JPS58182285A - 圧電気圧力センサ - Google Patents
圧電気圧力センサInfo
- Publication number
- JPS58182285A JPS58182285A JP58053468A JP5346883A JPS58182285A JP S58182285 A JPS58182285 A JP S58182285A JP 58053468 A JP58053468 A JP 58053468A JP 5346883 A JP5346883 A JP 5346883A JP S58182285 A JPS58182285 A JP S58182285A
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- JP
- Japan
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- piezoelectric
- electrode
- item
- electrodes
- pressure sensor
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/008—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using piezoelectric devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は圧電気ならびにノ９イロ電気の出力信号を共に
有する材料からなる圧電圧力センナである。 このセンサは更にセンサの圧電気出力信号
有する材料からなる圧電圧力センナである。 このセンサは更にセンサの圧電気出力信号
【増大すると
共に・！イロ電気出力信号ｔはぼなくしてしまう幾何学
形状を有する電極接続からなる。 ここで例示するセンサはシリコンダイヤフラム構造の上
に設けられた酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなるものであるが
、かかる構造に限定されない、シリコンダイヤフラムは
種々の圧力センナ素子、例えば、容量型圧力センサや圧
電抵抗製圧力センナ（１９８０年５月号、２７巻Ａ５Ｉ
Ｅ）ＪのａＳ、サンメー氏らの記事参照）などで用いら
れてきている。検出素子の一部としてシリコン管用いる
のは、それがシリコンダイヤフラムとすることができ、
かつ、同一のシリコンのサブストレートに素子の電気的
部分音一体に形成できるからで、特に魅力的なものであ
る。かかる構造にすると素子の精度と安定性が増・し、
そのコストが低下する。更に、エツチング技術により、
薄いダイヤフラムを作ることができるのでかかる素子の
圧力感度が増す。 酸化亜鉛ＺｎＯは圧電材で、シリコン半導体などの種々
のナシストレートにスノダツタすることができ、また、
圧力センナのような能動素子として用いることができる
。 かかるセンナのシリコンサブストレートが撓むと歪ノ臂
ターンが酸化亜鉛ＺｎＯ層に現われ、ＺｎＯ格子の纂３
の軸線に平行した圧電分ＩＩが生ず今。そして、この第
３の軸線はＺｎＯ層の表面と直角をなす、電圧出力はＺ
ｎＯ層の上面と底面に形成された２つの電極によシ構成
されたキャノ豐シタに集められる。しかしながら、この
ようなキャノ苛シタ構成は、一般に、上面の電極管シリ
コンサブストレート上の電極に接続せねばならないとい
う不具合を呈すゐ。かくして、ステップカバーレージの
問題が伴う、￥ｉＫ厚さが１０オクロンのオーダーであ
る厚い２１１０層の場合に問題である。 能動素子としてｚＩＩＯｔ用いるのに伴う他の問題はＺ
ｎｏのノ母イロ電気特性から起るもので温度の変動によ
り電圧出力が生ずる。 このセンナは上述した２つの問題を解決すると共にセン
サからの圧電気出力を増大させる電極構成を持つ。かく
して、このセンナの電極構成は従来技術の圧電圧力セン
サに対し、技術的に優れ死点が３つある。第１は、この
