DE2552127B2 - Keramikhalbleiter - Google Patents

Keramikhalbleiter

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Description

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Die Erfindung betrifft einen Keramikhalbleiter mit positivem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandswertes mit einem Gehalt an Titanaten des Bariums, Bleis und Calciums und einer halbleiterbildenden Komponente.
Ein derartiger Keramikhalbleiter ist aus der DE-PS 9 29 350 bekannt
In jüngster Zeit wurden Fortschritte hinsichtlich der Anwendung von Keramilchalbleitern vom Bariumtitanattyp als Heizelemente erzielt. Es ist jedoch erforderlich, den Curie-Punkt, welcher dabei etwa 120° C beträgt, zu erhöhen. Zu diesem Zweck wurde vorgeschlagen, eine feste Lösung von Bariumtitanat und Bleititanat zu bilden. Man erhält eine solche feste Lösung durch Substitution eines Teils des Bariums im Bariumtitanat durch Blei. Diese Maßnahme hat in der Tat zu einer Erhöhung des Curie-Punktes geführt. Es kommt jedoch bei der Sinterung zu einer erheblichen Verdampfung des Bleis, so daß bei der Sinterung der Keramikmasse ein Keramikkörper mit hoher Dichte und hoher Festigkeit nur schwer erzielbar ist Die erhaltenen Keramikkörper zeigen schlechtere elektrische Eigenschaften, insbesondere eine geringe Durchbruchspannung, so daß sie schon bei relativ niedrigen Spannungen zerstört werden und im praktischen Gebrauch als Heizelemente eine geringe Zuverlässigkeit haben. Darüber hinaus zeigen die erhaltenen Keramikkörper unter Belastung bei hohen Temperaturen ein schlechtes Alterungsverhalten, so daß ihre Beständigkeit gering ist. Hierdurch wird die Anwendbarkeit als Heizelement beschränkt.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Keramikhalbleiter der eingangs genannten Art mit einem positiven Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandswertes zu schaffen, welcher eine hohe Durchbruchspannung bei hoher Curie-Temperatur aufweist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Keramikhalbleiter gelöst, welcher gekennzeichnet ist durch ein spezielles ternäres Titanatgemisch, bestehend aus 1 bis 40 Mol% Bleititanat, 1 bis 22 Mol%
(1) Der erfindungsgemäße Keramikhalbleiter umfaßt 0,03 bis 0,6 MoI0A einer halbleiterbildenden Komponente sowie Bariumtitanat, in dem 1 bis 40 Mol% Barium durch Blei und 1 bis 22 Mol% Barium durch Calcium substituiert sind.
(2) Es ist bevorzugt, der Masse 0,06 bis 0,9 Gew.-% SiO2 einzuverleiben.
(3) Es ist bevorzugt, der Masse 0,002 bis 0,03 Gew.-% Mn einzuverleiben.
(4) Es ist bevorzugt, der Masse 0,06 bis 0,9 Gew.-°/o SiO2 und 0,002 bis 0,03 Gew.-% Mn einzuverleiben.
Als halbieiterbildende Komponenten kommen Verbindungen eines seltenen Erdelementes, Nb, Ta, Bi, Sb oder W in Frage. Die festen Lösungen des Keramikhalbleiters können nach herkömmlichen Methoden hergestellt werden, z. B. durch Vermischen der gepulverten Komponenten und nachfolgendes Sintern. Als pulverförmige Ausgangskomponenten kommen Bariumtitanat, Bleititanat und Calciumtitanat in Frage sowie Verbindungen, welche zu diesen Titanaten führen. Die Teilchengröße der pulverförmigen Komponenten kann nach Wunsch ausgewählt werden. Man kann die halbleiterbildenden Komponenten ebenfalls in Pulverform einsetzen. Dabei wird die pulverlormige Verbindung mit einem Gehalt des genannten Elementes mit den Hauptpulverkomponenten vor dem Sintern vermischt. Als Mn-Komponente verwendet man gewöhnlich eine Manganverbindung, wie MnO2 oder MnNOj. Das SiO2 und die Mn-Komponente können ebenfalls vor dem Sintern in Pulverform mit den Hauptpulverkomponenten vermischt werden.
