DE1303160B - Verfahren zur Herstellung eines durch Fremdionen halbleitend gemachten elektrischen Sperrschichtkondensators. - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines durch Fremdionen halbleitend gemachten elektrischen Sperrschichtkondensators.Info
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Sperrschichtkondensators
mit einem im wesentlichen aus gesintertem, durch Einbauvon Fremdionen halbleitend gemachtemTitanat
oder Titanaten eines oder mehrerer Erdalkalimetalle bestehenden, mit Elektroden versehenen Körper, bei
dem zur Erzielung einer isolierenden Sperrschicht mindestens eine der Flächen des Körpers, auf der bzw.
denen Elektroden angebracht werden, einer Oberflächenbehandlung durch Erhitzung in einer sauerstoffhaltigen
Atmosphäre unterworfen wird. Es handelt sich hierbei um Dotierungshalbleiter.
Es ist bekannt, einen Sperrschichtkondensator mit einem gesinterten Körper aus Erdalkalititanaten herzustellen,
wobei der gesinterte Körper zunächst einer allseitigen Reduktion unterworfen wird, bei der sich
ein Reduktionshalbleiter mit einer hohen Dielektrizitätskonstante ergibt. Auf dem Halbleiterkörper werden
dann zwei Elektroden so angebracht, daß unter mindestens einer Elektrode durch Oxydation im Körper
eine isolierende Grenzschicht geringer Dicke entsteht. Aus der deutschen Auslegeschrift 1 127 478 ist ein
Elektrolytkondensator mit einer Anode aus Bariumtitanatkeramik bekannt, welche durch Reduktion halbleitend
gemacht ist, während ihre Oberflächenschicht durch anodische Oxydation wieder in eine nichtleitende
Dielektrikumschicht hoher Dielektrizitätskonstante verwandelt wurde.
Es wurde gefunden, daß so erhaltene Sperrschichtkondensatoren im allgemeinen nicht die Anforderungen
erfüllen, die an sie, unter anderem in bezug auf Sperrspannung und Kapazitätswert, beim Fortschritt
der Technik, insbesondere der Technik auf dem Gebiet der Kleinstausführung elektrischer Geräte, gestellt
werden. Unter der Sperrspannung wird hier die Spannung in Volt verstanden, bei der bei einer Elektrodenfläche
von 0,2 cm2 ein Strom von 1 Mikroampere fließt.
Aus der deutschen Auslegeschrift 1 097 568 sind ferner Sperrschichtkondensatoren aus Erdalkalititanaten
mit Zusatz von Fremdionen in Form von Oxyden seltener Erdmetalle bekannt, die zusätzlich durch
Reduktion halbleitend gemacht sind. Der reduzierte Halbleiterkörper wird mit Elektrodenmaterial bestrichen
und dann derart erhitzt, daß unter den Elektroden eine isolierende Sperrschicht entsteht, die durch
Reoxydation des Halbleitermaterials herrührt. Die durch Fremdionen erhaltene Halbleitereigenschaft der
Sperrschicht läßt sich aber durch Reoxydation nicht beseitigen. Diese Kondensatoren erfüllen daher ebenfalls
nicht die Bedingung einer hohen Sperrspannung bei zugleich verhältnismäßig hohem Kapazitätswert
je cm2.
Es wurde jetzt ein Verfahren gefunden, gemäß dem überraschenderweise derartige Sperrschichtkondensatoren
herstellbar sind, die eine hohe Sperrspannung und zugleich einen verhältnismäßig hohen Kapazitätswert
je cm2 aufweisen.
Gemäß der Erfindung wird dies bei einem Verfahren eingangs erwähnter Art dadurch erreicht, daß vor der
Behandlung Mangan oder eine Manganverbindung auf die zu behandelnde Oberfläche aufgebracht oder in
diese eingebracht wird.
