JPH05226483A - モノリシックマイクロ波集積回路 - Google Patents
モノリシックマイクロ波集積回路Info
- Publication number
- JPH05226483A JPH05226483A JP2357192A JP2357192A JPH05226483A JP H05226483 A JPH05226483 A JP H05226483A JP 2357192 A JP2357192 A JP 2357192A JP 2357192 A JP2357192 A JP 2357192A JP H05226483 A JPH05226483 A JP H05226483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bridge wiring
- air
- semiconductor substrate
- wiring
- air bridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板の裏面ラッピング時におけるエア
ー・ブリッジ配線の破壊が防止できることを目的とす
る。 【構成】 エアー・ブリッジ配線３２の近傍の半導体基
板１０上に膜厚がエアー・ブリッジ配線３２より厚い絶
縁物の緩衝体６０を形成した。
ー・ブリッジ配線の破壊が防止できることを目的とす
る。 【構成】 エアー・ブリッジ配線３２の近傍の半導体基
板１０上に膜厚がエアー・ブリッジ配線３２より厚い絶
縁物の緩衝体６０を形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は空中配線、いわゆるエア
ー・ブリッジ配線を有するモノリシックマイクロ波集積
回路（以下、ＭＭＩＣという）に関する。
ー・ブリッジ配線を有するモノリシックマイクロ波集積
回路（以下、ＭＭＩＣという）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のマイクロ波を扱うＭＭＩ
Ｃは、図４に示すように、半導体基板１０上に酸化膜２
０，配線３１が順次形成され、上記配線３１上に比誘電
率が概ね１と極めて小さい空気層４０を介してエアー・
ブリッジ配線３２を形成し、交差する配線３１，３２間
の寄生容量の低減やインダクタの形成を行っていた。
Ｃは、図４に示すように、半導体基板１０上に酸化膜２
０，配線３１が順次形成され、上記配線３１上に比誘電
率が概ね１と極めて小さい空気層４０を介してエアー・
ブリッジ配線３２を形成し、交差する配線３１，３２間
の寄生容量の低減やインダクタの形成を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のＭＭＩＣにおいては、アセンブリ工程におい
て、半導体基板１０裏面のラッピング面１１をラッピン
グする際、ラッピング装置（図示略す）のウエハー固定
部５０がエアー・ブリッジ配線３２に直接接触してエア
ー・ブリッジ配線３２を押し潰してしまうという問題点
があった。
た従来のＭＭＩＣにおいては、アセンブリ工程におい
て、半導体基板１０裏面のラッピング面１１をラッピン
グする際、ラッピング装置（図示略す）のウエハー固定
部５０がエアー・ブリッジ配線３２に直接接触してエア
ー・ブリッジ配線３２を押し潰してしまうという問題点
があった。
【０００４】本発明の目的は、上述した問題点に鑑み、
半導体基板の裏面ラッピング時におけるエアー・ブリッ
ジ配線の破壊が防止できるモノリシックマイクロ波集積
回路を提供するものである。
半導体基板の裏面ラッピング時におけるエアー・ブリッ
ジ配線の破壊が防止できるモノリシックマイクロ波集積
回路を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した目的を
達成するため、半導体基板上にエアー・ブリッジ配線を
形成したモノリシックマイクロ波集積回路において、上
記エアー・ブリッジ配線の近傍の上記半導体基板上に膜
厚が上記エアー・ブリッジ配線より厚い絶縁物の緩衝体
を形成したものである。
達成するため、半導体基板上にエアー・ブリッジ配線を
形成したモノリシックマイクロ波集積回路において、上
記エアー・ブリッジ配線の近傍の上記半導体基板上に膜
厚が上記エアー・ブリッジ配線より厚い絶縁物の緩衝体
を形成したものである。
【０００６】
【作用】本発明においては、エアー・ブリッジ配線の近
傍にエアー・ブリッジ配線の厚さより厚い絶縁物の緩衝
体を形成したので、半導体基板の裏面ラッピングを行う
際、ラッピング装置のウエハ−固定部は緩衝体に直接接
触し、当該ウエハ−固定部からの圧力はエアー・ブリッ
ジ配線に加わらないため、エアー・ブリッジ配線の破壊
が防止される。
傍にエアー・ブリッジ配線の厚さより厚い絶縁物の緩衝
体を形成したので、半導体基板の裏面ラッピングを行う
際、ラッピング装置のウエハ−固定部は緩衝体に直接接
触し、当該ウエハ−固定部からの圧力はエアー・ブリッ
ジ配線に加わらないため、エアー・ブリッジ配線の破壊
が防止される。
【０００７】
【実施例】以下、本発明のＭＭＩＣに係わる実施例を図
１乃至図３に基づいて従来例と同一構成部分には同一符
号を付して説明する。
１乃至図３に基づいて従来例と同一構成部分には同一符
号を付して説明する。
【０００８】即ち、図１において、１０は半導体基板で
ある。この半導体基板１０上には酸化膜２０が形成さ
れ、酸化膜２０の所定部上に配線３１が形成され、配線
３１上には空気層４０を介してエアー・ブリッジ配線３
２が形成されている。さらに、上記エアー・ブリッジ配
線３２の外側近傍の酸化膜２０上には膜厚がエアー・ブ
リッジ配線３２より厚くＰＶＤ(Physical Vapor Deposi
tion) 法、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 法また
は熱酸化法等により形成された酸化膜或いは窒化膜等の
絶縁物から成る緩衝体６０が形成されている。
ある。この半導体基板１０上には酸化膜２０が形成さ
れ、酸化膜２０の所定部上に配線３１が形成され、配線
３１上には空気層４０を介してエアー・ブリッジ配線３
２が形成されている。さらに、上記エアー・ブリッジ配
線３２の外側近傍の酸化膜２０上には膜厚がエアー・ブ
リッジ配線３２より厚くＰＶＤ(Physical Vapor Deposi
tion) 法、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 法また
は熱酸化法等により形成された酸化膜或いは窒化膜等の
絶縁物から成る緩衝体６０が形成されている。
【０００９】かくして、本実施例では、半導体基板１０
裏面のラッピング面１１をラッピングする際、ラッピン
グ装置のウエハー固定部５０は緩衝体６０の上面に接触
し、エアー・ブリッジ配線３２に直接圧力が掛かるのが
