JPS5848906A - 厚膜コンデンサ−の容量調節方法 - Google Patents
厚膜コンデンサ−の容量調節方法Info
- Publication number
- JPS5848906A JPS5848906A JP14851681A JP14851681A JPS5848906A JP S5848906 A JPS5848906 A JP S5848906A JP 14851681 A JP14851681 A JP 14851681A JP 14851681 A JP14851681 A JP 14851681A JP S5848906 A JPS5848906 A JP S5848906A
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- JP
- Japan
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- thick film
- capacitance
- capacitor
- electrode
- lower electrode
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は厚膜コンデンサーの容量調節方法に関するもの
で、その目的とするところは、容量調節が容易で、かつ
、コンデンサーの特性に何らの影響を及ぼさない調節方
法を提供するものである。
で、その目的とするところは、容量調節が容易で、かつ
、コンデンサーの特性に何らの影響を及ぼさない調節方
法を提供するものである。
高信頼性機能部品として混成集積回路の需要が多くなり
、今後も高性能・高品質の特徴を生かして、ますます広
がっていくことが考えられる。このような炉ス集積回路
において、とりわけ、高周波回路を有した集積回路には
、小型化・高性能化の理由から通常印刷によるメタライ
７ングを用いたアルミナ基板が用いられている。
、今後も高性能・高品質の特徴を生かして、ますます広
がっていくことが考えられる。このような炉ス集積回路
において、とりわけ、高周波回路を有した集積回路には
、小型化・高性能化の理由から通常印刷によるメタライ
７ングを用いたアルミナ基板が用いられている。
第１図は、このようなアルミナ基板の上に形成した厚膜
コンテンサーの一例を示したもので、この厚膜コンデン
サーは、アルミナ基板６の上に導体材料（例えばＡＣＦ
−Ｐｄ、ムｇ−Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕが考えられる）
を用いて下部電極２を形成する。
コンテンサーの一例を示したもので、この厚膜コンデン
サーは、アルミナ基板６の上に導体材料（例えばＡＣＦ
−Ｐｄ、ムｇ−Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕが考えられる）
を用いて下部電極２を形成する。
その上に誘電体３を下部電極２よりも大きい面積に構成
する。さらにその上に上部電極１番構成して厚膜コンデ
ンサーとしている。
する。さらにその上に上部電極１番構成して厚膜コンデ
ンサーとしている。
次に、このような構成の厚膜コンテンサーの静電容惜の
調節方法としては、第２図もしくは第３図に示した方法
がある。すなわち、第２図および第３図は第１図のａ−
ａ’線の断面図を示したものであるが、第２図に示した
ように上部電極のみを一部レーザー光あるいはサンドブ
ラストによってトリミングをするか、第３図に示すよう
−に電極と誘電体を同時ニドリミングする方法である。
調節方法としては、第２図もしくは第３図に示した方法
がある。すなわち、第２図および第３図は第１図のａ−
ａ’線の断面図を示したものであるが、第２図に示した
ように上部電極のみを一部レーザー光あるいはサンドブ
ラストによってトリミングをするか、第３図に示すよう
−に電極と誘電体を同時ニドリミングする方法である。
しかしながら、上記のような調整方法ではいろいろな問
題点がある。まず第２図にみられる調整方法では、上部
電極のみを研削除去するためには厚膜の寸法が正確に出
ていなくてはいけないが、基板の反り、印刷の厚膜のバ
ラツキなど製造上のバラツキから考えると困難であり、
下の誘電体を研削することになり、絶縁破壊特性を劣化
させる。
題点がある。まず第２図にみられる調整方法では、上部
電極のみを研削除去するためには厚膜の寸法が正確に出
ていなくてはいけないが、基板の反り、印刷の厚膜のバ
ラツキなど製造上のバラツキから考えると困難であり、
下の誘電体を研削することになり、絶縁破壊特性を劣化
させる。
次に、第３図に示す上部電極、誘電体、下部電極を同時
に部分的に研削除去する方法は、除去した電極の一部が
研削面の壁面に付着するため、誘電特性を低下させたり
、あるいはショートすることが考えられコンデンサーの
性能を悪くする。
に部分的に研削除去する方法は、除去した電極の一部が
研削面の壁面に付着するため、誘電特性を低下させたり
、あるいはショートすることが考えられコンデンサーの
性能を悪くする。
また、上記いずれの場合も、トリミングが終了した後外
気による劣化を防止するために誘電体層をガラス層で被
覆する必要があるが、この際、容量値のドリフトが起る
。
気による劣化を防止するために誘電体層をガラス層で被
覆する必要があるが、この際、容量値のドリフトが起る
。
本発明はこのような従来の欠点を除去し、コンデンサー
の電気特性を低下させることなく、容量調節のできる方
法を提供するものである。
の電気特性を低下させることなく、容量調節のできる方
法を提供するものである。
以下、本発明の容量調節方法について図面を参照してさ
らに詳しく説明する６ 第４図は本発明の容量調節方法を採用した厚膜コンテン
サーを示す平面図である。まず、セラミック基板の土に
下部電極６を形成し、その上に誘電体層７を構成する。
らに詳しく説明する６ 第４図は本発明の容量調節方法を採用した厚膜コンテン
サーを示す平面図である。まず、セラミック基板の土に
下部電極６を形成し、その上に誘電体層７を構成する。
さらにその上に主コンデンサー用上部電極８と副コンテ
ンサー用上部電極９を形成する。このような構造の厚膜
コンテンサーは誘電体層が被覆される範囲で保護ガラス
コートを行う。ここで容量は、主コンテンサー用の上部
電極８が回路に接続されているので主コンデンサーのみ
の容量が得られる。主コンテンサーの容量値は設計値よ
り少し低目にしておき、常に容量を加える方向へ調節す
る。この考えで構成された主コンテンサーは回路上は容
量不足とな−て現われる。そのために特性をみながら副
コンデンサーを回路に入れていく。第４図では副コンデ
ンサーとして４種類の面積の異なる上部電極９を有して
いる。−上部電極９の面積を異ならせているのは容量値
を階段的に変化させているためで、等間隔の電極であっ
てもよい。ここで、設計上必要な容量値を得るために、
副コンデンサー用の上部電極９の端部と回路に接続され
ている主コンデンサー用の上部電極８を接続ワイヤ１ｏ
を用いて接続する。
ンサー用上部電極９を形成する。このような構造の厚膜
コンテンサーは誘電体層が被覆される範囲で保護ガラス
コートを行う。ここで容量は、主コンテンサー用の上部
電極８が回路に接続されているので主コンデンサーのみ
の容量が得られる。主コンテンサーの容量値は設計値よ
り少し低目にしておき、常に容量を加える方向へ調節す
る。この考えで構成された主コンテンサーは回路上は容
量不足とな−て現われる。そのために特性をみながら副
コンデンサーを回路に入れていく。第４図では副コンデ
ンサーとして４種類の面積の異なる上部電極９を有して
いる。−上部電極９の面積を異ならせているのは容量値
を階段的に変化させているためで、等間隔の電極であっ
てもよい。ここで、設計上必要な容量値を得るために、
副コンデンサー用の上部電極９の端部と回路に接続され
ている主コンデンサー用の上部電極８を接続ワイヤ１ｏ
を用いて接続する。
このような方法で第２．第３．第４の副コンデンサーを
接続して必要な容量値に調節する。
接続して必要な容量値に調節する。
接続の方法としては、リード線のハンダ付による方法や
ワイヤボンディング法、さらに導体塗料を用いて接続す
る方法等がある。このような方法を用いることによって
、コンデンサーを傷つけることなく容量調節ができる。
ワイヤボンディング法、さらに導体塗料を用いて接続す
る方法等がある。このような方法を用いることによって
、コンデンサーを傷つけることなく容量調節ができる。
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
下部電極ｅ用の材料としてムＵ系導体材料を第６図に示
すパターンに３２６メツシユ、乳剤厚み２０μｍの製版
条件で印刷する。なお、第６図において第４図と同一部
分には同一番号が付しである。次［１２０℃で１０分間
乾燥の後、ａｓｏ’ｃ −１０分間の焼付条件にて焼付
ける。焼付後の電極厚みは２ｏμｍｏμｍであった。
すパターンに３２６メツシユ、乳剤厚み２０μｍの製版
条件で印刷する。なお、第６図において第４図と同一部
分には同一番号が付しである。次［１２０℃で１０分間
乾燥の後、ａｓｏ’ｃ −１０分間の焼付条件にて焼付
ける。焼付後の電極厚みは２ｏμｍｏμｍであった。
次に、その上に誘電体層７としてＢａＴｉＯ３を含む誘
電体ペーストを２００メツシュー乳剤厚み３０μｍで印
刷し、乾燥した後再度印刷をくり返して９００℃−１０
分の焼付条件で焼付けた。さらに０１〜Ｃ５までの上部
電極８，９を下部電極６の時と同じ条件で印刷・焼付を
行った。その時の各コンデンサーでは第１表に示す特性
を得た。セしてＣ１の導体にムＵワイヤボンドを用いて
０２〜Ｃ５の上部電極の接続を行った。その時の容量変
化を第６図に示す。
電体ペーストを２００メツシュー乳剤厚み３０μｍで印
刷し、乾燥した後再度印刷をくり返して９００℃−１０
分の焼付条件で焼付けた。さらに０１〜Ｃ５までの上部
電極８，９を下部電極６の時と同じ条件で印刷・焼付を
行った。その時の各コンデンサーでは第１表に示す特性
を得た。セしてＣ１の導体にムＵワイヤボンドを用いて
０２〜Ｃ５の上部電極の接続を行った。その時の容量変
化を第６図に示す。
第１表
（実施例２）
実施例１で用いたと同様の電極構造、製版条件にて、ム
ク−Ｐｄ系導体材料を用いて１６μｍ−３μｍの電極厚
みを有する上下電極を形成した。また誘電体層としてＢ
ａＴｉＯ３系誘電体ペーストを実施例１と同様の条件に
て構成した。その時の各コンテンサーでは第２表に示す
特性を得た。そして０１の導体に０．６ ｍｍφのＣｕ
線を用いてハンタ゛ゴテでＣ２〜Ｃ５の順序にハンダ付
を行った。その時の容量変化を第７図に示す。
ク−Ｐｄ系導体材料を用いて１６μｍ−３μｍの電極厚
みを有する上下電極を形成した。また誘電体層としてＢ
ａＴｉＯ３系誘電体ペーストを実施例１と同様の条件に
て構成した。その時の各コンテンサーでは第２表に示す
特性を得た。そして０１の導体に０．６ ｍｍφのＣｕ
線を用いてハンタ゛ゴテでＣ２〜Ｃ５の順序にハンダ付
を行った。その時の容量変化を第７図に示す。
第２表
以上の説明から明らかなように、本発明の方法を採用す
ることにより、コンデンサーの電気特性を低下させるこ
となく、しかもハンダ付やワイヤボンディング等の比較
的簡単な方法を用いて容量の調節ができるため、その産
業上の価値は多大である。
ることにより、コンデンサーの電気特性を低下させるこ
となく、しかもハンダ付やワイヤボンディング等の比較
的簡単な方法を用いて容量の調節ができるため、その産
業上の価値は多大である。
