JPS58137242A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
- Publication number
- JPS58137242A JPS58137242A JP1943982A JP1943982A JPS58137242A JP S58137242 A JPS58137242 A JP S58137242A JP 1943982 A JP1943982 A JP 1943982A JP 1943982 A JP1943982 A JP 1943982A JP S58137242 A JPS58137242 A JP S58137242A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- circuit device
- electrode
- uneven
- recesses
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路装置に係り、とりわけ、電気容量部の
構造に関する。
構造に関する。
従来、集積は路装置における電気容量部は、平担な基板
上に誘電体膜をはさんで、該誘電体膜の両面に電極を平
担に形成する構造を用いるのが常であった。
上に誘電体膜をはさんで、該誘電体膜の両面に電極を平
担に形成する構造を用いるのが常であった。
しかし、上記従来技術によると、大なる電気容量を有す
る容量部を形成するのに大面積を必要とし、集積回路装
置の高密度化、大集積化に向かないという欠点があった
。
る容量部を形成するのに大面積を必要とし、集積回路装
置の高密度化、大集積化に向かないという欠点があった
。
本発明は上記従来技術の欠点をなくし、集積回路装置の
高密度化、大集積化に向いた電気容量部の構造を提供す
ることを目的とする。
高密度化、大集積化に向いた電気容量部の構造を提供す
ることを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、集
積回路装置に於て基板表面は凹凸状の誘電体で形成され
、該凹凸状誘電体には第1の凹凸状電極が形成され、該
第1の凹凸状電極上には誘電体膜が形成され、該誘電体
膜上には第2の凹凸状電極が形成されて成る事を特徴と
する。
積回路装置に於て基板表面は凹凸状の誘電体で形成され
、該凹凸状誘電体には第1の凹凸状電極が形成され、該
第1の凹凸状電極上には誘電体膜が形成され、該誘電体
膜上には第2の凹凸状電極が形成されて成る事を特徴と
する。
以下実施例により本発明の詳細な説明する。
第1回は本発明による集積回路装置における電気容量部
の要部の一例の断面図を示すものである。Si中導体基
板1の表面には厚いsiO,絶縁1!X2が堆積後、表
面をホト、エツチングにより凹凸状に形成され、第1の
門凸状ムを電極3を蒸着後、81−0.膜からなる誘電
体膜4を堆積後、第2の凹凸状ムを電極5が蒸着で形成
された構造である。第1の電極5及び第2の電極5から
の外部電極への取り出しは接触穴を通して行なわれるの
が通例であり、基板1との接触あるいは他の電極との接
触によって引出される。更に基板は81に限られるもの
ではなく、元々絶縁体であるガラス等で形成され、その
表面が凹凸状に加工されたものであっても良い。
の要部の一例の断面図を示すものである。Si中導体基
板1の表面には厚いsiO,絶縁1!X2が堆積後、表
面をホト、エツチングにより凹凸状に形成され、第1の
門凸状ムを電極3を蒸着後、81−0.膜からなる誘電
体膜4を堆積後、第2の凹凸状ムを電極5が蒸着で形成
された構造である。第1の電極5及び第2の電極5から
の外部電極への取り出しは接触穴を通して行なわれるの
が通例であり、基板1との接触あるいは他の電極との接
触によって引出される。更に基板は81に限られるもの
ではなく、元々絶縁体であるガラス等で形成され、その
表面が凹凸状に加工されたものであっても良い。
更に、基板は金属板の表面が凹凸状であり、その上に誘
電体膜と電極を形成しても良い。
電体膜と電極を形成しても良い。
更に、該電気容量部は基板表面のみならず、基板表面に
積み重ねる等したり、部品として貼付ける等して用いて
も良い。
積み重ねる等したり、部品として貼付ける等して用いて
も良い。
この橡に、凹凸状に折り込まれた電気容量部分を集積回
路装置の一部分に適用することにより、より小面積で大
容量の電気容量部がt!成でき、高密度で大集積化に向
いた集積回路装置となすことができる効果がある。
路装置の一部分に適用することにより、より小面積で大
容量の電気容量部がt!成でき、高密度で大集積化に向
いた集積回路装置となすことができる効果がある。
第1図は本発明による集積回路装置における電気容量部
の要部の一例の断面図を示すものである1・・・・・・
基 板 2・・・・・・凹凸状絶縁体 3・・・・・・第1の凹凸状電極 4・・・・・・誘電体膜 5・・・・・・第2の凹凸状電極 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
の要部の一例の断面図を示すものである1・・・・・・
基 板 2・・・・・・凹凸状絶縁体 3・・・・・・第1の凹凸状電極 4・・・・・・誘電体膜 5・・・・・・第2の凹凸状電極 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 基板表面は凹凸状の誘電体で形成され、該凹凸状誘電体
上にはjIllの凹凸状電極が形成され、該第1の凹凸
状電極上には誘電体膜が形成され、該誘電体膜上には第
2の凹凸状電極が形成されて成る事を特徴とする集積回
路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1943982A JPS58137242A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1943982A JPS58137242A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58137242A true JPS58137242A (ja) | 1983-08-15 |
Family
ID=11999321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1943982A Pending JPS58137242A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58137242A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60158654A (ja) * | 1984-01-28 | 1985-08-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPH01293648A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
EP0923093A2 (en) * | 1997-11-26 | 1999-06-16 | Texas Instruments Incorporated | Vertical array capacitor |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS472282U (ja) * | 1971-01-23 | 1972-08-25 | ||
JPS4933433A (ja) * | 1972-07-31 | 1974-03-27 | ||
JPS4957779A (ja) * | 1972-06-02 | 1974-06-05 | ||
JPS5231627A (en) * | 1975-06-04 | 1977-03-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory unit |
-
1982
- 1982-02-09 JP JP1943982A patent/JPS58137242A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS472282U (ja) * | 1971-01-23 | 1972-08-25 | ||
JPS4957779A (ja) * | 1972-06-02 | 1974-06-05 | ||
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JPS5231627A (en) * | 1975-06-04 | 1977-03-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory unit |
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EP0923093A2 (en) * | 1997-11-26 | 1999-06-16 | Texas Instruments Incorporated | Vertical array capacitor |
EP0923093A3 (en) * | 1997-11-26 | 1999-12-22 | Texas Instruments Incorporated | Vertical array capacitor |
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