Hierdurch wird die Diffusion von ratur auf der Metallseite höher ist als die Ober-Sauerstoffatomen in die Oxidschicht in Richtung auf »5 flächentemperatur des Oxidfilms. Dadurch kann die darunterliegende Metallschicht erleichtert. Sauerstoff leicht in das Innere des Oxidfilms diffun-

Verfahren zum Erhitzen von Gegenständen aus dieren, wodurch die besonderen Eigenschaften als Metallen von innen her sind bekannt, z. B. das Er- Halbleiter oder Dielektrikum erzeugt werden,
hitzen von Nickelchromdrähten, von Fäden elek- Beispielsweise wurde im Fall von Titanmetall ge-

trischer Lampen u. dgl. Es ist jedoch nicht bekannt, 3° funden, daß die Struktur des darauf entweder durch dieses Erhitzen von innen zur Bildung eines Oxid- inneres oder äußeres Erhitzen gebildeten Oxidfilms films auf der Oberfläche des Metalls anzuwenden im allgemeinen aus drei Schichten besteht,
und auf diese Weise einen als Dielektrikum oder Gemäß der Röntgenstrahlanalyse folgt auf die

Halbleiter brauchbaren Film auf der Metallober- unterste, metallische Schicht eine erste Schicht, die fläche herzustellen. Untersuchungen ergaben, daß 35 dem Einlagerungstyp entspricht und aus einer festen sich ein unter Erhitzen von innen hergestellter Oxid- Lösung von Sauerstoff, Wasserstoff, Stickstoff und film stark von einem unter Erhitzen von außen her- anderen Gasen im Titan besteht, eine zweite, dem gestellten Oxidfilm hinsichtlich der Struktur unter- Steinsalzkristalltyp entsprechende Schicht aus TiO scheidet und bedeutend bessere elektrische Eigen- und TiN und eine dritte Schicht aus TiO₂ mit Rutilschaften als ein unter Erhitzen von außen hergestell- 4<> struktur. Beim Erhitzen von innen ist die zweite ter Oxidfilm aufweist. Oxidschicht sehr dünn ausgebildet. Diese Schicht

Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnungen enthält also nicht genügend Sauerstoff. Es wurde näher erläutert. Es bedeutet gefunden, daß der dielektrische Verlust und die

F i g. 1 eine graphische Darstellung der Beziehung Dicke der zweiten Schicht bei Verwendung der Oxidzwischen tg<5 und der Dicke der TiO und TiN ent- 45 schicht als Dielektrikum einander proportional sind, haltenden Schicht, Aus diesem Grunde soll diese Schicht möglichst

Fig. 2 die Darstellung des Ergebnisses einer bei dünn sein, um die dielektrischen Verluste gering zu 95°/o relativer Feuchtigkeit durchgeführten Lebens- halten. Im Falle des Erhitzens von außen ist die dauerprüfung unter Normalbedingungen eines Kon- Sauerstoffzufuhr zum Inneren des Oxidfilms ungedensators, der einen Titandraht mit einem erfin- 5° nügend, wodurch sich eine erhebliche Schicht von dungsgemäß erzeugten Oxidfilm und einer darauf TiO und TiN bildet, während im Fall des inneren angesinterten Silberelektrode aufweist, im Vergleich Erhitzens dem Inneren des Oxidfilms reichlich Sauermit einem keramischen Bariumtitanatkondensator, stoff zugeführt wird, was zu einer außerordentlich

F i g. 3 die Darstellung des Ergebnisses einer tem- dünnen Schicht von TiO und TiN führt. Wie in peraturbeschleunigten- Lebensdauerprüfung, welche 55 Fig. 1 dargestellt, ist die Dicke der TiO-TiN-Schicht bei einer Umgebungstemperatur von 100° C mit ahn- direkt proportional dem dielektrischen Verlustwinkel liehen Proben wie in Fig. 2 durchgeführt wurde, tg<3 oder dielektrischen Verlustfaktor, was bedeutet,