Hierbei werden Manganionen auf Titanstellen ins Kristallgitter eingebaut, wodurch in einer Grenzschicht
der Beitrag der Fremdionen rückgängig gemacht wird, so daß diese Grenzschicht als nichtleitende Sperrschicht
wirkt. Sollte der Titanatkörper auch Reduktionshalbleitereigenschaft aufweisen, so kann diese in der Sperr-
schicht zusätzlich durch Reoxydation rückgängig gemacht werden.
Es sei noch erwähnt, daß aus der USA.-Patentschrift 3 100 329 ein Elektrolytkondensator mit z. B. einer
Tantalanode bekannt ist, die mit einer als Dielektrikum dienenden Oxydhaut überzogen ist. Auf dieser Oxydhaut
ist eine Schutzschicht aus z. B. Manganoxyd aufgebracht, welche die Aufgabe hat, die z. B. infolge elektrischen
Durchschlags beschädigte Oxydhaut zu reoxydieren und damit auszuheilen. In diesem Fall dient das
Manganoxyd als Sauerstofflieferant.
Beim Verfahren nach der Erfindung kann der gesinterte Körper im wesentlichen aus einem an sich bekannten
oxydischen dielektrischen Material bestehen.
Vorzugsweise findet ein Material mit hoher Dielektrizitätskonstante Verwendung. Beispiele eines solchen
Materials sind Titanate, Zirkonate und Stannate von Erdalkalimetallen und Blei, Titandioxyd und Gemische
der erwähnten Verbindungen, die durch einen Fremdionenzusatz, gegebenenfalls in Verbindung mit einer Behandlung
in einer reduzierenden Atmosphäre, halbleitend werden können. Geeignete Materialien sind
insbesondere Erdalkalititanate, die ein Oxyd einer seltenen Erde, wie Lanthan oder Cer, oder z. B. Antimon,
Niobium, Yttrium oder Wismut als Zusatz enthalten. Ein geeignetes Material ist insbesondere dasjenige,
das im wesentlichen aus Bariumtitanat oder Bariumstrontiumtitanat besteht, das als Zusatz ein
Oxyd einer seltenen Erde, insbesondere Lanthanoxyd, oder Antimonoxyd enthält, und insbesondere dasjenige,
bei dem das Molverhältnis BaO: SrO: TiO2 = 35 bis 45 : 7 bis 15 : 48 bis 55 ist. Beispiele von Bariumstrontiumtitanaten
sind die, bei denen das Molverhältnis BaO: SrO: TiO2 = 36: 14: 52 beträgt und die 0,1 Gewichtsprozent
La2O3 enthalten, und die, bei denen das Molverhältnis BaO : SrO: TiO2 = 40: 10: 50 beträgt
und die weiter 0,3 Gewichtsprozent Sb2O3 enthalten.
Ein aus einem oxydischen dielektrischen Material bestehender Halbleiterkörper ist gemäß an sich bekannter
Verfahren herstellbar. Es ist z. B. möglich, ein inniges Gemisch aus den betreffenden Oxyden oder aus
Verbindungen, die bei Erhitzung in diese Oxyde übergehen, oder aus beiden zu einer Scheibe zu pressen und
diese z. B. während 30 bis 60 Minuten auf eine Temperatur zwischen 1200 und 1400° C in Luft zu erhitzen.
Eine eventuelle Reduktion des so erhaltenen Körpers kann z. B. dadurch erfolgen, daß dieser in Wasserstoff
während 30 bis 60 Minuten auf IOOO0C bis 1500°C erhitzt wird.
Die Anbringung der Elektroden kann gemäß einem an sich bekannten Verfahren zum Beispiel dadurch erfolgen,
daß auf die betreffenden Flächen des Körpers eine Silberpaste, die im wesentlichen aus Silber und
einem flüchtigen oder verbrennbaren Verdünnungsmittel besteht, aufgebracht und das Ganze dann, z. B.
in Luft, auf etwa 720° C erhitzt wird. Elektroden können beispielsweise auch durch Aufdampfen von Nickel
angebracht werden.
