JPS5930509Y2 - ビ−ムリ−ド型ｍｉｍキヤパシタ - Google Patents
ビ−ムリ−ド型ｍｉｍキヤパシタInfo
- Publication number
- JPS5930509Y2 JPS5930509Y2 JP4001277U JP4001277U JPS5930509Y2 JP S5930509 Y2 JPS5930509 Y2 JP S5930509Y2 JP 4001277 U JP4001277 U JP 4001277U JP 4001277 U JP4001277 U JP 4001277U JP S5930509 Y2 JPS5930509 Y2 JP S5930509Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beam lead
- thin film
- mim capacitor
- metal
- dielectric thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はマイクロ波帯のような超高周波帯で使用する多
層構造のキャパシタに関するもので゛ある。
層構造のキャパシタに関するもので゛ある。
マイクロ波帯のような超高周波帯における装置の小型化
、軽量化を計るために、マイクロ波集積回路が用いられ
る傾向が高まっている。
、軽量化を計るために、マイクロ波集積回路が用いられ
る傾向が高まっている。
マイクロ波集積回路において、受動素子として使用する
キャパシタはストリップ線路で形成する方法はあるが得
られる静電容量は比較的小容量値であり、大容量を得る
場合は別に構成されたキャパシタを設けなければならず
、ＭＩＳ （Ｍｅｔａｌ −Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ −５
ｅｍｉｃｏｎｃｌｕｃｔｏｒ）型やＭＩＭ （Ｍｅｔａ
ｌ −ＩｎｓｕｌａｔｏｒＭｅｔａｌ）型などが用いら
れている。
キャパシタはストリップ線路で形成する方法はあるが得
られる静電容量は比較的小容量値であり、大容量を得る
場合は別に構成されたキャパシタを設けなければならず
、ＭＩＳ （Ｍｅｔａｌ −Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ −５
ｅｍｉｃｏｎｃｌｕｃｔｏｒ）型やＭＩＭ （Ｍｅｔａ
ｌ −ＩｎｓｕｌａｔｏｒＭｅｔａｌ）型などが用いら
れている。
これらの中でＭＩＭキャパシタはキャパシタを構成する
両電極が蒸着などの技法で形成された金属導体であるこ
とからＭＩＲ型キャパシタなどと比して、電極の直列抵
抗が小さく、従ってマイクロ波帯のような超高周波帯で
は挿入損失が小さいなどの利点がある。
両電極が蒸着などの技法で形成された金属導体であるこ
とからＭＩＲ型キャパシタなどと比して、電極の直列抵
抗が小さく、従ってマイクロ波帯のような超高周波帯で
は挿入損失が小さいなどの利点がある。
しかしながら従来のＭＩＭ型キャパシタを他の回路素子
と接続する方法は構造上ボンディングワイヤなどで接続
する方法しか無く、寄生要素はまねがれす、電気的特性
の良好なキャパシタは得難いのが実状であった。
と接続する方法は構造上ボンディングワイヤなどで接続
する方法しか無く、寄生要素はまねがれす、電気的特性
の良好なキャパシタは得難いのが実状であった。
本考案は上記の欠点を解決するために金属−誘電体−金
属構造を有するＭＩＭキャパシタにおいて、誘電体薄膜
の一方の面に相切離した二個のビームリード金属電極を
形成し、該誘電体薄膜の他方の面に形成せしめた金属電
極と、前記二個のビームリード金属電極のうち一方の電
極とを電気的に短絡したことを特徴とするビームリード
型ＭＩＭ ４ヤパシタにより寄生要素が少なく電気的特
性が良好であり、且つ装着の容易なキャパシタを提供す
ることを目的とするものである。
属構造を有するＭＩＭキャパシタにおいて、誘電体薄膜
の一方の面に相切離した二個のビームリード金属電極を
形成し、該誘電体薄膜の他方の面に形成せしめた金属電
極と、前記二個のビームリード金属電極のうち一方の電
極とを電気的に短絡したことを特徴とするビームリード
型ＭＩＭ ４ヤパシタにより寄生要素が少なく電気的特
性が良好であり、且つ装着の容易なキャパシタを提供す
ることを目的とするものである。
以下本考案について図面を用いて説明する。
第１図は本考案によるビームリード型ＭＩＭキャパシタ
の構造を示す図であり、１，２は相分離されたビームリ
ード金属電極、３は酸化シリコンなどの誘電体薄膜であ
る。
の構造を示す図であり、１，２は相分離されたビームリ
ード金属電極、３は酸化シリコンなどの誘電体薄膜であ
る。
４は該誘電体薄膜３の他方の面に形成された対向金属電
極であり、ビームリード金属電極１とは誘電体薄膜に形
成された開口部５を通じて短絡されている。
極であり、ビームリード金属電極１とは誘電体薄膜に形
成された開口部５を通じて短絡されている。
第２図は本考案の一実施例であるビームリード型ＭＩＭ
キャパシタをマイクロ波集積回路に装着した態様を示す
もので７はアルミナセラミックなどの誘電体基板、８は
該誘電体基板上に形成されたス） ＩＪツブ線路である
。
キャパシタをマイクロ波集積回路に装着した態様を示す
もので７はアルミナセラミックなどの誘電体基板、８は
該誘電体基板上に形成されたス） ＩＪツブ線路である
。
９は本考案のビームリード型ＭＩＭキャパシタであり、
図よりわかるようにマイクロ波集積回路などの受動素子
としてパラレルウェルディング法や熱圧着法などの単一
の処理で容易に装着可能である。
図よりわかるようにマイクロ波集積回路などの受動素子
としてパラレルウェルディング法や熱圧着法などの単一
の処理で容易に装着可能である。
ここで誘電体薄膜として酸化シリコンを用いるビームリ
ード型ＭＩＭキャパシタを蒸着技術、写真食刻技術及び
電着技術などを用いて製造する工程につき、簡単に説明
すると以下のようになる。
ード型ＭＩＭキャパシタを蒸着技術、写真食刻技術及び
電着技術などを用いて製造する工程につき、簡単に説明
すると以下のようになる。
シリコンウェハーの片方の面に熱的酸化法などにより、
酸化シリコン誘電体薄膜を生成させ、さらにキャリア及
び対向金属電極とする金属層Ａを蒸着及び電着し、つい
で酸化シリコン誘電体薄膜を残してシリコンを溶解除去
する。
酸化シリコン誘電体薄膜を生成させ、さらにキャリア及
び対向金属電極とする金属層Ａを蒸着及び電着し、つい
で酸化シリコン誘電体薄膜を残してシリコンを溶解除去
する。
酸化シリコン誘電体薄膜には写真食刻技術を用いて開口
部を設け、上記金属層Ａの一部を露出せしめる。
部を設け、上記金属層Ａの一部を露出せしめる。
誘電体薄膜上には一対の相分離させたビームリード金属
電極を蒸着及び電着技術、及び写真食刻技術を用いて形
成するが一方のビームリード金属電極は上記の開口部を
覆うように形成され、金属層Ａと電気的な短絡がもたら
される。
電極を蒸着及び電着技術、及び写真食刻技術を用いて形
成するが一方のビームリード金属電極は上記の開口部を
覆うように形成され、金属層Ａと電気的な短絡がもたら
される。
また、金属層Ａは酸化シリコン誘電体薄膜の他方の面に
形成されているビームリード金属電極に目合せして選択
的に溶解せしめて、対向金属電極とする。
形成されているビームリード金属電極に目合せして選択
的に溶解せしめて、対向金属電極とする。
最後に、前述のごとく生成された酸化シリコン誘電体薄
膜のうち対向電極とビームリード金属電極に被覆されて
いないＭＩＭキャパシタを構成するに不要な部分を溶解
除去すれば上記実施例に示すようなビームリード型ＭＩ
Ｍキャパシタが得られる。
膜のうち対向電極とビームリード金属電極に被覆されて
いないＭＩＭキャパシタを構成するに不要な部分を溶解
除去すれば上記実施例に示すようなビームリード型ＭＩ
Ｍキャパシタが得られる。
なお、対向金属電極及びビームリード金属電極をさらに
電着及び蒸着技術により耐腐蝕性のある金属で被覆した
り、あるいははんだ付けの容易な金属や熱圧着の可能な
金属で被覆したりすることによって素子の有用性を高め
ることも可能である。
電着及び蒸着技術により耐腐蝕性のある金属で被覆した
り、あるいははんだ付けの容易な金属や熱圧着の可能な
金属で被覆したりすることによって素子の有用性を高め
ることも可能である。
本考案のビームリード型ＭＩＭキャパシタの静電容量Ｃ
はビームリード金属電極２と対向金属電極４とが相対す
る部分の面積をＳ、誘電体薄膜３の厚さをｄ、比誘電率
をεγ、真空中の誘電率をε０とすると で表わされる。
はビームリード金属電極２と対向金属電極４とが相対す
る部分の面積をＳ、誘電体薄膜３の厚さをｄ、比誘電率
をεγ、真空中の誘電率をε０とすると で表わされる。
従って本考案のビームリード型ＭＩＭキャパシタの電気
的性能及び生産性の見地から、一方のビームリード金属
電極２と対向金属電極４が相対する部分の面積及び誘電
体薄膜３の厚さを十分に制御することが必要である。
的性能及び生産性の見地から、一方のビームリード金属
電極２と対向金属電極４が相対する部分の面積及び誘電
体薄膜３の厚さを十分に制御することが必要である。
また、誘電体薄膜としては他に酸化アルミニウム、酸化
チタンなど種々のものをその特性に応じて用いることが
でき、前記の製作工程の例として示した酸化シリコンは
なんらの限定をもきたさないのは明らかである。
チタンなど種々のものをその特性に応じて用いることが
でき、前記の製作工程の例として示した酸化シリコンは
なんらの限定をもきたさないのは明らかである。
以上説明したように本考案によるビームリード型キャパ
シタにおいては誘電体薄膜の一方の面に相分離して形成
された二個のビームリード金属電極の一方と該誘電体薄
膜の他方の面に形成せしめた対向金属電極とが電気的に
短絡されているので、電気的特性が良好であり、且つ装
着の容易なビームリード型ＭＩＭキャパシタを得ること
ができ、そのもたらす効果は大である。
シタにおいては誘電体薄膜の一方の面に相分離して形成
された二個のビームリード金属電極の一方と該誘電体薄
膜の他方の面に形成せしめた対向金属電極とが電気的に
短絡されているので、電気的特性が良好であり、且つ装
着の容易なビームリード型ＭＩＭキャパシタを得ること
ができ、そのもたらす効果は大である。
第１図は本考案によるビームリード型ＭＩＭキャパシタ
の構造を示す図であり、ａは斜視図、ｂは断面図、Ｃは
正面図であり、図すは図ＣのＡ−Ａ’の部分の断面を示
す。 図において１，２は相分離されたビームリード金属電極
、３は誘電体薄膜である。 ４は該誘電体薄膜３の他方の面に形成された対向金属電
極であり、ビームリード金属電極１とは誘電体薄膜３に
形成された開口部５を通じて電気的に短絡されている。 第２図は本考案の一実施例であるビームリード型ＭＩＭ
キャパシタをマイクロ波集積回路上に装着した態様を示
すもので７は誘電体基板、８は該誘電体基板上に形成さ
れたストリップ線路、９は本考案によるビームリード型
ＭＩＭキャパシタである。
の構造を示す図であり、ａは斜視図、ｂは断面図、Ｃは
正面図であり、図すは図ＣのＡ−Ａ’の部分の断面を示
す。 図において１，２は相分離されたビームリード金属電極
、３は誘電体薄膜である。 ４は該誘電体薄膜３の他方の面に形成された対向金属電
極であり、ビームリード金属電極１とは誘電体薄膜３に
形成された開口部５を通じて電気的に短絡されている。 第２図は本考案の一実施例であるビームリード型ＭＩＭ
キャパシタをマイクロ波集積回路上に装着した態様を示
すもので７は誘電体基板、８は該誘電体基板上に形成さ
れたストリップ線路、９は本考案によるビームリード型
ＭＩＭキャパシタである。
Claims (1)
- 金属−誘電体−金属構造を有するＭＩＭキャパシタにお
いて、誘電体薄膜の一方の面に相分離した二個のビーム
リード金属電極を形成し、該誘電体薄膜の他方の面に形
成せしめた金属電極と前記二個のビームリード電極のう
ち一方の電極とを電気的に短絡したことを特徴とするビ
ームリード型ＭＩＭキャパシタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4001277U JPS5930509Y2 (ja) | 1977-03-30 | 1977-03-30 | ビ−ムリ−ド型ｍｉｍキヤパシタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4001277U JPS5930509Y2 (ja) | 1977-03-30 | 1977-03-30 | ビ−ムリ−ド型ｍｉｍキヤパシタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53134055U JPS53134055U (ja) | 1978-10-24 |
| JPS5930509Y2 true JPS5930509Y2 (ja) | 1984-08-31 |
Family
ID=28907923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4001277U Expired JPS5930509Y2 (ja) | 1977-03-30 | 1977-03-30 | ビ−ムリ−ド型ｍｉｍキヤパシタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5930509Y2 (ja) |
-
1977
- 1977-03-30 JP JP4001277U patent/JPS5930509Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53134055U (ja) | 1978-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004502315A (ja) | セラミック多層キャパシタアレイ | |
| US4731696A (en) | Three plate integrated circuit capacitor | |
| JPS63501993A (ja) | 電気的可変圧電ハイブリッドコンデンサ | |
| JP4499548B2 (ja) | キャパシタ部品 | |
| JPH07283076A (ja) | キャパシタ | |
| JPS5930509Y2 (ja) | ビ−ムリ−ド型ｍｉｍキヤパシタ | |
| KR100240647B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| JPS6114648B2 (ja) | ||
| JP3246166B2 (ja) | 薄膜コンデンサ | |
| JP2001177008A (ja) | キャパシタを内蔵した回路基板とそれを用いた半導体装置 | |
| JP2000252164A (ja) | 積層セラミックフィルタ | |
| JP3209253B2 (ja) | キャパシタ | |
| JPS58164246A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0247862A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3096055B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH04168762A (ja) | コンデンサおよびそれを含む集積回路 | |
| JPS6211257A (ja) | マイクロ波集積回路 | |
| JPH10135077A (ja) | 薄膜キャパシタ | |
| JP3040808B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH07283074A (ja) | キャパシタ | |
| JPH07202123A (ja) | 半導体結合コンデンサ | |
| JPS6317239Y2 (ja) | ||
| JPS5848906A (ja) | 厚膜コンデンサ−の容量調節方法 | |
| JPH07263865A (ja) | 薄膜多層配線基板 | |
| CN116073782A (zh) | 一种混合滤波器 |