F i g. 4 eine Gleichrichterkennlinie eines Gleich- daß die TiO-TiN-Schicht als Reihenwiderstand wirkt richterelements, welches einen Titandraht enthält, und tg<5 ansteigen läßt. Ein weiterer Vorteil der der in reinem Sauerstoff von innen erhitzt worden 6o erfindungsgemäß hergestellten Oxidschicht besteht in war, seiner großen Kompaktheit. Die bei dem Erhitzen

F i g. 5 eine Gleichrichterkennlime eines Gleichrichterelements, welches einen in einer Mischung von Sauerstoff und Argon behandelten Titandraht enthält,

Fig. 6 einen Querschnitt eines Widerstands, der ein Basiselement mit einem erfindungsgemäß hergestellten Oxidfilm enthält,

von innen erhaltene, sehr dünne zweite Schicht bewirkt eine starke Verminderung der dielektrischen Verluste.

65 Unter anderem beträgt die Intensität der Röntgenbeugung an der Ebene (110) des Rutiltyp-TiO₂, welches durch das erfindungsgemäße innere Erhitzen erhalten wurde, das l,7fache der bei äußerem Er-

hitzen erhaltenen Intensität, was die ausgezeichnete Kristallstruktur des erfindungsgemäß hergestellten Oxidfilms anzeigt.

Daher besitzt der durch Erhitzen von innen erzeugte Oxidfilm eine höhere Gleichstrom-Durch-Schlagsspannung pro Stärkeneinheit als der durch Erhitzen von außen erzielte Film. Die Gleichstrom-Durchschlagsspannung der durch Erhitzen von innen erzielten Oxidschicht beträgt 30 bis 40 kV/mm; das bedeutet eine sechsmal höhere Durchschlagsspannung als bei der durch Erhitzen von außen erzielten Oxidschicht.

Versuche haben ferner gezeigt, daß durch Erwärmen auf 800° C der dielektrische Verlustfaktor des durch äußeres Erhitzen erzeugten Oxidfilms nicht auf weniger als 20% (1 kHz) verringert werden kann, dagegen der des durch inneres Erhitzen erzeugten Films auf 0,5 °/o (1 kHz).

Mit den erfindungsgemäß hergestellten Dielektrika lassen sich Kondensatoren herstellen, welche ein dielektrisches Element in Form eines Oxidfilms enthalten, der auf der Oberfläche eines metallischen Titandrahts durch relativ kurzzeitiges Erhitzen des letzteren auf etwa 1300⁰C, wie unten beschrieben, erzeugt war. Die elektrischen Kennzeichen dieser Kondensatoren wurden mit üblichen keramischen Kondensatoren verglichen.

Ein Titandraht mit einem Durchmesser von 0,5 mm wurde zuerst mit einem Waschmittel vom Benzoltyp gereinigt und dann unter Atmosphärendruck oxydiert, indem man 10 Minuten mittels Durchleiten eines elektrischen Stroms auf 1300⁰C erhitzte. Eine Silberelektrode wurde auf die Oberfläche des erzeugten Oxidfilms aufgebacken, um einen Kondensator der in F i g. 8 gezeigten Form zu erhalten. Es wurde gefunden, daß man auf diese Weise Kondensatoren mit einer Kapazität von ungefähr 10 pF bis ungefähr lOOOOpF, einem dielektrischen Verlustfaktor von 0,1% bis 0,2% (IkHz) und einer Durchschlagsspannung von 30ν/μΐη herstellen kann. F i g. 2 erläutert das Ergebnis einer bei 95% relativer Feuchtigkeit durchgeführten Lebensdauerprüfung unter Normalbedingungen, um einen solchen Kondensator mit einem üblichen keramischen Bariumtitanatkondensator zu vergleichen, und F i g. 3 erläutert das Ergebnis einer temperaturbeschleunigten Lebensdauerprüfung, die bei einer Umgebungstemperatur von 100° C mit ähnlichen Kondensatoren vorgenommen wurde. In diesen Figuren geben der Buchstabe y4 den Restfaktor des erfindungsgemäßen Kondensators und der Buchstabe B den des üblichen Kondensators an.

