JPH0290701A - マイクロ波モノリシック集積回路装置 - Google Patents
マイクロ波モノリシック集積回路装置Info
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- JPH0290701A JPH0290701A JP24276788A JP24276788A JPH0290701A JP H0290701 A JPH0290701 A JP H0290701A JP 24276788 A JP24276788 A JP 24276788A JP 24276788 A JP24276788 A JP 24276788A JP H0290701 A JPH0290701 A JP H0290701A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体モノリシック集積回路装置に関し、特に
マイクロ波帯で使用される半導体モノリシック集積回路
装置の内部伝送線路の構造に関する。
マイクロ波帯で使用される半導体モノリシック集積回路
装置の内部伝送線路の構造に関する。
従来、モイクロ波帯で使用されるモノリシック集積回路
装置は、例えばシリコン基板を使用したものでは、その
内部配線用の伝送線路を第３図ａの如く形成する。すな
わち、シリコン基板３上にシリコン酸化膜２等の電気的
絶縁層を設け、その上にアルミまたは金等の金属導体１
からなる帯状の線路を設けているのが通例である。
装置は、例えばシリコン基板を使用したものでは、その
内部配線用の伝送線路を第３図ａの如く形成する。すな
わち、シリコン基板３上にシリコン酸化膜２等の電気的
絶縁層を設け、その上にアルミまたは金等の金属導体１
からなる帯状の線路を設けているのが通例である。
しかしながら、上述した伝送線路では下層シリコン酸化
膜２が誘電体であるため、線路とシリコン基板３とが容
量によって高周波的に結合し、シリコン基板３を介して
線路間に不要な結合が生じる。従って、この従来の伝送
線路の構造ではモノリシック集積回路としての高周波特
性が劣化してしもうとか、設計精度が低下してしまうと
云う問題がおこる。またモノリシック集積回路上でイン
ダクタンス素子を形成しようとしても基板３との間の結
合容量が働くので精度の高いインダクタンス素子を形成
するのが困難である。なお、上述した基板３との結合容
量が特に問題になる場合には、第３図（ｂ）に示すよう
に、シリコン酸化膜２を加圧酸化等の手段で厚膜とする
ことにより容量を小さくすることが試みられているが、
この試みにも自ずと限界があり、必ずしも満足のいく結
果は得られていない。
膜２が誘電体であるため、線路とシリコン基板３とが容
量によって高周波的に結合し、シリコン基板３を介して
線路間に不要な結合が生じる。従って、この従来の伝送
線路の構造ではモノリシック集積回路としての高周波特
性が劣化してしもうとか、設計精度が低下してしまうと
云う問題がおこる。またモノリシック集積回路上でイン
ダクタンス素子を形成しようとしても基板３との間の結
合容量が働くので精度の高いインダクタンス素子を形成
するのが困難である。なお、上述した基板３との結合容
量が特に問題になる場合には、第３図（ｂ）に示すよう
に、シリコン酸化膜２を加圧酸化等の手段で厚膜とする
ことにより容量を小さくすることが試みられているが、
この試みにも自ずと限界があり、必ずしも満足のいく結
果は得られていない。
本発明の目的は、上記の状況に鑑み、シリコン基板と伝
送線路との間の結合容量を著しく減少せしめ得たマイク
ロ波モノリシック集積回路装置を提供することである。
送線路との間の結合容量を著しく減少せしめ得たマイク
ロ波モノリシック集積回路装置を提供することである。
本発明によれば、マイクロ波モノリシック集積回路装置
は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成される
マイクロ波伝送回路とを含み、前記マイクロ波伝送回路
は前記シリコン基板との間に空隙を形成する絶縁物層上
に上記シリコン基板と離間し且つ対峠して設けられる一
つの金属導体から形成されることを含んで構成される。
は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成される
マイクロ波伝送回路とを含み、前記マイクロ波伝送回路
は前記シリコン基板との間に空隙を形成する絶縁物層上
に上記シリコン基板と離間し且つ対峠して設けられる一
つの金属導体から形成されることを含んで構成される。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すマイクロ波モノリシリ
ック集積回路装置の伝送線路近傍の斜視図である０本実
施例によれば、マイクロ波伝送線路は厚さ５０００人８
幅３μｍの金属導体層１（アルミ）から成り、内部に空
胴５を有するシリコン酸化物層２ａを介してシリコン基
板３上の厚さ約５０００人の厚膜シリコン酸化膜２上に
載置される０本実施例から明らかなように本発明集積回
路装置の伝送線路は、シリコン酸化物層２ａの空胴５（
例えば高さ１μｍ１幅４μｍ）を隔ててシリコン酸化膜
２上に載置されているので、基板３との結合容量は極め
て小さく、厚さ５０００人のシリコン酸化膜２上に直接
設けた従来構造の約１／１０程度までに改善される。従
って、従来線路の如くシリコン基板３を介して不必要な
結合を生じ集積回路装置の高周波特性を劣化させること
もなく、或いは精度よくインダクタンス素子を形成する
上に支障を与えることもない。なお、金属導体層１の両
側に設けた一対のシリコン窒化物層（高さ７０００人１
幅１μｍ）４ａ、４ｂは金属導体ｌを表面に形成したウ
ェハーを裏面研摩する等の機械加工の際、金属導体１を
保護するために設けたものである。
ック集積回路装置の伝送線路近傍の斜視図である０本実
施例によれば、マイクロ波伝送線路は厚さ５０００人８
幅３μｍの金属導体層１（アルミ）から成り、内部に空
胴５を有するシリコン酸化物層２ａを介してシリコン基
板３上の厚さ約５０００人の厚膜シリコン酸化膜２上に
載置される０本実施例から明らかなように本発明集積回
路装置の伝送線路は、シリコン酸化物層２ａの空胴５（
例えば高さ１μｍ１幅４μｍ）を隔ててシリコン酸化膜
２上に載置されているので、基板３との結合容量は極め
て小さく、厚さ５０００人のシリコン酸化膜２上に直接
設けた従来構造の約１／１０程度までに改善される。従
