JPH03175805A - 高周波半導体装置 - Google Patents

高周波半導体装置

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JPH03175805A JP1314440A JP31444089A JPH03175805A JP H03175805 A JPH03175805 A JP H03175805A JP 1314440 A JP1314440 A JP 1314440A JP 31444089 A JP31444089 A JP 31444089A JP H03175805 A JPH03175805 A JP H03175805A
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insulating substrate
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、高周波半導体装置、特に、無線装置等の電
力増幅部において高周波トランジスタを用いる厚膜混成
集積回路に関するものである。
［従来の技術］ 近年、無線通信装置の電力増幅部をハイブリッド型の集
積回路装置として、モジュール化したものが多く提案さ
れ、集積回路装置をより小型化する傾向にある。以下、
この種の半導体装置について図面を参照して説明する。
第３Ａ図は従来の高周波半導体装置例えば厚膜混成集積
回路の半導体素子部の構成を概略的に示す平面図であり
、第３Ｂ図は第３Ａ図のＢ−Ｂ線に沿った断面図、第３
Ｃ図は第３Ａ図のＣ−Ｃ線に沿った断面図、第３Ｄ図は
第３Ａ図のＩ）−Ｄ線に沿った断面図である。これらの
図において、アルミナ等のセラミック材からなる絶縁基
板（１−）の表面には、メタライズされた導体膜である
入力用導体膜（２）、出力用導体膜（３）及び接地用導
体膜（４）がそれぞれ形成されている。入力用導体膜（
２）は、ワイヤ（５ａ）によって入力用ポンディングパ
ッド（６）を介して半導体素子（７）例えばｎｐｎ型ト
ランジスタに接続されている。接地用導体膜（４）は、
同様にワイヤ（５ｂ）によって接地用ボンディングパッ
ド（８）を介して半導体素子（７）に接続されている。
半導体素子（ア）は、高周波領域での大電力増幅に使用
するため、発熱量が大きい。従って、半導体素子（７）
の放熱を良くするために、出力用導体膜（３）上に放熱
プレー１〜（９）が設けられている。
この放熱プレー１〜（９）上に、半導体素子（７）がろ
う材等により固着されている。接地用導体膜（４）」二
にはＭＯＳ（金属酸化物半導体）容量素子（１０）が設
けられており、これは、一般に高周波トランジスタの入
出力インピーダンスが極めて低いなめに用いられている
素子であるにのＭＯ９Ｏ９容量素子０）Ｊ−には、ＭＯ
３容量素子（１−○）用のパッド（ｌｌａ）及び底面が
接地されたパッド＜１ｌｂ）が設けられている。
接地用ポンディングパッド（８）とパッド（ｌｌｂ）と
はワイヤ（５ｂ）により接続されているが、高周波領域
での動作では、ワイヤ（５ａ）、　（５ｂ）が長くなる
と、リアクタンス成分の影響で高い性能が得られなくな
る。そこで、リアクタンス低減のためにワイヤ（５ａ）
、　（５ｂ）を並列に接続して接地用導体ブリッジく１
２）が設けられている。また、半導体素子（７）の放熱
効果を改善する放熱板（１３）例えば銅板が絶縁基板（
１）の裏面に設けられている。
従来の高周波半導体装置は」二連したように構成され、
ワイヤ（５ａ）、　（５ｂ）の長さを短くして高周波特
性を向」−させようとしているため、半導体素子（７）
は放熱プレー１〜く９）の端部にダイボンド等により固
着されるような構成となっている。ここで、熱は約４５
度の広がり角度をもって伝わることが知られており、放
熱プレー１−（９）の片側のみにしか熱は伝導しない。
このため、半導体素子（７）及び放熱板（１３）の熱抵
抗を小さくするためには、放熱プレートト（９）と絶縁
基板（１）との接触面積を大きくする必要がある。しか
し、放熱プレート（９）を大きくすると、絶縁基板（１
）の小型化が困難になる。また、ワイヤ（５ａ）、　（
５ｂ）のポンディングパッドは、接着強度の点から同一
平面上にある方が望ましい。
［発明が解決しようとする課題］ 上述したような高周波半導体装置では、ＭＯ８容量素子
（１０）がある／ごめに半導体素子（７）と絶縁基板（
１）との接触面積を大きくすることができないので、半
導体素子（７）及び放熱板（１３）の熱抵抗を小さくす
ることができず絶縁基板（１）を小型化することができ
ないという問題点があった。
