DE1303160C2 - Verfahren zur herstellung eines durch fremdionen halbleitend gemachten elektrischen sperrschichtkondensators - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines durch fremdionen halbleitend gemachten elektrischen sperrschichtkondensators

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DE1303160C2 DENDAT1303160D DE1303160DA DE1303160C2 DE 1303160 C2 DE1303160 C2 DE 1303160C2 DE NDAT1303160 D DENDAT1303160 D DE NDAT1303160D DE 1303160D A DE1303160D A DE 1303160DA DE 1303160 C2 DE1303160 C2 DE 1303160C2
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Description

Die Erfindung bezieht steh auf ein Verfahren, zur schicht zusätzlich durch Reoxydation rückgängig ge- HersteUung eines elektrischen Sperrschichtkonden- macht werden.
sators mit einem im wesentlichen aws gesintertem, durch Es sei noch erwähnt, daß aus der USA.-Patentschrif t
Einbau von Frerodionen halbleitend gemachtemTiianat 3100 329 ein Elektrolytkondensator mit z.B. emer
ijder Titanaten eines oder mehrerer Erdalkalimetalle 5 Tantalanode bekannt ist, die mit einer als Dielektrikum
bestehenden, mit Elektroden versehenen Körper, bei dienenden Oxydhaut überzogen ist. Auf dieser Oxyd-
dera zur Erzielung einer isolierenden Sperrschicht haut ist eine Schutzschicht aus z. B. Manganoxyd auf-
mindestens eine der Flächen des Körpers, auf der bzw. gebracht, welche die Aufgabe bat, die z, B. infolge elek»
denen Elektroden angebracht werden, einer Oberflä- frischen Durchschlags beschädigte Oxydhaut zu reoxy-
chenbehandlung durch Erhitzung in einer sauerstoff- 10 dieren und damit auszuheilen. In diesem Fall dient das
haltigen Atmosphäre unterworfen wird. Es bandelt Manganoxyd als Sauerstofflieferant
sich hierbei um Dotierungshalbleiter. , Beim Verfahren nach der Erfindung kann der ge-
Es ist bekannt, einen Sperrschichtkondensator mit sinterte Körper im wesentlichen aus einem an sich beemem gesinterten Körper aus Erdalkalititanaten her- kannten oxydischen dielektrischen Material bestehen, zustellen, wobei der gesinterte Körper zunächst einer 15 Vorzugsweise findet ein Material mit hoher Dielektriziallseitigen Reduktion unterworfen wird, bei der sich tätskonstante Verwendung. Beispiele eines solchen ein Reduktionshalbleiter mit einer hoben Dielekitrizi- Materials sind Titanate, Zirkonate und Stannate von tätskonstante ergibt Auf dem Halbleiterkörper werden Erdalkalimetallen und Blei, Titandioxyd und Gemische dann zwei Elektroden so angebracht, daß unter imin- dererwähnten Verbindungen, die durch einen Fremdiodestens einer Elektrode durch Oxydation im Körper 20 nenzusatz, gegebenenfalls in Verbindung mit einer Beeine isolierende Grenzschicht geringer Dicke entsteht. handlung in einer reduzierenden Atmosphäre, halb-Aus der deutschen Auslegeschrift 1127 478 ist ein leitend werden können. Geeignete Materialien sind Elektrolytkondensator mit einer Anode aus Barium- insbesondere Erdalkalititanate, die ein Oxyd einer titanatkeramik bekannt, welche durch Reduktion halb- seltenen Erde, wie Lanthan oder Cer, oder z. B. Antileitend gemacht ist, während ihre Oberflächenschicht 25 mon, Niobium, Yttrium oder Wismut als Zusatz entdurch anodische Oxydation wieder in eine nichtleitende halten. Em geeignetes Material ist insbesondere das-Dielektrikumschicht hoher Dielektrizitätskonstante jenige, das im wesentlichen aus Bariumtitanat oder verwandelt wurde. Bariumstrontiumtitanat besteht, das als Zusatz ein
Es wurde gefunden, daß so erhaltene Sperrschicht- Oxyd einer seltenen Erde, insbesondere Lanthanoxyd, kondensatoren im allgemeinen nicht die Anforderun- 30 oder Antimonoxyd enthält, und insbesondere dasjenige, gen erfüllen, die an sie, unter anderem in bezug auf bei dem das Molverhältnis BaO: SrO: TiO2 = 35 bis Sperrspannung und Kapazitätswert, beim Fortschritt 45: 7 bis 15 : 48 bis 55 ist. Beispiele von Bariumstronder Technik, insbesondere der Technik auf dem Ge- tiumtitanaten sind die, bei denen das Molverhältnis biet der Kleinstausführung elektrischer Geräte, ges.tellt BaO: SrO: TiO2 = 36:14: 52 beträgt und die 0,1 Gewerden. Unter der Sperrspannung wird hier die Span- 35 wichtsprozent La8O3 enthalten, und die, bei denen das nung in Volt verstanden, bei der bei einer Elektroden- Molverhältnis BaO: SrO: TiO2 = 40:10: 50 beträgt fläche von 0,2 cm2 ein Strom von 1 Mikroampere fließt. und die weiter 0,3 Gewichteprozent Sb2O3 enthalten.