Aus dem Vorangehenden ergibt sich, daß man nach dem erfindungsgemäßen Verfahren leicht dielektrische Filme mit einer Dicke von nur einigen μηι bis einigen zehn μτη erzeugen kann, während es sehr schwierig ist, übliche keramische Kondensatoren mit einem derart dünnen dielektrischen Film herzustellen. Außerdem wurde gefunden, daß die erfindungsgemäßen Kondensatoren ausgezeichnet feuchtigkeitsunempfindlich sind im Vergleich mit üblichen Kondensatoren, welche in dieser Hinsicht verschiedene Schwierigkeiten aufweisen, und daß sie eine um mehr als das 5fache höhere Durchschlagsspannung als die üblicher Kondensatoren aufweisen. In der folgenden Tabelle sind die Eigenschaften der erfindungsgemäßen Kondensatoren mit denen üblicher keramischer Kondensatoren verglichen.

	Übliche Kondensatoren Titanoxidtyp \| Bariumtitanattyp	300 bis 500 7 0,3 0,4 6 bis 8	Erfindungsgemäße Kondensatoren
Dicke des Dielektrikums, μΐη Volumen pro Kapazität, Cm³^F Dielektrischer Verlustfaktor, % bei IkHz	300 bis 500 280 0,1 0,05 6 bis 8	1 bis 50 0,9 0,1 0,05 30 bis 40
bei IMHz
Durchschlagsspannung (Gleichstrom), kV/mm

2. Halbleiter

Metallüberschußhalbleiter, wie Zn oder TiO₂, und Sauerstoffüberschußhalbleiter, wie Cu₂O oder NiO, sind als Halbleitermaterial vom Oxidtyp bekannt. Beim Metallüberschußhalbleiter erzielt man die günstigsten Halbleitereigenschaften, je größer der Sauerstoffdefekt ist. Zu diesem Zweck müssen zwei Verfahrensstufen durchgeführt werden. In der ersten Stufe erfolgt eine verminderte Sauerstoffzufuhr, und in der zweiten Stufe wird das hocherhitzte Halbleitermaterial rasch abgeschreckt, so daß der bei hoher Temperatur vorhandene Sauerstoffdefekt im kalten Zustand erhalten bleibt. Bei dem Erhitzungsverfahren von außen wird der Halbleiter in einer Atmosphäre, die nicht genügend Sauerstoff enthält, erhitzt. Beim Erhitzungsverfahren von innen muß man dagegen Stickstoff, der eine große Wärmeleitfähigkeit besitzt, zu der einen Sauerstoffunterschuß aufweisenden Atmosphäre zugeben, um so die Wärmeleitfähigkeit der das Halbleitermaterial umgebenden Atmosphäre zu erhöhen. In dieser Atmosphäre mit erhöhter Wärmeleitfähigkeit kann man die Oberflächentemperatur des Oxidfilms niedriger halten und so die Sauerstoffaufnahme der Oberfläche herabsetzen. Beim Erhitzen in einer Atmosphäre mit Sauerstoffunterschuß kann man sowohl bei dem Verfahren unter Erhitzen von außen als auch bei dem Verfahren unter Erhitzen von innen eine Argonatmosphäre mit einem geringen Sauerstoffgehalt anwenden. Da jedoch die Wärmeleitfähigkeit von Argon geringer als die von Sauerstoff ist, wird die Gesamtleitfähigkeit der Atmosphäre geringer. Infolgedessen erhöht sich die Oberflächentemperatur, wodurch die Temperaturregelung erschwert wird. Während die Temperaturregelung vorzugsweise so erfolgt, daß sich die Sauerstoffmenge in der das zu oxydierende Material umgebenden Atmosphäre gegenüber der in der Argonatmosphäre vorhandenen Sauerstoffmenge erhöht, führt dies bei dem Verfahren unter Erhitzen von