Im folgenden wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Beispiele
Es werden verschiedene Proben hergestellt, wobei die nachstehenden Verbindungen in Pulverform als Ausgangsmaterial eingesetzt werden: BaCO3, TiO2, CaCO3, PbO, Y2O3, SiO2 und MnNO3 (MnNO3 · η H2O-Lösung). Dabei werden die Keramikmassen gemäß Tabelle 1 erhalten. Die pulverförmigen Ausgangsmaterialien werden naß während etwa 16 h in einer Topf mühle aus Polyäthylen vermischt. Die Mischung wird dehydratisiert, getrocknet und dann während 0,5 bis 3 h bei 1000 bis 1200° C kalziniert. Die kalzinierte Mischung wird grob zerkleinert und danach während etwa 20 h in einer Topfmühle naß zerkleinert. Danach wird die Mischung dehydratisiert und getrocknet und mit etwa 2 Gew.-% Polyvinylalkohol als Bindemittel versetzt. Sodann wird die Mischung zu Pulver mit einer Teilchengröße von 50 bis 150 Maschen/2,5 cm gemahlen. Die Mischung wird unter einem hydraulischen Druck von 1000 bis 3000 bar
(1000 bis aOOOkp/cm2) in einer Form zu Scheiben mit einem Durchmesser von 16,5 mm und einer Dicke von 3,5 mm gepreßt Die Scheiben werden bei 1230 bis 13300C während 0,5 bis 2 h in einem Chargenofen gesintert An beiden Oberflächen der erhaltenen Proben wird eine Elektrode ausgebildet, und zwar durch eine Nichtelektroden-Plattierung mit In-Ga-Legierung oder mit NL Der spezifische Widerstand ρ^ο, die Durchbruchspannung Vj? und der Curie-Punkt einer jeden Probe werden gemessen. Die Werte sind in Tabelle 1 zusammengestellt Die Messungen werden bei Zimmertemperatur (200C) durchgeführt Der spezifische Widerstand wird mit einem digitalen Widerstandsmeßgerät unter Anwendung von Gleichspannung von weniger als 0,5 V gemessen.
In Tabelle 1 handelt es sich bei den Proben Nr. 3 bis 9, 11 bis 20, 28 bis 33, 35 bis 39, 41 bis 54 und 58 bis 60 um
erfindungsgemäße Proben. Bei diesen Beispielen wird eine Yttriumverbindung verwendet Die gleichen Ergebnisse können erzielt werden, wenn man ansteile der Yttriumverbindung eine Verbindung eines anderen seltenen Erdelementes oder von Nb, Ta, Bi, Sb oder W verwendet.
F i g. 1 ist eine graphische Darstellung der Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes von der Temperatur bei den Proben Nr. 51, 56, 53 und 55. Die Proben Nr. 51 und 56 haben im wesentlichen die gleiche Widerstandstemperatur-Charakteristik. Somit hat die erfindungsgemäße Probe Nr. 51 etwa die zweifache Durchbruchspannung Vßder Probe Nr. 56. Aus den Ergebnissen der Proben Nr. 53 und 55 wird deutlich, daß bei einem Calciumgehalt von mehr als 22 Mol% der spezifische Widerstand bei Zimmertemperatur für den praktischen Gebrauch zu hoch ist
Tabelle 1 (BaxPb, Ca2)TiO3 ■7 Y2O3 Zusatzstoff Mn '.'20 Tc Vh
Probe y [Mol-%] SiO2 [Gew.-%]
Nr. [Mol-%] [Mol-%] [Mol-%] [Gew.-%] _ [u -cm] [C] [V/mm]