Die Oberflächenbehandlung, bei der im Halbleiterkörper eine isolierende Grenzschicht gebildet wird, kann auf verschiedene Weise und in verschiedenen Stufen des Herstellungsverfahrens stattfinden. Diese Behandlung kann z. B. erfolgen, bevor die Elektroden angebracht werden. Es wird jedoch ein Verfahren bevorzugt, bei dem die Anbringung der Elektroden und die Oberflächenbehandlung im gleichen Arbeitsgang erfolgen.
Die Oberflächenbehandlung, bei der im Halbleiterkörper eine isolierende Grenzschicht gebildet wird, kann auf verschiedene Weise und in verschiedenen Stufen des Herstellungsverfahrens stattfinden. Diese Behandlung kann z. B. erfolgen, bevor die Elektroden angebracht werden. Es wird jedoch ein Verfahren bevorzugt, bei dem die Anbringung der Elektroden und die Oberflächenbehandlung im gleichen Arbeitsgang erfolgen.
Weil die Oberflächenbehandlung des Halbleiterkörpers beim Verfahren nach der Erfindung in Gegen-
wart von Mangan oder einer Manganverbindung durchgeführt wird, wird dieses Metall oder eine Verbindung
dieses Metalles in der Regel vorher auf der zu behandelnden Oberfläche angebracht.
Wenn die Oberflächenbehandlung vor der Anbringung der Elektroden erfolgt, kann das Mangan z. B.
durch Aufdampfen angebracht werden. Eine Manganverbindung läßt sich z. B. dadurch anbringen, daß die
zu behandelnde Oberfläche mit einer Lösung dieser Verbindung, z. B. einer wäßrigen Lösung von Mangannitrat,
benetzt und dann gegebenenfalls getrocknet wird. Diese Vorgänge können wiederholt werden, bevor
die Erhitzung durchgeführt wird. Nach der Anbringung von Mangan oder einer Manganverbindung
kann die Oberflächenbehandlung z. B. dadurch durchgeführt werden, daß der Halbleiterkörper in Luft auf
700 bis 9C0°C erhitzt wird. Danach können auf an sich bekannte Weise Elektroden angebracht werden.
Wenn die Oberflächenbehandlung und die Anbringung der Elektroden im gleichen Arbeitsgang erfolgen, so
kann vorher Mangan oder eine Manganverbindung auf der zu behandelnden Oberfläche angebracht werden,
z. B. auf die vorstehend erwähnte Weise. Vorzugsweise wird in diesem Fall Mangan oder eine Manganverbindung
in das Material aufgenommen, mit dessen Hilfe die Elektroden angebracht werden. Eine geeignete
Ausführungsform ist z. B. die, bei der zum Anbringen von Elektroden eine Suspension von Silber, die im
wesentlichen aus feinverteiltem Silber und einem flüchtigen oder verbrennbaren Verbindungsmittel besteht
und der Mangan oder eine Manganverbindung zugesetzt ist, Verwendung findet. Zum Anbringen von
Elektroden kann dabei vorteilhaft eine Silberpaste Verwendung finden, die einige Prozente eines manganhaltigen
Emails enthält, das vorzugsweise im wesentlichen aus Bleioxyd, B2O3 und SiO2 besteht.
Die Oberflächenbehandlung kann dadurch erfolgen, daß der behandelte Halbleiterkörper in einer sauerstoffhaltigen
Atmosphäre, z. B. in Luft, auf eine Temperatur zwischen 700 und 900 °C während 5 bis 30 Minuten
erhitzt wird.
