JP2008243931A - 積層型薄膜コンデンサの製造方法及び積層型薄膜コンデンサ - Google Patents
積層型薄膜コンデンサの製造方法及び積層型薄膜コンデンサ Download PDFInfo
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Abstract
【課題】 段差の拡大による電極切れを防止するとともに、量産時の静電容量の制御が容易な積層型薄膜コンデンサの製造方法と、その製造方法によって製造される積層型薄膜コンデンサを提案する。
【解決手段】 前記第一の容量電極膜3a、3b、前記第二の容量電極膜5a、5b及び前記誘電体薄膜4a、4b、4cの端面は絶縁膜6a、6b、6c、6d、6eで覆われており、前記第一の容量電極膜3a、3bと前記第一の接続導体7aは前記第一の容量電極膜3a、3bの一方の側の端面付近の平面部で接続され、前記第ニの容量電極膜5a、5bと第ニの接続導体7bは前記第ニ容量電極膜5a、5bの他方の側の端面付近の平面部で接続されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 前記第一の容量電極膜3a、3b、前記第二の容量電極膜5a、5b及び前記誘電体薄膜4a、4b、4cの端面は絶縁膜6a、6b、6c、6d、6eで覆われており、前記第一の容量電極膜3a、3bと前記第一の接続導体7aは前記第一の容量電極膜3a、3bの一方の側の端面付近の平面部で接続され、前記第ニの容量電極膜5a、5bと第ニの接続導体7bは前記第ニ容量電極膜5a、5bの他方の側の端面付近の平面部で接続されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、誘電体膜を介して一対の容量電極が相対向する構造を有し、CVD法、蒸着法、スパッタリング法やスピンコート法等の薄膜形成方法によって形成された積層型薄膜コンデンサとその製造方法に関するものである。
近年、電子機器の小型化及び高機能化に伴い、この電子機器を構成する電子回路が高密度化してきている。そしてこの電子回路に用いられるコンデンサも小型で静電容量の大きなものが望まれてきている。このような要求に応えるコンデンサとして、積層セラミックコンデンサがある。この積層セラミックコンデンサは、一対の容量電極が誘電体セラミック層を介して交互に多数層積み重ねられた構造を有しており、誘電体セラミック層を可能な限り薄くして、多数積み重ねることにより単位体積当りの静電容量を大きくすることができるもので、セラミックグリーンシート上にスクリーン印刷などで導電ペーストを塗布して内部電極を形成し、このセラミックグリーンシートを積み重ねて圧着し、焼成することにより得られる。
しかし、このような積層セラミックコンデンサはさらなる小型化及び大容量化を実現するには、(イ)セラミックグリーンシートをより薄く均一な厚みに形成すること、(ロ)薄いセラミックグリーンシートを破れやしわが生じないように取り扱い、高い精度で積み重ねること、及び(ハ)セラミック積層体をデラミネーションやクラックを生じないように焼成すること、という技術的課題がある。これらの技術的課題のため、現状では誘電体セラミック層の一層の厚みが1μmよりも薄い積層セラミックコンデンサを得ることが困難であり、解決にはまだ時間がかかると考えられる。
そこで、CVD法、蒸着法、スパッタリング法やスピンコート法等の各種薄膜形成方法を用いて誘電体薄膜と容量電極膜を交互に積み重ねて形成される積層型薄膜コンデンサが提案されている。この積層型薄膜コンデンサは、CVD法、蒸着法、スパッタリング法やスピンコート法等の薄膜形成方法にて誘電体薄膜を形成するので、1μmよりも薄い誘電体薄膜を均一な厚みに形成することが容易に行うことができる。また、積層セラミックコンデンサのようにセラミックグリーンシートを打ち抜いたり搬送したりする必要がないので、破れやしわを生じさせることがなく、誘電体薄膜と容量電極膜とを高い精度で積み重ねることができる。またさらに、積層型薄膜コンデンサは焼成する必要がないので、先述の積層セラミックコンデンサの技術的課題を克服できるものである。
