JPH10321651A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH10321651A JPH10321651A JP12837597A JP12837597A JPH10321651A JP H10321651 A JPH10321651 A JP H10321651A JP 12837597 A JP12837597 A JP 12837597A JP 12837597 A JP12837597 A JP 12837597A JP H10321651 A JPH10321651 A JP H10321651A
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- metal pattern
- semiconductor device
- bonding
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/27011—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature
- H01L2224/27013—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature for holding or confining the layer connector, e.g. solder flow barrier
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属パターン上に接合される半導体素子のサ
イズの制約を受けることなく、半導体素子の位置決めを
確実に行う。 【解決手段】 金属パターン５1上にろう材６にて接合
される半導体素子７の周辺領域の任意の位置に、ワイヤ
ボンディングによって凸部９を形成する。これにより、
半導体素子のサイズにかかわらず、同一金属パターンを
使用して確実に半導体素子７を金属パターン５1上に固
着することができるため、部品の共用化という点でもコ
ストダウンにつながる。
イズの制約を受けることなく、半導体素子の位置決めを
確実に行う。 【解決手段】 金属パターン５1上にろう材６にて接合
される半導体素子７の周辺領域の任意の位置に、ワイヤ
ボンディングによって凸部９を形成する。これにより、
半導体素子のサイズにかかわらず、同一金属パターンを
使用して確実に半導体素子７を金属パターン５1上に固
着することができるため、部品の共用化という点でもコ
ストダウンにつながる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置に関
するものであり、特に金属パターン上に搭載する半導体
素子の位置決め技術に関するものである。
するものであり、特に金属パターン上に搭載する半導体
素子の位置決め技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体装置を示す平面図で
あり、図４は図３のＡＰ−ＡＰ’に関しての断面図であ
る。
あり、図４は図３のＡＰ−ＡＰ’に関しての断面図であ
る。
【０００３】図３及び図４において、１は放熱板、４は
絶縁材、３は絶縁材４の下面に接合された金属パター
ン、５は絶縁材４の上面に接合された金属パターンであ
る。
絶縁材、３は絶縁材４の下面に接合された金属パター
ン、５は絶縁材４の上面に接合された金属パターンであ
る。
【０００４】２は、金属パターン３，５と一体となった
絶縁材４と放熱板１とを接合する、ろう材である。
絶縁材４と放熱板１とを接合する、ろう材である。
【０００５】金属パターン５の一つの上には、半導体素
子７がろう材６により固定される。その際、半導体素子
７は、金属パターン５上に予め設けられた切欠き８によ
り位置決めされる。その後、半導体素子７は、当該素子
７が固定されている金属パターン以外の金属パターン５
と図示しない金属細線により接続された後、半導体素子
７の保護のために、本半導体装置は、図示しないケー
ス，エポキシ樹脂といった材料で封止される。
子７がろう材６により固定される。その際、半導体素子
７は、金属パターン５上に予め設けられた切欠き８によ
り位置決めされる。その後、半導体素子７は、当該素子
７が固定されている金属パターン以外の金属パターン５
と図示しない金属細線により接続された後、半導体素子
７の保護のために、本半導体装置は、図示しないケー
ス，エポキシ樹脂といった材料で封止される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は、
図３，図４に例示したように、金属パターン５に施され
た切欠き８により半導体素子７の位置決めを行なうよう
構成されている。そのため、半導体素子７のサイズが変
わると、切欠き８の位置を変更する必要があるため、金
属パターン５の形状変更が必要となるという問題点があ
る。
図３，図４に例示したように、金属パターン５に施され
た切欠き８により半導体素子７の位置決めを行なうよう
構成されている。そのため、半導体素子７のサイズが変
わると、切欠き８の位置を変更する必要があるため、金
属パターン５の形状変更が必要となるという問題点があ
る。
【０００７】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたものであり、半導体素子のサイズが変
わっても、金属パターンの形状を変更することなく、半
導体素子の位置決めを可能にする半導体装置を得ること
を目的とする。
るためになされたものであり、半導体素子のサイズが変
わっても、金属パターンの形状を変更することなく、半
導体素子の位置決めを可能にする半導体装置を得ること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
半導体装置であって、金属パターン上に接合される半導