センナの電極構成により上面の容量性電極管半導体サブ
ストレート上の電極と接続する必要がないので、ステッ
プカバーレージの問題がない。第２は、このセンナの電
極構成により、温度変動による・母イロ電気電圧出力が
ほとんどない、第３は、このセンナの電極構成によりセ
ンサの圧電検出材によ〕発生する圧電気出力信号が増大
することである。 以下、図面上用いて本発明會詳細Ｋｉ［する。 第１図、８２図および第３はこのセンナの構造と電極構
成の例を示し、第４図、第５図および纂６図はこのセン
サの動作に関するものである。 本願センナの好個な実施例はシリコン半導体−デー１０
からなり、このポデーにはある直径１４を有するダイヤ
フラム１２が工、チングによ〕形成される。ダイヤフラ
ム１２は表面１６から標準的な等方性電気化学的エツチ
ングによりポデー１０にエツチングされる。半導体、す
なわちサブストレート１０は通常２５０ミクロンオーダ
ーの厚さである。 このセンナは、更に、二酸化ケイ素のような絶縁層１８
ｉ有し、この絶縁層１８はサブストレー゛ ト１０の表
面２ｏ上に形成される。図示の好個な実施例については
、この絶縁層は厚さが１はクロンのオーダーである。 外側の環状電極２２と中心の電極２４からなる一対の電
極は絶縁層１８０表面４６に形成される。 図示の例では電極２２および２４は同心でほぼ等しい表
面積からなる０本発明の他の実施例では、電極２２およ
び２４は丸い、すな。ゎち同心である必要はない０例え
ば、方形のものでもよい。電極２２および２４ｔ！導線
２６および２８【有し、それぞれ、支持電子回路３ｏに
つながっていて、こｎらは一般にサブストレー）１０に
一体に作られる。 この七ンｔは、更に、電極２２および２４ならびに絶縁
層１ｓｔ８にって形成される二酸化ケイ素のような絶縁
層３２１に有する。 圧電材からなる層３４は通常絶縁層３２上に形成される
。このセ／すの好個な冥施伺においては、層３４はＺｎ
Ｏからなる。 層３４は通常絶縁層３６で覆われ、この絶縁層３６の上
面には電極３８が形成される。図示の例においては、電
極３８は円形で、ダイヤフラム１２ならびに外側の環状
電極２２の外径とほぼ同一〇直径を有する。電極２２お
よび２４に関して述べたように電極３８Ｆｉ円形である
必要はない。 二酸化シリコンのような絶縁材からなる層４０は、通常
電極３８と絶縁層３６上に形成される。 絶縁層３２および３６ｉｉ、圧電層３４ｔ−電極２２．
２４および３８から絶縁し、また、絶縁層１８および４
０と共に前記電極と導＠２６および２８ｔ−密封する。 絶縁層３２および３６は実効的に電荷が圧電層３４ヘリ
ークするの七減らし、それゆえ、実効的に層３４の圧電
電荷の消滅會遅らせる。 例示し九本願センナは、通常適正な結晶方位を持つシリ
コンサブストレート１０ｉ選択することＫより作られる
。一体化した支持電子回路３０（乗積回路）がサブスト
レート１０に作らｎる。 サブストレート】０は次に二酸化シリコン層１８で憶わ
れる。前述し良ようにこの層１８は、通常、厚さが１ミ
クロンオーダーである。通常厚さ０．５ミクロンオーダ
ーのアルミニューム層がその後に層１８上に付着形成さ
れ、そしてこのアルミニ−ム層は電極２２および２４を
形成すべく選択的にエツチングさ扛る。二酸化シリコン
層３２が、次に電極２２および２４ならびに層１８上に
ス／ＩＰ、りされる、電１ｉ２２および２４上での層３
２の厚さは一般に０．２ミクロンオーダーである。Ｚｎ
０層３４が次に層３２上にスノ譬訊夕にょシ付着形成さ
れる。この場３４Ｆｉ、通常、厚さが約３〜１０ミクロ
ンの範囲にある。絶縁層３６が、その後に層３４上にス
ノ量ツタにより付着形成さ、れ、この層３６は通常０．
２ミクロンの厚さである。通常、厚さが０．５ミクロン
であるアルミニューム層が、次に層３６上にスノ母、夕
により付着形成される。アルミニューム層３８は、次に
、電極３８１ｉ規定すべく選択的に工、チングされる。 二酸化シリコン層４０が、次に、電極３８および絶縁層
