CH291523A

CH291523A - Verfahren zur Herstellung festhaftender, gasdichter Überzüge auf Formkörpern aus hochschmelzenden metallischen Werkstoffen.

Info

Publication number: CH291523A
Authority: CH
Inventors: Plansee Gesellscha Metallwerke
Original assignee: Metallwerke Plansee Ges M B H
Priority date: 1950-01-11
Filing date: 1950-10-13
Publication date: 1953-06-30

Description

Verfahren zur Herstellung festhaftender, gasdichter Überzüge auf Formkörpern aus hochschmelzenden metallischen Werkstoffen. Es ist. bereits bekannt, hoe.hsehmelzende Metalle und deren Legierungen mit. einer Sehutzsehieht zu überziehen, um eine Oxyda tion bei höheren Temperaturen zu verhindern.

Es ist. auch schon bekannt, für diesen Zweck CTemenze aus Met.allox-yden und Silizium dioxvd zu verwenden, die als Sillimanit und Mullit bekannt sind und sieh durch besonders ,nute Ilitzebeständigkeit auszeichnen.

Die be kannten C:berzüge dieser Art, die gewöhnlich durch Aufsintern oder Aufschmelzen der hitzebeständigen Oxyde hergestellt wurden, waren jedoch nicht zufriedenstellend, weil deren notwendige Haftung auf dem metalli schen Grrundkörper nur mangelhaft war und diese Überzüge keine ausreichende Abdich- tun n- der Grundkörper ergaben.

Eine wesent liehe Verbes@erunä bezüglich der Herstellung von sillimanitähnliehen Überzügen auf Molyb- dän-Heizleitern konnte auch dadurch nicht. erzielt werden, dass auf dem liol@rbdän zunächst eine Aluminiumschicht aufgebracht und nachträglich oxydiert wird, worauf über der so erhaltenen Aluminiumoxzdsehicht noch (lie lufbringung einer gasdichten,

silikati- scben Deekschieht erfolgt.

Um die erwähnten Schwierigkeiten zu be seitigen, kann gemäss einem noch nicht ver öffentlichten Vorschlag die Herstellung fest lia.ftender, gasdichter Überzüge auf Formkör pern aus vorzugsweise hoehsehmelzenden Metallen mittels hitzebeständiger Oxyde erfol.7 gen, die durch Oxydation von auf den Form körpern aufgebrachten, aus siliziumhaltigen Legierungen bestehenden metallischen Über zügen hergestellt werden.

Es gelingt zwar auf diese Weise Schutzsehiehten auf hochschmel zenden Metallen herzustellen, die auf dem Grundmetall sehr gut haften, was auf die Bil dung von Siliziden zurückzuführen sein dürfte.

Die Aussenschicht der gemäss dem erwähnten Vorschlag hergestellten Überzüge ist. jedoch nicht. immer in ausreichendem Masse glatt sowie poren- und rissefrei. Für bestimmte Verwendungszwecke, z.

B. bei Schaufeln für Abgasturbinen, ist es jedoch unbedingte Vor aussetzung, dass der aus dem silikatischen Überzug gebildete Oxydscherben vollkommen glatt ist, um einen möglichst geringen Wider- stand gegen strömende Gase zu verursachen.

Die vorliegende Erfindung, durch welche auch der zuletzt erwähnte Nachteil vermieden wird, betrifft ein Verfahren zur Herstellung festhaftender, gasdichter Überzüge auf Form körpern ans über 1700 C schmelzenden metal lischen MTerkstoffen mittels hitzebeständiger Oxyde, wobei die unterste auf .den Form körpern haftende Oxydschicht durch Oxyda tion eines auf den Formkörpern aufgebrachten metallischen Überzuges hergestellt -wird, und ist dadurch gekennzeichnet,

dass ein metalli- seher Überzug aus einer siliziumhaltigen Legie rung erzeugt wird und auf die durch Oxyda tion der siliziumhaltigen Legierung herge- stellte Oxvdschieht noch eine weitere, Sili- ziumdioxy d enthaltende Oxydsehicht als Deek- schieht aufgebracht wird, die anschliessend so stark erhitzt wird, dass sie glasurartig nieder schmilzt.

