JPH03175657A - モノリシック集積回路 - Google Patents
モノリシック集積回路Info
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- JPH03175657A JPH03175657A JP31577189A JP31577189A JPH03175657A JP H03175657 A JPH03175657 A JP H03175657A JP 31577189 A JP31577189 A JP 31577189A JP 31577189 A JP31577189 A JP 31577189A JP H03175657 A JPH03175657 A JP H03175657A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- conductor layer
- insulating layer
- transmission line
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はモノリシック集積回路に関し、特にマイクロ波
：：８・で使用されるモノリシック！ｌミ積回路に関す
る。
：：８・で使用されるモノリシック！ｌミ積回路に関す
る。
従来、マイクロ波帯で使用されるモノリシック集積回路
は、例えば、半導体基板としてシリコン基板を使用した
ものでは、その内部配線用の伝送線路を第３図に示すよ
うに形成する。
は、例えば、半導体基板としてシリコン基板を使用した
ものでは、その内部配線用の伝送線路を第３図に示すよ
うに形成する。
すなわち、半導体基板３」二にシリ：７ン酸化膜等の電
気的絶縁層膜２を設け、その上にアルミニ１７１＼、ま
たＣは、金等の金属導体層１からなる・：Ｆ：ｌＡ、の
線路を設けているのが通例である。
気的絶縁層膜２を設け、その上にアルミニ１７１＼、ま
たＣは、金等の金属導体層１からなる・：Ｆ：ｌＡ、の
線路を設けているのが通例である。
しかしながら、上述した伝送線路でζま、下ｆ：！（＆
ｊ）絶縁層膜２が請電体であるため、伝送線路と半導体
基板３とが容量によって高周波的に結合し、半導体基板
３を介して伝送線路間に不要な結Ｃ？が少じる。従って
、この従来の伝送線路のｔＭ Ｊｕでは、モノリシック
集積回路としての高周波１．１性か劣化してしまうとか
、設計精度か低下し、てしまうと云った問題がおこる。
ｊ）絶縁層膜２が請電体であるため、伝送線路と半導体
基板３とが容量によって高周波的に結合し、半導体基板
３を介して伝送線路間に不要な結Ｃ？が少じる。従って
、この従来の伝送線路のｔＭ Ｊｕでは、モノリシック
集積回路としての高周波１．１性か劣化してしまうとか
、設計精度か低下し、てしまうと云った問題がおこる。
また、モノリシック集積回洲上てのインダ／７りンス素
子を形成しようとしても、半導体基板３との間の結合容
量が働くので、精度の高いインダクタンス素子を形成す
るのが困難であるという問題がある。
子を形成しようとしても、半導体基板３との間の結合容
量が働くので、精度の高いインダクタンス素子を形成す
るのが困難であるという問題がある。
なお、上述した半導体基板３との結合容量が特に問題に
なる場合には、第４図に示すように、絶縁層膜２を加圧
酸化専の手段で厚膜とすることにより容量を小さくする
ことが試みられているが、この試みにも自ずと限界があ
り、必ずしも満足のいく結果は得られていない。
なる場合には、第４図に示すように、絶縁層膜２を加圧
酸化専の手段で厚膜とすることにより容量を小さくする
ことが試みられているが、この試みにも自ずと限界があ
り、必ずしも満足のいく結果は得られていない。
本発明の１」的は、半導体基板と伝送線路との間の結合
容量を著しく減少出来るマイクロ波モノリシック集積回
路を提供することである。
容量を著しく減少出来るマイクロ波モノリシック集積回
路を提供することである。
本発明は、内部配線用の伝送線路を有するモノリシック
集積回路において、前記伝送線路を構成する金属導体層
が半導体基板上に接して設けられた絶ｔ？！層膜を介し
て側面の一部のみで前記半導体基板上に固着され、かつ
、前記金属導体層の底面及び側面の固着部以外の部分は
前記半導体基板及び該半導体基板上に接して設けられた
前記絶縁層膜とは離間して設けられている。
集積回路において、前記伝送線路を構成する金属導体層
が半導体基板上に接して設けられた絶ｔ？！層膜を介し
て側面の一部のみで前記半導体基板上に固着され、かつ
、前記金属導体層の底面及び側面の固着部以外の部分は
前記半導体基板及び該半導体基板上に接して設けられた
前記絶縁層膜とは離間して設けられている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の部分断面斜視図である
。
。
第１の実施例は、第■図に示すように、半導体基板３上
に接して設けられた厚さ３ ）ｔ ｎｌのシリコン酸化
膜からなる絶縁層膜２の幅５ Ｂ ｒｎ 、厚さ１μｍ
のアルミニウムからなる金属導体層１の底面に対応する
位置に、深さ２ 、５ μｍ 、 ％７５ μｍの満４
が設けられている。
に接して設けられた厚さ３ ）ｔ ｎｌのシリコン酸化
膜からなる絶縁層膜２の幅５ Ｂ ｒｎ 、厚さ１μｍ
のアルミニウムからなる金属導体層１の底面に対応する
位置に、深さ２ 、５ μｍ 、 ％７５ μｍの満４
が設けられている。
この金属導体層１は、その底面が厚さ１．５μｍのエア
ーギャップにより、半導体基板３及び半導体基板３上に
設けられた絶縁層膜２と隔てられており、その側面の絶
縁Ａ［２との固着部を除いて絶縁層膜２とも隔てられて
いる。なお、金属導体層１を保持するために、金属導体
層１の側面の一部と絶縁層膜２との固着部は、金属導体
Ｘｊ １の長さ方向に沿って一箇所２μｍの接触長で５
μｎ１のピッチで複数箇所に設けられている。
ーギャップにより、半導体基板３及び半導体基板３上に
設けられた絶縁層膜２と隔てられており、その側面の絶
縁Ａ［２との固着部を除いて絶縁層膜２とも隔てられて
いる。なお、金属導体層１を保持するために、金属導体
層１の側面の一部と絶縁層膜２との固着部は、金属導体
Ｘｊ １の長さ方向に沿って一箇所２μｍの接触長で５
μｎ１のピッチで複数箇所に設けられている。