体素子の位置決め用として、前記金属パターン上の前記
半導体素子の接合領域の周辺に凸部を設けたことを特徴
とする。
半導体装置であって、金属パターン上に接合される半導
体素子の位置決め用として、前記金属パターン上の前記
半導体素子の接合領域の周辺に凸部を設けたことを特徴
とする。
【０００９】請求項２に係る発明は、請求項１記載の半
導体装置において、前記凸部はワイヤボンディングによ
り前記金属パターン上に形成されていることを特徴とす
る。
導体装置において、前記凸部はワイヤボンディングによ
り前記金属パターン上に形成されていることを特徴とす
る。
【００１０】請求項３に係る発明は、請求項２記載の半
導体装置において、前記凸部の高さが前記半導体素子の
接合時の高さ以下となるように前記凸部が形成されてい
ることを特徴とする。
導体装置において、前記凸部の高さが前記半導体素子の
接合時の高さ以下となるように前記凸部が形成されてい
ることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】この発明に係る半導体装置は、金
属パターン上に接合固定される半導体素子の位置決め用
として、当該金属パターン上の半導体素子接合領域の周
辺に、凸部をワイヤボンドにて設けたものである。
属パターン上に接合固定される半導体素子の位置決め用
として、当該金属パターン上の半導体素子接合領域の周
辺に、凸部をワイヤボンドにて設けたものである。
【００１２】これにより、本発明の半導体装置では、半
導体素子サイズが変わっても、同じ形状の金属パターン
上の任意の位置に半導体素子を固定することが可能とな
る。
導体素子サイズが変わっても、同じ形状の金属パターン
上の任意の位置に半導体素子を固定することが可能とな
る。
【００１３】以下、その具体的な構成例を実施の形態１
として詳述する。
として詳述する。
【００１４】（実施の形態１）この発明の実施の形態１
を図１，図２に基づいて説明する。
を図１，図２に基づいて説明する。
【００１５】図１は本実施の形態の半導体装置を示す平
面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’に関しての縦断面図
である。
面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’に関しての縦断面図
である。
【００１６】図１及び図２において、１は放熱板、４は
絶縁材（セラミック等）、３は絶縁材４の下面に接合さ
れた金属パターン（銅等）、７は半導体素子、５は絶縁
材４の上面に接合された金属パターン（銅等）である。
金属パターン５は、半導体素子７が搭載される金属パタ
ーン（第１金属パターン）５1と、ワイヤボンディング
によって図示しない金属細線を介して半導体素子７内の
電極と接続される金属パターン（第２金属パターン）５
2とから成る。
絶縁材（セラミック等）、３は絶縁材４の下面に接合さ
れた金属パターン（銅等）、７は半導体素子、５は絶縁
材４の上面に接合された金属パターン（銅等）である。
金属パターン５は、半導体素子７が搭載される金属パタ
ーン（第１金属パターン）５1と、ワイヤボンディング
によって図示しない金属細線を介して半導体素子７内の
電極と接続される金属パターン（第２金属パターン）５
2とから成る。
【００１７】２は、金属パターン３，５と一体となった
絶縁材４と放熱板１とを接合する、ろう材である。又、
６は、半導体素子７を金属パターン５1の上面上に接合
固定するためのろう材である。
絶縁材４と放熱板１とを接合する、ろう材である。又、
６は、半導体素子７を金属パターン５1の上面上に接合
固定するためのろう材である。
【００１８】本実施の形態の半導体装置が図３，図４に
例示した従来の半導体装置と相違する核心部は、半導体
素子７の位置決めのために、金属パターン５1上の半導
体素子７の搭載領域（接合領域）周辺に凸部９を設けた
点にある。
例示した従来の半導体装置と相違する核心部は、半導体
素子７の位置決めのために、金属パターン５1上の半導
体素子７の搭載領域（接合領域）周辺に凸部９を設けた
点にある。
【００１９】本装置では、金属パターン５1上に半導体
素子７をろう材６にて接合する前に、金属パターン５1
上の半導体素子７の搭載領域周辺に沿って、当該パター
ン５1上に、ワイヤボンディングによって凸部９を形成
する。この場合、凸部９の形成箇所としては、図１，図
２の例では合計７箇所とされているが、これに限られる
わけではない。即ち、半導体素子７の金属パターン５1
上での搭載位置や半導体素子７のサイズいかんによっ
て、凸部９の形成箇所とその数は臨機応変に定められ
る。少なくとも接合時の凸部の回転を防止するには、少
なくとも半導体素子７の周辺の２隅の部分にそれぞれ凸
部９を設ければ良く、更に半導体素子の横ずれをも防ぐ
には、少なくとも半導体素子７の周辺の４隅にそれぞれ
凸部９を設ければ良い。
素子７をろう材６にて接合する前に、金属パターン５1
上の半導体素子７の搭載領域周辺に沿って、当該パター
ン５1上に、ワイヤボンディングによって凸部９を形成
する。この場合、凸部９の形成箇所としては、図１，図
２の例では合計７箇所とされているが、これに限られる
わけではない。即ち、半導体素子７の金属パターン５1
上での搭載位置や半導体素子７のサイズいかんによっ
て、凸部９の形成箇所とその数は臨機応変に定められ
る。少なくとも接合時の凸部の回転を防止するには、少
なくとも半導体素子７の周辺の２隅の部分にそれぞれ凸
部９を設ければ良く、更に半導体素子の横ずれをも防ぐ
には、少なくとも半導体素子７の周辺の４隅にそれぞれ
凸部９を設ければ良い。
【００２０】ワイヤとしては、アルミニウム線でも金線
でも良い。勿論、基板上の半田印刷後でも、凸部９を形
成することができる。
でも良い。勿論、基板上の半田印刷後でも、凸部９を形
成することができる。
【００２１】凸部９により、半導体素子７の金属パター
ン５1上への接合時における半導体素子７の横ずれ、回
転を確実に防止できる。
ン５1上への接合時における半導体素子７の横ずれ、回
転を確実に防止できる。
【００２２】しかも、その際には、半導体素子のサイズ
の変更いかんに拘わらず、同一の金属パターン５1を利
用することが可能となり、この点で部品ないし基板の共
用化を図ることもできる。
の変更いかんに拘わらず、同一の金属パターン５1を利
用することが可能となり、この点で部品ないし基板の共
用化を図ることもできる。
【００２３】加えて、ワイヤボンディングにより凸部９
を形成しているので、確かに工程上は１ステップ増加す
ることにはなるが、半導体素子７と他の金属パターン５
2との金属細線による接合時に利用される、既存のワイ
ヤボンディング用装置をそのまま利用することができる
ので、新規な装置を用いることもなく容易に凸部９を形
成できるという利点もある。
を形成しているので、確かに工程上は１ステップ増加す
ることにはなるが、半導体素子７と他の金属パターン５
2との金属細線による接合時に利用される、既存のワイ
ヤボンディング用装置をそのまま利用することができる
ので、新規な装置を用いることもなく容易に凸部９を形
成できるという利点もある。
【００２４】また、凸部９の高さを半導体素子７の接合
時の高さ（つまり半導体素子７及びろう材６の両厚み
分）以下に設定することにより、当該素子７上に接続さ
れる金属細線（図示せず）と凸部９との接触を未然に防
ぐこともできる。
時の高さ（つまり半導体素子７及びろう材６の両厚み
分）以下に設定することにより、当該素子７上に接続さ
れる金属細線（図示せず）と凸部９との接触を未然に防
ぐこともできる。
【００２５】その後は、半導体素子７の電極（図示せ
ず）は、ワイヤボンディングによって金属細線（図示せ
ず）により金属パターン５2に接続され、更に図示しな
いケース，エポキシ樹脂といった材料で封止される。
ず）は、ワイヤボンディングによって金属細線（図示せ
ず）により金属パターン５2に接続され、更に図示しな
いケース，エポキシ樹脂といった材料で封止される。
【００２６】（実施の形態１の変形例）図１，図２に示
した上記実施の形態では、絶縁材４の上下に金属パター
ン３，５を接合している半導体装置の場合について説明
したが、この発明を適用できる半導体装置としては、そ
のような絶縁材４に代えて放熱板に絶縁用樹脂を塗布
し、その上に図１，図２の金属パターン５を配置してい
る半導体装置であってもよく、この場合にも上記実施の
形態と同様の効果を奏する。
した上記実施の形態では、絶縁材４の上下に金属パター
ン３，５を接合している半導体装置の場合について説明
したが、この発明を適用できる半導体装置としては、そ
のような絶縁材４に代えて放熱板に絶縁用樹脂を塗布
し、その上に図１，図２の金属パターン５を配置してい
る半導体装置であってもよく、この場合にも上記実施の
形態と同様の効果を奏する。
【００２７】（本実施の形態の効果）以上のように、本
実施の形態によれば、半導体素子の位置決めをワイヤボ
ンディングによる凸部形成により行なうように構成した
ので、半導体素子のサイズが変わっても、半導体素子を
搭載すべき側の金属パターンの形状を変更する必要な
く、接合時の半導体素子の回転や横ずれを確実に防止す
ることができ、しかも、部品ないし基板の共用化が図
れ、コストダウンにもつながるという効果がある。
実施の形態によれば、半導体素子の位置決めをワイヤボ
ンディングによる凸部形成により行なうように構成した
ので、半導体素子のサイズが変わっても、半導体素子を
搭載すべき側の金属パターンの形状を変更する必要な
く、接合時の半導体素子の回転や横ずれを確実に防止す
ることができ、しかも、部品ないし基板の共用化が図
れ、コストダウンにもつながるという効果がある。
【００２８】特に、ワイヤボンディングを利用している
ので、既存の装置を用いて容易に凸部を形成することも
できる。
ので、既存の装置を用いて容易に凸部を形成することも
できる。
【００２９】また、凸部の高さを半導体素子の接合時の
高さよりも小さくするように凸部を構成したので、半導
体素子上に接続される金属細線と凸部との接触をも防ぐ
ことができる。
高さよりも小さくするように凸部を構成したので、半導
体素子上に接続される金属細線と凸部との接触をも防ぐ
ことができる。
【００３０】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、凸部を設
けて半導体素子の位置決めを実現しているので、半導体
素子の金属パターン上への接合時に於ける半導体素子の
横ずれや回転を凸部により防止することができる。そし
て、本発明によれば、半導体素子のサイズが変更になっ
たとしても、その新たなサイズに対応して定まる同一形
状の金属パターン上の接合領域周辺の任意の位置に凸部
を設けて半導体素子を位置決め精度良く確実に固定する
ことができるので、従来の様に半導体素子のサイズの変
更に応じて改めて別形状の金属パターンを準備する必要
もなくなり、部品ないしは基板の共用化を図ることもで
きる。
けて半導体素子の位置決めを実現しているので、半導体
素子の金属パターン上への接合時に於ける半導体素子の
横ずれや回転を凸部により防止することができる。そし
て、本発明によれば、半導体素子のサイズが変更になっ
たとしても、その新たなサイズに対応して定まる同一形
状の金属パターン上の接合領域周辺の任意の位置に凸部
を設けて半導体素子を位置決め精度良く確実に固定する
ことができるので、従来の様に半導体素子のサイズの変
更に応じて改めて別形状の金属パターンを準備する必要
もなくなり、部品ないしは基板の共用化を図ることもで
きる。
【００３１】請求項２に係る発明によれば、半導体素子
上に金属細線を接続するときに用いるワイヤボンディン
グによって凸部を形成することができるので、凸部形成