Es hat sich gezeigt, dass man mittels des erfindungsgemässen Verfahrens gasdielite, ein wandfrei haftende Überzüge auf Formkör pern aus z. B. Molybdän, Wolfram, Tantal, Niob, Chrom, Platin, Iridium, Osiniuni und deren Legierungen aus vorzugsweise min destens zwei hochschmelzenden Metallen der :5., 6. oder B. Gruppe des periodischen Systems der Elemente herstellen kann. Die Silizium.

haltigen Legierungen auf den metallischen (Trundkörpern können dabei durch Tauchen, Aufspritzen, Aufdampfen, durch Schmelz elektrolyse oder durch Abseheidung aus gas förmigen Verbindungen (z. B. Silizieren) aufgebracht werden. Die Schichtdicke beträgt dabei zweckmässig weniger als 0,4 min, vor zugsweise 0,05 bis 0,3 mm.

Zum Überziehen der metallischen Grundkörper kommen sili- ziumhaltige Legierungen mit Aluminium, Magnesium, Hafnium, Zirkon, Titan, Thorium, Chrom, Beryllium, Tantal, Niob, Cer usw. in Frage.

Als besonders vorteilhaft hat es sieh jedoch erwiesen, zum Überziehen der metallischen Formkörper Silizium-Aluminium- Legierungen von einer solchen Zusammenset zung zu wählen, dass sich nach der Oxydation ein Überzug ergibt, der im wesentlichen der Zusammensetzung des Sillimanits oder Mullits entspricht.

Die Herstellung des Ü berznges aus der Aluminium-Siliziuni-Le-ierung kann vor teilhaft durch Tauchen der metallischen Form körper in einem wannenartigen Niederfre quenz- oder Hoehfrequenzofen vorgenommen werden, wobei die Metallschmelze zweckmässig durch eine geeignete Salzschmelze (Kochsalz oder Carnallit, abgedeckt wird.

Man kann aber auch so vorgehen, dass man auf die Formkörper zunächst eine Aluminiunisehieht aufbringt und danach durch Tauchen, Auf spritzen, Aufdampfen oder Abseheidung aus gasförmigen Verbindungen eine Silizium- schiebt. Es kann aber auch zunächst eine Siliziumsehicht und danach eine Aluminium- sehicht aufoebraeht werden. In allen Fällen wird sich bei der zur Oxydation des Über zuges erforderlichen Wärmebehandlitnr

durch Diffusion zunächst ein Überzug aus einer ziemlich gleichmässig zusammengesetzten Alu- niinium-Siliziitin-Legiei-uno- bilden. Die Oxv- dat.ion des C'berzug@es selbst kann durch Er hitzen in Luft oder Sauerstoff oder durch bekannte chemische oder elektrolytische Oxy dationsverfahren vor-enominen werden.

Der dabei entstehende (vorzugsweise silli- manitähnliehe) Überzug wird nun noch mit einer Deeksehieht versehen, die neben Siliziuin- dioxy d ge,#-ebenenfalls noch Oxyde der Metalle Titan, Aluminium, Hafnium, Thoriuni, Beryl lium, Magnesium, Caleium, Zirkon, Chrom, Tantal, Niob oder Cer enthält.

Diese Oxyde können entweder als pulverisierte gefrittete Massen oder als (-Temiseli der pulverförmigen Oxyde, die in einer geeigneten Flüssigkeit aufgesehlännnt sind, auf\;

ebraelit -erden. Als besonders vorteilhaft hat es sieh erwiesen, die Oxyde für die Deckschicht so auszuwählen, dass binäre oder ternäre eutektisehe Zusam- niensetzuno-en von Siliziuni(liozyd mit.

Alumi- niumoxy d,@ Zirkonoxvd, 1Iagnesiumoxvd oder Titanoxyd entstehen. Nach dem Aufbringen der Oxyde für die Decksehieht werden die selben so weit. erhitzt, dass sie niedersehmelzen und einen @rlasiirartig-en Überzug bilden.

An Hand folgender Auführunusbeispiele wird die Erfindung noch näher erläutert. Zwecks Heisstellung einer Schaufel für Abgasturbinen wird zunäelist aus 11olybdän ein -cei-rieter Formkörper hergestellt. Dieser Formkörper wird nun durch Tauchen in eine geschmolzene Silizium- Aluminium-1.egierung (36 /a Silizium-ehalt) mit einem 0,3 mm dicken Überzug\ versehen.

Der Tauelivorgang kann am besten in einem wannenartigen Nie derfrequenz- oder Hoelrfrequenzofen ausge- führt -erden, wobei die lletallsehnielze vor teilhaft durch eine etwa 8 ein dicke Salz schicht aus Kochsalz oder Carnallit ab\;@edeckt wird. Der Tauehvorg-aiig wird zweckmässig während einer Zeit von 30 Sekunden bei l100 C durchgeführt.

Durch Erhitzen an der f.uft bei etwa. 800 bis 1000 C wird der metal- lisehe Überzug in eine sillimanitähnliche Schicht umgewandelt. Danach wird auf den Formkörper eine Paste aufgetragen, die aus einer Suspension von Aluminiumoxyd und Siliziunl'dioxyd in Tetraehlorkohlenstoff be steht; die Zusammensetzung wird so gewählt, (1a 1J) die Paste 51/o. Aluminiumoxyd und 951/9 #'iliziumdioxyd enthält.

Der Formkörper wird abermals erhitzt. Es verdampft dabei bei nied riger Temperatur der Tetrachlorkohlenstoff und bei einer Temperatur von etwa 1600 C schmilzt das in Form einer Paste aufgetragene Oxy dgemiseh nieder und bildet eine v ollkom- tiien glatte glasurartige Masse.

Um einen Heizleiter aus Mdlybdän gemäss der Erfindung mit einer Schutzschicht zu überziehen, wird der aus Molybdän vorge formte Heizleiter zunächst durch Schmelz elektrolyse mit einer dünnen Aluminium schicht überzogen. Danach wird durch Sili- zieren eine dünne Siliziumschicht aufgebracht.

nie Oxydation der metallischen Überzugs- .schiebt kann in der Weise durchgeführt -wer den, dass der Heizleiter durch direkten Strom- (lurehgang in Luft. auf eine Temperatur von 1000 C erhitzt wird. Es erfolgt dabei eine weitgehende gegenseitige Diffusion zwischen dem Aluminium- und Siliziumüberzug und danach eine Oxydation dieser Aluminium -L"ierun-, die zur Bildung eines <B>s</B> -'flizium n e e sillimanitähnlichen Überzuges führt.

Die Her stellung der Deckschicht kann nunmehr durch Tauchen der Formkörper in eine Suspension von Siliziumdioxyd, Magnesiumoxy d und ;egebenenfalls Aluminiumoxyd in einer orga- nisehen, verdampfbaren Flüssigkeit. vorge nommen werden.

Die Srispension enthält dabei vorteilhaft 640/a Siliziumdioxvd und 36% llagnesiumoxyd, bzw. 64% Siliziumdioxyd, 181/9 Magnesiumoxyd und 1811/o Aluminiiun- oxyd. Nach erfolgter Tauchung erfolgt durch direkten Stromdurchgang eine nochmalige Erhitzung des Heizleiters, wobei bei einer Temperatur von etwa 1600 bzw.

15000C ein Niederschmelzen der äussersten Deck schicht und damit die Bildung eines glasur- artigen Überzuges erfolgt. Die Erfindung ist in ihrer Anwendung nicht auf die obigen Ausführungsbeispiele beschränkt. Sie kann vielmehr überall dort mit Erfolg benützt werden, wo es sich um die Herstellung von Formkörpern aus hoch schmelzenden Metallen handelt, die hohen Temperaturen in oxydierender Atmosphäre ausgesetzt sind.

Claims

PATENTANSPRÜCHE I. Verfahren zur Herstellung festhaften der, gasdichter Überzüge auf Formkörpern aus über 1700 C schmelzenden metallischen Werk stoffen mittels hitzebeständiger Oxyde, wobei die unterste auf den Formkörpern haftende Oxydschicht durch Oxydation eines auf den Formkörpern aufgebrachten metallischenüber- zuges hergestellt.