第１図は厚膜コンデンサーの一例を示す平面図、第２図
および第３図は従来の容量調節方法を施した厚膜コンデ
ンサーの断面図、“第４図および第６ンサーの平面図、
第６図および第７図は本発明の実施例における容量の測
定例を示す図である。 ６・・・・・・下部電極、７・・・・・−誘電体、８・
・・・・・主コンテンサー用上部電極、９・・・・・・
副コンテンサー用上部電極、１０・・・・・・接続ワイ
ヤ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ゝｊ 第４図
および第３図は従来の容量調節方法を施した厚膜コンデ
ンサーの断面図、“第４図および第６ンサーの平面図、
第６図および第７図は本発明の実施例における容量の測
定例を示す図である。 ６・・・・・・下部電極、７・・・・・−誘電体、８・
・・・・・主コンテンサー用上部電極、９・・・・・・
副コンテンサー用上部電極、１０・・・・・・接続ワイ
ヤ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ゝｊ 第４図
Claims (1)
- セラミック基板上に下部電極を形成した後、この下部電
極の上に誘電体層を形成し、さらにこの誘電体層上の前
記下部電極と対応した位置に複数個に分割された上部電
極を形成し、前記複数個の上部電極のうち、所定の電極
間を接続して所望の容量値を得るようにしたことを特徴
とする厚膜コンデンサーの容量調節方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14851681A JPS5848906A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 厚膜コンデンサ−の容量調節方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14851681A JPS5848906A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 厚膜コンデンサ−の容量調節方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848906A true JPS5848906A (ja) | 1983-03-23 |
Family
ID=15454513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14851681A Pending JPS5848906A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 厚膜コンデンサ−の容量調節方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848906A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132312A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-15 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ |
| JPS63248112A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-14 | 日本電気株式会社 | 厚膜コンデンサ |
| JP2007310898A (ja) * | 2007-06-25 | 2007-11-29 | Seiko Epson Corp | 非接触型ｉｃモジュール及び非接触型ｉｃモジュールの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674916A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-20 | Seikosha Kk | Variable condenser |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP14851681A patent/JPS5848906A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674916A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-20 | Seikosha Kk | Variable condenser |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132312A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-15 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ |
| JPS63248112A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-14 | 日本電気株式会社 | 厚膜コンデンサ |
| JP2007310898A (ja) * | 2007-06-25 | 2007-11-29 | Seiko Epson Corp | 非接触型ｉｃモジュール及び非接触型ｉｃモジュールの製造方法 |
| JP4661833B2 (ja) * | 2007-06-25 | 2011-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 非接触型ｉｃモジュール及び非接触型ｉｃモジュールの製造方法 |
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