JPS61170057A - 縦型キヤパシタ− - Google Patents
縦型キヤパシタ−Info
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- JPS61170057A JPS61170057A JP1135485A JP1135485A JPS61170057A JP S61170057 A JPS61170057 A JP S61170057A JP 1135485 A JP1135485 A JP 1135485A JP 1135485 A JP1135485 A JP 1135485A JP S61170057 A JPS61170057 A JP S61170057A
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- Japan
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- capacitor
- electrodes
- vertical type
- oxide film
- field oxide
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はキャパシターに係り、とりわけ集積回路装置に
用いるキャパシターの構造に関する。
用いるキャパシターの構造に関する。
従来、半導体集積回路に用いるキャパシターは第1図に
断面構造で示す如き構造となっていた。
断面構造で示す如き構造となっていた。
すなわち、シリコン基板1の表面にフィールド酸化膜2
.拡散層3eゲートa化膜4.ゲート電極5から成り、
前記拡散層3とゲート電極5間の電極6と7との電気容
量をキャパシターとして用いるのが通例であった。
.拡散層3eゲートa化膜4.ゲート電極5から成り、
前記拡散層3とゲート電極5間の電極6と7との電気容
量をキャパシターとして用いるのが通例であった。
前記の如く集積回路装置において基板に平行に、すなわ
ち横型キャパシターを形成するキャパシターの占める面
積が大きく、すなわち高集積化に向かないという問題点
かありた。
ち横型キャパシターを形成するキャパシターの占める面
積が大きく、すなわち高集積化に向かないという問題点
かありた。
前記問題点を解決するために、キャパシターに関し、絶
縁基板上には第1の電極と第2の電極とが交互に形成さ
れ、少くとも該第1の電極と第2の電極の間隔には誘電
体が埋め込まれて形成されたいわゆる縦型キャパシター
と成すことを特徴とする。
縁基板上には第1の電極と第2の電極とが交互に形成さ
れ、少くとも該第1の電極と第2の電極の間隔には誘電
体が埋め込まれて形成されたいわゆる縦型キャパシター
と成すことを特徴とする。
本発明の如く集積回路装置のキャパシターを縦型に形成
することによりキャパシターの占める面積が小さくでき
、それだけ高集積化が計れることとなる。
することによりキャパシターの占める面積が小さくでき
、それだけ高集積化が計れることとなる。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第2図は本発明の一実施例を示す半導体装置におけるキ
ャパシタ一部の断面図である。すなわち、シリコン基板
11上にはフィールド酸化膜、12が形成され、該フィ
ールド酸化膜12上に電極13と14が櫛型に形成され
、該電極15と14との間の極めて細い間隔には誘電体
15が埋めこまれて成ることにより、電極13と14間
のリード線16と17間には大きな電気容量を得る。
ャパシタ一部の断面図である。すなわち、シリコン基板
11上にはフィールド酸化膜、12が形成され、該フィ
ールド酸化膜12上に電極13と14が櫛型に形成され
、該電極15と14との間の極めて細い間隔には誘電体
15が埋めこまれて成ることにより、電極13と14間
のリード線16と17間には大きな電気容量を得る。
本発明の如く縦型にキャパシターを形成することにより
、小面積で大容量のキャパシターが形成でき、集積回路
装置の高集積化を計ることができる効果がある。
、小面積で大容量のキャパシターが形成でき、集積回路
装置の高集積化を計ることができる効果がある。
第1図は従来技術による横型キャパシターの断面図、第
2図は本発明の一実施例を示す縦型キヤ、パシターの断
面図である。 1.11・・・・・・シリコン基板 2.12・・・・・・フィールド酸化膜5・・・・・・
拡散層 4・・・・・・ゲート酸化膜 5・・・・・・ゲート電極 13.14・・・・・・電 極 15・・・・・・誘電体
2図は本発明の一実施例を示す縦型キヤ、パシターの断
面図である。 1.11・・・・・・シリコン基板 2.12・・・・・・フィールド酸化膜5・・・・・・
拡散層 4・・・・・・ゲート酸化膜 5・・・・・・ゲート電極 13.14・・・・・・電 極 15・・・・・・誘電体
Claims (1)
- 絶縁基板上には第1の電極と第2の電極とが交互に形成
され、少くとも該第1の電極と第2の電極の間隔には誘
電体が埋め込まれて形成されて成ることを特徴とする縦
型キャパシター。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1135485A JPS61170057A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 縦型キヤパシタ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1135485A JPS61170057A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 縦型キヤパシタ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61170057A true JPS61170057A (ja) | 1986-07-31 |
Family
ID=11775693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1135485A Pending JPS61170057A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 縦型キヤパシタ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61170057A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6376999U (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | ||
US5434742A (en) * | 1991-12-25 | 1995-07-18 | Hitachi, Ltd. | Capacitor for semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same |
KR100268896B1 (ko) * | 1997-12-05 | 2000-10-16 | 김영환 | 커패시터및그의제조방법 |
FR2833783A1 (fr) * | 2001-12-13 | 2003-06-20 | St Microelectronics Sa | Composant d'un circuit integre, pae exemple une cellule de memorisation, protege contre les aleas logiques, et procede de realisation associe |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS595654A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPS609154A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Hitachi Ltd | 半導体メモリとその製造方法 |
-
1985
- 1985-01-24 JP JP1135485A patent/JPS61170057A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS595654A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPS609154A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Hitachi Ltd | 半導体メモリとその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6376999U (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | ||
US5434742A (en) * | 1991-12-25 | 1995-07-18 | Hitachi, Ltd. | Capacitor for semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same |
US5745336A (en) * | 1991-12-25 | 1998-04-28 | Hitachi, Ltd. | Capacitor for semiconductor integrated circuit |
KR100268896B1 (ko) * | 1997-12-05 | 2000-10-16 | 김영환 | 커패시터및그의제조방법 |
FR2833783A1 (fr) * | 2001-12-13 | 2003-06-20 | St Microelectronics Sa | Composant d'un circuit integre, pae exemple une cellule de memorisation, protege contre les aleas logiques, et procede de realisation associe |
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