しかしながら、このような積層型薄膜コンデンサでは、各容量電極膜を互い違いに導通させる必要があるため、容量電極膜の面積を誘電体薄膜の面積よりも小さくしなければならない。その結果、各容量電極膜を互い違いにずらして配置していくと、最終的には、コンデンサの端部における厚みが、コンデンサの中央部における厚みより薄いものとなって段差を生じ、積層数を増すごとに段差が拡大してしまう。このような段差の拡大が生じると、段差による電極切れを引き起こし、製品の信頼性を著しく低下させるものとなる。そのため、積層数を増加させることは困難であった。このような問題を解決するため、例えば特開平5−251259号公報に開示された方法では、図22に示されているように、コンデンサの端部をなだらかにすることにより段差の拡大による電極切れを防止する方法が提案されている。
このようにコンデンサの端部をなだらかにする方法では、形成された薄膜に厚みの異なる部分が発生する。例えば誘電体薄膜に厚みの異なる部分ができてバラツキが生じると、得られる静電容量にバラツキが生じる。このため積層型薄膜コンデンサの量産時に静電容量の制御が困難になるという問題が生じてしまう。また、特開平5−251259号公報に開示された方法においても、段差の拡大は生じる。積層型薄膜コンデンサの積層数が2〜3層のように少ない場合は問題ないが、積層数が例えば数十層と大幅に増加した場合、それにつれて段差がさらに拡大するので、電極切れの問題が依然として残るものであった。
本発明は、積層数が増加した場合の段差の拡大による電極切れを防止するとともに、量産時の静電容量の制御が容易な積層型薄膜コンデンサの製造方法と、その製造方法によって製造される積層型薄膜コンデンサを提案するものである。
本発明では、基板上に、第一の容量電極膜と第二の容量電極膜が誘電体薄膜を介して交互に多数積み重ねられかつ相対向する端面及び側面を有する積層体が形成されており、前記積層体の一方の端面側に形成されかつ前記第一の容量電極膜同士を電気的に接続する第一の接続導体と、前記積層体の他方の端面側に形成されかつ前記第二の容量電極膜同士を電気的に接続する第二の接続導体と、を有する積層型薄膜コンデンサの製造方法において、前記第一の容量電極膜、前記誘電体薄膜及び前記第二の容量電極膜を前記基板上に順次積層する工程と、前記第一の容量電極膜の一方の端面付近の平面部を露出させて前記積層体の一方の端面を階段状に形成する工程と、前記第二の容量電極膜の他方の端面付近の平面部を露出させて前記積層体の他方の端面を階段状に形成する工程と、前記積層体を絶縁層で覆って、次いで前記絶縁層のうち前記第一の容量電極膜及び前記第二の容量電極膜の平坦部を覆っている絶縁層のみを除去して前記積層体の端面及び側面を絶縁膜で覆う工程と、前記積層体の一方の端面に前記第一の接続導体を形成して前記第一の容量電極膜の一方の側の端面付近の平面部同士を電気的に接続し、前記積層体の他方の端面に前記第ニの接続導体を形成して前記第ニの容量電極膜の他方の側の端面付近の平面部同士を電気的に接続する工程と、を有する積層型薄膜コンデンサの製造方法を提案する。
本製造方法では、まず基板上に第一の容量電極膜、誘電体薄膜及び第二の容量電極膜を必要な層数を積層する。このとき各層は均一な厚みで形成されるため、厚みバラツキによる静電容量のバラツキが少なくなる。よって静電容量の制御が容易になる。また、最初に各層の厚みが決定されてさらに一方の端面及び他方の端面が階段状に形成されるため、第一の容量電極膜同士の間の段差及び第ニの容量電極膜同士の間の段差の拡大が生じないので、電極切れを防止することができる。
