DE2552127C3 - Keramikhalbleiter für selbstregelnde Heizelemente - Google Patents
Keramikhalbleiter für selbstregelnde HeizelementeInfo
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Description
Gewichts-% SiO2.
3. Keramikhalbleiter für selbstregelnde Heizelemente mit positivem Temperaturkoeffizienten des
elektrischen Widerstandswertes mit einem ternären Mischtitanat, bestehend aus 5 Mol-% Bleititanat, 80
Mol-% Bariumtitanat und 15 Mol-% Calciumtitanat, bezogen auf die Menge des Mischtitanats, mit 0,4 bis
0.44 Mol-% Yttriumoxid, bezogen auf die Menge des Mischtitanats, und mit 0.002 bis 0.02 Gewichts-%
einer Mn-Kor ^onente.
Die Erfindung betrifft einen Keramikhalbleiter für selbstregelnde Heizelemente mit positivem Temperaturkoeffizienten
des elektrischen Widerstandswertes.
Aus der japanischen Patentanmeldung Nr. 49-89 193 ist ein Keramikhalbleiter bekannt, bei dem der Gehalt
an Calciumtitanat 0,3 bis I Mol-% beträgt. Weiterhin ist es aus »Philips Technische Rundschau« 30 (1969/70) Nr
6/7, S. 192 bis 200, bekannt, daß sich Barium-Blei-Titanate
als Kaltleiter für Heizelementzwecke eignen. Es ist aus dieser Druckschrift aber auch bekannt, daß die bisher
hierzu verwendeten Kaltleiter keine ausreichende Durchbruchfeldstärke haben. Ferner erleiden diese Keramikhalbleiter
beim Altern bei höherer Temperatur eine erhebliche Verringerung des Widerstandswertes.
Schließlich kommt es beim Sintern zu einer beträchtlichen Verdampfung des Bleis, so daß ein Keramikkörper
hoher Dichte und hoher Festigkeit nur schwer erhalten werden kann. Entsprechendes gilt für die Keramikhalbleiter
gemäß der DE-PS 9 29 350 und der DE-PS 14 90 659.
Aus der DE-OS 19 41 280 ist es bereits bekannt, einem
Barium-Strontium-Titanat oder einem Barium-Strontium-Calcium-Titanat
eine Mn-Komponente oder SiO2 zuzusetzen, um die Abhängigkeit des spezifischen
Widerstands von der Spannung zu verringern. Eine Beeinflußbarkeit der Durchbruchfeldstärke eines Barium-Blei-Calcium-Titanats
durch diese Zusätze ist aus dieser Veröffentlichung jedoch nicht bekannt.
Aus der GB-PS 9 33 419 ist es bekannt, bei einem Bariumtitanat-Dielektrikum die dielektrische Festigkeit
durch einen Zusatz an Calcium-Titanat zu erhöhen. Demgegenüber wird aber bei Barium-Blei-Titanat-Halbleitern
durch den alleinigen Zusatz an Calcium-Ti- und/oder SiO2 und mit einem Gehalt an Calciumtitanat
von weniger als 1 Mol-%. Darüber hinaus ist die Alterungsbeständigkeit des Widerstandes drastisch verbesseit.
Die festen Lösungen des Keramikhalt'eiters können
nach herkömmlichen Methoden hergestellt werden. Als pulverförmige Ausgangskomponenten kommen Bariumtitanat,
Bleititanat und Caiciumtitanat in Frage. Die Teilchengröße der pulverförmigen Komponenten kann
nach Wunsch ausgewählt werden. Man kann die halbleiterbildenden Komponenten ebenfalls in Pulverform einsetzen.
Dabei wird die pulverförmige Verbindung mit einem Gehalt des genannten Elementes mit den Hauptpulverkomponenten
vor dem Sintern vermischt. Als Mn-Komponente verwendet man gewöhnlich eine Manganverbindung, wie MnO2 oder MnN03. Das SiO2
und die Mn-Komponente können ebenfalls vor dem Sintern in Pulverform mit den Hiuptpwerkomponenten
vermischt werden.
Im folgenden wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Es werden verschiedene Proben hergestellt, wobei die nachstehenden Verbindungen in Pulverform als Ausgangsmaterial
eingesetzt werden: HaCOi, TiO2, CaCO1,
PbO, Y2O), SiO2 und MnNO1(MnNOj · π H2O-Lösung).
Dabei werden die Keramikmassen gemäß Tabelle 1 erhalten. Die pulverfoiuiigen Ausgangsmaterialien
werden naß während etwa 16 h in einer Topfmühle aus Po'yäthylen vermischt. Die Mischung wird dehydratisiert,
getrocknet und dann während 0,5 bis 3 h bei 1000 bis 12000C kalziniert. Die kalzinierte Mischung wird
grob zerkleinert und danach während etwa 20 h in einer Topfmühle naß zerkleinert. Danach wird die Mischung
dehydratisiert und getrocknet und mit etwa 2 Gew. % Polyvinylalkohol als Bindemittel versetzt. Sodann wird
die Mischung zu Pulver mit einer Teilchengröße von 50 bis 150 Maschen/2,5 cm gemahlen. Die Mischung wird
unter einem hydraulischen Druck von 1000 bis 3000 bar (1000 bis 3000 kp/cm2) in einer Form zu Scheiben mil
einem Durchmesser von 16,5 mm und einer Dicke von 3,5 mm gepreßt. Die Scheiben werden bei 1230 bis
1330°C während 0,5 bis 2 h in einem Chargenofen gesintert. An beiden Oberflächen der erhaltenen Proben
wird eine Elektrode ausgebildet, und zwar durch eine Nichtelektroden-Plattierung mit In-Ga-Legicrung oder
mit Ni. Der spezifische Widerstand 520. die Durchbruchfeldstärke
Vs und der Curie-Punkt einer jeden Probe werden gemessen. Die Werte sind in Tabelle 1
zusammengestellt. Die Messungen werden bei Zimmertemperatur (200C) durchgeführt. Der spezifische Widerstand
wird mit einem digitalen Widerstandsmeßgerät unter Anwendung von Gleichspannung von weniger als
0.5 V gemessen.
In Tabelle 1 handelt es sich bei den Proben Nr. 11 bis
19,30 bis 33,36,37,42 bis 50,52 und 53 um erfindungsge-
mäße Proben.
Fi g. 1 isi eine graphische Darstellung der Abhängigkeit
des spezifischen Widerstandes von eier Temperatur bei den Proben Nr. 51, 56. 53 und 55. Die Proben Nr. 51
und 56 haben im wesentlichen die gleiche Widerstandstemperatur-Charakteristik.
Aus den Ergebnissen der Proben Nr. 53 und 55 wird deutlich, daß bei einem Calciumgehalt
von mehr als 22 MoI-% der spezifische Widerstand
bei Zimmertemperatur für den praktischen Gebrauch zu hoch ist.
Probe
Nr.
Nr.
(BavPb,Car)TiO3 Y2O3
.v y
ζ
[Mol-%] [MoI-0/.] [MoI-0/.] [Mol-%]
Zusatzstoff
SiO2 Mn
SiO2 Mn
|Gcw.-%J [Gew.-%]
i'2U
[U cm]
Tc
IC]
[V/mml
1 | 94.0 | 6,0 | _ | 1,0 | 0,4 | - | — | 50 | 150 | 48 |
2 | 93.5 | 6,0 | 0,5 | 5,0 | 0,4 | - | - | 50 | . J | 48 |
3 | 93.0 | 6.0 | 1,0 | 10,0 | 04 | - | - | 50 | 150 | 70 |
4 | 89.0 | 6,0 | 5,0 | 17,0 | 0 4 | - | - | 70 | 148 | 90 |
5 | 84,0 | 6.0 | 10,0 | 20,0 | 0.4 | - | - | 60 | 145 | 110 |
6 | 77.0 | 6,0 | 17,0 | 22,0 | 0,4 | - | - | 70 | 146 | 125 |
7 | 76.0 | 6,0 | 18,0 | 25,0 | 0,4 | - | - | 60 | 143 | 130 |
8 | 74.0 | 6,0 | 20,0 | 16,0 | 0,4 | - | - | 100 | 141 | 150 |
9 | 72,0 | 6,0 | 22,0 | 13,0 | 0,4 | - | - | 800 | 139 | 200 |
10 | 69,0 | 6,0 | 25,0 | 10,0 | 0,4 | U,06 | - | 5,8 104 | 136 | 300 |
11 | 77.0 | 6,0 | 17,0 | 5,0 | 0,4 | 0,10 | - | 61 | 146 | 150 |
12 | 77.0 | 6,0 | 17,0 | 2,0 | 0,4 | 0,50 | - | 65 | !45 | 190 |
13 | 77.0 | 6,0 | 17,0 | 0,4 | 0,70 | - | 73 | 147 | 210 | |
14 | 77.0 | 6,0 | 17,0 | 0,4 | ' 0,90 | - | 84 | 146 | 220 | |
15 | 77.0 | 6,0 | 17,0 | 0,4 | - | - | 82 | 146 | 200 | |
16 | 80.0 | 5,0 | 15,0 | 0,40 | - | 0,002 | 79 | 143 | 155 | |
17 | 80 0 | 5,0 | 17,0 | 0,40 | - | 0,005 | 85 | 143 | 180 | |
18 | 80,0 | 5,0 | 15,0 | 0,42 | - | 0,010 | 150 | 142 | 200 | |
19 | 80.0 | 5,0 | 15,0 | 0,44 | - | 0v020 | 520 | 140 | 300 | |
20 | 80,0 | 5,0 | 15,0 | 0,46 | 0,6 | 0,030 | 2100 | 139 | >333 | |
21 | 99.0 | 1,0 | - | 0,4 | 0,6 | - | 40 | 132 | 5ü | |
22 | 9-i.O | 6,0 | - | 0,4 | 0,6 | - | 40 | 150 | 50 | |
23 | 90.0 | 10.Ü | - | 0,4 | 0,6 | - | 40 | 170 | 53 | |
24 | 80.0 | 20,0 | - | 0.4 | 0,6 | - | 60 | 210 | 60 | |
25 | 70.0 | 30,0 | - | 0,4 | 0,6 | - | 85 | 260 | 67 | |
26 | 60.0 | 40.0 | - | 0.4 | 0,6 | - | 150 | 300 | 84 | |
27 | 50.0 | 50,0 | - | 0,4 | 0,6 | - | 300 | 334 | 84 | |
28 | 93.0 | 6,0 | 0,4 | 0,6 | _ | 40 | 149 | 65 | ||
29 | 89.0 | 6,0 | 0,4 | 0,6 | - | 62 | 147 | 110 | ||
30 | 84.0 | 6,0 | 0,4 | 0,6 | - | 54 | 145 | 130 | ||
31 | 77.0 | 6.0 | 0.4 | 0,6 | - | 53 | 142 | 135 | ||
32 | 74.0 | 6.0 | 0.4 | 0.6 | - | 92 | 141 | 165 | ||
33 | 72.0 | 6.0 | 0.4 | 0,6 | - | 780 | 139 | 200 | ||
34 | 69,0 | 6,0 | 0,4 | 0,6 | - | 62000 | 135 | >333 | ||
35 | 83,0 | 1,0 | 0,4 | 0,6 | - | 45 | 125 | 120 | ||
36 | 77.0 | 10,0 | 0,4 | 0,6 | - | 65 | 164 | 135 | ||
37 | 70,0 | 20,0 | 0,4 | 0,6 | - | 82 | 204 | 185 | ||
38 | 65,0 | 30,0 | 0,4 | 0,6 | - | 101 | 256 | 200 | ||
39 | 58.0 | 40,0 | 0.4 | — | 180 | 298 | 170 | |||
Fortsct/una
Probe
Nr
Nr
(IiU1Pb1CiU)TiOj Y2O3
V .1· I
[MoI-"/.] [Mol-%1 [Mol-%1 [MoI-0/.]
Zusatzstoff SiO2 Mn
[Gcw.-%] [0ew.-%]
'.'2(I
[U
[V/mm]
54.2
78.0
78.0
78.0
78.0
82.0
82.0
82.0
82.0
82,0
82,0
89,0
84.0
79.0
74.0
71.0
<?4.0
97.0
73.0
82.0
82.0
78.0
78.0
78.0
78.0
82.0
82.0
82.0
82.0
82,0
82,0
89,0
84.0
79.0
74.0
71.0
<?4.0
97.0
73.0
82.0
82.0
45,0
10.0
10,0
10,0
10,0
6.0
6,0
6,0
6.0
6,0
6,0
6,0
6,0
6,0
6,0
6,0
6,0
3.0
8.0
6.0
6,0
10.0
10,0
10,0
10,0
6.0
6,0
6,0
6.0
6,0
6,0
6,0
6,0
6,0
6,0
6,0
6,0
3.0
8.0
6.0
6,0
0,8 12,0 12,0 12,0 12,0 12,0 12,0 12,0
12,0 12,0 12.0
5,0 10,0 15,0 20.0 23,0
19.0 12.0 12,0
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,40
0,40
0,40
0,42
0,42
0,43
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,65
0,45
0,40
0,40
0,02
0,02
0.02
0,02
0,002
0,005
0,010
0,020
0,025
0,030
0,02
0,02
0,02
0,02
0.02
ΰ,υ2
0,03
0,022
0,02
0.02
210
3000
1000
3000
1000
500
35
55
60
75
35
55
60
75
170
280
350
2500
2500
680
250
2200
2200
4,0 105
3000
2000
1500
3000
2000
1500
780
1300
1300
315 151 149 150 147 147 147 146 140 140 139 140 138 135 131 126 143
131 130 136 135
100
>333
>333
300
220
140
180
250
300
3Si
>333
300
300
333
>333
>333
165
210
>333
333
333
Ί Ti •ι Ti =
1.01.
1.02.
1.02.
Im Folgenden sollen die Gründe für die Beschränkung des Gehaltes der Komponenten dargelegt werden.
Wenn der Gehalt an Blei mehr als 40 Mol°/o beträgt, so ist es schwierig, die Calciumkomponentc in eine feste
Lösung zu bringen, so daß die Durchbruchfeldstärke nicht verbessert wird. Wenn der Gehalt an Blei weniger
als 1 Mol% beträgt, so wird die Curie-Temperatur Tc nicht auf Werte oberhalb 1200C verschoben, und die
elektrischen Eigenschaften werden nicht verbessert, so daß ein derartig geringer Bleigehalt in der Praxis nicht
bevorzugt ist. Wenn der Gehalt an Calcium mehr als 22 Mol% beträgt, so ist es schwierig, die Calciumkomponente
in feste Lösung zu bringen, so daß der spezifische Widerstand bei Zimmertemperatur zu hoch ist und
demgemäß ein solcher Keramikhalbleiter praktisch nicht verwendbar ist. Wenn der Gehalt an Calcium
zu gering ist. so tritt keine Verbesserung der Durchbruchfeldstärke ein, und es ist schwierig, beim
Sintern einen Keramikkörper mit hoher Dichte zu -jerhalten. Wenn der Gehalt an der halbleiterbildenden
Komponenten mehr als 0,6 Mol%, bezogen auf das durch Blei und Calcium substituierte ßariumtitanat,
beträgt, so handelt es sich bei dem Keramikkörper um einen Isolator ohne Halbleitereigenschaften. Wenn der
Gehalt an dem halbleiterbildenden Material weniger ais 0.03 Mol% beträgt, so zeigt dieses keine V/irkung, und
man erhält keine halbleitenden Eigenschaften. Wenn der Geha!« an SiO2 mehr als 0,9 Gew.-% beträgt, so ist es
schwierig, einen Keramikkörper mit hoher Dichte zu erhalten und die Durchbruchfeldstärke wird nicht
verbessert Wenn der Gehalt an SiO2 weniger als 0,06 Gew.-% beträgt, so erzielt man keine sonderliche
Verbesserung der Durchbruchfeldstärke, und der Bereich der Sintertemperatur ist sehr eng.
Wenn der Gehalt an Mn mehr als 0,03 Gew.-% beträgt, so ist der spezifische Widerstand der Masse bei
Zimmertemperatur für den praktischen Gebrauch zu hoch. Wenn der Gehalt an Mn weniger als 0.002
Gew.-% beträgt, so tritt keine sonderliche Verbesserung der Widerstands-Temperatur-Charakteristik ein.