Die elektrischen Eigenschaften, namentlich die Sperrspannung und der Kapazitätswert, der gemäß dem Verfahren
nach der Erfindung hergestellten Kondensatoren werden größenmäßig durch mehrere Faktoren, unter
anderem durch die Zusammensetzung des verwendeten oxydischen dielektrischen Materials, bestimmt. Die
Werte diese Grröße werden auch durch die Mengen des der zu behandelnden Oberfläche verabreichten
Mangans bzw. der Manganverbindung bestimmt. Für jeden Fall läßt sich eine Dosierung des Mangans
oder der Manganverbindung angeben, bei der eine maximale Sperrspannung bzw. ein optimaler Wert für
die Sperrspannung und den Kapazitätswert des erhaltenen Kondensators erreicht werden. Diese optimale
Dosierung kann von Fall zu Fall auf Grund des vorstehend Erläuterten auf einfache Weise durch einige
systematische Versuche bestimmt werden. Dies kann z. B. gemäß dem nachstehend zu beschreibenden Verfahren
dadurch erfolgen, daß dieses unter Anwendung unterschiedlicher Mangan- oder Manganverbindungsmengen
durchgeführt wird.
Das Verfahren nach der Erfindung wird an Hand einiger Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Es wurde von einem innigen Gemisch aus 36 Molprozent BaCO3, 14 Molprozent SrCO3 und 50 Molprozent
TiO2 ausgegangen, dem nach dem Vorbrennen eine Menge an La2O3 zugesetzt war, die 0,3 Molprozent
La2O3 des erhaltenen Gemisches entsprach. Aus diesem Gemisch wurden Streifen von 200 · 5 · 0,5 mm gepreßt.
Diese Streifen wurden während etwa 60 Minuten auf etwa 1300° C in einer oxydierenden Atmosphäre
(Luft) in einem Ofen erhitzt, wonach durch Erhitzung in einem Gemisch aus Stickstoff und Wasserstoff (3 :1)
bei etwa 1450° C Reduktion stattfand.
Zum Anbringen von Elektroden wurde ein so erhaltener halbleiter.der Streifen in ein Gemisch eingetaucht,
das aus 60 Gewichtsteilen feinverteiltem Silber (das durch Reduktion von Silberoxyd erhalten war),
20 Gewichtsteilen Polyvinylacetat, 15 Gewichtsteilen Äthylenglycol und 5 Gewichtsteilen eines feinverteilten
Emails bestand, das aus 5 Gewichtsteilen SiO2, 17 Gewichtsteilen B2O3, 75 Gewichtsteilen PbO und A Gewichtsteilen
MnO2 erhalten war. Nach dem Eintauchen wurde der Streifen an der Luft getrocknet. Diese Vorgänge
wurden zweimal wiederholt. Dann wurde das silberhaltige Gemisch von den Schmalseiten des Streifens
entfernt und der Streifen in etwa 5 mm lange Stücke unterteilt. Diese Stücke wurden während etwa
10 Minuten auf 840°C in Luft erhitzt. Dabei wurden Silberelektroden auf die Stücke aufgebrannt, während
zugleich Oxydation und Einführen von Manganionen in der unter der Elektrode befindlichen Grenzschicht
stattfanden.
Auf die beschriebene Weise wurden mit silberhaltigen Gemischen mit unterschiedlichen Gehalten an
Manganverbindung Versuche durchgeführt; diese Gehalte sind im vorstehenden und in der Tabelle I durch
A Gewichtsteile MnO2 im Gemisch, aus dem das Email erhalten wurde, angegeben.
Die Ergebnisse dieser Versuche sind in der Tabelle I dargestellt. Die Spalte 1 dieser Tabelle gibt den Wert
von A, die Spalte 2 den Kapazitätswert in nF je cm2 und die Spalte 3 die Sperrspannung in Volt der erhaltenen
Kondensatoren an. Wie bereits erwähnt, ist die Sperrspannung die Spannung, bei der bei einer Elektrodenfläche
von 0,2 cm2 ein Strom von 1 Mikroampere fließt.
A |
Kapazitätswert
in nFjecm2 |
Sperrspannung
in Volt |
0,0 | 378 | 1,7 |
0,5 | 373 | 2,9 |
1,0 | 384 | 5,4 |
2,0 | 349 | 5,4 |
5,0 | 369 | 6,0 |
Aus dieser Tabelle ist ersichtlich, daß bei Verwendung einer Manganverbindung die Sperrspannung
gegenüber derjenigen, die erreicht wird, wenn keine Manganverbindung vorhanden ist {A = 0,0), erheblich
gesteigert werden kann, und auch, daß der Kapazitätswert dabei nicht oder kaum nachteilig beeinflußt wird.
Es sei bemerkt, daß das Verfahren, bei dem keine Manganverbindung Anwendung findet {A = 0,0), dem bekannten
Verfahren zur Herstellung von Sperrschichtkondensatoren auf der Basis eines oxydischen dielektrischen
Materials entspricht.
Durch ähnliche Versuche, wie sie vorstehend für die Herstellung von Sperrschichtkondensatoren auf der
Basis von Bariumstrontiumtitanat, das etwas Lanthanoxyd enthält, beschrieben worden sind, wobei die
I 303 160
Einwirkung der angewandten Manganverbindungsmengen äüf die Sperrspannang und die Kapazität der
Kondensatoren bestimmt Wurde, läßt sich'auf einfache Weisse für die HerstelIatig vört 'Spefrsfchichtkonden^-
toren- auf der Basis eines anderen oxydischen elektrischen Materials die zum Erhalten von Optirhalwerteh
für Sperrspannung und Kapazität zu verwendenden Mangan-' oder ManganverbinÜurigsmenge bestimmen.
Start MnO2 kann beim beschriebenen Verfahren eine andere Manganverbindung, z: B. Mängännitrat, Martgankarbbnat
Oder Mn2Oroder metallisches Mangan Verwendung finden.
Auf eine der beschriebenen ähnliche Weise wurden SperrsdtichtkondertS-atBr*nhergestellt,bei1denen'ande !fe
OJiydische elektrische Marerialien benutzt Wurden. Dibdr fanden- 2trm Anbringen vori Elektroden'da* !bescHnAene-Verfahrert
und' Vin ähnliches ·Silberhaltiges Gemisch Ari^endung, mit der "Maßgabe, daß der Bestandteil,
aus dem dis 'Emaille erhalten wurde, 1 Gewichtsteil MnO^enthieltidabeiwar somit stets^ - 1).
Ziim Vergleich Wurden stets auf gleiche Wdise Kondensatoren "hergestellt/bei'denen im' sflberhaltigeii 'Öemisdh,
"das 1Zirm Anbringen-vOn 'Elektroden' verwendet wurde, ketoe-Mahganverbindung benutzt* würde:
In der Tabelle II sind die-ZuWrhmensetzungen der verwendeten-öxycfischeh dielektrischen· Materialien,
die Kapazitätswerte je'cm4 und die Sperrspannungen in- Voh-ahgegeb'etf; obwohl -für' i&nderisatoren/' bei
deren Herstellung keine Manganverbindung benutzt wurde (Was durch1 A =O angegeben'ist), als'adch'für
die, bei deren Herstellung eine solche Verbindung Verwendung fänd (Was dü'rch Λ'·· 1 angegeben Ist),
•Zusammensetzung
des dielektrischen.
' Materials
SrTiO3
l4 0,3 Gewichtsprozent
Ila 2O3
l4 0,3 Gewichtsprozent
Ila 2O3
CaTiO3
+ 0,3 Gewichtsprozent
Nb1 2O5
Nb1 2O5
MgTiO3
+ 0,3 Gewichtsprozent
Sb2O3
Sb2O3
TiO2+ 0,5 Gewichtsprozent
Nb2O5..
Nb2O5..
40 Molprozent BaO
+ 10 Molprozent SrO
+ 50 MolprozentTiO2
und 0,3 Gewichtsprozent
Sb2O3
+ 10 Molprozent SrO
+ 50 MolprozentTiO2
und 0,3 Gewichtsprozent
Sb2O3
O
1
1
O
1
1
Kapazitätswert in
nFjeem>
12
4
4
37
8
8
1,4
0,9
0,9
180
28
263
214
214
Sperrspannung in Volt
1
30
30
6
30
30
1
27
27
2
20
20
1,5
19
19
Die Tabellen zeigt, daß bei Verwendung einer Manganverbindung (Λ = 1)' Kondensatoren mit erheblich
höheren Sperrspannungen: erzielbar sind als nach dem (bekannten) Verfahren, bei dem keine Mähganverbindung
benutzt wird (A = 0), und daß dabei auch gute KäpaZitätsWerte erzielbar sind.