３６上にスパッタにより付着形成され、この層４ｏは、
通常、電極３８上で０．２ミクロンの厚さ
共に・！イロ電気出力信号ｔはぼなくしてしまう幾何学
形状を有する電極接続からなる。 ここで例示するセンサはシリコンダイヤフラム構造の上
に設けられた酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなるものであるが
、かかる構造に限定されない、シリコンダイヤフラムは
種々の圧力センナ素子、例えば、容量型圧力センサや圧
電抵抗製圧力センナ（１９８０年５月号、２７巻Ａ５Ｉ
Ｅ）ＪのａＳ、サンメー氏らの記事参照）などで用いら
れてきている。検出素子の一部としてシリコン管用いる
のは、それがシリコンダイヤフラムとすることができ、
かつ、同一のシリコンのサブストレートに素子の電気的
部分音一体に形成できるからで、特に魅力的なものであ
る。かかる構造にすると素子の精度と安定性が増・し、
そのコストが低下する。更に、エツチング技術により、
薄いダイヤフラムを作ることができるのでかかる素子の
圧力感度が増す。 酸化亜鉛ＺｎＯは圧電材で、シリコン半導体などの種々
のナシストレートにスノダツタすることができ、また、
圧力センナのような能動素子として用いることができる
。 かかるセンナのシリコンサブストレートが撓むと歪ノ臂
ターンが酸化亜鉛ＺｎＯ層に現われ、ＺｎＯ格子の纂３
の軸線に平行した圧電分ＩＩが生ず今。そして、この第
３の軸線はＺｎＯ層の表面と直角をなす、電圧出力はＺ
ｎＯ層の上面と底面に形成された２つの電極によシ構成
されたキャノ豐シタに集められる。しかしながら、この
ようなキャノ苛シタ構成は、一般に、上面の電極管シリ
コンサブストレート上の電極に接続せねばならないとい
う不具合を呈すゐ。かくして、ステップカバーレージの
問題が伴う、￥ｉＫ厚さが１０オクロンのオーダーであ
る厚い２１１０層の場合に問題である。 能動素子としてｚＩＩＯｔ用いるのに伴う他の問題はＺ
ｎｏのノ母イロ電気特性から起るもので温度の変動によ
り電圧出力が生ずる。 このセンナは上述した２つの問題を解決すると共にセン
サからの圧電気出力を増大させる電極構成を持つ。かく
して、このセンナの電極構成は従来技術の圧電圧力セン
サに対し、技術的に優れ死点が３つある。第１は、この
センナの電極構成により上面の容量性電極管半導体サブ
ストレート上の電極と接続する必要がないので、ステッ
プカバーレージの問題がない。第２は、このセンナの電
極構成により、温度変動による・母イロ電気電圧出力が
ほとんどない、第３は、このセンナの電極構成によりセ
ンサの圧電検出材によ〕発生する圧電気出力信号が増大
することである。 以下、図面上用いて本発明會詳細Ｋｉ［する。 第１図、８２図および第３はこのセンナの構造と電極構
成の例を示し、第４図、第５図および纂６図はこのセン
サの動作に関するものである。 本願センナの好個な実施例はシリコン半導体−デー１０
からなり、このポデーにはある直径１４を有するダイヤ
フラム１２が工、チングによ〕形成される。ダイヤフラ
ム１２は表面１６から標準的な等方性電気化学的エツチ
ングによりポデー１０にエツチングされる。半導体、す
なわちサブストレート１０は通常２５０ミクロンオーダ
ーの厚さである。 このセンナは、更に、二酸化ケイ素のような絶縁層１８
ｉ有し、この絶縁層１８はサブストレー゛ ト１０の表
面２ｏ上に形成される。図示の好個な実施例については
、この絶縁層は厚さが１はクロンのオーダーである。 外側の環状電極２２と中心の電極２４からなる一対の電
極は絶縁層１８０表面４６に形成される。 図示の例では電極２２および２４は同心でほぼ等しい表
面積からなる０本発明の他の実施例では、電極２２およ
び２４は丸い、すな。ゎち同心である必要はない０例え
ば、方形のものでもよい。電極２２および２４ｔ！導線
２６および２８【有し、それぞれ、支持電子回路３ｏに
つながっていて、こｎらは一般にサブストレー）１０に
一体に作られる。 この七ンｔは、更に、電極２２および２４ならびに絶縁
層１ｓｔ８にって形成される二酸化ケイ素のような絶縁
層３２１に有する。 圧電材からなる層３４は通常絶縁層３２上に形成される
。このセ／すの好個な冥施伺においては、層３４はＺｎ
Ｏからなる。 層３４は通常絶縁層３６で覆われ、この絶縁層３６の上
面には電極３８が形成される。図示の例においては、電
極３８は円形で、ダイヤフラム１２ならびに外側の環状
電極２２の外径とほぼ同一〇直径を有する。電極２２お
よび２４に関して述べたように電極３８Ｆｉ円形である
必要はない。 二酸化シリコンのような絶縁材からなる層４０は、通常
電極３８と絶縁層３６上に形成される。 絶縁層３２および３６ｉｉ、圧電層３４ｔ−電極２２．
２４および３８から絶縁し、また、絶縁層１８および４
０と共に前記電極と導＠２６および２８ｔ−密封する。 絶縁層３２および３６は実効的に電荷が圧電層３４ヘリ
ークするの七減らし、それゆえ、実効的に層３４の圧電
電荷の消滅會遅らせる。 例示し九本願センナは、通常適正な結晶方位を持つシリ
コンサブストレート１０ｉ選択することＫより作られる
。一体化した支持電子回路３０（乗積回路）がサブスト
レート１０に作らｎる。 サブストレート】０は次に二酸化シリコン層１８で憶わ
れる。前述し良ようにこの層１８は、通常、厚さが１ミ
クロンオーダーである。通常厚さ０．５ミクロンオーダ
ーのアルミニューム層がその後に層１８上に付着形成さ
れ、そしてこのアルミニ−ム層は電極２２および２４を
形成すべく選択的にエツチングさ扛る。二酸化シリコン
層３２が、次に電極２２および２４ならびに層１８上に
ス／ＩＰ、りされる、電１ｉ２２および２４上での層３
２の厚さは一般に０．２ミクロンオーダーである。Ｚｎ
０層３４が次に層３２上にスノ譬訊夕にょシ付着形成さ
れる。この場３４Ｆｉ、通常、厚さが約３〜１０ミクロ
ンの範囲にある。絶縁層３６が、その後に層３４上にス
ノ量ツタにより付着形成さ、れ、この層３６は通常０．
２ミクロンの厚さである。通常、厚さが０．５ミクロン
であるアルミニューム層が、次に層３６上にスノ母、夕
により付着形成される。アルミニューム層３８は、次に
、電極３８１ｉ規定すべく選択的に工、チングされる。 二酸化シリコン層４０が、次に、電極３８および絶縁層
３６上にスパッタにより付着形成され、この層４ｏは、
通常、電極３８上で０．２ミクロンの厚さ
【有する。
層４０．３６および３４は、次にある大きさにすべく選
択的に工、チングされ゛、Ｚｎ０層３４の端部は二酸化
シリコンでスノ々、夕により被Ｉ［すｔＬる。 ダイヤフラム１２は、次に、半導体がデー］０の表面１
６から等方性の電気化学的エツチング技術により選択的
に剛シ取らｎる。 本願センサは２つのＺｎＯ圧電気キャノ々シタＣ！およ
びＣ：からなり、これらは第４図および第６図に略図的
に示される。キヤ／ヤシタｃ１およＵＣｍの一方は中心
の電極２４と電極３８にょ〕形成され、他方は外側の環
状電極２２と電極３８にょシ形成される。これら２つの
キャノ譬シタは、電極３８を介して直列接続される。シ
リコンサノストレート１０の内部に集積され良電子回路
３ｏへの接続は、それぞれ導線２６および２８を介して
一対の電極２２および２４でのみなされる。前述したよ
うに、これにより上部の電極３８との接続が不要なので
このセンナの大きな利点が得られる。かくして、上部の
電極３８へっなぐ導ａｔ作ろうとするに当ってのステッ
グヵパーレージの問題が避ケられる。 Ｚｎ０ｔｉ圧電材であるばかりでなく、ノ臂イロ電気特
性を有する。ノ譬イロ電気的に誘起される分極はＺｎＯ
層表面に直角で、層３４全部にわたって均一とみなし得
る。キャノ９シタＣ１およびＣ雪Ｋｎ起される・９イロ
電気分１ｉｔｊｌ１４＃ｌＪＫ示す、電極の面槓會適切
に選ぶことによって２つのキセノ４シタンスＣＩおよび
ｃｌのノｌイロ電気出方はお互いに打消し合うようにす
ることができる。大雑把に貫えば、これは、キャノ臂シ
タのエツジ効果【無視すると、中心の電極２４と外側の
環状電４ｊ２２が同一の表面積であることを意味する。 ダイヤフラム１２が均一な圧力の下で撓んだときＺｎＯ
層に起る歪パターンを票５図に示す。圧ヵがダイヤフラ
ム】２の層３４儒から与えられると、層３４の中心部分
は圧縮され、層３４の外側部分は引張られる。 キヤ・臂シタＣ１およびＣｓに誘起される圧電気分極を
第６図に示す、圧電信号は本願センナでは互いに加算し
合い、かくして、従来技術のセンナより素子の圧力感度
は増大する。圧電出力は電極領域上のローカルな圧電気
信号を積分することによって算出され、電極の寸法はノ
母イロ電気応答を打消し合わせるのに必要な等面積条件
を満足しつつ、最矢の圧電気志答を得るよう最も適切な
寸法とすることができる。 このセンサの好個な実施例においては、電極３８、ダイ
ヤフラム１２および外側の環状電電２２の外径は３．１
８■の直径であった。外側の電極２２の内径は２．３８
ｍであり、中心電極２４の直径は２．１ｍであっ九ダイ
ヤフラム１２の厚さは、面４２と面２０間で約３０ミク
ロンであり九。 ここでの説明では、代表的な構造ならびに寸法を示した
が、当業者において種々変更し得るゆえ本願センナはか
かる構造ならびに寸法に限定されるべきでない。
択的に工、チングされ゛、Ｚｎ０層３４の端部は二酸化
シリコンでスノ々、夕により被Ｉ［すｔＬる。 ダイヤフラム１２は、次に、半導体がデー］０の表面１
６から等方性の電気化学的エツチング技術により選択的
に剛シ取らｎる。 本願センサは２つのＺｎＯ圧電気キャノ々シタＣ！およ
びＣ：からなり、これらは第４図および第６図に略図的
に示される。キヤ／ヤシタｃ１およＵＣｍの一方は中心
の電極２４と電極３８にょ〕形成され、他方は外側の環
状電極２２と電極３８にょシ形成される。これら２つの
キャノ譬シタは、電極３８を介して直列接続される。シ
リコンサノストレート１０の内部に集積され良電子回路
３ｏへの接続は、それぞれ導線２６および２８を介して
一対の電極２２および２４でのみなされる。前述したよ
うに、これにより上部の電極３８との接続が不要なので
このセンナの大きな利点が得られる。かくして、上部の
電極３８へっなぐ導ａｔ作ろうとするに当ってのステッ
グヵパーレージの問題が避ケられる。 Ｚｎ０ｔｉ圧電材であるばかりでなく、ノ臂イロ電気特
性を有する。ノ譬イロ電気的に誘起される分極はＺｎＯ
層表面に直角で、層３４全部にわたって均一とみなし得
る。キャノ９シタＣ１およびＣ雪Ｋｎ起される・９イロ
電気分１ｉｔｊｌ１４＃ｌＪＫ示す、電極の面槓會適切
に選ぶことによって２つのキセノ４シタンスＣＩおよび
ｃｌのノｌイロ電気出方はお互いに打消し合うようにす
ることができる。大雑把に貫えば、これは、キャノ臂シ
タのエツジ効果【無視すると、中心の電極２４と外側の
環状電４ｊ２２が同一の表面積であることを意味する。 ダイヤフラム１２が均一な圧力の下で撓んだときＺｎＯ
層に起る歪パターンを票５図に示す。圧ヵがダイヤフラ
ム】２の層３４儒から与えられると、層３４の中心部分
は圧縮され、層３４の外側部分は引張られる。 キヤ・臂シタＣ１およびＣｓに誘起される圧電気分極を
第６図に示す、圧電信号は本願センナでは互いに加算し
合い、かくして、従来技術のセンナより素子の圧力感度
は増大する。圧電出力は電極領域上のローカルな圧電気
信号を積分することによって算出され、電極の寸法はノ
母イロ電気応答を打消し合わせるのに必要な等面積条件
を満足しつつ、最矢の圧電気志答を得るよう最も適切な
寸法とすることができる。 このセンサの好個な実施例においては、電極３８、ダイ
ヤフラム１２および外側の環状電電２２の外径は３．１
８■の直径であった。外側の電極２２の内径は２．３８
ｍであり、中心電極２４の直径は２．１ｍであっ九ダイ
ヤフラム１２の厚さは、面４２と面２０間で約３０ミク
ロンであり九。 ここでの説明では、代表的な構造ならびに寸法を示した
が、当業者において種々変更し得るゆえ本願センナはか
かる構造ならびに寸法に限定されるべきでない。
第１図、纂２図、第３図は本発明のセンサの一実施ｆｌ
ｌＫ係る構造および電極構成を示す。 第４図、第５図、第６図は本発明のセンナの動作に関す
るものである。
ｌＫ係る構造および電極構成を示す。 第４図、第５図、第６図は本発明のセンナの動作に関す
るものである。
Claims (8)
- （１） ある圧力【受けたとき、圧電出力信号音出力
する幾何学形状に形成され、かつ、ノ臂イロ電気出力信
号を有する圧電材料からなる圧電要素と、圧電出力信号
を増強し、かつ、ノ々イロ電気出力信号をほぼ打消す幾
何学形状を有し、前記強められた圧電出力信号音監視し
得るように前記圧電要素に接続された導電接点からなる
電極と【具備する圧電気圧力センサ。 - （２） 電極は、ｊｌ！１の電極と一対の電極とから
なり、前記第１の電極は前記一対の電極から圧電材料に
よ、シ分離されてなることを特徴とするＪＩ１１項に記
載の圧電気圧力センナ。 - （３） 圧電要素は、纂１およびｌＩ２０面を有する
層の形状に形成され、電極は、前記鮪１０面の少くとも
一部ｔａう篤１の接点と、更に、前記第２の面の一５ｔ
−覆う一対の接点とからなることｔ特徴とする第１項に
記載の圧電気圧力センナ。 - （４）第１の接点は、一対の接点の表面積とほぼ等しい
表面積を有し、このはは等しい表面積は互いにはぼ相対
向して位置することを特徴とする第３項に記載の圧電気
圧力センナ。 - （５） 一対の電極は同心を有する幾何学形状を有す
ることｔ４１Ｉ像とする第４項に記載の圧電気圧力セン
ナ。 - （６） 一対の電極は、はぼ等しい表面積を有するこ
と１＊黴とす−る第５項に記載の圧電気圧カ七ンナロ - （７）圧電要素は、半導体？デーからエツチングにより
得九半導体材料からなる〆イヤフラムを備え、一対の電
極は圧電材料と半導体がデー間に位置してなることｔ％
黴とするｇｉ項、第２項、第３ｆｊ１ ［４項、１１１
！ｓ項または１１１６項に記載の圧電気圧力センナ。 - （８）圧電材料は、Ｚｏｏからなることｔ特徴とする＠
１項、第２項、第３項、１１４項、第５項、第６項また
は１１に７項に記載の圧電気圧力センナ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US363693 | 1982-03-30 | ||
| US06/363,693 US4445384A (en) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | Piezoelectric pressure sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58182285A true JPS58182285A (ja) | 1983-10-25 |
| JPH0324793B2 JPH0324793B2 (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=23431303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58053468A Granted JPS58182285A (ja) | 1982-03-30 | 1983-03-29 | 圧電気圧力センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4445384A (ja) |
| JP (1) | JPS58182285A (ja) |
| DE (1) | DE3311128A1 (ja) |
| GB (1) | GB2119098B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6197867U (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-23 | ||
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