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außen zu einem Sauerstoffüberschuß. Beim Verfahren Um dem metallischen Titan von seiner Innenseite

unter Erhitzen von außen kann eine Atmosphäre her Wärme zuzuführen, wird der Einfachheit halber mit verhältnismäßig großem, jedoch nicht zur voll- vorzugsweise ein Gleichstrom oder ein Wechselstrom ständigen Oxydation ausreichendem Sauerstoffgehalt mit niedriger Frequenz hindurchgeleitet oder eine verwendet werden. Bei dem Verfahren unter Er- 5 Hochfrequenz-Induktionsheizung benutzt. Das letztere hitzen von innen erhöht sich das Temperaturgefälle Verfahren erfordert mehr oder weniger komplizierte nach innen zu, so daß die Oberflächentemperatur Vorrichtungen, ist jedoch geeignet, wenn das metaldes Materials niedriger als die Innentemperatur ist. lische Titan eine besondere Form hat, welche durch Bei diesem Temperaturgefälle vermehrt sich der einen Gleichstrom oder einen Niederfrequenzwechsel-Übergang von Sauerstoffionen von der Oberfläche io strom nicht gleichmäßig erhitzt werden kann, in das Innere des Materials. Da die Sauerstoffzufuhr Die Anwendung der erfindungsgemäßen Halbleiter

zur Oberfläche gering ist, weist der an der Oberfläche zur Herstellung von Gleichrichterelementen wird befindliche Oxidfilm einen Sauerstoffunterschuß auf durch das folgende Beispiel erläutert: und besitzt daher Halbleitereigenschaften. Ein Titandraht von 0,5 mm Durchmesser wird

Die elektrische Leitfähigkeit eines Metalloxidhalb- 15 geätzt und dann in reinem Sauerstoffgas von 760 mm leiters wird durch die Geschwindigkeit der raschen Hg Druck 5 Minuten lang auf eine Oberflächen-Temperaturänderung beeinflußt. Bei dem Verfahren temperatur von 1000° C erhitzt, indem man einen unter Erhitzen von innen läßt sich eine rasche Tem- Strom von 5 A hindurchschickt. Auf der Oberfläche peraturänderung leicht ausführen, wobei man Mate- bildet sich eine schwarze Schicht von Titanoxidhalbrialien mit guten Halbleitereigenschaften erhält. ao leiter, deren Oberfläche mit einer Silberelektrode Bei der Herstellung eines Sauerstoffüberschuß- überzogen wird, welche mit einer anderen Elektrode Halbleiters wird das Material bei hoher Temperatur in Form des metallischen Titans zusammenwirkt und unter Zufuhr einer großen Sauerstoffmenge erhitzt ein Gleichrichterelement bildet (vgl. Fig. 6). Die und anschließend abgeschreckt. Hierbei erzielt man Gleichrichterkennlinie des Gleichrichters ist in F i g. 4 bei dem Verfahren unter Erhitzen von innen weit as gezeigt. Ein positiver Strom fließt, wenn das metalbessere Ergebnisse als bei dem Verfahren unter lische Titan eine negative Elektrode darstellt, wäh-Erhitzen von außen. rend ein negativer Strom fließt, wenn das metallische

Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch zur Titan eine positive Elektrode darstellt. Das Gleich-Herstellung von Halbleitern benutzt werden. Bei- richterverhältnis betrug 1700 bei 2,5 V. spielsweise wird metallisches Titan von innen erhitzt 30 Bei einem anderen Beispiel wird ein ähnlicher und auf der Metalloberfläche ein halbleitender Oxid- Titandraht ebenfalls geätzt und ähnlich erhitzt, in film erzeugt. Der Titanoxidhalbleiter stellt in Beruh- diesem Fall jedoch in einer gasförmigen Mischung rung mit einem anderen Metall, wie Gold, Silber, von Sauerstoff mit einem Partialdruck von 50 mm Hg Kupfer oder Wismut, eine Gleichrichterschicht dar. und Argon mit einem Partialdruck von 710 mm Hg. Bisher wurde metallisches Titan zu diesem Zweck 35 Auf der Metalloberfläche bildet sich ebenfalls eine zuerst durch Erhitzen von außen in einer sauerstoff- schwarze Schicht von Titanoxidhalbleiter. Ein mit haltigen Atmosphäre, wie Luft, oxydiert und dann diesem Halbleiter hergestelltes Gleichrichterelement zwecks Reduktion in Wasserstoff erhitzt. zeigt eine Gleichrichterkennlinie, wie in F i g. 5 ange-