wird, dadurch gekennzeich net, dass ein metallischer Überzug aus einer siliziumhaltigen Legierung erzeugt wird und auf die durch Oxydation der siliziumhaltigen Legierung hergestellte Oxydschicht noch eine weitere, Siliziumdioxyd enthaltende Oxyd- sehicht als Deckschicht aufgebracht wird, die anschliessend so stark erhitzt wird, bis sie glasurartig niedersclunilzt. II. Nach dem Verfahren gemäss Patent anspruch I hergestellter festhaftender,

gas dichter Überzug auf einem Formkörper aus einem über 1700 C schmelzenden metallischen Werkstoff. UNTERANSPRÜCHE.: 1. Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der metallische Formkörper aus mindestens einem hoch schmelzenden Metall der 5. Gruppe des peri odischen Systems der Elemente besteht. 2. Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der metallische Formkörper aus mindestens einem hoch schmelzenden Metall der 6. Gruppe des peri odischen Systems der Elemente besteht. 3. Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass der metallische Formkörper aus mindestens einem hoch schmelzenden Metall der B. Gruppe des peri odischen Systems der Elemente besteht, 1.

Verfahren nach Patentansprueli h da durch gekennzeichnet, dass der metallische Formkörper aus einer Legierung aus min destens zwei hochselinielzenden Metallen der 5. Gruppe des periodischen Systems der Fle- niente besteht. 5. Verfahren nach Patentansprtieli I, da durch gekennzeichnet, dass der metallische Formkörper aus einer Legierung aus min destens zwei hoehsehnielzenden Metallen der 6.

Gruppe des periodischen Systems der Ele- niente besteht. 6. Verfahren nach Patentansprueli I, da durch gekenitzeielinet, dass der metallische Formkörper aus einer Legierung aus min destens zwei hochsehmelzeiiden Metallen der B. Gruppe des periodischen Systems der Ele- niente besteht. 7.

Verfahren nach Patentansprueli I, da durch gelzennzeiehnet, dah der metallische Überzug auf den metallischen Formkörpern durch Tauchen in einer Schiehtdieke unter 0,1 mm aufgebracht wird. B. Vert'ahren naeb Patentanspi-Licli I, da durch gekennzeichnet, dass der metallische Überzug auf den metallischen Formkörpern durch Aufspritzen in einer Schichtdicke unter 0,-I mm aufgebracht wird. 9.

Verfahren nach Patentansprueli I, da durch gekenuzeiehnet, dass der metallische Überzug auf den metallischen Formkörpern durch Aufdampfen in einer Sehielitdicke unter 0,4 mm aufgebracht wird. 10. Verfahren nach Patentanspi-neli 1, da durch gekennzeichnet, dass der metallische überzog auf den metallischen Formkörpern durch Schmelzelektrolyse in einer Sehieht- dicke unter 0,4 mm aufgebraelit wird. 11.

Verfahren nach Patentansprueb I, da durch gekennzeichnet, dass der metallische Überzug auf den metallischen Formkörpern durch Abseheidung aus gasförmigen Verbin dungen in einer Sehiehtdiehe unter 0,4 mm aufgebracht wird. 12.

Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, da.ss auf die Form körper eine Siliziumlegierung mit mindestens EMI0004.0052 einem <SEP> Metall <SEP> der <SEP> ''. <SEP> Gruppe <SEP> des <SEP> periodischen <tb> Systems <SEP> der <SEP> Elemente <SEP> aufgebracht <SEP> wird. <tb> 13. <SEP> Verfahren <SEP> iiaeli <SEP> Patentanspruch <SEP> I, <SEP> da durch <SEP> gekennzeichnet, <SEP> dass <SEP> auf <SEP> die <SEP> Form körper <SEP> eine <SEP> Silizium <SEP> -),luniinium-Legierung <tb> aufgebracht <SEP> wird. <tb> 14.

<SEP> Verfahren <SEP> nach <SEP> Patelitanspruch <SEP> I, <SEP> da durch <SEP> gekennzeichnet., <SEP> dass <SEP> auf <SEP> die <SEP> Form körper <SEP> eineil.iziumlefierung <SEP> finit <SEP> mindestens <tb> einem <SEP> Metall <SEP> der <SEP> -1. <SEP> Gruppe\ <SEP> des <SEP> periodischen <tb> Systems <SEP> der <SEP> Elemente <SEP> aufgebra.eht <SEP> wird. <tb> 15. <SEP> Verfahren <SEP> naeb <SEP> Pateittancpi-uch <SEP> I, <SEP> da durch <SEP> vekeiinzeieliiiet, <SEP> dass <SEP> auf <SEP> die <SEP> Form körper <SEP> eine <SEP> Siliziumle@gierting <SEP> mit <SEP> mindestens <tb> einem <SEP> 3letall <SEP> der <SEP> :

5. <SEP> Gruppendes <SEP> periodischen <tb> Systems <SEP> der <SEP> Elemente <SEP> aufgebraeht <SEP> wird. <tb> 16. <SEP> Verfahren <SEP> nach <SEP> Patentanspruch <SEP> I, <SEP> da durch <SEP> gekennzeichnet, <SEP> dass <SEP> auf <SEP> die <SEP> Form körper <SEP> eine <SEP> @ilizium-Chrom-Legierunm <SEP> a.ufge braelit <SEP> wird. <tb> 17. <SEP> Verfahren <SEP> nach <SEP> Palentansprtieh <SEP> I <SEP> und <tb> Unteranspruch <SEP> 7.3, <SEP> dadurch <SEP> gekennzeichnet, <tb> dass <SEP> auf <SEP> die <SEP> Formkörper <SEP> eine <SEP> Silizium-Alu ntinium-Legierun;

, <SEP> auf--ebracbt <SEP> wird. <SEP> die <SEP> der art <SEP> zusammengesetzt. <SEP> ist, <SEP> dass <SEP> nach <SEP> der <SEP> Oxy dation <SEP> ein <SEP> überzog <SEP> von <SEP> etwa <SEP> der <SEP> Zusammen setzung <SEP> des <SEP> Sillimanits <SEP> entstebt. <tb> 18.@Verfahren <SEP> nach <SEP> Pateiitansprneh <SEP> I <SEP> und <tb> I?nteransprueb <SEP> 13, <SEP> dadurch <SEP> gekennzeichnet, <tb> dass <SEP> auf <SEP> die <SEP> Formkörper <SEP> eine <SEP> Silizium-Alu niiniuni-Le--iei-Lin,#;- <SEP> aufgebraebt <SEP> wird, <SEP> die <SEP> der art <SEP> zusammengesetzt <SEP> ist, <SEP> da.ss <SEP> nach <SEP> der <SEP> Oxy dation <SEP> ein <SEP> rberzu;

@ <SEP> von <SEP> etwa <SEP> der <SEP> Zusammen setzung <SEP> des <SEP> #INIullits <SEP> entsteht. <tb> 19. <SEP> Verfahren <SEP> nach <SEP> Patentanspruch <SEP> I <SEP> und <tb> L,nteransprueh <SEP> 13, <SEP> dadurch <SEP> gekennzeichnet, <tb> dass <SEP> der <SEP> Überzug <SEP> aus <SEP> der <SEP> Aluminium-Si@i zium-Legierung <SEP> durch <SEP> Taueben <SEP> in <SEP> einem <tb> wannenartigen <SEP> Niederfrequenzofen <SEP> erhalten <tb> wird, <SEP> wobei <SEP> die <SEP> lIetallsehmelze <SEP> durch <SEP> eine <tb> Salzschmelze <SEP> abgedeckt <SEP> wird. <tb> 20.

<SEP> Verfahren <SEP> nach <SEP> Patentanspruch <SEP> I <SEP> und <tb> Unteransprtieh <SEP> 13, <SEP> dadurch <SEP> gekennzeichnet, <tb> dass <SEP> der <SEP> I'berzug- <SEP> aus <SEP> der <SEP> Aluminium-Sili zium-Legierung <SEP> durch <SEP> Taueben <SEP> in <SEP> einem <tb> wannenartigen <SEP> Hoehfrequenzofen <SEP> erhalten <tb> wird, <SEP> wobei <SEP> die <SEP> lIetallselnilelze <SEP> durch <SEP> eine <tb> Salzschmelze <SEP> abgedeckt. <SEP> wird. 21. Verfahren nach Patentanspruch I und Unteranspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass auf den Formkörpern zuerst eine Alu miniumschicht aufgebracht wird und danach durch Tauchen eine Siliziumschicht. 22.