Wie erwähnt, haben die erfindungsgemäßen Keramikhalbleiter mit einer Zusammensetzung innerhalb der
genannten Bereiche die etwa 2- bis 3fache Durchbruch-
feldstärke im Vergleich zu herkömmlichen Keramikkörpern der gleichen Curie-Temperatur und des gleichen
spezifischen Widerstandes bei Zimmertemperatur. Die erfindungsgemäßen Halbleiterelemente haben einen
positiven Temperaturkoeffizienten des Widerstandes,
und sie sind äußerst zuverlässig. Die Änderung des
Widerstandes beim Altern wurde bei den Proben Nr. 41
und 56 bis 58 mit der Schaltung gemäß F i g. 2 gemessen.
Bei dem Test werden die Proben bei 85°C während
30 h mit 300 V Wechselstrom beaufschlagt. Danach werden die Proben während 1 h bei 200C gelagert,
worauf der Widerstand gemessen wird. Die prozentuale Widerstandsänderung wird aus dem anfänglichen
Widerstand R, und dem Widersland A2 nach der
Behandlung berechnet
iR = A
Tabelle 2 | !/20 | 7",- | (V/mm) | Widerstands |
>333 | änderung bei 5 | |||
Widerstandsänderung | 165 | Alterung | ||
Probe | (ti · cm) | (O | 210 | (%) |
Nr. | 3000 | 151 | >333 | - 2,2 κ |
3000 | 143 | '••30,0 | ||
2000 | 131 | -80,0 | ||
41 | 1500 | 130 | - 2,0 | |
56 | ||||
57 | ||||
58 | ||||
Die erfindungsgemäßen Keramikhalbleiter haben eine hohe Dichte, sie sind äußerst stabil, und sie haben
eine etwa 2- bis 3fache Durchbruchfeklstärke im Vergleich zu einem herkömmlichen Keramikhalbleiter mit
gleichem spezifischen Widerstand bei Zimmertemperatür
und mit der gleichen Curie-Temperatur. Ferner zeigen sie eine erhebliche Verbesserung hinsichtlich der
Widerstandsänderung beim Altern bei hoher Temperatur und eine höhere Zuverlässigkeit. Die erfindungsgemäßen
Halbleiterkeramikkörper sind insbesondere als Heizelemente brauchbar.
Hierzu 1 BIaIl Zeichnungen
JO
35
40
45
50
55
60
65
Claims (2)
1. Keramikhalbleiter für selbstregelnde Heizelemente mit positivem Temperaturkoeffizienten des
elektrischen Widerstandswertes mit einem ternären Mischtitanat, bestehend aus 6 bis 10 MoI-% Bleititanat,
78 bis 84 Mol-% Bariumtitanat und 10 bis 15 Mol-% Calciumtitanat, bezogen auf die Menge des
Mischtitanats, mit 0,4 bis 0.43 Mol-% Yttriumoxid, bezogen auf die Menge des Mischtitanats, mit 0,1 bis
0,90 Gewichts-% SiO2 und mit 0,002 bis 0,03 Gewichts-%
einer Mn-Komponente.
2. Keramikhalbleiter für selbstregelnde Heizelemente
mit positivem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandswertes mit einem ternären
Mischtitanat, bestehend aus 6 bis 20 Mol-% Bleititanat 70 bis 84 Mol-% Bariumtitanat und 10 bis 22
Mo!-% Calciumtitanat, bezogen auf die Menge des Mischtitanais, mit 0,4 Mol-% Yttriumoxid, bezogen
auf die Menge des Mischiiianats, und mit 0,06 bis 0,9
tanat die gewünschte Durchbruchfeldstärke in Verbindung mit der gewünschten Stabilität des Widerstandes
gegen Alterung nicht erreicht Auch aus »Journal of the Physical Society of Japan«. Band 13,1958, S. 335 bis 340,
sind Dielektrika aus Barium-Blei-Calcium-Titanat bekannt
Die Probleme der Titanatkeramik-Halbleiter sind darin jedoch ebenfalls nicht angesprochen.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Keramikhalbleiter
für selbstregelnde Heizelemente auf
ίο Basis eines Barium-Blei-Calcium-Titanats mit positivem
Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes zu schaffen, welcher zur Eignung für Heizelementzwecke
bei hoher Curie-Temperatur eine hohe Durchhruchfeldstärke und eine relativ geringe Widerstandsä.
;derung bei Alterung aufweist
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Keramikhaibleiter gemäß den Ansprüchen 1 bis 3 gelöst
Ein solcher Keramikhalbleiter hat die zwei- bis dreifaehe
Durchbruchfeldstärke im Vergleich zu einem her-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50096537A JPS5220291A (en) | 1975-08-08 | 1975-08-08 | Semiconductor porcelain composition |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2552127A1 DE2552127A1 (de) | 1977-02-10 |
DE2552127B2 DE2552127B2 (de) | 1978-06-15 |
DE2552127C3 true DE2552127C3 (de) | 1986-11-13 |
Family
ID=14167854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2552127A Expired DE2552127C3 (de) | 1975-08-08 | 1975-11-20 | Keramikhalbleiter für selbstregelnde Heizelemente |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4096098A (de) |
JP (1) | JPS5220291A (de) |
DE (1) | DE2552127C3 (de) |
NL (1) | NL167405C (de) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5830826B2 (ja) * | 1978-06-29 | 1983-07-01 | シャープ株式会社 | インクジェットプリンタのインク供給装置 |
US4337162A (en) * | 1979-03-26 | 1982-06-29 | University Of Illinois Foundation | Internal boundary layer ceramic compositions |
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JPS57157502A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Murata Manufacturing Co | Barium titanate series porcelain composition |
JPS589877A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-20 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
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JP2558489B2 (ja) * | 1988-03-01 | 1996-11-27 | 株式会社クラベ | 正特性半導体磁器 |
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JP2000095562A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-04-04 | Murata Mfg Co Ltd | 正特性サ―ミスタ用原料組成物、正特性サ―ミスタ用磁器、および正特性サ―ミスタ用磁器の製造方法 |
JP3855611B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2006-12-13 | 株式会社村田製作所 | 半導体セラミック及び正特性サーミスタ |
DE102008036836A1 (de) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | Epcos Ag | Formkörper, Heizungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers |
DE102008036835A1 (de) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Epcos Ag | Heizungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Heizungsvorrichtung |
CN102617132A (zh) * | 2012-03-26 | 2012-08-01 | 常熟市林芝电子有限责任公司 | 热敏陶瓷材料和由其制得纱线加热用热敏电阻及制造方法 |
CN102603291A (zh) * | 2012-03-26 | 2012-07-25 | 常熟市林芝电子有限责任公司 | 热敏陶瓷材料和由其制得冰箱启动用热敏电阻及制造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE511613A (de) * | 1951-05-23 | |||
US2976505A (en) * | 1958-02-24 | 1961-03-21 | Westinghouse Electric Corp | Thermistors |
NL245159A (de) * | 1958-12-17 | |||
NL277007A (de) * | 1961-04-17 | |||
US3586642A (en) * | 1968-05-29 | 1971-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ptc thermistor of bati03,and other oxides |
DE1941280C3 (de) * | 1968-08-13 | 1979-06-21 | Murata Manufacturing Co. Ltd., Nagaoka, Kyoto (Japan) | Halbleitender keramischer Widerstand mit positivem Temperaturkoeffizienten |
US4014822A (en) * | 1968-08-13 | 1977-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic composition |
JPS4741153Y1 (de) * | 1969-03-07 | 1972-12-13 | ||
JPS4727712U (de) * | 1971-04-19 | 1972-11-29 | ||
US3764529A (en) * | 1972-02-17 | 1973-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing fine grain ceramic barium titanate |
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-
1975
- 1975-08-08 JP JP50096537A patent/JPS5220291A/ja active Granted
- 1975-11-17 US US05/632,840 patent/US4096098A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-11-19 NL NL7513491.A patent/NL167405C/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-11-20 DE DE2552127A patent/DE2552127C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL167405B (nl) | 1981-07-16 |
NL167405C (nl) | 1981-12-16 |
US4096098A (en) | 1978-06-20 |
JPS5220291A (en) | 1977-02-16 |
NL7513491A (nl) | 1977-02-10 |
DE2552127B2 (de) | 1978-06-15 |
JPS5329386B2 (de) | 1978-08-21 |
DE2552127A1 (de) | 1977-02-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8227 | New person/name/address of the applicant |
Free format text: TDK CORPORATION, TOKYO, JP |
|
8281 | Inventor (new situation) |
Free format text: UMEYA, KAZUMASA YONEZUKA, KAZUNARI, TOKIO/TOKYO, JP |
|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |