JPS6114648B2 - - Google Patents
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- JPS6114648B2 JPS6114648B2 JP16478378A JP16478378A JPS6114648B2 JP S6114648 B2 JPS6114648 B2 JP S6114648B2 JP 16478378 A JP16478378 A JP 16478378A JP 16478378 A JP16478378 A JP 16478378A JP S6114648 B2 JPS6114648 B2 JP S6114648B2
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- Japan
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- electrode
- deposited
- capacitor
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- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波ハイブリツドICに適し
た、小型で比較的大容量のコンデンサに関し、特
にコンデンサの電極層とほぼ平行なリード電極を
有する多層薄膜コンデンサに関する。
た、小型で比較的大容量のコンデンサに関し、特
にコンデンサの電極層とほぼ平行なリード電極を
有する多層薄膜コンデンサに関する。
マイクロ波ハイブリツドICに於いてはバイア
ス回路等に数千PFという大容量のコンデンサを
使用する。従来このような大容量のコンデンサは
第１図の如く積層型に形成したものが用いられて
おり、その寸法は取出し電極等を含めると２mm×
２mm程度の比較的大きいものであり、取付けに於
いても一方の取出し電極を基板に接するように、
即ちコンデンサの平板電極が垂直となるように配
置すると、他方の取出し電極の接続はワイヤによ
らざるをえず、マウントの際不都合を生ずること
があつた。
ス回路等に数千PFという大容量のコンデンサを
使用する。従来このような大容量のコンデンサは
第１図の如く積層型に形成したものが用いられて
おり、その寸法は取出し電極等を含めると２mm×
２mm程度の比較的大きいものであり、取付けに於
いても一方の取出し電極を基板に接するように、
即ちコンデンサの平板電極が垂直となるように配
置すると、他方の取出し電極の接続はワイヤによ
らざるをえず、マウントの際不都合を生ずること
があつた。
本発明はかかる問題を解決した積層型のコンデ
ンサを提示するもので、積層された電極の端部を
少しづつずらせて形成し、その必要な部分同士を
被着形成した導体層で接続して形成されるもので
ある。以下図面に依つて本発明を説明する。第２
図及び第３図は本発明コンデンサの製作過程にお
ける各断面図である。
ンサを提示するもので、積層された電極の端部を
少しづつずらせて形成し、その必要な部分同士を
被着形成した導体層で接続して形成されるもので
ある。以下図面に依つて本発明を説明する。第２
図及び第３図は本発明コンデンサの製作過程にお
ける各断面図である。
第２図は本発明のコンデンサの積層電極の構造
の一実施例を示す図で第２図ａは上面図、第２図
ｂは第２図ａのＸ―X′に沿つた断面図である。
低抵抗シリコン基板１０の上に500〜1000Åのク
ロム層１１，１１′，１１″…と、約1000Åの誘電
体であるSiO2層１２，１２′１２″……が交互に
被着形成され、その周辺部に於いて、一段下の層
が約５μの幅で露出している。このような構造は
基板上にクロム層とSiO2層を交互に被着形成し
たのち、各層毎にフオトプロセスを利用して、そ
の周辺部が露出するように選択エツチングを行な
うことによつて得られる。
の一実施例を示す図で第２図ａは上面図、第２図
ｂは第２図ａのＸ―X′に沿つた断面図である。
低抵抗シリコン基板１０の上に500〜1000Åのク
ロム層１１，１１′，１１″…と、約1000Åの誘電
体であるSiO2層１２，１２′１２″……が交互に
被着形成され、その周辺部に於いて、一段下の層
が約５μの幅で露出している。このような構造は
基板上にクロム層とSiO2層を交互に被着形成し
たのち、各層毎にフオトプロセスを利用して、そ
の周辺部が露出するように選択エツチングを行な
うことによつて得られる。
次に第３図ａに示すように階段状の部分に
SiO214を被着し、接続せんとする電極の端部に
相当する位置に開孔を設け、全面に金層１３を蒸
着する（第３図ｂ）。必要な部分を残して金層を
選択エツチングすれば第３図ｃの如き構造の積層
型コンデンサが得られる。なお、第２図、第３図
にはクロム層は４層しか示されていないが、通常
は10層位である。
SiO214を被着し、接続せんとする電極の端部に
相当する位置に開孔を設け、全面に金層１３を蒸
着する（第３図ｂ）。必要な部分を残して金層を
選択エツチングすれば第３図ｃの如き構造の積層
型コンデンサが得られる。なお、第２図、第３図
にはクロム層は４層しか示されていないが、通常
は10層位である。
本発明の如き構造にすれば取出し電極部の体積
のほとんどを無くすことが出来、数千PFの容量
のものが0.5mm×0.5mm程度に形成出来、更に水平
取付けも可能となる。実施例に示した仕様ではコ
ンデンサのＱは100以下であるが、バイアス回路
に使用する場合は何ら差支えない。
のほとんどを無くすことが出来、数千PFの容量
のものが0.5mm×0.5mm程度に形成出来、更に水平
取付けも可能となる。実施例に示した仕様ではコ
ンデンサのＱは100以下であるが、バイアス回路
に使用する場合は何ら差支えない。
第２図と第３図に示したものでは電極等の周辺
部を全て階段状に形成しているが、取出し電極を
設ける部分だけを階段状にしたものも本発明の技
術範囲に含まれることはいうまでもない。更に全
体の形状も長方形に限らず、空間を有効に利用で
きるものであればどのような形状でもよく、高周
波特性を特に問題にする場合には、材質、寸法に
配慮してＱの向上を図る他、突出部の無い形、例
えば円形にすることが考えられる。
部を全て階段状に形成しているが、取出し電極を
設ける部分だけを階段状にしたものも本発明の技
術範囲に含まれることはいうまでもない。更に全
体の形状も長方形に限らず、空間を有効に利用で
きるものであればどのような形状でもよく、高周
波特性を特に問題にする場合には、材質、寸法に
配慮してＱの向上を図る他、突出部の無い形、例
えば円形にすることが考えられる。
以上述べた如く、本発明によれば限られた面積
に大容量のコンデンサを構成することが出来る。
に大容量のコンデンサを構成することが出来る。
第１図は従来の積層型コンデンサを示す図、第
２図、第３図は本発明を説明するための図であつ
て、 １，１１，１１′，１１″はコンデンサの電極、
２，１２，１２′，１２″は誘導体層、３，１３は
取出し電極、１４はSiO2である。
２図、第３図は本発明を説明するための図であつ
て、 １，１１，１１′，１１″はコンデンサの電極、
２，１２，１２′，１２″は誘導体層、３，１３は
取出し電極、１４はSiO2である。
Claims (1)
- １ 基板表面上に、交互に積層して形成する３層
以上の導体蒸着電極層と２層以上の蒸着誘電体層
とを、コンデンサの一方の電極と他方の電極とに
それぞれ接する導体蒸着電極層の端部の少ななく
とも取り出し電極を設ける部分において該導体蒸
着電極層の表面を露出させて階段状を形成し、該
蒸着電極層の一端部端面及び該一端部端面とは異
なる他の端部端面において、異なる蒸着電極層が
露出するように該蒸着誘電体とは別体の絶縁層で
覆い、更に、該導体蒸着電極の露出表面に接て電
極部材を形成して前記コンデンサの両電極とした
ことを特徴とする多層薄膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16478378A JPS5591112A (en) | 1978-12-28 | 1978-12-28 | Multilayer thin film capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16478378A JPS5591112A (en) | 1978-12-28 | 1978-12-28 | Multilayer thin film capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5591112A JPS5591112A (en) | 1980-07-10 |
| JPS6114648B2 true JPS6114648B2 (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=15799857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16478378A Granted JPS5591112A (en) | 1978-12-28 | 1978-12-28 | Multilayer thin film capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5591112A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10460877B2 (en) | 2016-05-27 | 2019-10-29 | Tdk Corporation | Thin-film capacitor including groove portions |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02121313A (ja) * | 1988-10-29 | 1990-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層薄膜コンデンサ |
| JPH04105478U (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-10 | オリエクス株式会社 | ピンジヤツク |
| JP4331950B2 (ja) * | 2003-01-29 | 2009-09-16 | 京セラ株式会社 | 積層型薄膜コンデンサ |
| JP2008243931A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層型薄膜コンデンサの製造方法及び積層型薄膜コンデンサ |
| CN101896985B (zh) | 2007-12-14 | 2012-05-23 | 株式会社村田制作所 | 薄膜叠层电容器的制造方法 |
| JP5163330B2 (ja) * | 2008-07-14 | 2013-03-13 | 株式会社村田製作所 | 薄膜積層体の加工方法 |
| JP5267268B2 (ja) | 2009-03-26 | 2013-08-21 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2018063989A (ja) | 2016-10-11 | 2018-04-19 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ |
| JP6805702B2 (ja) | 2016-10-11 | 2020-12-23 | Tdk株式会社 | 薄膜コンデンサ |
| JP6737118B2 (ja) | 2016-10-11 | 2020-08-05 | Tdk株式会社 | 薄膜コンデンサ |
-
1978
- 1978-12-28 JP JP16478378A patent/JPS5591112A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10460877B2 (en) | 2016-05-27 | 2019-10-29 | Tdk Corporation | Thin-film capacitor including groove portions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5591112A (en) | 1980-07-10 |
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