Aus der deutschen Auslegeschrift 1 097 568 sind Ein aus einem oxydischen dielektrischen Material ferner Sperrschichtkondensatoren aus Erdalkalititana- bestehender Halbleiterkörper ist gemäß an sich beten mit Zusatz von Fremdionen in Form von Oxyden 40 kannter Verfahren herstellbar. Es ist z. B. möglich, ein seltener Erdmetalle bekannt, die zusätzlich durch inniges Gemisch aus den betreffenden Oxyden oder aus Reduktion halbleitend gemacht sind. Der reduzierte Verbindungen, die bei Erhitzung in diese Oxyde über-Halbleiterkörper wird mit Elektrodenmaterial be- gehen, oder aus beiden zu einer Scheibe zu pressen und strichen und dann derart erhitzt, daß unter den Elektro- diese z. B. während 30 bis 60 Minuten auf eine Tempeden eine isolierende Sperrschicht entsteht, die durch 45 ratur zwischen 1200 und 14000C in Luft zu erhitzen. Reoxydation des Halbleitermaterials herrührt. Die Eine eventuelle Reduktion des so erhaltenen Körpers durch Fremdionen erhaltene Halbleitereigenschaft der kann z. B. dadurch erfolgen, daß dieser in Wasserstoff Sperrschicht läßt sich aber durch Reoxydation nicht während 30 bis 60 Minuten auf 10000C bis 15000C erbeseitigen. Diese Kondensatoren erfüllen daher eben- hitzt wird.
falls nicht die Bedingung einer hohen Sperrspannung 50 Die anbringung der Elektroden kann gemäß einem
bei zugleich verhältnismäßig hohem Kapazitätswert an sich bekannten Verfahren zum Beispiel dadurch er-
je cm*. folgen, daß auf die betreffenden Flächen des Körpers
Es wurde jetzt ein Verfahren gefunden, gemäß dem eine Silberpaste, die im wesentlichen aus Silber und überraschenderweise derartige Sperrschichtlcondensa- einem flüchtigen oder verbrennbaren Verdünnungstoren herstellbar sind, die eine hohe Sperrspannung und 55 mittel besteht, aufgebracht und das Ganze dann, z. B. zugleich einen verhältnismäßig hohen Kapazitätswert in Luft, auf etwa 7200C erhitzt wird. Elektroden könje cm" aufweisen. nen beispielsweise auch durch Aufdampfen von Nickel
Gemäß der Erfindung wird dies bei einem Verfahren angebracht werden.
eingangs erwähnter Art dadurch erreicht, daß vor der Die Oberflächenbehandlung, bei der im Halbleiter-Behandlung Mangan oder eine Manganverbindung auf 60 körper eine isolierende Grenzschicht gebildet wird, kann die zu behandelnde Oberfläche aufgebracht oder in auf verschiedene Weise und in verschiedenen Stufen diese eingebracht vrird. des Herstellungsverfahrens stattfinden. Diese Behand-
Hierbei werden Manganionen auf Titanstellen ins lung kann z. B. erfolgen, bevor die Elektroden ange-Kristallgitter eingebaut, wodurch in einer Grenzschicht bracht werden. Es wird jedoch ein Verfahren bevorzugt, der Beitrag der Fwndionen rückgängig gemacht v/ird, 65 bei dem die Anbringung der Elektroden und die Oberso daß diese Grenzschicht als nichtleitende Sperrschicht flächenbehandlung im gleichen Arbeitsgang erfolgen, wirkt. Sollte der Titanatkörper auch Reduktionshalb- Weil die Oberflächenbehandlung des Halbleiterleitereigenschaft aufweisen, so kann diese in der Sj>err- körpers beim Verfahren nach der Erfindung in Gegen-
I 303
wart von Mangan oder einer Manganverbindung durchgeführt wird, wird dieses Metall oder eine Verbindung dieses Metalles in der Regel vorher auf der zu behandelnden Oberfläche angebracht.
Wenn die Oberflächenbehandlung vor der Anbringung der Elektroden erfolgt, kann 4as Mangan z. B. durch Aufdampfen angebracht werden. Eine Manganverbindung läßt sich z. B. dadurch anbringen, daß die zu behandelnde Oberfläche mit einer Lösung dieser Verbindung, z. B. einer wäßrigen Lösung von Mangannitrat, benetzt und dann gegebenenfalls getrocknet wird. Diese Vorgänge können wiederholt werden, bevor die Erhitzung durchgeführt wird. Nach der Anbringung von Mangan oder einer Manganverbindung kann die Oberflächenbehandlung z. B. dadurch durchgeführt werden, daß der Halbleiterkörper in Luft auf 700 bis 9CO0C erhitzt wird. Danach können auf an sich bekannte Weise Elektroden angebracht werden.
Wenn die Oberflächenbehandlung und die Anbrin-
prozent TiOs ausgegangen, dem nach dem Vorbrennen eine Menge an LagOa zugesetzt War, die 0,3 Molprozent La8O3 des erhaltenen Gemisches entsprach. Aus diesem Gemisch wurden Streifen von 200 · 5 · 0,5 mm gepreßt. Diese Streifen, wurden während etwa 60 Minuten auf etwa 13000C in einer oxydierenden Atmosphäre (Luft) in einem Ofen erhitzt, wonach durch Erhitzung in einem Gemisch aus Stickstoff und Wasserstoff (3:1) bei etwa 14500C Reduktion stattfand.
Zum Anbringen von Elektroden wurde ein so erhaltener halbleitender Streifen in ein Gemisch eingetaucht, das aus 60 Gewichfcteilen feinverteiltem Silber (das durch Reduktion von Silberoxyd erhalten war), 20 Gewichtsteilen Polyvinylacetat, 15 Gewichtsteilen Äthylenglycol und 5 Gewichtsteilen eines feinverteilten Emails bestand, das aus 5 Gewichtsteilen SiO2,17 Gewichtsteilen B2O3, 75 Gewichtsteilen PbO und A Gewichtsteilen MnO18 erhalten war. Nach dem Eintauchen wurde der Streifen an der Luft getrocknet. Diese Vor-
gung der Elektroden im gleichen Arbeitsgang erfolgen, ao g?nge wurden zweimal wiederholt. Dann wurde das kann vorher Mangan oder eine Manganverbindung auf silberhaltige Gemisch von den Schmalseiten des Streider zu behandelnden Oberfläche angebracht werden, fens entfernt und der Streifen in etwa 5 mm lange 1. B. auf die vorstehend erwähnte Weise. Vorzugsweise Stücke unterteilt. Diese Stücke wurden während etwa wird in diesem Fall Mangan oder eine Manganver- 10 Minuten auf 84O°C in Luft erhitzt. Dabei wurden bindung in das Material aufgenommen, mit dessen 25 Silberelektroden auf die Stücke aufgebrannt, während Hilfe die Elektroden angebracht v/erden. Eine geeignete zugleich Oxydation und Einführen von Manganionen Ausführungsform ist z. B. die. bei der zum Anbringen in der unter der Elektrode befindlichen Grenzschicht von Eleictroden eine Suspension von Silber, die im stattfanden.
wesentlichen aus feinverteiltem Silber und einem Auf die beschriebene Weise wurden mit silberhalti-
ilüchtigen oder verbrennbaren Verbindungsmittel be- 30 gen Gemischen mit unterschiedlichen Gehalten an steht und der Mangan oder eine Manganverbindung Manganverbindung Versuche durchgeführt; diese Gezugesetzt ist, Verwendung findet. Zum Anbringen von
Elektroden kann dabei vorteiihait eine Silberpaste Verwendung finden, die einige Proze te eines manganhaltigen Emails enthält, das vorzugsweise im wesentlichen 35
aus Bleioxyd, B2O3 und SiO2 besteht.
Die Oberflächenbehandlung kann dadurch erfolgen,
daß der behandelte Halbleiterkörper in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre, z. B. in Luft, auf eine Temperatur zwischen 700 und 9000C während 5 bis 30 Minuten 40 Sperrspannung die Spannung, bei der bei einer Elekerhitzt wird. trodenfläche von 0,2 cm2 ein Strom von 1 Mikro-
Die elektrischen Eigenschaften, namentlich die Sperrspannung und der Kapazitätswert, der gemäß dem Verfahren nach der Erfindung hergestellten Kondensatoren werden größenmäßig durch mehrere Faktoren, unter anderem durch die Zusammensetzung des verwendeten oxydischen dielektrischen Materials, bestimmt. Die Werte dieser Größe werden auch durch die Mengen des der zu behandelnden Oberfläche verabreichten Mangans bzw. der Manganverbindung bestimmt. Für jeden Fall läßt sich eine Dosierung des Mangans oder der Manganverbindung angeben, bei der eine maximale Sperrspannung bzw. ein optimaler Wert Tür
halte sind im vorstehenden und in der Tabelle I durch A Gewichtsteile MnO2 im Gemisch, aus dem das Email erhalten wurde, angegeben.
Die Ergebnisse dieser Versuche sind in der Tabelle I dargestellt. Die Spalte 1 dieser Tabelle gibt den Wert von A, die Spalte 2 den Kapazitätswert in nF je cm2 und die Spalte 3 die Sperrspannung in Volt der erhaltenen Kondensatoren an. Wie bereits erwähnt, ist die
ampere fließt.
Tabelle 1
so
A Kapazitätswert Sperrspannung
/x in nF je cm" in Volt
0,0 378 1,7
0,5 373 2,9
1,0 384 5,4
2,0 349 5,4
5,0 369 6,0
die Sperrspannung und den Kapazitätswert des erhalteAus dieser Tabelle ist ersichtlich, daß bei Verwen-
ppg p
nen Kondensators erreicht werden. Diese optimale 55 dung einer Manganverbindung die Sperrspannung Dosierung kann von Fall zu Fall auf Grund des vor» gegenüber derjenigen, die erreicht wird, wenn keine
Manganverbindung vorhanden ist (A = 0,0), erheblich gesteigert werden kann, und auch, daß der Kapazitäts-
wert dabei nicht oder kaum nachteilig beeinflußt wird.
stehend Erläuterten auf einfache Weise durch einige
systematische Versuche bestimmt werden. Dies kann
z. B. gemäß dem nachstehend zu beschreibenden Verfahren dadureh erfolgen, daß dieses unter Anwendung 60 Es sei bemerkt, daß das Verfahren, bei dem keine Manunterschiedlicher Mangan- oder Manganverbindungs- ganverbindung Anwendung findet (A — 0,0), dem bekannten Verfahren zur Herstellung von Sperrschichtkondensatoren auf der Basis eines oxydischen dielektrischen Materials entspricht.
65
mengen durchgeführt wird.
Das Verfahren nach der Erfindung wird an Hand einiger Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Beispiel I
Es wurde von einem innigen Gemisch aus 36 Molprozent BaCO3, 14 Molprozent SrCO3 und 50 MoI-
Durch ähnliche Versuche, wie sie vorstehend für die Herstellung von Sperrschichtkondensatoren auf der Basis von Bariumstrontiumtitanat, das etwas Lanthanoxyd enthält, beschrieben worden sind, wobei die
Einwirkung der angewandten Manganverbindungs» mengen auf die Sperrspannung und die Kapazität der Kondensatoren bestimmt wurde, läßt sich auf einfache Weise für die Herstellung von Sperrschichtkondensatören auf der Basis eines anderen oxydischen elektrisehen Materials die zum Erhalten von Optimalwerten für Sperrspannung und Kapazität zu verwendenden Mangan- oder Manganverbindungsmenge bestimmen.
Statt MnO, kann beim beschriebenen Verfahren eine andere Manganverbindung, z, B. Mangannitrat, Mangankarbonat oder Mn8O3 oder metallisches Mangan Verwendung finden.