さらに、ＭＯ３容量素子（１０）ｌのパッド（ｌｌａ）
、（ｌｌｂ＞のポンディングパッド、半導体素子（７）
のポンディングパッド（６）、（８）、及び接地用導体
ブリッジ（１２）のホンディングパッド（１，２ａ）の
高さがそれぞれ異なっているため、接着されたワイヤボ
ンディングの信頼性に欠けるという問題点があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、ワイヤを長くすることなく半導体素子及び放
熱板の熱抵抗を小さくすることができる高周波半導体装
置を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明に係る高周波半導体装置は、放熱プレートの厚
さを薄くシてその一部に設けられた凸部上に半導体素子
を配置すると共に、ＭＯ３容量素子を」二部に配置した
接地用導体ブリッジを備えたものである３ ［作　用］ この発明においては、放熱アレートを接地用導体ブリッ
ジの下部まで延ばすことができるので、半導体素子及び
放熱プレートの熱抵抗を小さくすることができ、絶縁基
板を小型化することができる。
［実施例］ 第１Ａ図はこの発明の一実施例による高周波半導体装置
例えば厚膜混成集積回路の半導体素子部の構成を概略的
に示す平面図であり、第１Ｂ図は第１Ａ図のＢ−Ｂ線に
沿った断面図、第１．　Ｃ図は第１Ａ図のＣ−Ｃ線に沿
った断面図である。これらの図において、（１）〜（１
，３）は上述した従来の高周波半導体装置におけるらの
と全く同一である。
但し、接地用導体ブリッジ（１２）は第１の接地用導体
ブリッジ（１２）とする。
放熱プレー１〜（９Ａ）は、従来のものよりも薄く、そ
の一部例えば中央部に凸部（９Ｂ）が設けられている。
この凸部（９Ｂ）上に半導体素子（７）がろう付等によ
り固着されている。この放熱プレート（９Ａ）の上部を
囲んで接地用導体膜（４）上に第２の接地用導体ブリッ
ジ（１４）が設けられており、この第２の接地用導体ブ
リッジ（１４）上にＭＯ３容量素子（１０）がろう付等
により固着されている。
上記のように構成された高周波半導体装置では、第２の
接地用導体ブリッジ（１４）の下部まで放熱プレー１〜
（９Ａ）を広げて設置することができる。
従って、半導体素子（７）部分の面積を広げることなく
、熱抵抗を改善することができる。なお、凸部（９Ｂ）
の形状は、放熱を考慮して４５度以上の角度を持った裾
広がすな形状とするのが望ましい。
また、凸部（９Ｂ）の高さを調節することによって、半
導体素子（７）のボンデインクパッド（６）、（８）と
、第１の接地用導体ブリッジ（１２）のポンディングパ
ッド（１２ａ）及びポンディングパッド（１１ｃ）、　
（１１ｄ）のいずれか一方との高さを等しくすることが
できる。これにより、同一水平面上でワイヤボンディン
グを行うことが可能となるので、ワイヤの断線不良等を
抑止することができ、信頼性の高いワイヤボンディング
が可能となる。
なお、上述した実施例では、第１の接地用導体ブリッジ
（１２）と第２の接地用導体ブリッジ（１４）とは、別
々に接地用導体膜（４）に載置されているが、第２図に
示すように、例えばこれらの側部をつなぐことにより一
体化して一体化ブリッジ（１５）としてもよく、上記と
同様の効果を奏する。この場合、第１の接地用導体ブリ
ッジ（１２）と第２の接地用導体ブリッジ（１４）とを
別々に接地用導体膜（４）上に設ける必要はなく、−度
て一体化ブリッジ（１５）を設けることができるので、
製造工程を簡略化することができる。
［発明の効果］ この発明は、以上説明したとおり、絶縁基板と、この絶
縁基板の一方の面に形成された入力用導体膜と、上記絶
縁基板の一方の面に形成された出力用導体膜と、上記絶
縁基板の一方の面に形成された少なくとも２つの接地用
導体膜と、上記少なくとも２つの接地用導体膜に設けら
れた接地用導体ブリッジと、このブリッジ上に配置され
た容量素子と、端部が」１記ブリッジ内部に挿入され、
上記出力用導体膜に設けられた放熱プレートと、この放
熱プレート上に配置された半導体素子とを備えたので、
半導体素子及び放熱プレー１〜の熱抵抗を小さくするこ
とができるので、絶縁基板を小型化することができ、ま
た、同一水平面」二でワイヤボンディングを行うことに
より、ワイヤの断線不良等を抑止することができ、信頼
性の高いワイヤボンディングが可能となるという効果を
奏する。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ図はこの発明の一実施例による高周波半導体装置
の構成を概略的に示す平面図、第１Ｂ図は第１Ａ図のＢ