94,0 6,0 0,5 0,4 _ - 50 150 48
1 93,5 6,0 1,0 0,4 - - 50 150 48
2 93,0 6,0 5,0 0,4 - - 50 150 70
3 89,0 6,0 10,0 0,4 - - 70 148 90
4 84,0 6,0 17,0 0,4 - - 60 145 110
5 77,0 6,0 18,0 0,4 - - 70 146 125
6 76,0 6,0 20,0 0,4 - - 60 143 130
7 74,0 6,0 22,0 0,4 - - 100 141 150
8 72,0 6,0 25,0 0,4 - - 800 139 200
9 69,0 6,0 17,0 0,4 - - 5,8 104 136 300
10 77,0 6,0 17,0 0,4 0,06 - 61 146 150
11 77,0 6,0 17,0 0,4 0,10 - 65 145 190
12 77,0 6,0 17,0 0,4 0,50 - 73 147 210
13 77,0 6,0 17,0 0,4 0,70 - 84 146 220
14 77,0 6,0 15,0 0,4 0,90 0,002 82 146 200
15 80,0 5,0 17,0 0,40 - 0,005 79 143 155
16 80,0 5,0 15,0 0,40 - 0,010 85 143 180
17 80,0 5,0 15,0 0,42 - 0,020 150 142 200
18 80,0 5,0 15,0 0,44 - 0,030 520 140 300
19 80,0 5,0 - 0,46 - - 2100 139 >333
20 99,0 1,0 - 0,4 0,6 - 40 132 50
21 94,0 6,0 - 0,4 0,6 - 40 150 50
22 90,0 10,0 - 0,4 0,6 - 40 170 53
23 80,0 20,0 - 0,4 0,6 - 60 210 60
24 70,0 30,0 - 0,4 0,6 - 85 260 67
25 60,0 40,0 - 0,4 0,6 - 150 300 84
26 50,0 50,0 1,0 0,4 0,6 300 334 84
27 93,0 6,0 5,0 0,4 0,6 - 40 149 65
28 89,0 6,0 10,0 0,4 0,6 - 62 147 110
29 84,0 6,0 17,0 0,4 0,6 - 54 145 130
30 77,0 6,0 20,0 0,4 0,6 - 53 142 135
31 74,0 6,0 22,0 0,4 0,6 _ 92 141 165
32 72,0 6,0 0.4 0.6 780 139
33
5 (BaxPb11Ca1)TiO3 y ζ 25 52 127 Mn 6 'J 20 Tt Vn
χ [MoI-0/,] [Mol-%] [Gew.-%]
[MoI-0/.] 6,0 25,0 _ [ti · cm] [X] [V/mm]
69,0 1,0 16,0 Y2O3 Zusatzstoff - 62000 135 >333
Fortsetzung 83,0 10,0 13,0 SiO2 - 45 125 120
Probe 77,0 20,0 10,0 [MoI-0/,] [Gew.-0/,] - 65 164 135
Nr. 70,0 30,0 5,0 0,4 0,6 - 82 204 185
65,0 40,0 2,0 0,4 0,6 - 101 256 200
34 58,0 45,0 0,8 0,4 0,6 - 180 298 170
35 54,2 10,0 12,0 0,4 0,6 0,02 210 315 100
36 78,0 10,0 12,0 0,4 0,6 0,02 3000 151 >333
37 78,0 10,0 12,0 0,4 0,6 0,02 1000 149 >333
38 78,0 10,0 12,0 0,4 0,6 0,02 500 150 300
39 78,0 6,0 12,0 0,4 0,06 0,002 35 147 220
40 82,0 6,0 12,0 0,4 0,10 0,005 55 147 140
41 82,0 6,0 12,0 0,4 0,40 0,010 60 147 180
42 82,0 6,0 12,0 0,4 0,90 0,020 75 146 250
43 82,0 6,0 12,0 0,40 0,50 0,025 170 140 300
44 82,0 6,0 12,0 0,40 0,50 0,030 280 140 333
45 82,0 6,0 5,0 0,40 0,50 0,02 350 139 >333
46 89,0 6,0 10,0 0,42 0,50 0,02 2500 140 300
47 84,0 6,0 15,0 0,42 0,50 0,02 680 138 300
48 79,0 6,0 20,0 0,43 0,50 0,02 250 135 333
49 74,0 6,0 23,0 0,4 0,6 0,02 2200 131 >333
50 71,0 6,0 - 0,4 0,6 0,02 4,0-105 126 >333
51 94,0 3,0 - 0,4 0,6 0,03 3000 143 165
52 97,0 8,0 19,0 0,4 0,6 0,022 2000 131 210
53 73,0 6,0 12,0 0,4 0,6 0,02 1500 130 >333
54 82,0 6,0 12,0 0,4 0,6 0,02 780 136 333
55 82,0 0,65 0,6 1300 135 333
56 = 1,01. 0,45 0,6
57 = 1,02. 0,40 0,4
58 0,40 0,4
59*)
60*)
·) Ti
··) Ti
Im folgenden sollen die Gründe für die Beschränkung des Gehaltes der Komponenten dargelegt werden. Wenn der Gehalt an Blei mehr als 40 Mol% beträgt, so ist es schwierig, die Calciumkomponente in eine feste Lösung zu bringen, so daß die Durchbruchspannung nicht verbessert wird. Wenn der Gehalt an Blei weniger als 1 MoI0Zb beträgt, so wird die Curie-Temperatur Tc nicht auf Werte oberhalb 120°C verschoben, und die elektrischen Eigenschaften werden nicht verbessert, so daß ein derartig geringer Bleigehalt in der Praxis nicht bevorzugt ist. Wenn der Gehalt an Calcium mehr als 22 Mol% beträgt, so ist es schwierig, die Calciumkomponente in feste Lösung zu bringen, so daß der spezifische Widerstand bei Zimmertemperatur zu hoch ist und demgemäß ein solcher Keramikhalbleiter praktisch nicht verwendbar ist. Wenn der Gehalt an Calcium weniger als 1 Mol% beträgt, so tritt keine Verbesserung der Durchbruchspannung ein, und es ist schwierig, beim Sintern einen Keramikkörper mit hoher Dichte zu erhalten. Wenn der Gehalt an der halbleiterbildenden Komponenten mehr als 0,6 Mol%, bezogen auf das durch Blei und Calcium substituierte Bariumtitanat, beträgt, so handelt es sich bei dem Keramikkörper um einen Isolator ohne Halbleitereigenschaftea Wenn dei Gehalt an dem halbleiterbildenden Material weniger als
so 0,03 Mol% beträgt, so zeigt dieses keine Wirkung, und man erhält keine halbleitenden Eigenschaften. Wenr der Gehalt an S1O2 mehr als 0,9 Gew.-% beträgt, so ist es schwierig, einen Keramikkörper mit hoher Dichte zi erhalten und die Durchbruchspannung wird nichi verbessert oder herabgesetzt. Wenn der Gehalt an SiO: weniger als 0,06 Gew.-% beträgt, so erzielt man keine sonderliche Verbesserung der Durchbruchspannung und der Bereich der Sintertemperatur ist sehr eng Wenn der Gehalt an Mn mehr als 0,03 Gew.-% beträgt so ist der spezifische Widerstand der Masse be Zimmertemperatur für den praktischen Gebrauch zi hoch. Wenn der Gehalt an Mn weniger als 0,00: Gew.-% beträgt, so tritt keine sonderliche Verbesse rung der Widerstands-Temperatur-Charakteristik ein Wie erwähnt, haben die erfindungsgemäßen Keramik halbleiter mit einer Zusammensetzung innerhalb dei genannten Bereiche die etwa 2- bis 3fache Durchbruch spannung im Vergleich zu herkömmlichen Keramikkör
pern der gleichen Curie-Temperatur und des gleichen spezifischen Widerstandes bei Zimmertemperatur. Die erfindungsgemiißen Hulbleiterelemente haben einen positiven Temperauirkoeffizienten des Widerstandes, und sie sind äußerst zuverlässig. Die Änderung des Widerstandes beim Altern wurde bei den Proben Nr. 41 und 56 bis 58 mit der Schaltung gemäß F i g. 2 gemessen. Bei dem Test werden die Proben bei 85"C während 30 h mit 300 V Wechselstrom beaufschlagt. Danach werden die Proben während I h bei 20"C gelagert, worauf der Widerstand gemessen wird. Die prozentuale Widerstandsänderung wird aus dem anfänglichen Widerstand R\ und dem Widerstand R> nach der Behandlung berechnet.
Tabelle 7 /; Vu Widerstands
änderung hei
Alterung
Widerst ( C) (V/mm) ("A)
I'rohe
Nr.
iindsiiiulci'iing 151 > 333 - 2,2
'_'_'o 143 165 -30.0
41 (1J- cm) 131 210 -80,0
56 3000 130 > 333 - 2,0
57 3000
58 2000
1500
Wie erwähnt, werden Keramikhalbleiter geschaffen, welche neben einer halbleiterbildenden Komponente ein Titanat des Bariums, des Bleis und des Calciums enthalten. Die erfindungsgemäßen Keramikhalbleiter haben eine hohe Dichte, sie sind äußerst stabil, und sie haben eine etwa 2- bis 3fache Durchbruchspannung im Vergleich zu einem herkömmlichen Keramikhalblciter mit gleichem spezifischen Widerstand bei Zimmertemperatur und mit der gleichen Curie-Temperatur. F'erner zeigen sie eine erhebliche Verbesserung hinsichtlich der Widerstandsänderung beim Altern unter Belastung bei hoher Temperatur und eine höhere Zuverlässigkeit. Die erfindungsgemäßen Halbleiterkeramikkörper sind insbes. als Heizelemente brauchbar.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Keramikhalbleiter mit positivem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandswertes mit einem Gehalt an Titanaten des Bariums, Bleis und Calciums und einer halbleiterbildenden Komponente, gekennzeichnet durch ein spezielles tertiäres Titanatgemisch, bestehend aus 1 bis 40 Mol% Bleititanat, 1 bis 22 Mol% Calciumtitanat und 38 bis 98 Mol% Bariuintitanat, jeweils bezogen auf die Gesamttitanate und durch einen Gehalt an 0,03 bis 0,6 Mol% der halbleiterbildenden Komponente, bezogen auf die Titanate.
2. Keramikhalbleiter nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch 0,06 bis 0,9 Gew.-% SiO2.
3. Keramikhalbleiter nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch 0,002 bis 0,003 Gew.-% einer Mn-Komponente.
4. Keramikhalbleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die halbleiterbildende Komponente eine Verbindung eines seltenen Erdelementes oder von Nb, Ta, Bi, Sb oder W ist Caleiumtitanat und 38 bis 98 Mol% Bariumtitanat jeweils bezogen auf die Gesamttitanate, und durch einen Gehalt an 0,03 bis 0,6 Mol% der halbleiterbildenden Komponente, bezogen auf die Titanate.
Eine Mischung von Bariumtitanat, Bleititanat und Calciumtitanat im gewünschten Verhältnis wird gesintert, wobei eine feste Lösung gebildet wird. Der erhaltene Halbleiterkeramikkörper hat eine hohe Dichte und eine ausgezeichnete Beständigkeit, eine
ίο hohe Durchbruchspannung (zwei- bis dreimal so hoch wie bei einem herkömmlichen Halbleiterkeramikkörper) und ein bemerkenswert verbessertes Alterungsverhalten (Änderung des Widerstandes beim Altern) unter Belastung bei hoher Temperatur.