Auf eine der beschriebenen ähnliche Weise wurden Sperrschichtkondensatoren hergestellt, bei denen andere oxydische elektrische Materialien benutzt wurden. Dabei fanden zum Anbringen von Elektroden das beschriebene Verfahren und ein ähnliches silberhaltiges Gemisch Anwendung, mit der Maßgabe, daß der Bestandteil, aus dem das Emaille erhalten wurde, 1 Gewichtsteil MnO1 enthielt (dabei war somit stets A — 1). ao Zum Vergleich wurden stets auf gleiche Weise Kondensatoren hergestellt, bei denen im silberhaltigen Gemisch, das zum Anbringen von Elektroden verwendet wurde, keine Manganverbindung benutzt wurde.
In der Tabelle II sind die Zusammensetzungen der verwendeten oxydischen dielektrischen Materialien, die Kapazitätswerte je cms und die Sperrspannungen in Volt angegeben, sowohl für Kondensatoren, bei deren Herstellung keine Manganverbindimg benutzt wurde (was durch A = O angegeben ist), als auch für die, bei deren Herstellung eine solche Verbindung Verwendung fand (was durch A = 1 angegeben ist).
Tabelle II
Zusammensetzung
des dielektrischen
Materials
SrTiO3
+ 0,3 Gewichtsprozent
La2O3
CaTiO3
+ 0,3 Gewichtsprozent
Nb2O8
MgTiO3
+ 0,3 Gewichtsprozent
Sb2O3
TiO2+ 0,5 Gewichtsprozent
Nb2O5
40 Molprozent BaO
+ 10 Molprozent SrO
+ 50 Molprozent TiO2
und 0,3 Gewichtsprozent
Sb2O3
O
1
Kapaziätswert i
nFjectn1
tätswert in spannung
12
4
37
1,4
0,9
180
28
263
214
Sperr-
pannung
in Volt
35
1
30
6
30
1
27
2 20
1,5
19
45
55
60
Die Tabelle II zeigt, daß bei Verwendung einer Manganverbindung (A = 1) Kondensatoren mit erheblich höheren Sperrspannungen erzielbar sind als nach dem (bekannten) Verfahren, bei dem keine Manganverbindung benutzt wird (A = 0), und daß dabei auch gute Kapazitätswerte erzielbar sind.
Dem Fachmann düijt? es einleuchten, daß gemäß dem Verfahren nach der Erfindung hergestellte Kondensatoren besondere jweckmftßig in den Fällen Anwendung finden können, in denen eine KJeinstausfttbrung elektrischer Geräte wichtig ist.
Beispiel 2
Gemäß einem nach Beispiel 1 ähnlichen Verfahren wurden unter Verwendung des in diesem Beispiel verwendeten oxydischen dielektrischen Materials Sperrschicbtkondensatoren hergestellt. Dabei wurde die Manganverbindung jedoch auf andere Weise aufgebracht. Zum Aufbringen einer Manganverbindung auf die zu behandelnden Grenzschichten wurden die Halbleiterstreifen in eine 30gewichtsprozentige Lösung von Mangannitrat in Wasser eingetaucht Das Eintauchen erfolgte dreimal, bevor Elektroden angebracht wurden. Nach jedem Eintauchvorgang wurden die Streifen während 5 Minuten auf etwa 5000C in Luft erhitzt. Auf diese Weise ergaben sich Sperrschichtkondensatoren mit einer Sperrspannung von 5,7 Volt und einem Kapazitätswert von 315 nF je cm1.
Auf ähnliche Weise hergestellte Kondensatoren, bei deren Herstellung das Eintauchen der Halbleiterstreifen in eine Lösung einer Manganverbindung unterblieb, wiesen eine Sperrspannung von 1,6 Volt auf.
Bei diesem Beispiel ist ersicntlich, daß die Aufbringung e<ner Manganverbindung auf die oberflächlich zu behandelnde Grenzschicht des Halbleiterkörpers zu Kondensatoren mit hohen Sperrspannungen führt, wenn sie vor der Anbringung der Elektroden erfolgt.
Beispiel 3
Mangan kann auch als Metall auf die oberflächlich zu behandelnde Grenzschicht des Halbleiterkörpers aufgebracht werden.
Auf einen Streifen aus einem Halbleitermaterial, wie es im Beispiel 1 beschrieben worden ist, wurde in einer Vakuumglocke gemäß einem an sich bekannten Verfahren auf einander gegenüberliegende Flächen metallisches Mangan bis zu einer Schichtdicke von etwa 1 Mikron aufgedampft. Dann wurde der Streifen in Luft während etwa 10 Minuten auf etwa 9000C erhitzt. Dabei wurde das Mangan oxydiert
Die Durchführung des Verfahrens war weiter der im Beispiel 2 beschriebenen ähnlich.
Die erhaltenen Sperrschichtkondensatoren wiesen eine Sperrspannung von etwa 6 Volt und einen Kapazitätswert von etwa 750 nF je cm2 auf.
In einem Falle, bei dem nach dem Aufdampfen des Mangans der Streifen auf etwa 8000C in Luft erhitzt wurde, wies der erhaltene Kondensator eine Sperrspannung von 5,8 Volt auf.
Auf entsprechende Weise., jedoch ohne Aufdampfen von Mangan hergestellte Kondensatoren wiesen eine Sperrspannung von nur 1,6 Volt auf.
Es wurde weiter gefunden, daß die bei Verwendung von Mangan erzielten Ergebnisse noch verbessert werden könnc.i, wenn das Material, mit dessen Hilfe die Elektroden angebracht werden, auch ein Metall oder eine Verbindung, vorzugsweise ein Oxyd, eines Metalls der Gruppe Lanthan, Niobium, Wolfram oder Molybdän enthält.
Die Tabelle IU zeigt die Ergebnisse von auf ähnliche Weise wie im Beispiel 1 mit den in diesem Beispiel erwähnten Materialien durchgeführten Versuchen mit der Maßgabe, daß das zum Anbringen von Elektroden benutzte Email außer 1 Gewichtsprozent MnO2 auch 1 Gewichtsprozent eines Oxydes eines der vorstehend
303
wähnten Metalle enthielt (dieses Oxyd ist in der Taille durch »zugesetztes Metalloxyd« angegeben).
Tabelle III
Zugesetztes Kapazitätswert Sperrspannung
Metalloxyd in nF jecni- in Volt
kein 299 5,7
La2O1 25.1 8.8
Nb2O3 394 7.9
WO1 326 7,0
MoO:, 424 6.4

Claims (12)

Patentansprüche: >5
1. Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Sperrschichtkondensators mit einem im wesentlichen aus gesintertem, durch Einbau von F'remdionen halbleitend gemachtem Titanat oder Titanaten eines oder mehrerer Erdalkalimetalle bestehenden, mit Elektroden versehenen Körper, bei dem zur Erzielung einer isolierenden Sperrschicht mindestens eine der Flächen des Körpers, auf der bzw. »5 denen Elektroden angebracht werden, einer Oberflächenbehandlung durch Erhitzung in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre unterworfen wird, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Behandlung Mangan oder eine Manganverbindung auf die zu behandelnde Oberfläche aufgebracht oder in diese eingebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anbringung der Elektroden und die Oberflächenbehandlung im gleichen Arbeitsgang erfolgen.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Material, mit dessen Hilfe die Elektroden angebracht werden, Mangan oder eine Manganverbindung enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zum Anbringen von Elektroden eine Suspension von feinverteiltcm Silber Verwendung findet, die Mangan oder eine Manganverbindung enthält.
5. Verfahren nach Anspruch 4. dadurch gekennzeichnet, daß die silberhaltige Suspension ein manganhaltiges Email enthalt.
6. Verfahren nach Anspruch 5. dadurch gekennzeichnet, daß das manganhaltige Email in der silberhaltigen Suspension im wesentlichen aus Bleioxyd. B2O,. und SiO2 besteht.
7. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Erdalkalititanat Bariumtitanat oder Bariumstirontiumtitanat Verwendung findet.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Erdalkalititanat Bariumstrontiumtitanat mit einem Molverhäiltnis BaO : SrO : TiO2 35 bis 45 : 7 bis Ii : 48 bis 55 Verwendung findet.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein Bariumstronlliumtitanat Verwendung findet, bei dem das Molverhältnis BaO : SrO : TiO2 etwa 36 : 14 : 52 oder 40: 10: 50 ist.
10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Titanat Titandioxyd Verwendung findet.
11. Verfahren nach den Ansprüchen 7 bis 10. dadurch gekennzeichnet, daß als Fremdionenzusatz ein Oxyd einer seltenen Erde oder von Antimon, Niobium, Wismut oder Yttrium Verwendunc findet.
12. Verfahren nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Material, mit dessen Hilfe die Elektroden angebracht werden, auch ein Metall oder eine Verbindung, vorzugsweise ein Oxyd, eines Metalls der Gruppe Lanthan. Niobium, Wolfram und Molybdän enthält.
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