−Ｂ線に沿った断面図、第１Ｃ図は第１Ａ図のＣ−Ｃ線
に沿った断面図、第２図はこの発明の他の実施例による
高周波半導体装置の構成を概略的に示す平面図、第３Ａ
図は従来の高周波半導体装置の構成を概略的に示ず平面
図、第３Ｂ図は第３Ａ図のＢ−Ｂ線に沿った断面図、第
３０図は第３Ａ図のＣ−Ｃ線に沿った断面図、第３Ｄ図
は第３Ａ図のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。 図において、（１）は絶縁基板、（２）は入力用導体膜
、（３）は出力用導体膜、（４）は接地用導体膜、（５
ａ）、（５ｂ）はワイヤ、（６）は入力用ポンディング
パッド、（７）は半導体素子、（８）は接地用ポンディ
ングパッド、（９Ａ）は放熱プレート、（９Ｂ）は凸部
、（１０）はＭＯ８容量素子、（１］、ａ）（ｌｌｂ）
はパッド、（１１ｃ）、　（１１ｃｌ）はポンディング
パッド、（１２）は第１の接地用導体ブリッジ、（１３
）は放熱板、（１４）は第２の接地用導体ブリッジ、（
１５）は一体止ブリッジである。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁基板と、この絶縁基板の一方の面に形成された入力
    用導体膜と、上記絶縁基板の一方の面に形成された出力
    用導体膜と、上記絶縁基板の一方の面に形成された少な
    くとも２つの接地用導体膜と、上記少なくとも２つの接
    地用導体膜に設けられた接地用導体ブリッジと、このブ
    リッジ上に配置された容量素子と、端部が上記ブリッジ
    内部に挿入され、上記出力用導体膜に設けられた放熱プ
    レートと、この放熱プレート上に配置された半導体素子
    とを備えたことを特徴とする高周波半導体装置。
JP1314440A 1989-12-05 1989-12-05 高周波半導体装置 Expired - Lifetime JPH0767055B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2292003A (en) * 1994-07-29 1996-02-07 Ibm Uk Direct chip attach
US5939739A (en) * 1996-05-31 1999-08-17 The Whitaker Corporation Separation of thermal and electrical paths in flip chip ballasted power heterojunction bipolar transistors
WO1998020553A1 (en) * 1996-11-05 1998-05-14 Philips Electronics N.V. Semiconductor device with a high-frequency bipolar transistor on an insulating substrate
US5841184A (en) * 1997-09-19 1998-11-24 The Whitaker Corporation Integrated emitter drain bypass capacitor for microwave/RF power device applications

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3387190A (en) * 1965-08-19 1968-06-04 Itt High frequency power transistor having electrodes forming transmission lines
GB1396680A (en) * 1972-11-30 1975-06-04 Power Hybrids Inc Hermetically sealed semi-conductor device
US4161740A (en) * 1977-11-07 1979-07-17 Microwave Semiconductor Corp. High frequency power transistor having reduced interconnection inductance and thermal resistance
US4400711A (en) * 1981-03-31 1983-08-23 Rca Corporation Integrated circuit protection device

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