15
DE2552127A 1975-08-08 1975-11-20 Keramikhalbleiter für selbstregelnde Heizelemente Expired DE2552127C3 (de)

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Application Number Title Priority Date Filing Date
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US (1) US4096098A (de)
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DE (1) DE2552127C3 (de)
NL (1) NL167405C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008036835A1 (de) * 2008-08-07 2010-02-18 Epcos Ag Heizungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Heizungsvorrichtung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5830826B2 (ja) * 1978-06-29 1983-07-01 シャープ株式会社 インクジェットプリンタのインク供給装置
US4237084A (en) * 1979-03-26 1980-12-02 University Of Illinois Foundation Method of producing internal boundary layer ceramic compositions
US4284521A (en) * 1979-03-26 1981-08-18 Ferro Corporation Reduced alkaline earth metal powders and process for producing same
US4337162A (en) * 1979-03-26 1982-06-29 University Of Illinois Foundation Internal boundary layer ceramic compositions
US4400310A (en) * 1980-02-12 1983-08-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film silver compositions for silver terminations for reduced barium titanate capacitors
US4468555A (en) * 1980-08-31 1984-08-28 Tdk Corporation Electric soldering iron having a PTC heating element
JPS5764902A (en) * 1980-10-08 1982-04-20 Murata Manufacturing Co Barium titanate semiconductor porcelain
JPS57157502A (en) * 1981-03-24 1982-09-29 Murata Manufacturing Co Barium titanate series porcelain composition
JPS589877A (ja) * 1981-07-08 1983-01-20 松下電器産業株式会社 高誘電率磁器組成物
EP0104257B1 (de) * 1981-12-21 1986-04-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Porzellanzusammensetzung hoher dielektrischer konstante
JP2558489B2 (ja) * 1988-03-01 1996-11-27 株式会社クラベ 正特性半導体磁器
JPH01230202A (ja) * 1988-03-10 1989-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 正特性サーミスタ材料とその製造方法
BE1005382A3 (fr) * 1991-09-09 1993-07-13 Solvay Compositions solides d'oxydes metalliques mixtes, procede de fabrication de telles compositions et resistances electriques obtenues par frittage d'une poudre d'oxydes metalliques mixtes.
JPH08217536A (ja) * 1995-02-14 1996-08-27 Tdk Corp 正の抵抗温度係数を有する半導体磁器組成物及びその製造方法
JP2000095562A (ja) * 1998-07-24 2000-04-04 Murata Mfg Co Ltd 正特性サ―ミスタ用原料組成物、正特性サ―ミスタ用磁器、および正特性サ―ミスタ用磁器の製造方法
JP3855611B2 (ja) * 2000-07-21 2006-12-13 株式会社村田製作所 半導体セラミック及び正特性サーミスタ
DE102008036836A1 (de) * 2008-08-07 2010-02-11 Epcos Ag Formkörper, Heizungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers
CN102603291A (zh) * 2012-03-26 2012-07-25 常熟市林芝电子有限责任公司 热敏陶瓷材料和由其制得冰箱启动用热敏电阻及制造方法
CN102617132A (zh) * 2012-03-26 2012-08-01 常熟市林芝电子有限责任公司 热敏陶瓷材料和由其制得纱线加热用热敏电阻及制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL84015C (de) * 1951-05-23
US2976505A (en) * 1958-02-24 1961-03-21 Westinghouse Electric Corp Thermistors
NL245159A (de) * 1958-12-17
NL277007A (de) * 1961-04-17
US3586642A (en) * 1968-05-29 1971-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ptc thermistor of bati03,and other oxides
US4014822A (en) * 1968-08-13 1977-03-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor ceramic composition
DE1941280C3 (de) * 1968-08-13 1979-06-21 Murata Manufacturing Co. Ltd., Nagaoka, Kyoto (Japan) Halbleitender keramischer Widerstand mit positivem Temperaturkoeffizienten
JPS4741153Y1 (de) * 1969-03-07 1972-12-13
JPS4727712U (de) * 1971-04-19 1972-11-29
US3764529A (en) * 1972-02-17 1973-10-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing fine grain ceramic barium titanate
JPS581483B2 (ja) * 1974-02-18 1983-01-11 株式会社村田製作所 チタンサンバリウムケイハンドウタイジキ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008036835A1 (de) * 2008-08-07 2010-02-18 Epcos Ag Heizungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Heizungsvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
NL7513491A (nl) 1977-02-10
NL167405B (nl) 1981-07-16
NL167405C (nl) 1981-12-16
US4096098A (en) 1978-06-20
DE2552127A1 (de) 1977-02-10
JPS5329386B2 (de) 1978-08-21
JPS5220291A (en) 1977-02-16
DE2552127C3 (de) 1986-11-13

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