防止できるので、エアー・ブリッジ配線３２の破壊が防
止できる。これにより、半導体基板１０の裏面ラッピン
グが容易にできるようになる。
裏面のラッピング面１１をラッピングする際、ラッピン
グ装置のウエハー固定部５０は緩衝体６０の上面に接触
し、エアー・ブリッジ配線３２に直接圧力が掛かるのが
防止できるので、エアー・ブリッジ配線３２の破壊が防
止できる。これにより、半導体基板１０の裏面ラッピン
グが容易にできるようになる。
【００１０】尚、図２はエアー・ブリッジ配線３２の内
側にも緩衝体６０を形成して強化したものであり、図３
はエアー・ブリッジ配線３２の外側に緩衝体６０を二重
に形成したものである。
側にも緩衝体６０を形成して強化したものであり、図３
はエアー・ブリッジ配線３２の外側に緩衝体６０を二重
に形成したものである。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体基板の裏面ラッピング時において、ラッピング装置
のウエハ−固定部は緩衝体に直接接触し、当該ウエハ−
固定部からの圧力はエアー・ブリッジ配線に直接加わら
ないため、エアー・ブリッジ配線の破壊が防止できる。
従って、半導体基板の裏面ラッピングが安定的、高歩留
り且つ容易にできる。
導体基板の裏面ラッピング時において、ラッピング装置
のウエハ−固定部は緩衝体に直接接触し、当該ウエハ−
固定部からの圧力はエアー・ブリッジ配線に直接加わら
ないため、エアー・ブリッジ配線の破壊が防止できる。
従って、半導体基板の裏面ラッピングが安定的、高歩留
り且つ容易にできる。
【図１】本発明の第１実施例に係るＭＭＩＣの断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第２実施例に係るＭＭＩＣの断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第３実施例に係るＭＭＩＣの断面図で
ある。
ある。
【図４】従来のＭＭＩＣの断面図である。
１０ 半導体基板 １１ ラッピング面 ２０ 酸化膜 ３１ 配線 ３２ エアー・ブリッジ配線 ４０ 空気層 ５０ ウエハ−固定部 ６０ 緩衝体
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上にエアー・ブリッジ配線を
形成したモノリシックマイクロ波集積回路において、上
記エアー・ブリッジ配線の近傍の上記半導体基板上に膜
厚が上記エアー・ブリッジ配線より厚い絶縁物の緩衝体
を形成したことを特徴とするモノリシックマイクロ波集
積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2357192A JPH05226483A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2357192A JPH05226483A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226483A true JPH05226483A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12114231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2357192A Pending JPH05226483A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226483A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5437739A (en) * | 1994-04-19 | 1995-08-01 | Rockwell International Corporation | Etch control seal for dissolved wafer micromachining process |
| CN111092048A (zh) * | 2019-11-30 | 2020-05-01 | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 | 一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法 |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP2357192A patent/JPH05226483A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5437739A (en) * | 1994-04-19 | 1995-08-01 | Rockwell International Corporation | Etch control seal for dissolved wafer micromachining process |
| EP0678905A2 (en) * | 1994-04-19 | 1995-10-25 | Rockwell International Corporation | Etch control seal for dissolved wafer micromachining process |
| US5509974A (en) * | 1994-04-19 | 1996-04-23 | Rockwell International Corporation | Etch control seal for dissolved wafer process |
| EP0678905A3 (en) * | 1994-04-19 | 1997-10-08 | Rockwell International Corp | Joint for controlling the dissolution of a wafer in a micromachining process. |
| CN111092048A (zh) * | 2019-11-30 | 2020-05-01 | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 | 一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法 |
| CN111092048B (zh) * | 2019-11-30 | 2021-06-04 | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 | 一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法 |
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