JP2932824B2 - 磁気抵抗センサ - Google Patents
磁気抵抗センサInfo
- Publication number
- JP2932824B2 JP2932824B2 JP4075847A JP7584792A JP2932824B2 JP 2932824 B2 JP2932824 B2 JP 2932824B2 JP 4075847 A JP4075847 A JP 4075847A JP 7584792 A JP7584792 A JP 7584792A JP 2932824 B2 JP2932824 B2 JP 2932824B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- insulating film
- wiring
- conductor
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 5
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 102100022704 Amyloid-beta precursor protein Human genes 0.000 description 1
- 101000823051 Homo sapiens Amyloid-beta precursor protein Proteins 0.000 description 1
- DZHSAHHDTRWUTF-SIQRNXPUSA-N amyloid-beta polypeptide 42 Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@H](C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@H](C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CCSC)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)NCC(=O)NCC(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](C)C(O)=O)[C@@H](C)CC)C(C)C)NC(=O)[C@H](CC=1C=CC=CC=1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@H](CC(C)C)NC(=O)[C@H](CCCCN)NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@H](CC=1N=CNC=1)NC(=O)[C@H](CC=1N=CNC=1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@H](CCC(O)=O)NC(=O)[C@H](CC=1C=CC(O)=CC=1)NC(=O)CNC(=O)[C@H](CO)NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)[C@H](CC=1N=CNC=1)NC(=O)[C@H](CCCNC(N)=N)NC(=O)[C@H](CC=1C=CC=CC=1)NC(=O)[C@H](CCC(O)=O)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O)C(C)C)C(C)C)C1=CC=CC=C1 DZHSAHHDTRWUTF-SIQRNXPUSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、計測器，計量器などに
適用される磁気抵抗センサに係わり、特に集積回路部を
内蔵した磁気抵抗センサに関するものである。
適用される磁気抵抗センサに係わり、特に集積回路部を
内蔵した磁気抵抗センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の磁気抵抗センサとして
は、集積回路部と磁気抵抗素子部とが同一チップ内に形
成され、磁気抵抗素子部は下層に集積回路部を有しない
平坦な絶縁層上に形成されており、チップ平面上で集積
回路部と磁気抵抗素子部とが並存して構成されていた。
は、集積回路部と磁気抵抗素子部とが同一チップ内に形
成され、磁気抵抗素子部は下層に集積回路部を有しない
平坦な絶縁層上に形成されており、チップ平面上で集積
回路部と磁気抵抗素子部とが並存して構成されていた。
【０００３】図３は磁気抵抗センサの構成を示す要部平
面図である。同図において、１はＳｉ基板、２は集積回
路、３は導体配線、４は集積回路２と導体配線３とを電
気的に接続する接続パッド、５は磁気抵抗素子部を構成
するＮｉ−Ｆｅ薄膜などからなる強磁性体薄膜、７は強
磁性体薄膜５の電極端子である。なお、図中、破線で示
す領域部分は集積回路部の形成領域を示している。
面図である。同図において、１はＳｉ基板、２は集積回
路、３は導体配線、４は集積回路２と導体配線３とを電
気的に接続する接続パッド、５は磁気抵抗素子部を構成
するＮｉ−Ｆｅ薄膜などからなる強磁性体薄膜、７は強
磁性体薄膜５の電極端子である。なお、図中、破線で示
