JPH0562858A - 単板チツプコンデンサの製造方法 - Google Patents
単板チツプコンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH0562858A JPH0562858A JP3246593A JP24659391A JPH0562858A JP H0562858 A JPH0562858 A JP H0562858A JP 3246593 A JP3246593 A JP 3246593A JP 24659391 A JP24659391 A JP 24659391A JP H0562858 A JPH0562858 A JP H0562858A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- trimming
- surface side
- chip capacitor
- Prior art date
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- Withdrawn
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 能率よくトリミングが可能であり、単板チッ
プコンデンサの高い生産性を実現する。 【構成】 誘電体セラミック等で形成された集合基板１
１の複数素子分の仮想のエリア毎に、表面と裏面側に各
々電極１２、１３を形成すると共に、表面側に裏面側の
電極１３とスルーホール導体１４を介して導通するトリ
ミング用電極１５を形成する。そして、上面側の電極１
２の端部とトリミング用電極１５とにプローブｐ、ｐを
当て、その間で静電容量値を測定しながら、上面側の電
極１２をレーザートリミングし、目標の静電容量値に調
整する。その後、各素子毎に分離し、端子電極２７、２
８及び保護膜２９を形成することにより、単板チップコ
ンデンサが完成する。
プコンデンサの高い生産性を実現する。 【構成】 誘電体セラミック等で形成された集合基板１
１の複数素子分の仮想のエリア毎に、表面と裏面側に各
々電極１２、１３を形成すると共に、表面側に裏面側の
電極１３とスルーホール導体１４を介して導通するトリ
ミング用電極１５を形成する。そして、上面側の電極１
２の端部とトリミング用電極１５とにプローブｐ、ｐを
当て、その間で静電容量値を測定しながら、上面側の電
極１２をレーザートリミングし、目標の静電容量値に調
整する。その後、各素子毎に分離し、端子電極２７、２
８及び保護膜２９を形成することにより、単板チップコ
ンデンサが完成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、板状の誘電体の両主面
に対向する一対の電極を形成し、これら電極の各々に接
続するよう、誘電体の端部に端子電極を形成して単板チ
ップコンデンサを製造する方法に関する。
に対向する一対の電極を形成し、これら電極の各々に接
続するよう、誘電体の端部に端子電極を形成して単板チ
ップコンデンサを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に、従来の方法で製造されたこの種
の単板チップコンデンサの構造が示されている。この図
面に示すように、矩形板状の誘電体３１の両主面に一対
の対向する電極３２、３３を形成する。これら電極３
２、３３は、各々誘電体３１の一方の端部側に達するよ
うに形成されており、誘電体３１の端部に、これら電極
３２、３３と重なりあうように端子電極３７、３８を形
成する。さらに、端子電極３７、３８の間に絶縁樹脂皮
膜からなる保護膜３９を形成することで、単板チップコ
ンデンサが完成する。
の単板チップコンデンサの構造が示されている。この図
面に示すように、矩形板状の誘電体３１の両主面に一対
の対向する電極３２、３３を形成する。これら電極３
２、３３は、各々誘電体３１の一方の端部側に達するよ
うに形成されており、誘電体３１の端部に、これら電極
３２、３３と重なりあうように端子電極３７、３８を形
成する。さらに、端子電極３７、３８の間に絶縁樹脂皮
膜からなる保護膜３９を形成することで、単板チップコ
ンデンサが完成する。
【０００３】このような構造のコンデンサは、比較的静
電容量が小さなコンデンサを製造する場合に適用される
が、狭い偏差の静電容量値が要求される高精度のコンデ
ンサでは、静電容量値の調整のため、保護膜３９を形成
する前にトリミングが行なわれる。このトリミングは、
前記端子電極３７、３８にプローブピンを当てて、その
間で静電容量値を測定しながら、一方または双方の電極
３２、３３の一部をレーザービームで焼損し、それらの
実質的な対向面積を減少させることで、静電容量値を減
少させ、目標の静電容量値に調整する。図３において、
符号３６は、一方の電極３２をレーザービームでカット
したトリミング溝を示す。
電容量が小さなコンデンサを製造する場合に適用される
が、狭い偏差の静電容量値が要求される高精度のコンデ
ンサでは、静電容量値の調整のため、保護膜３９を形成
する前にトリミングが行なわれる。このトリミングは、
前記端子電極３７、３８にプローブピンを当てて、その
間で静電容量値を測定しながら、一方または双方の電極
３２、３３の一部をレーザービームで焼損し、それらの
実質的な対向面積を減少させることで、静電容量値を減
少させ、目標の静電容量値に調整する。図３において、
符号３６は、一方の電極３２をレーザービームでカット
したトリミング溝を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】回路基板及びそれ
に搭載される回路要素の小型化に伴い、このような単板
チップコンデンサも小型化が進んでいる。こうした状況
の中、前記のトリミングを行なう場合に、保護膜３９を
形成する前のチップコンデンサを一つ一つ一定の方向に
揃えて並べて測定器へ送り、そこで両端の端子電極３
７、３８にプローブピンを当てながらレーザートリミン
グを行なう作業は、きわめて能率が悪い。従って、単板
チップコンデンサを高い生産性をもって製造することが
できないという欠点があった。そこで本発明は、前記従
来の課題に鑑み、能率よくトリミングが可能であり、従
って高い生産性が実現できる単板チップコンデンサの製
造方法を提供することを目的とする。
に搭載される回路要素の小型化に伴い、このような単板
チップコンデンサも小型化が進んでいる。こうした状況
の中、前記のトリミングを行なう場合に、保護膜３９を
形成する前のチップコンデンサを一つ一つ一定の方向に
揃えて並べて測定器へ送り、そこで両端の端子電極３
７、３８にプローブピンを当てながらレーザートリミン
グを行なう作業は、きわめて能率が悪い。従って、単板
チップコンデンサを高い生産性をもって製造することが
できないという欠点があった。そこで本発明は、前記従
来の課題に鑑み、能率よくトリミングが可能であり、従
って高い生産性が実現できる単板チップコンデンサの製
造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明では、前
記の目的を達成するため、板状の誘電体２１の両主面に
対向する一対の電極２２、２３を形成し、これら電極２
２、２３の各々に接続するよう、前記誘電体２１の端部
に端子電極２７、２８を形成し、単板チップコンデンサ
を製造する方法において、コンデンサ素子の複数個分の
エリアを有する集合基板１１の両主面に電極１２、１３
を複数組形成すると共に、該電極１２、１３のうち一方
の電極１３にスルーホール導体１４を介して導通し、か
つ集合基板の他方の主面に導出されたトリミング用電極
１５を形成し、他方の電極１２の端部と前記トリミング
用電極１５との間で特性を測定しながら、電極１２、１
３をトリミングした後、集合基板１１を素子毎のチップ
に分離し、該チップの端部に端子電極２７、２８を形成
することを特徴とする単板チップコンデンサの製造方法
を提供する。
記の目的を達成するため、板状の誘電体２１の両主面に
対向する一対の電極２２、２３を形成し、これら電極２
２、２３の各々に接続するよう、前記誘電体２１の端部
に端子電極２７、２８を形成し、単板チップコンデンサ
を製造する方法において、コンデンサ素子の複数個分の
エリアを有する集合基板１１の両主面に電極１２、１３
を複数組形成すると共に、該電極１２、１３のうち一方
の電極１３にスルーホール導体１４を介して導通し、か
つ集合基板の他方の主面に導出されたトリミング用電極
１５を形成し、他方の電極１２の端部と前記トリミング
用電極１５との間で特性を測定しながら、電極１２、１
３をトリミングした後、集合基板１１を素子毎のチップ
に分離し、該チップの端部に端子電極２７、２８を形成
することを特徴とする単板チップコンデンサの製造方法
を提供する。
【０００６】
【作用】前記本発明による単板チップコンデンサの製造
方法では、集合基板１１の一方の主面に設けたトリミン
グ用電極１５を、スルーホール導体１４を介して裏面側
の電極１３に接続しているため、集合基板１１の一方の
主面側で双方の電極１２、１３の接触をとることができ
る。このため、集合基板１１の状態で個々の組の電極１
２、１３間の静電容量値が測定可能となり、集合基板１
１のまま各素子のトリミングが可能となる。これによ
り、個々に分離したチップ状のコンデンサを集めて並
べ、トリミングする従来の方法に比べ、能率よくトリミ
ングが行える。そして、トリミングした後、集合基板を
カットし、個々のチップに分離し、その両端に端子電極
２７、２８を形成し、さらにその間に保護膜２９を形成
することで、単板チップコンデンサが完成する。
方法では、集合基板１１の一方の主面に設けたトリミン
グ用電極１５を、スルーホール導体１４を介して裏面側
の電極１３に接続しているため、集合基板１１の一方の
主面側で双方の電極１２、１３の接触をとることができ
る。このため、集合基板１１の状態で個々の組の電極１
２、１３間の静電容量値が測定可能となり、集合基板１
１のまま各素子のトリミングが可能となる。これによ
り、個々に分離したチップ状のコンデンサを集めて並
べ、トリミングする従来の方法に比べ、能率よくトリミ
ングが行える。そして、トリミングした後、集合基板を
カットし、個々のチップに分離し、その両端に端子電極
２７、２８を形成し、さらにその間に保護膜２９を形成
することで、単板チップコンデンサが完成する。
【０００７】
【実施例】次に、図面を参照しながら、本発明の実施例
について詳細に説明する。図１は、単板チップコンデン
サを製造する過程の集合基板１１を示すものである。こ
の集合基板１１は、チタン酸バリウム等の誘電体セラミ
ックから形成されたもので、縦横に単板チップコンデン
サの複数素子分の仮想のエリアを有し、各エリア毎にス
ルーホールが形成されている。この仮想のエリア毎に、
まず集合基板１１の図１（ａ）において裏面側にＡｕ等
の導電性ペーストを印刷し、乾燥し、さらにパッシベー
ション膜を形成し、電極１３を形成する。さらに、同集
合基板１１の図１（ａ）において表面側にも、やはりＡ
ｕ等の導電性ペーストを印刷し、乾燥し、さらにパッシ
ベーション膜を形成し、電極１２とトリミング用電極１
５を形成する。また、この過程で、前記スルーホールに
導電ペーストを吸引し、スルーホール導体１４を形成す
る。さらに、これら導体を焼付ける。
について詳細に説明する。図１は、単板チップコンデン
サを製造する過程の集合基板１１を示すものである。こ
の集合基板１１は、チタン酸バリウム等の誘電体セラミ
ックから形成されたもので、縦横に単板チップコンデン
サの複数素子分の仮想のエリアを有し、各エリア毎にス
ルーホールが形成されている。この仮想のエリア毎に、
まず集合基板１１の図１（ａ）において裏面側にＡｕ等
の導電性ペーストを印刷し、乾燥し、さらにパッシベー
ション膜を形成し、電極１３を形成する。さらに、同集
合基板１１の図１（ａ）において表面側にも、やはりＡ
ｕ等の導電性ペーストを印刷し、乾燥し、さらにパッシ
ベーション膜を形成し、電極１２とトリミング用電極１
５を形成する。また、この過程で、前記スルーホールに
導電ペーストを吸引し、スルーホール導体１４を形成す
る。さらに、これら導体を焼付ける。
【０００８】図１（ｂ）から明かな通り、こうして作ら
れた集合基板１１は、その両主面に形成された電極１
２、１３の一部が集合基板１１を挟んで対向していると
共に、前記スルーホール導体１４が集合基板１１の下面
側の電極１３と上面側のトリミング用電極１５とを導通
している。
れた集合基板１１は、その両主面に形成された電極１
２、１３の一部が集合基板１１を挟んで対向していると
共に、前記スルーホール導体１４が集合基板１１の下面
側の電極１３と上面側のトリミング用電極１５とを導通
している。
【０００９】次に、この集合基板１１の各コンデンサ素
子について、その上面側の電極１２の端部とトリミング
用電極１５とにプローブｐ、ｐを当て、その間で静電容
量値を測定しながら、上面側の電極１２にレーザービー
ムを当て、トリミング溝１６を入れる。これによって、
電極１２、１３の実質的な対向面積を減少させること
で、静電容量値を減少させ、目標の静電容量値に調整す
る。
子について、その上面側の電極１２の端部とトリミング
用電極１５とにプローブｐ、ｐを当て、その間で静電容
量値を測定しながら、上面側の電極１２にレーザービー
ムを当て、トリミング溝１６を入れる。これによって、
電極１２、１３の実質的な対向面積を減少させること
で、静電容量値を減少させ、目標の静電容量値に調整す
る。
【００１０】こうしてすべての素子についてトリミング
を行なった後、各素子毎にａ、ｂ、ｃの切断線で切断
し、個々のチップに分離する。図２において、符号２１
は、前記集合基板１１から分離した単板状の誘電体を示
す。さらに、図２で示すように、この単板状の誘電体２
１の両端部に導電ペーストを塗布し、乾燥し、焼付け、
次いでこの上に半田メッキを施して、前記電極１２、１
３の端部に各々導通する端子電極２７、２８を形成す
る。また、これら端子電極２７、２８の間に樹脂を塗布
し、硬化させて、保護膜２９を形成することにより、単
板チップコンデンサが完成する。
を行なった後、各素子毎にａ、ｂ、ｃの切断線で切断
し、個々のチップに分離する。図２において、符号２１
は、前記集合基板１１から分離した単板状の誘電体を示
す。さらに、図２で示すように、この単板状の誘電体２
１の両端部に導電ペーストを塗布し、乾燥し、焼付け、
次いでこの上に半田メッキを施して、前記電極１２、１
３の端部に各々導通する端子電極２７、２８を形成す
る。また、これら端子電極２７、２８の間に樹脂を塗布
し、硬化させて、保護膜２９を形成することにより、単
板チップコンデンサが完成する。
【００１１】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、個
々に分離された細かいチップ状の素子についてトリミン
グを行なわず、平板状の集合基板の状態で各素子のトリ
ミングを行なうことができるため、トリミング工程が容
易になり、能率的で生産性の高いチップ状コンデンサの
製造方法が提供できるようになる。
々に分離された細かいチップ状の素子についてトリミン
グを行なわず、平板状の集合基板の状態で各素子のトリ
ミングを行なうことができるため、トリミング工程が容
易になり、能率的で生産性の高いチップ状コンデンサの
製造方法が提供できるようになる。
【図１】本発明の実施例を示す集合基板の平面図（ａ）
と、そのＢ−Ｂ線拡大断面図である
と、そのＢ−Ｂ線拡大断面図である
【図２】本発明の方法で製造された単板チップコンデン
サの例を示す縦断側面図である。
サの例を示す縦断側面図である。
【図３】従来の方法で製造された単板チップコンデンサ
の例を示す縦断側面図である。
の例を示す縦断側面図である。
１１ 集合基板 １２ 電極 １３ 電極 １４ スルーホール導体 １５ トリミング用電極 １６ トリミング溝 ｐ プローブ ２７ 端子電極 ２８ 端子電極
Claims (1)
- 【請求項１】 板状の誘電体（２１）の両主面に対向す
る一対の電極（１２）、（１３）を形成し、これら電極
（１２）、（１３）の各々に接続するよう、前記誘電体
（２１）の端部に端子電極（２７）、（２８）を形成
し、単板チップコンデンサを製造する方法において、コ
ンデンサ素子の複数個分のエリアを有する集合基板（１
１）の両主面に電極（１２）、（１３）を複数組形成す
ると共に、該電極（１２）、（１３）のうち一方の電極
（１３）にスルーホール導体（１４）を介して導通し、
かつ集合基板の他方の主面に導出されたトリミング用電
極（１５）を形成し、他方の電極（１２）の端部と前記
トリミング用電極（１５）との間で特性を測定しなが
ら、電極（１２）、（１３）をトリミングした後、集合
基板（１１）を素子毎のチップに分離し、該チップの端
部に端子電極（２７）、（２８）を形成することを特徴
とする単板チップコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3246593A JPH0562858A (ja) | 1991-08-31 | 1991-08-31 | 単板チツプコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3246593A JPH0562858A (ja) | 1991-08-31 | 1991-08-31 | 単板チツプコンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562858A true JPH0562858A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17150728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3246593A Withdrawn JPH0562858A (ja) | 1991-08-31 | 1991-08-31 | 単板チツプコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562858A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100663019B1 (ko) * | 2004-08-06 | 2006-12-28 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자부품의 제조방법 및 이 방법을 사용해서 제조된전자부품 |
| US20180259387A1 (en) * | 2017-03-09 | 2018-09-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Rear surface incident type light receiving device and method for manufacturing thereof |
| KR20240114697A (ko) | 2023-01-17 | 2024-07-24 | 연세대학교 산학협력단 | 중합 고분자 전해질 기반 고체 후막 전극 및 그 제조방법 |
-
1991
- 1991-08-31 JP JP3246593A patent/JPH0562858A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100663019B1 (ko) * | 2004-08-06 | 2006-12-28 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자부품의 제조방법 및 이 방법을 사용해서 제조된전자부품 |
| US20180259387A1 (en) * | 2017-03-09 | 2018-09-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Rear surface incident type light receiving device and method for manufacturing thereof |
| US10746592B2 (en) * | 2017-03-09 | 2020-08-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing rear surface incident type light receiving device including an electrode and characteristic inspection thereof |
| US11339494B2 (en) | 2017-03-09 | 2022-05-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Rear surface incident type light receiving device comprising an uppermost part of an electrode with a larger diameter than lowermost part of the electrode |
| KR20240114697A (ko) | 2023-01-17 | 2024-07-24 | 연세대학교 산학협력단 | 중합 고분자 전해질 기반 고체 후막 전극 및 그 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |