JPH01184943A - 集積回路内蔵用積層コンデンサの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、集積回路に内蔵される積層コンデンサの製法
の改良に関するものである。

［発明の概要］ 本発明は、基板上に導電膜と絶縁膜とを交互に積層する
ことにより、大容量のコンデンサの内蔵を可能としたも
のである。

［従来の技術］ 従来、集積回路に内蔵されるコンデンサには、２種類の
ものがあり、そのうち一方は、ＰＮ接合の逆バイアス容
量を利用したものであり、他方はＭＯ８構造をとってい
るものである。

［発明が解決しようとする問題点］ 上記２種類のコンデンサのうち、特性上はＭＯ８構造の
ものがリークが少なく、また容量の電圧依存性も無いな
ど、有利であるが、単位面積当りの容量が小さいことが
欠点とされている０例えば。

１０００人のＳｉＯ□膜を誘導体とした場合、単位面積
当りの容量は約３４０ｐＦ／ｆｆｌ”であり、通常、数
ｍ角の集積回路チップ内には、大容量コンデンサのは内
蔵できない。

［発明の目的］ 本発明は、集積回路に大容量のコンデンサを容易に、か
つ確実に内蔵させることのできる積層コンデンサの製法
を提供することを目的としているものである。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために１本発明の集積回路に内蔵さ
れる積層コンデンサの製法においては、半導体基板上に
オーバーハング状の開口部を形成し、半導体基板表面の
一部を霧出させる工程と、前記開口部に第１の飛来角に
て導電物を積層する工程と、前記開口部に前記第１の飛
来角とは異なる第２の飛来角にて絶縁物を積層する工程
と、前記開口部に前記第１及び第２の飛来角とは異なる
第３の飛来角にて導電物を積層する工程とを含むことを
要旨としている。

［作用］ 前記製法においては、半導体基板上に形成した開口部を
通して同じ飛来角で順次に積層された導電物の層は、絶
縁物の層をなかにして、その一端で接続されるので、広
い面積にわたって対向する導電物層と等価となり、基板
上での単位面積当りのコンデンサ容量は増大される。

［実施例］ 以下１本発明を、その実施の一例を示した図面に基づい
て具体的に説明する。

第１図乃至第８図は、集積回路に内蔵される積層コンデ
ンサの製法の工程順を示したものである。

（１）まず、第１図に示すように、トランジスタ、抵抗
などの素子が作り込まれた集積回路板１の上にＳｉｏ２
膜２を堆積し、さらにその上にレジスト膜３を重ねて形
成する。

（２）次に、第２図に示すように、通常のフォトリソグ
ラフィー手段を用いて、前記レジスト膜３の一部を除去
して開口部３ａとなし、さらにウェットエツチング法に
より、Ｓｉｎ、膜２の一部を除去する。このときＳｉｏ
２膜の除去はオーバーエツチングとし、Ｓｉｏ２膜上に
レジストの庇部３ｂができるようにする。

（３）次に、第３図に示すように、スパッタリング手段
により、レジスト膜の開口部３ａを通し、矢印イで示す
左斜め方向から第１導電物質を飛来させ、集積回路基板
１上に第１導電膜４を付着形成させる。このようにする
と、第１導電膜４は開口部３ａに対して右寄りに位置づ
けられる。同図中４ａはレジストの庇部３ｂの表面に付
着した導電膜である。

（４）次に、第４図に示すように、スパッタリング手段
により、レジスト膜の開口部３ａを通し、矢印口で示す
垂直方向から絶縁物を飛来させ、前記第１導電膜４と集
積回路基板１上とにかけて絶縁膜５を付着形成させる。

このようにすると、第１導電膜４の右端部に絶縁膜のな
い非付着部分が残される。同図中５ａはレジストの庇部
３ｂ上の導電膜４ａの表面に付着した絶縁膜である。

（５）このあと、また第５図に示すように、スパッタリ
ング手段により、開口部３ａを通し、矢印ハで示す右斜
め方向から第２導電物を飛来させ。

前記絶縁膜５と集積回路基板１上とにかけて第２導電膜
６を付着形成させる。このようにすると、前記第２導電
膜６は開口部３ａに対して左寄りに位置づけられ、絶縁
膜５の右端部に第２導電膜の非付着部分が残される。同
図中６ａはレジストの庇部３ｂ上の絶縁膜５ａの表面に
付着した導電膜である。

（６）次に、第６図に示すように、スパッタリング手段
により、開口部３ａを通し、矢印二で示す垂直方向から
、絶縁物を飛来させ、前記第２導電膜６と絶縁膜５とに
かけて絶縁膜７を付着形成させる。このようにすると、
第２導電膜６の左端部に絶縁膜のない非付着部分が残さ
れる。同図中、７ａはレジストの庇部３ｂ上の導電膜６
ａの表面に付着した絶縁膜である。

（７）このあと、前述した（３）、（４）、（５）、（
６）と同様な工程を順次に行ない、第７図に示すように
、第３導電膜８．絶縁膜９．第４導電膜１０、絶縁膜１
１を積層する。このようにすると、第１導電膜４と第３
導電膜８はその右端部で接続し、第２導電膜６と第４導
電膜１０はその左端部で接続し、それらの導電膜が絶縁
膜を介して対向する積層コンデンサが集積回路基板上に
形成される。

（８）最後に、第８図に示すように、前記（１）で堆積
させたＳｉｏ、膜を除去する。このとき、リフトオフ効
果でＳｉｏ、膜上のものはすべて除かれる。

上記実施例に示した工程を順次に行なうことによって集
積回路基板上に形成された積層コンデンサにおいては、
右寄りに位置づけられた第１導電膜４および第３導電膜
８、並びに左寄りに位置づけられた第２導電膜６及び第
４導電膜１０は、それぞれの端部で接続しているので、
広い面積にわたって導電膜同志が対向するのと等価とな
り、単位面積当りのコンデンサ容量は増大する。

なお、前記工程におけるスパッタリング手段は、蒸着手
段に代えてもよい、また、導電膜を形成する導電物質に
ついては、金属材料であれば、とくに制限はなく、対向
する導電膜は、同一金属に限らず、異種金属であっても
よい。

また、導電物質を開口部を通して集積回路基板に向けて
飛来させる飛来角は、開口部に対して右寄りに位置づけ
られる導電膜と左寄りに位置づけられる導電膜との対向
有効面積が最大となる角度に定める。

［発明の効果］ 本発明は５以上に説明したような工程によって集積回路
基板上に積層コンデンサを形成するので、集積回路内に
大容量のコンデンサを内蔵させることができ、チップサ
イズの縮少化並びにコストの低減化を図ることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第８図は、本発明の一実施例を示す集積回路
内蔵用積層コンデンサの製造工程図である。 １・・・・・・・・・集積回路基板、２・・・・・・・
・・５ｉｎ２膜、３・・・・・・・・・レジスト膜、３
ａ・・・・・・・・・開口部、３ｂ・・・・・・・・・
庇部、４・・・・・・・・・第１導電膜、５・・・・・
・・・・絶縁膜。 ６・・・・・・・・・第２導電膜、７・・・・・・・・
・絶縁膜、８・・・・・・・・・第３導電膜、９・・・
・・・・・・絶縁膜、１０・・・・・・・・・第４導電
膜、１１・・・・・・・・・絶縁膜。 特許出願人　　　　　クラリオン株式会社代理人　　弁
理士　　永　１）武　三　部第７図 第８図 第４図 第５図 第２図 第３図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板上にオーバーハング状の開口部を形成
   し、半導体基板表面の一部を露出させる工程と、 前記開口部に第１の飛来角にて導電物を積層する工程と
   、 前記開口部に前記第１の飛来角とは異なる第２の飛来角
   にて絶縁物を積層する工程と、 前記開口部に前記第１及び第２の飛来角とは異なる第３
   の飛来角にて導電物を積層する工程とを含むことを特徴
   とする集積回路内蔵用積層コンデンサの製法。
2. （２）前記絶縁物の第２の飛来角が導電物の第１の飛来
   角と第３の飛来角の中間である特許請求の範囲第１項記
   載の集積回路内蔵用積層コンデンサの製法。
3. （３）前記絶縁物の第２の飛来角が基板に対し垂直であ
   る特許請求の範囲第２項記載の集積回路内蔵用積層コン
   デンサの製法。