す領域部分は集積回路部の形成領域を示している。
【０００４】なお、この種の磁気抵抗センサの構成は、
例えば特願平２−６５３５０号，特願平２−１９７６４
９号あるいはＪ．ＡＰＰＩ．Ｐｈｙｓ．６８（８），１
５，Ａｐｒｉｌ，１９９１．などにおいて提案されてい
る。
例えば特願平２−６５３５０号，特願平２−１９７６４
９号あるいはＪ．ＡＰＰＩ．Ｐｈｙｓ．６８（８），１
５，Ａｐｒｉｌ，１９９１．などにおいて提案されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
磁気抵抗センサは、同一チップ上で集積回路部と磁気抵
抗素子部とが並存して形成されているため、集積回路チ
ップが小型化できないという問題があった。
磁気抵抗センサは、同一チップ上で集積回路部と磁気抵
抗素子部とが並存して形成されているため、集積回路チ
ップが小型化できないという問題があった。
【０００６】したがって本発明は、前述した従来の課題
を解決するためになされたものであり、その目的は、信
頼性の高い配線を可能とし、集積回路チップの小型化を
実現可能とした磁気抵抗センサを提供することにある。
を解決するためになされたものであり、その目的は、信
頼性の高い配線を可能とし、集積回路チップの小型化を
実現可能とした磁気抵抗センサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明は、半導体基板内に形成されかつ電極配
線を含む集積回路部と、集積回路部を含む半導体基板上
に形成された絶縁膜と、集積回路部と隣接する半導体基
板の領域上に絶縁膜を介して形成された磁気抵抗素子部
と、集積回路部上に絶縁膜を介して形成されかつ磁気抵
抗素子部に接続された導体配線と、絶縁膜に形成されか
つ導体配線を電極配線に接続する接続パッドとを備え、
導体配線の膜厚は、電極配線の膜厚よりも１．３倍以上
厚く形成されるものである。
るために本発明は、半導体基板内に形成されかつ電極配
線を含む集積回路部と、集積回路部を含む半導体基板上
に形成された絶縁膜と、集積回路部と隣接する半導体基
板の領域上に絶縁膜を介して形成された磁気抵抗素子部
と、集積回路部上に絶縁膜を介して形成されかつ磁気抵
抗素子部に接続された導体配線と、絶縁膜に形成されか
つ導体配線を電極配線に接続する接続パッドとを備え、
導体配線の膜厚は、電極配線の膜厚よりも１．３倍以上
厚く形成されるものである。
【０００８】
【作用】本発明においては、導体配線を集積回路部上に
形成することによって半導体基板上に形成する必要がな
くなり、集積回路チップの形状が小さくてすむ。
形成することによって半導体基板上に形成する必要がな
くなり、集積回路チップの形状が小さくてすむ。
【０００９】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。図１は本発明による磁気抵抗センサの一実施
例による構成を示す平面図であるり、前述の図と同一部
分には同一符号を付してある。同図において、Ｓｉ基板
１の内部にはバイポーラ型またはＭＯＳ型の集積回路２
が形成され、この集積回路２の上面には、Ｓｉ−Ｎから
なる絶縁膜が形成されており、この絶縁膜上にはＮｉ−
Ｆｅ薄膜とＡｕ薄膜との積層膜からなる導体配線３Ａが
形成されている。
説明する。図１は本発明による磁気抵抗センサの一実施
例による構成を示す平面図であるり、前述の図と同一部
分には同一符号を付してある。同図において、Ｓｉ基板
１の内部にはバイポーラ型またはＭＯＳ型の集積回路２
が形成され、この集積回路２の上面には、Ｓｉ−Ｎから
なる絶縁膜が形成されており、この絶縁膜上にはＮｉ−
Ｆｅ薄膜とＡｕ薄膜との積層膜からなる導体配線３Ａが
形成されている。
【００１０】図２は図１の要部拡大断面図を示したもの
である。同図において、Ｓｉ基板１内には、拡散層１
ａ，Ｐ層１ｂ，Ｎ層１ｃおよびＡｌからなる電極配線層
１ｄが形成されて集積回路２が構成されており、この集
積回路２上には接続パッド４を除く部分にＳｉ−Ｎから
なる絶縁膜８が形成され、この集積回路２上の絶縁膜８
上には電極配線層１ｄに近接してこの電極配線層１ｄよ
りも膜厚の厚い導体配線３Ａが例えば蒸着などにより形
成されている。集積回路２の電極配線層１ｄは接続パッ
ド４により導体配線３Ａと接続されている。この導体配
線３ＡはＮｉ−Ｆｅ薄膜３1 を形成し、さらにこのＮｉ
−Ｆｅ薄膜３1上に引き続きＡｕ薄膜３2を積層して形成
されている。さらにこの導体配線３Ａ上には表面保護膜
９が形成されている。
である。同図において、Ｓｉ基板１内には、拡散層１
ａ，Ｐ層１ｂ，Ｎ層１ｃおよびＡｌからなる電極配線層
１ｄが形成されて集積回路２が構成されており、この集
積回路２上には接続パッド４を除く部分にＳｉ−Ｎから
なる絶縁膜８が形成され、この集積回路２上の絶縁膜８
上には電極配線層１ｄに近接してこの電極配線層１ｄよ
りも膜厚の厚い導体配線３Ａが例えば蒸着などにより形
成されている。集積回路２の電極配線層１ｄは接続パッ
ド４により導体配線３Ａと接続されている。この導体配
線３ＡはＮｉ−Ｆｅ薄膜３1 を形成し、さらにこのＮｉ
−Ｆｅ薄膜３1上に引き続きＡｕ薄膜３2を積層して形成
されている。さらにこの導体配線３Ａ上には表面保護膜
９が形成されている。
