JPS62104067A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS62104067A
JPS62104067A JP24346885A JP24346885A JPS62104067A JP S62104067 A JPS62104067 A JP S62104067A JP 24346885 A JP24346885 A JP 24346885A JP 24346885 A JP24346885 A JP 24346885A JP S62104067 A JPS62104067 A JP S62104067A
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JP
Japan
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metal film
film
mim
semiconductor device
insulating film
Prior art date
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Application number
JP24346885A
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English (en)
Inventor
Masabumi Katsumata
勝又　正文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置、特にＭｅｔａｌ　−１ｎｓｕ
ｌａｔｏｒ−Ｍｅ　ｔａ　ｌキャパシタ（以後ＭＩＭ容
量と記す）を積層にした半導体装置に関するものである
。
〔従来の技術〕
第２図に従来のＭ　Ｉ　Ｍ′ｇｉｌを示す。第２図にお
いて、ｌは半導体基板、２は第１の下地金属膜、３は第
１の絶縁膜、４は第１の下地金属膜である。
第２図に基づいて従来のＭｒＭキャパシタの構造につい
・て説明する。
ＭＩＭキャパシタのＭＩＭｇｆｆｌ値Ｃは、近似的に第
１の絶縁１５１３の上にある第１の上地金属膜４の面積
Ｓと第１の絶縁膜３の誘電率ε及び膜厚ｄを用いて式（
１）のように表される。
Ｃ＝ε□　　　　　・・・（１） ・ｄ 上式からＭＩＭ容量値Ｃを大きくするには、誘電率εが
高く厚さｄの小さい絶縁膜を形成すればよい。ところが
、膜厚を薄（するとピンホールなどの原因による電気的
短絡が起こり易く、膜厚の薄さは限定されている。よっ
て、ＭＩＭ容９値Ｃを大きくするには下地金属膜の面積
Ｓを大きくしていた。しかし、チップの高望、積化にと
もない、面積Ｓを大きくすることは好ましくない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体装置では、上述のような方法で静電音量を
大きくしていたので、ＭＩＭ容量の面積が大きくなり、
チップの高集積化を防げていた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ＭＩＭ容量の寸法を小さくしたまま大ぎい静
電容量が得られる半導体装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、ＭＩＭ容量を積層して形
成したものである。
〔作用〕
この発明においては、ＭＩＭ容量を積層して形成したか
ら、大きな静電容量を小さい面積で得ることができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置（ＭＴＭ容
量）の断面構造を示し、図において、ｌは半導体基板、
２は該半導体基板１上に形成された第１の下池金属膜、
４は該第１の下地全屈Ｉ！１２上に第１の絶縁膜３を介
して形成された第１の上地金属膜、６は該第１の下池金
属膜４を第２の下池金属膜としてこの膜の上に第２の絶
縁膜５を介して形成された第２の上地金ｇ、膜である。
次に作用効果について説明する。
本実施例では、従来構造に加えてさらに第１の下池金属
膜４上に第２の絶縁膜５と第２の上地金属膜６を形成し
ており、これにより、ＭＩＭ容量値Ｃは、第１の下池金
属膜２と第１の下池金属膜４間の静電容量値Ｃ１と、第
１の下池金属膜（第２の下池金属膜）４と第２の下池金
属膜６間の静電容量値Ｃ２の和となる。よって本実施例
では、ＭｒＭ容量値を従来のＭＴＭ容量値と比べ同じ面
積で０２分だけ増加することができる。
なお、上記実施例ではＭＩＭ容量は２段形成したが、こ
れは３段、４段等、より多段に形成しても良いことはい
うまでもない。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、ＭＩＭ容量を積層し
て形成したので、大きな静電容量のＭ！Ｍ容量をも小さ
い面積で得ることができ、チップの高集積化に効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置（Ｍ　Ｉ
　Ｍ容量）の構造を示す断面図、第２図は従来のＭＩＭ
容量の構造を示す断面図である。 ｌ・・・半導体基板、２・・・第１の下池金属膜・３・
・・第１の絶縁膜、４・・・第１の上地金属膜、５・・
・第２の絶縁膜、６・・・第２の上地金属膜。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体基板上に形成された第１の下地金属膜と、
    該膜上に第１の絶縁膜を介して上記第１の下地金属膜と
    対向して形成された第１の上地金属膜とからなる第１の
    キャパシタと、 上記第１の上地金属膜を第２の下地金属膜として該膜上
    に第２の絶縁膜を介して該第２の下地金属膜と対向する
    よう形成された第２の上地金属膜とからなる第２のキャ
    パシタとを備えたことを特徴とする半導体装置。
JP24346885A 1985-10-30 1985-10-30 半導体装置 Pending JPS62104067A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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