Bei dem üblichen Verfahren sind also zwei Ver- geben. Die Richtung des Stromflusses in diesem fahrensstufen erforderlich, Oxydation und Reduk- 40 Element ist die gleiche wie im vorhergehenden Beition. Auf diese Weise entsteht ein Halbleiter mit spiel. Das Gleichrichterverhältnis betrug 4600. Sauerstofflücken im Gitter, indem man zuerst Titan- Das oben beschriebene Verfahren zur Herstellung

oxid erzeugt und dieses dann reduziert. Ein solches von dielektrischen und halbleitenden Oxidschichten Behandlungsverfahren ist wegen seiner Kompliziert- ist in F i g. 7 schematisch dargestellt, heit selbstverständlich unvorteilhaft. 45

Erfindungsgemäß wird dagegen in einem Ein- 3. Andere Verfahren

stufenverfahren metallisches Titan von der Metall- A. Auf die Oberfläche eines Basismetalls, wie

seite her in Sauerstoff oder einer gasförmigen Platin, wird durch Löten, Vakuumaufdampfen, AufMischung von Sauerstoff und einem Gas, welches spritzen oder ein anderes geeignetes Verfahren ein mit metallischem Titan nicht unter Bildung eines 50 oxydierbares Metall, wie Ti, Ta, Al, Hf, Cu, Si, Zr, Isolators reagiert, wie Argon, Xenon, Neon oder Nb, Zn, Pb, Mg oder Ba, fest verbunden aufgebracht, Krypton, oder in einer gasförmigen Mischung von und in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre wird Sauerstoff und einer sehr geringen Menge irgendeines dann durch das Basismetall ein Strom geleitet und anderen Gases, welches mit metallischem Titan unter dieses von innen erhitzt. Dabei bildet sich auf der Bildung eines Isolators reagiert, erhitzt und so auf 55 Oberfläche des Basismetalls ein Oxid, welches als der Oberfläche des metallischen Titans eine Titan- Dielektrikum oder Halbleiter verwendbar ist. oxidhalbleiterschicht gebildet. Beispielsweise wird ein Platindraht von 0,5 mm

Die Anwesenheit von anderen Gasen außer Sauer- Durchmesser durch Vakuumaufdampfen mit metalstoff in der Atmosphäre, welche mit metallischem lischem Titan überzogen, und durch den in Luft Titan unter Bildung eines Isolators reagieren können, 60 befindlichen Platindraht wird ein Strom geleitet, um bewirkt, von geringen Verunreinigungen abgesehen, ihn von innen auf 1300° C zu erhitzen und dadurch eine Verschlechterung der Eigenschaften des gebil- auf der Platinoberfläche einen TiO₂-FiIm zu bilden, deten Halbleiters. So verursacht beispielsweise die Eine Elektrode, wie Silber, wird darm mit dem Film Anwesenheit von Stickstoff mit einem Partialdruck verbunden, um einen Kondensator zu erzeugen, von 10 mm Hg oder darüber eine Verschlechterung 65 welcher eine Kapazität von 1000 pF/cm des Platinder dielektrischen Eigenschaften des gebildeten drahts hat. Der Kondensator zeigt auch eine Durch-Titanoxids. Stickstoff muß also bis auf einen Partial- Schlagsspannung von 40 V/μΐη, deren Höhe für das druck unter 10 mm Hg entfernt werden. innere Heizverfahren kennzeichnend ist.

B. In gleicher Weise wird ein Oxid eines Metalls, wie Ti₅ Ta, Al₅ Hf₅ Cu, Si, Zr, Nb₅ Zn₅ Pb, Mg₅ Mn oder Ba, in enge Berührung mit der Oberfläche des Basismetalls, beispielsweise Platin, gebracht, und in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre wird ein Strom durch das Basismetall geleitet und dieses von innen erhitzt. Dabei bildet sich auf der Oberfläche des Basismetalls ein Oxid, welches als Dielektrikum oder Halbleiter verwendbar ist.

Beispielsweise wird eine Mischung gleicher Teile TiO₂ und BaO auf die Oberfläche eines Platinbandes von 5 mm Breite aufgetragen und mit diesem verbunden, und durch das in Luft befindliche Band wird ein Strom geleitet und dieses dadurch von innen auf 1200° C erhitzt. Dabei bildet sich BaTiO₃, weldies seinerseits mit einer Silberelektrode überzogen wird und so einen Kondensator ergibt. Dieser hatte eine Kapazität von 5000pF/cm² und eine Durchschlagsspannung von 30 kV/mm. Diese Werte liegen höher als bei üblichen Bariumtitanatkondensatoren. ao

C. Ein Stoff, welcher durch thermische Zersetzung ein Oxid liefert, wie Metallnitrate Mn(NO₃),, Co(NO₃)₂, LiNO₃ usw., Metallcarbonate (BaCO₃, Li₂CO₃, MnCO₃ usw.), organische Metallverbindungen (Alkoxititan usw.), Metall-Wasserstoff-Sauerstoff-Verbindungen (H₂CrO₇ usw.), eine Mischung dieser Stoffe miteinander oder mit Metalloxid wird in enge Berührung mit einem elektrisch leitenden Stoff, wie ein Metall oder eine Mischung eines solchen mit einer organischen Substanz, gebracht. Der elektrisch leitende Basisstoff wird in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre von innen erhitzt, beispielsweise, indem man einen Strom hindurchleitet, um auf seiner Oberfläche ein Oxid zu bilden. Dieses Oxid ist als Dielektrikum oder Halbleiter verwendbar.

Beispielsweise wird eine Mischung gleicher molarer Mengen von TiO₂ und BaCO₃ auf ein Platinband von 0,5 mm Breite aufgetragen und mit ihm verbunden. Dann wird ein Strom durch das in Luft befindliche Band geleitet und dieses dadurch von innen auf 1300⁰C erhitzt, wobei sich BaTiO₃ bildet. Ein Kondensator wird hergestellt, indem eine Silberelektrode darauf abgeschieden wird. Dieser Kondensator besitzt eine Kapazität von 8000pF/cm² und eine Durchschlagsspannung von 30 kV/mm.

Bei einer Anwendungsform dieses erfindungsgemäßen Verfahrens kann irgendeiner der oben angegebenen Stoffe, welche bei thermischer Zersetzung ein Oxid liefern, beispielsweise Mn(NO₃)₂, auf einen Film eines zuvor auf seinem Basismetall, beispielsweise durch anodische Oxydation, gebildeten Metalloxids aufgetragen und mit ihm verbunden werden, worauf das Basismetall von innen erhitzt wird, beispielsweise, indem man einen Strom hindurchleitet, um auf dem Film ein Oxid, wie MnO₂, zu erzeugen.

Das oben beschriebene Verfahren zur Bildung eines Oxidfilms ist schematisch in F i g. 8 dargestellt.

Durch Anwendung des erfindungsgemäßen inneren Erhitzungsverfahrens kann man also leicht ein kompaktes Metalloxid mit befriedigenden Kristalleigenschaften erhalten und mit einem so hergestellten Metalloxid, das sich beispielsweise als Dielektrikum oder Halbleiter verwenden läßt, elektrische Vorrichtungen mit wesentlich verbesserten Eigenschaften herstellen. Weiterhin kann man ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes Oxid als Isolier- oder Schutzmaterial für elektrische Leitungen od. dgl. benutzen.

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung von dielektrischen oder halbleitenden Oxidschichten, dadurch gekennzeichnet, daß man ein oxydierbares Metall von innen her in einer oxydierbaren Atmosphäre erhitzt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht des oxydierbaren Metalls auf einem Grundmetall gebildet und von innen her erhitzt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als oxydierbares Metall ein Metall, wie Titan, Tantal, Aluminium, Zirkonium, Hafnium und Niob, verwendet wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 909517/540