Dem Fachmann dürfte es einleuchten, daß gemäß dem Verfahren nach der Erfindung hergestellte Kondensatoren
besonders zweckmäßig iri den Fällen Anwendung finden können, in denen eine KleinstaOsfiihrung1
elektrischer Geräte= wichtig lsi.
Gemäß einem nach Beispiel 1 ähnlichen Verfahren wurden'unter Verwendung des in diesem Beispiel ve*
Wendeten 'oxydischen dielektrischen Materials S'perr-SChichtkondensatoren
Hergestellt. Dabei wurde die Manganverbindung 'jedoch auf andere Weise aufgebrächt.
Zum Aufbringen einer Manganverbiridung auf die zu behandelnden Grenzschichten wurden die Halb-IeiterStreifen'in
eine 30geWichtsproztntige Lösung VOh Mängännitrat irt Wasser eingetaucht. Däs 'Eintatichen
erfolgte dreimal, bevor Elektroden angebracht wurden. Nach-jedem Eintauchvorgang wurden die Streifen
Während'5 Minuten aof 6twa-500oC-irt'Luft erhitzt. Auf diese Weise ergäben Sich SperrschieHtkondertsatoren
mit einer -Sperrspannung von 5,7 Volt Und einem KäpäÜtätswert VrJn 315* rtF je Cm*.
• Auf'ähnliche Weise' hergestellte Kondensatoren, bei deren'Her^tdlUn£das-Ern£äü^
irr eine Lö*unr*irrer MängäTiverbincMng unterblieb; Wiesen-eine Sperrspannung vun \',6 Volt auf.
• Auf'ähnliche Weise' hergestellte Kondensatoren, bei deren'Her^tdlUn£das-Ern£äü^
irr eine Lö*unr*irrer MängäTiverbincMng unterblieb; Wiesen-eine Sperrspannung vun \',6 Volt auf.
Bei diesem'Beispiei-tst ers-icHthch; da» die Aufbringuttg/einer MartgariVerbindüng auf die ÖberflächteH'zü
behandelnde Gretasehichi des! Hälble'iterköVpers zu Kondensatoren mit hohen Sperrspannungen führt;
wenn sfe'Vbr der= Anbringung der Elektroden erfolgt.
Mangan kann auch als Metall auf die oberflächlich zu behandelnde Grenzschicht ;des Halbieiterkorp^
aufgebracht werden.
Auf einen Streifeh aus einem Halbleitermaterial, wie es im Beispiel 1 beschrieben'worden ist; würde ih'einer
Vakuiimgfocke gemäß'einem an sich 'bekannten* Verfahren'auf einander gegenüberliegende Flächen metallisches
-Mangan bis zu einer SchicHtdiclce Von etwa I Mikron aufgedampft. Dann würde 'def Streifen in
Luft während etwa 10 Minuten auf etwa 900° C erhitzt: Dabei wurde däff Mangan oxydiert.
Die Durchführung des Verfährens war weiter der im Beispiel 2 beschriebenen'ähnlich:
' Die erhaltenen Spefrschichtkondensatoren wiesen eine Sperrspannung von etwa 6 Vblt und einen Kapazitätswert Von etwa 750 nF je cm2 auf. '
' Die erhaltenen Spefrschichtkondensatoren wiesen eine Sperrspannung von etwa 6 Vblt und einen Kapazitätswert Von etwa 750 nF je cm2 auf. '
In einem Falle, bei dem nach dem Aufdampfen des Mangans der Streifeh auf etWa SOO0C in Luft erhitzt
Wurde, wies der erhaltene Kondensator eine Sperrspannung von 5,8 VoIt aUf.'
Auf entsprechende Weise, jedoch ohne Aufdampfen von Mangan hergestellte Kondensatoren wiesen eine
Sperrspannung von nur 1,6 Volt äuf.
··'■ ES Wurde weiter gefunden, daß die bei Verwendung von Mangan erzielten Ergebnisse' noch'verbessert werden können, wenn das Material, mit 'dessen Hilfe die Elektroden angebracht werden, auch "ein Metall Oder eine Verbindung, vorzugsweise ein Oxyd; eines Metalls der GYuppe Lanthan, Niobium, Wolfram Oder Molybdän enthalt;
··'■ ES Wurde weiter gefunden, daß die bei Verwendung von Mangan erzielten Ergebnisse' noch'verbessert werden können, wenn das Material, mit 'dessen Hilfe die Elektroden angebracht werden, auch "ein Metall Oder eine Verbindung, vorzugsweise ein Oxyd; eines Metalls der GYuppe Lanthan, Niobium, Wolfram Oder Molybdän enthalt;
Die Tabelle III zeigt die Ergebnisse von auf ähnliche WeiSi e wie im Beispiel 1 mit den in diesem Beispiel' erwähnten
Materialien durchgeführten Vers-uchfcrt ;mit der Maßgabe, daß das zum Anbringen von Elektroden
benutzte Email außer 1 Gewichtsprozent MnO2 auch 1 Gewichtsprozent eines Oxydes- eines der Vorstehend
Claims (12)
1. Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Sperrschichtkondensators mit einem im wesentlichen
aus gesintertem, durch Einbau von Fremdionen halbleitend gemachtem Titanat oder Titanaten
eines oder mehrerer Erdalkalimetalle bestehenden, mit Elektroden versehenen Körper, bei dem zur
Erzielung einer isolierenden Sperrschicht mindestens eine der Flächen des Körpers, auf der bzw.
denen Elektroden angebracht werden, einer Oberflächenbehandlung durch Erhitzung in einer sauerstoffhaltigen
Atmosphäre unterworfen wird, d ad u r c h g e k e η η ζ e i c h η e t, daß vor der Behandlung
Mangan oder eine Manganverbindung auf die zu behandelnde Oberfläche aufgebracht oder
in diese eingebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anbringung der Elektroden und
die Oberflächenbehandlung im gleichen Arbeitsgang erfolgen.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Material, mit dessen Hilfe die
Elektroden angebracht werden, Mangan oder eine Manganverbindung enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zum Anbringen von Elektroden eine
Suspension von feinverteiltem Silber Verwendung findet, die Mangan oder eine Manganverbindung
enthält.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die silberhaltige Suspension ein
manganhaltiges Email enthält.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das manganhaltige Email in der silberhaltigen
Suspension im wesentlichen aus Bleioxyd, B2O3, und SiO2 besteht.
7. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Erdalkalititanat
Bariumtitanat oder Bariumstrontiumtitanat Verwendung findet.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Erdalkalititanat Bariumstrontiumtitanat
mit einem Molverhältnis BaO : SrO: TiO2 = 35 bis 45 : 7 bis 15 : 48 bis 55 Verwendung findet.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein Bariumstrontiumtitanat Verwendung
findet, bei dem das Molverhältnis BaO : SrO : TiO2 etwa 36: 14: 52 oder 40: 10: 50
ist.
10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Titanat Titandioxyd Verwendung
findet.
11. Verfahren nach den Ansprüchen 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß als Fremdionenzusatz
ein Oxyd einer seltenen Erde oder von Antimon, Niobium, Wismut oder Yttrium Verwendung
findet.
12. Verfahren nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
das Material, mit dessen Hilfe die Elektroden angebracht werden, auch ein Metall oder eine Verbindung,
vorzugsweise ein Oxyd, eines Metalls der Gruppe Lanthan, Niobium, Wolfram und Molybdän
enthält.
109518/82
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