って、従来線路の如くシリコン基板３を介して不必要な
結合を生じ集積回路装置の高周波特性を劣化させること
もなく、或いは精度よくインダクタンス素子を形成する
上に支障を与えることもない。なお、金属導体層１の両
側に設けた一対のシリコン窒化物層（高さ７０００人１
幅１μｍ）４ａ、４ｂは金属導体ｌを表面に形成したウ
ェハーを裏面研摩する等の機械加工の際、金属導体１を
保護するために設けたものである。
第２図は本発明の他の実施例を示すマイクロ波モノリシ
ック集積回路装置の伝送線路近傍の斜視図である。本実
施例によれば、金属導体層１は柱状のシリコン窒化物Ｎ
４とシリコン酸化物層２ｂのＴ字型絶縁物層が形成する
空隙を介して基板３上のシリコン酸化ＩＩ５！２上に載
置される。この構造では若干容量の低減率は小さいが（
約１／６程度となる）、製造工程を簡略化できる利点が
ある。
ック集積回路装置の伝送線路近傍の斜視図である。本実
施例によれば、金属導体層１は柱状のシリコン窒化物Ｎ
４とシリコン酸化物層２ｂのＴ字型絶縁物層が形成する
空隙を介して基板３上のシリコン酸化ＩＩ５！２上に載
置される。この構造では若干容量の低減率は小さいが（
約１／６程度となる）、製造工程を簡略化できる利点が
ある。
以上説明したように、本発明によれば、モノリシック集
積回路装置のマイクロ波伝送回路が、例えば内部に空胴
を有するシリコン酸化膜糊層を介して半導体基板上に、
載置されるので、伝送線路と半導体基板上との間の結合
容量を著しく低減せしめることができる。したがって、
異なる線路間での不要な電気的結合なしに伝送線路又は
高精度なインダクタンス素子を形成することができ、そ
の結果マイクロ波モノリシック集積回路の特性向上及び
設計精度向上に顕著なる効果をもたらすことが出来る。
積回路装置のマイクロ波伝送回路が、例えば内部に空胴
を有するシリコン酸化膜糊層を介して半導体基板上に、
載置されるので、伝送線路と半導体基板上との間の結合
容量を著しく低減せしめることができる。したがって、
異なる線路間での不要な電気的結合なしに伝送線路又は
高精度なインダクタンス素子を形成することができ、そ
の結果マイクロ波モノリシック集積回路の特性向上及び
設計精度向上に顕著なる効果をもたらすことが出来る。
第１図は本発明の一実施例を示すマイクロ波モノリシッ
ク集積回路装置の伝送線路近傍の斜視図、第２図は本発
明の他の実施例を示すマイクロ波モノリシック集積回路
装置の伝送線路近傍の斜視図、第３図（ａ）および（ｂ
）はそれぞれ従来マイクロ波モノリシック集積回路装置
の伝送線路近傍の斜視図である。 １・・・金属導体層（アルミ）、２・・・シリコン酸化
膜、２ａ、：ＩＩ）ｂ・・・シリコン酸化物層、３・・
・シリコン基板、４．４ａ、４ｂ・・・シリコン窒化物
層、５・・・空胴。
ク集積回路装置の伝送線路近傍の斜視図、第２図は本発
明の他の実施例を示すマイクロ波モノリシック集積回路
装置の伝送線路近傍の斜視図、第３図（ａ）および（ｂ
）はそれぞれ従来マイクロ波モノリシック集積回路装置
の伝送線路近傍の斜視図である。 １・・・金属導体層（アルミ）、２・・・シリコン酸化
膜、２ａ、：ＩＩ）ｂ・・・シリコン酸化物層、３・・
・シリコン基板、４．４ａ、４ｂ・・・シリコン窒化物
層、５・・・空胴。
Claims (1)
- シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成されるマ
イクロ波伝送回路とを含み、前記マイクロ波伝送回路は
前記シリコン基板との間に空隙を形成する絶縁物層上に
上記シリコン基板と離間し且つ対峠して設けられる一つ
の金属導体から形成されることを特徴とするマイクロ波
モノリシック集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24276788A JPH0290701A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | マイクロ波モノリシック集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24276788A JPH0290701A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | マイクロ波モノリシック集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290701A true JPH0290701A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17093974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24276788A Pending JPH0290701A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | マイクロ波モノリシック集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0290701A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995021472A1 (en) * | 1994-02-03 | 1995-08-10 | Hollandse Signaalapparaten B.V. | Transmission-line network |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP24276788A patent/JPH0290701A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995021472A1 (en) * | 1994-02-03 | 1995-08-10 | Hollandse Signaalapparaten B.V. | Transmission-line network |
| NL9400165A (nl) * | 1994-02-03 | 1995-09-01 | Hollandse Signaalapparaten Bv | Transmissielijnnetwerk. |
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