このように構成された第１の実施例の集積回路の伝送線
路は、金属導体層１の底面がエアーギャップによって半
導体基板３及び半導体基板３上のに接して設けられた絶
縁層膜２と隔てられ、か−＞、？！！ＩＩ面についても
固着部を除いた部分もエアーギャップを介して絶縁Ｍ膜
２と隔てられているため、伝送線路と半導体基板３との
結合容量は極めて小さく、例えば、厚さ５０００人のシ
リコン酸化膵の絶縁層膜２上に直接設けた従来の４１造
の伝送線路の１／１２程度まで改作される。
路は、金属導体層１の底面がエアーギャップによって半
導体基板３及び半導体基板３上のに接して設けられた絶
縁層膜２と隔てられ、か−＞、？！！ＩＩ面についても
固着部を除いた部分もエアーギャップを介して絶縁Ｍ膜
２と隔てられているため、伝送線路と半導体基板３との
結合容量は極めて小さく、例えば、厚さ５０００人のシ
リコン酸化膵の絶縁層膜２上に直接設けた従来の４１造
の伝送線路の１／１２程度まで改作される。
従って、従来の伝送線路のように、絶縁層膜２を介して
不必要な結合を生じ集積回路の高周波特性を劣化させる
こともなく、あるいは、精度よくインダクタンス素子を
形成する上に支障をきたす二ともない。
不必要な結合を生じ集積回路の高周波特性を劣化させる
こともなく、あるいは、精度よくインダクタンス素子を
形成する上に支障をきたす二ともない。
第２図は本発明の第２の実施例の部分断面斜視図である
。
。
第２の実施例は第２（′￥ｌに示すように、半導体基板
３に溝４を設けた例である。
３に溝４を設けた例である。
第２の実施例では、半導体基板３に溝４を設けているた
め、厚い絶縁層膜２を形成する必要がなく、従って、高
温、長時間の熱処理が不要であり、製造上簡便化される
。
め、厚い絶縁層膜２を形成する必要がなく、従って、高
温、長時間の熱処理が不要であり、製造上簡便化される
。
以上詳細に説明したように本発明に上れば、モノリシッ
ク集積回路のマイクロ波伝送線路が、半導体基板上にほ
ぼ空気中に浮かせた格造に形成されるので、伝送線路と
半導体基板との結合容量を著しく低減せしめることが出
来る。
ク集積回路のマイクロ波伝送線路が、半導体基板上にほ
ぼ空気中に浮かせた格造に形成されるので、伝送線路と
半導体基板との結合容量を著しく低減せしめることが出
来る。
したがって、異なる伝送線路間での不要な電気的結合な
しに、伝送線路又は、高精度のインダクタンス素子を形
成することが出来、マイクロ波モノリシック集積回路の
特性向上及び設計精度向上に顕著なる効果をもたらすこ
とが出来る。
しに、伝送線路又は、高精度のインダクタンス素子を形
成することが出来、マイクロ波モノリシック集積回路の
特性向上及び設計精度向上に顕著なる効果をもたらすこ
とが出来る。
第１図は本発明の第１の実施例の部分断面斜７（シ図、
第２図は本発明の第２の実施例の部分断面斜視図、第３
図は従来のモノリシック集積回路の一例の部分断面斜視
図、第４図は従来のモノリシック集積回路の他の例の部
分断面斜視図である。 １・・・金属導体層、２・・・絶縁層膜、３・・・半導
体基板、４・・・１１が。
第２図は本発明の第２の実施例の部分断面斜視図、第３
図は従来のモノリシック集積回路の一例の部分断面斜視
図、第４図は従来のモノリシック集積回路の他の例の部
分断面斜視図である。 １・・・金属導体層、２・・・絶縁層膜、３・・・半導
体基板、４・・・１１が。
Claims (1)
- 内部配線用の伝送線路を有するモノリシック集積回路
において、前記伝送線路を構成する金属導体層が半導体
基板上に接して設けられた絶縁層膜を介して側面の一部
のみで前記半導体基板上に固着され、かつ、前記金属導
体層の底面及び側面の固着部以外の部分は前記半導体基
板及び該半導体基板上に接して設けられた前記絶縁層膜
とは離間して設けられていることを特徴とするモノリシ
ック集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31577189A JPH03175657A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | モノリシック集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31577189A JPH03175657A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | モノリシック集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03175657A true JPH03175657A (ja) | 1991-07-30 |
Family
ID=18069352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31577189A Pending JPH03175657A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | モノリシック集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03175657A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5567982A (en) * | 1994-09-30 | 1996-10-22 | Bartelink; Dirk J. | Air-dielectric transmission lines for integrated circuits |
-
1989
- 1989-12-04 JP JP31577189A patent/JPH03175657A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5567982A (en) * | 1994-09-30 | 1996-10-22 | Bartelink; Dirk J. | Air-dielectric transmission lines for integrated circuits |
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