Verfahren nach Patentanspruch I und Unteranspruch 13, dadurch gekennzeichnet, da1) auf den Formkörpern zuerst eine Alu- miniumschicht aufgebracht wird und danach durch Spritzen eine Siliziumschicht. 23. Verfahren nach Patentanspruch I und Unteranspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass auf den Formkörpern zuerst eine Alu niiniurnschicht aufgebracht wird und danach durch Aufdampfen eine Siliziumscliicht. 24.

Verfahren nach Patentanspruch I und Unteranspruch 13, dadurch gekennzeichnet, elass auf den Formkörpern zuerst eine Alu- ininiumsehielit aufgebracht wird und danach durch Abscheidung aus gasförmigen Verbin dungen eine Siliziumschicht. 25. Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass auf den Form körpern zunächst eine Siliziumschicht und cIanaeh eine Aluminiumschicht aufgebracht wird. 26.

Verfahren nach Patentanspruch 1, da durch gekennzeichnet, dass die Oxydation des Cberzuges durch Erhitzen in Luft erfolgt. 27. Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet., da.ss die Oxydation des I"berzuges durch Erhitzen in Sauerstoff erfolgt. 28. Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass die Oxydation des Cberzuges durch ein chemisches Oxydations verfahren erfolgt. 29. Verfahren nach Patentanspi-Lich I, da durch gekennzeichnet, dass die Oxydation des Überzuges durch ein elektrolytisches Oxyda tionsverfahren erfolgt.

30. Verfahren nach Patentanspruch 1, da- durch gekennzeichnet., dass die Deckschicht neben Siliziumdioxyd noch mindestens ein Oxyd eines Metalles der 2. bis 6. Gruppe des periodischen Systems der Elemente enthält und das Gemenge der pulverförmigen Oxyde in Form einer Aufschlämmung aufgebracht wird. 31.

Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass die Deckschicht neben Siliziumdioxyd noch mindestens ein Oxyd eines Metalles der 2. bis 6. Gruppe des periodischen Systems der Elemente enthält und das Gemenge der pulverförmigen Oxyde in Form einer Suspension in einem organi schen Mediiun aufgebracht wird. 32 Verfahren nach Patentanspruch I und Unteranspruch 30, dadurch gekennzeichnet, dass die pulverförmigen Oxyde als pulveri sierte gefrittete Masse aufgebracht werden. 33.

Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass die Deckschicht aus einer binären eutektischen Zusammenset zung von Siliziumdioxyd mit Aluminiumoxyd besteht. 31. Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass die Deckschicht aus einer binären eutektischen Zusammenset zung von Siliziumdioxyd mit Zirkonoxyd be steht. 35. Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass die Deckschicht aus einer binären eutektisehen Zusammenset zung von Siliziumdioxyd mit Magnesiiunoxyd besteht.

36. Verfahren nach Patentansprich I, da durch gekennzeichnet, dass die Deckschicht aus einer binären eutektischen Zusammenset zung von Siliziumdioxy d mit Titano."-yd be steht. 37. Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass die Deckschicht aus einer ternären eutektischen Zusammenset zung von Siliziumdioxy d mit Aluminium oxyd und Zirkonoxyd besteht. 38.

Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass die Deckschicht aus einer ternären eutektischen Zusammenset zung von Siliziumdioxyd mit Zirkonoxyd und Magnesiumoxyd besteht. 39. Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass die Deckschicht aus einer ternären eutektischen Zusammenset züng von Siliziumdioxy d mit Magnesiumoxyd und Titanoxyd besteht. 40.

Verfahren nach Patentanspruch 1, da durch gekennzeichnet, dass die Deekschieht aus einer ternären eutektischen Zusammenset zung von Siliziumdioxyd mit Titanoxyd und Zirkonoxyd besteht. 41. Verfahren nach Patentanspruch 1, da durch gekennzeichnet, dass die Deckschicht aus einer ternären eutektisehen Zusammenset- zung von Siliziumdioxyd mit Aluminium oxyd und liagnesiumoxyd besteht. 4?.

Verfahren nach Patentanspzazch 1, da durch gekennzeichnet, dass die Deckschicht aus einer ternären eutektisehen Zusammenset zung von Siliziumdioxyd mit Aluminium- oxyd und Titanoxy d besteht.