【００１１】なお、この場合、電極配線層１ｄの膜厚を
Ｔ１とし、導体配線３Ａの膜厚をＴ２としたとき、Ｔ２
≧１．３Ｔ１の関係を持たせて導体配線３Ａの膜厚が設
定されている。例えばＴ１＝０．８μｍとした場合、導
体配線３Ａの膜厚は、Ｔ２≧１．０４μｍに設定され
る。
Ｔ１とし、導体配線３Ａの膜厚をＴ２としたとき、Ｔ２
≧１．３Ｔ１の関係を持たせて導体配線３Ａの膜厚が設
定されている。例えばＴ１＝０．８μｍとした場合、導
体配線３Ａの膜厚は、Ｔ２≧１．０４μｍに設定され
る。
【００１２】また、Ｓｉ基板１上の磁気抵抗素子形成領
域上の絶縁膜８上には、真空蒸着あるいはスパッタリン
グなどにより磁気抵抗素子としての強磁性体薄膜５が形
成されており、図示されないが、この強磁性体薄膜５の
下層には予め１００〜１５０Å程度の膜厚のＣｒ膜が形
成され、絶縁膜８との密着強度を保持させている。ま
た、強磁性体薄膜５は図１に示すように導体配線３Ａと
接続されている。
域上の絶縁膜８上には、真空蒸着あるいはスパッタリン
グなどにより磁気抵抗素子としての強磁性体薄膜５が形
成されており、図示されないが、この強磁性体薄膜５の
下層には予め１００〜１５０Å程度の膜厚のＣｒ膜が形
成され、絶縁膜８との密着強度を保持させている。ま
た、強磁性体薄膜５は図１に示すように導体配線３Ａと
接続されている。
【００１３】このような構成において、集積回路２上に
導体配線３Ａが形成される構成となるため、図３に示し
たＳｉ基板１上の導体配線３が形成された部分の縦方向
寸法ｌの部分を小さくすることができ、Ｓｉ基板１の形
状を小型化できる。
導体配線３Ａが形成される構成となるため、図３に示し
たＳｉ基板１上の導体配線３が形成された部分の縦方向
寸法ｌの部分を小さくすることができ、Ｓｉ基板１の形
状を小型化できる。
【００１４】また、このような構成において、集積回路
２上に導体配線３Ａを形成する際、Ａｌからなる配線層
１ｄとＡｕ薄膜３2 との間にＮｉ−Ｆｅ膜３1 を中間層
として配置されることから、直接接触することなく、パ
ープルプレインなどの現象は発生せず、接続パッド４に
おいて良好なコンタクトが形成できる。
２上に導体配線３Ａを形成する際、Ａｌからなる配線層
１ｄとＡｕ薄膜３2 との間にＮｉ−Ｆｅ膜３1 を中間層
として配置されることから、直接接触することなく、パ
ープルプレインなどの現象は発生せず、接続パッド４に
おいて良好なコンタクトが形成できる。
【００１５】また、このような構成において、電極配線
層１ｄの膜厚Ｔ１，導体配線３Ａの膜厚Ｔ２の関係をＴ
２≧１．３Ｔ１に設定したことによってステップカバー
レッジなど接続点の問題もなくなり、安定的に磁気抵抗
センサを製造することができる。
層１ｄの膜厚Ｔ１，導体配線３Ａの膜厚Ｔ２の関係をＴ
２≧１．３Ｔ１に設定したことによってステップカバー
レッジなど接続点の問題もなくなり、安定的に磁気抵抗
センサを製造することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
集積回路部上に絶縁膜を介して導体配線を設け、この導
体配線の膜厚を集積回路部の電極配線の膜厚よりも１．
３倍以上厚く形成したことにより、従来に比較して集積
回路チップの形状を小さくできるので、集積回路部を内
蔵した磁気抵抗センサを小型に構成できるなどの極めて
優れた効果が得られる。
集積回路部上に絶縁膜を介して導体配線を設け、この導
体配線の膜厚を集積回路部の電極配線の膜厚よりも１．
３倍以上厚く形成したことにより、従来に比較して集積
回路チップの形状を小さくできるので、集積回路部を内
蔵した磁気抵抗センサを小型に構成できるなどの極めて
優れた効果が得られる。
【図１】本発明による磁気抵抗センサの一実施例による
構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す磁気抵抗センサの要部拡大断面図で
ある。
ある。
【図３】従来の磁気抵抗センサの構成を示す断面図であ
る。
る。
１ Ｓｉ基板 １ａ 拡散層 １ｂ Ｐ層 １ｃ Ｎ層 １ｄ 電極配線層 ２ 集積回路 ３Ａ 導体配線 ３1 Ｎｉ−Ｆｅ膜 ３2 Ａｕ膜 ４ 接続パッド ５ 強磁性体薄膜 ７ 電極端子 ８ 絶縁膜 ９ 表面保護膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板内に形成されかつ電極配線を
含む集積回路部と、 前記集積回路部を含む前記半導体基板上に形成された絶
縁膜と、 前記集積回路部と隣接する前記半導体基板の領域上に前
記絶縁膜を介して形成された磁気抵抗素子部と、 前記集積回路部上に前記絶縁膜を介して形成されかつ前
記磁気抵抗素子部に接続された導体配線と、 前記絶縁膜に形成されかつ前記導体配線を前記電極配線
に接続する接続パッドと を備え、 前記導体配線の膜厚は、前記電極配線の膜厚よりも１．
３倍以上厚く形成されることを特徴とする磁気抵抗セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4075847A JP2932824B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 磁気抵抗センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4075847A JP2932824B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 磁気抵抗センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243637A JPH05243637A (ja) | 1993-09-21 |
| JP2932824B2 true JP2932824B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=13588019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4075847A Expired - Lifetime JP2932824B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 磁気抵抗センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2932824B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62130540A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
| JP2993017B2 (ja) * | 1989-11-14 | 1999-12-20 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気検出装置 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4075847A patent/JP2932824B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05243637A (ja) | 1993-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4908685A (en) | Magnetoelectric transducer | |
| JP2817717B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US5309025A (en) | Semiconductor bond pad structure and method | |
| US4949225A (en) | Circuit board for mounting electronic components | |
| JPH02272737A (ja) | 半導体の突起電極構造及び突起電極形成方法 | |
| JP2622156B2 (ja) | 集積回路パッド用の接触方法とその構造 | |
| JPH06163794A (ja) | メタルコアタイプの多層リードフレーム | |
| JPS5994441A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09260645A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002217354A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2932824B2 (ja) | 磁気抵抗センサ | |
| JPH06181289A (ja) | 半導体装置 | |
| US6867488B2 (en) | Thick metal top layer | |
| JP2002313930A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11330584A (ja) | 磁電変換素子およびそれを用いた磁気センサ、磁電変換素子の製造方法 | |
| JP3733077B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH07106514A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH06232478A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2959186B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07142631A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11330586A (ja) | 磁電変換素子およびそれを用いた磁気センサ、磁電変換素子の製造方法 | |
| JPH0945724A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5929430A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0529375A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07130790A (ja) | 半導体装置の電極構造 |