工程のために特別な新規な工程・そのための装置を必要
とすることなく、既存の装置を用いた工程を凸部形成工
程として利用することができる。
上に金属細線を接続するときに用いるワイヤボンディン
グによって凸部を形成することができるので、凸部形成
工程のために特別な新規な工程・そのための装置を必要
とすることなく、既存の装置を用いた工程を凸部形成工
程として利用することができる。
【００３２】請求項３に係る発明によれば、半導体素子
上に接続される金属細線等と凸部との接触を未然に防止
することができる。
上に接続される金属細線等と凸部との接触を未然に防止
することができる。
【図１】 この発明に係る半導体装置の実施の形態１を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】 この発明に係る半導体装置の実施の形態１を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】 従来の半導体装置を示す平面図である。
【図４】 従来の半導体装置を示す断面図である。
１ 放熱板、２，６ ろう材、３，５，５1，５2， 金
属パターン、４ 絶縁材、７ 半導体素子、８ 切欠
き、９ 凸部。
属パターン、４ 絶縁材、７ 半導体素子、８ 切欠
き、９ 凸部。
Claims (3)
- 【請求項１】 金属パターン上に接合される半導体素子
の位置決め用として、前記金属パターン上の前記半導体
素子の接合領域の周辺に凸部を設けたことを特徴とす
る、半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記凸部はワイヤボンディングにより前記金属パターン
上に形成されていることを特徴とする、半導体装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置において、 前記凸部の高さが前記半導体素子の接合時の高さ以下と
なるように前記凸部が形成されていることを特徴とす
る、半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12837597A JPH10321651A (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12837597A JPH10321651A (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321651A true JPH10321651A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=14983276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12837597A Pending JPH10321651A (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10321651A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009170543A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Nissan Motor Co Ltd | 電力変換装置およびその製造方法 |
| JP2010165764A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015088654A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| JP2017069401A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | 基板及び発光装置、並びに発光装置の製造方法 |
| JP2017117826A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-05-19 JP JP12837597A patent/JPH10321651A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009170543A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Nissan Motor Co Ltd | 電力変換装置およびその製造方法 |
| JP2010165764A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015088654A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| JP2017069401A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | 基板及び発光装置、並びに発光装置の製造方法 |
| JP2017117826A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
| CN106920791A (zh) * | 2015-12-21 | 2017-07-04 | 斯坦雷电气株式会社 | 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法 |
| CN106920791B (zh) * | 2015-12-21 | 2021-12-28 | 斯坦雷电气株式会社 | 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
| A521 | Written amendment |
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