また、本発明では、基板上に、第一の容量電極膜と第二の容量電極膜が誘電体薄膜を介して交互に多数積み重ねられかつ相対向する端面及び側面を有する積層体が形成されており、前記積層体の一方の端面側に形成されかつ前記第一の容量電極膜同士を電気的に接続する第一の接続導体と、前記積層体の他方の端面側に形成されかつ前記第二の容量電極膜同士を電気的に接続する第二の接続導体と、を有する積層型薄膜コンデンサにおいて、前記積層体の一方の端面は階段状に形成されて前記第一の容量電極膜の端面付近に平面部が形成されており、前記積層体の他方の端面は階段状に形成されて前記第ニの容量電極膜の端面付近に平面部が形成されており、前記第一の容量電極膜、前記第二の容量電極膜及び前記誘電体薄膜の端面及び側面は絶縁膜で覆われており、前記第一の容量電極膜と前記第一の接続導体は前記第一の容量電極膜の一方の側の端面付近の平面部で接続され、前記第ニの容量電極膜と第ニの接続導体は前記第ニ容量電極膜の他方の側の端面付近の平面部で接続されている積層型薄膜コンデンサを提案する。
本発明の積層型薄膜コンデンサでは、各容量電極膜の端面及び側面が絶縁層で覆われていて、各接続導体との接続は端面付近の平面部で行われる。これによって第一の容量電極膜と第二の接続導体との間、及び第ニの容量電極膜と第一の接続導体との間の絶縁を確保するとともに、第一の容量電極膜同士の間の段差及び第ニの容量電極膜同士の間の段差をほぼ一定にすることができる。よって段差の拡大が生じないので、電極切れを防止することができる。
本発明によれば、段差の拡大による電極切れを防止することができる積層型薄膜コンデンサを得ることができる。また、本発明の製造方法によれば、積層型薄膜コンデンサの量産時の静電容量の制御が容易にできる。
本発明の積層型薄膜コンデンサに係る実施形態について、図面に基づいて説明する。図1は本発明の積層型薄膜コンデンサの基本構成を示す模式断面図であり、以下誘電体薄膜3層、容量電極膜4層の積層型薄膜コンデンサを例にとって説明する。
この積層型薄膜コンデンサ1は、基板2の上に第一の容量電極膜3a、誘電体薄膜4a、第二の容量電極膜5a、誘電体薄膜4b、第一の容量電極膜3b、誘電体薄膜4c、第二の容量電極膜5bが順次形成されており、第一の容量電極膜3aと誘電体薄膜4aと第二の容量電極膜5aとで構成される単位コンデンサと、第二の容量電極膜5aと誘電体薄膜4bと第一の容量電極膜3bとで構成される単位コンデンサと、第一の容量電極膜3bと誘電体薄膜4cと第二の容量電極膜5bとで構成される単位コンデンサが積み重ねられて形成されている。
この積層型薄膜コンデンサ1の一方の側すなわち図の左側は第一の容量電極膜3a、3bの端面付近の平面部が露出するように階段状に形成されており、他方の側すなわち図の右側は第ニの容量電極膜5a、5bの端面付近の平面部が露出するように階段状に形成されている。第一の容量電極膜3a、3b、誘電体薄膜4a、4b、4c及び第二の容量電極膜5a、5bの各々の端面すなわち垂直面は絶縁膜6a、6b、6c、6d、6eで覆われている。また、積層型薄膜コンデンサ1の一方の側には、第一の接続導体7aが絶縁膜6a、6cに沿って連続しかつ第一の容量電極膜3a及び3bと、各々の端面付近の平面部で電気的に接続されている。また、積層型薄膜コンデンサ1の他方の側には、第ニの接続導体7bが絶縁膜6b、6dに沿って連続しかつ第ニの容量電極膜5a及び5bと、各々の端面付近の平面部で電気的に接続されている。この第一の接続導体7a及び第二の接続導体7bを介して外部の回路と接続される。なお、基板2と第一の容量電極膜3aとの間には必要に応じて絶縁層2aが形成されていても良い。また、この積層型薄膜コンデンサの側面は全面が絶縁膜6a、6b、6c、6d、6eを構成する絶縁膜で覆われている垂直面になっている。
基板2は、Al2O3、SiO2、SiC等の絶縁体基板の他、シリコン基板等の半導体基板が用いられる。なお、絶縁体基板を用いる場合は、そのまま使用しても良いが、シリコン基板の場合は、コンデンサを形成する面を絶縁する必要があるため、絶縁層2aを形成する必要がある。この絶縁層2aはスパッタ法、CVD法または熱酸化法で形成される。絶縁層2aに用いられる絶縁体としては、Al2O3、SiO2、SiC、Si3N4等がある。
誘電体薄膜4a、4b、4cは、BaTiO3、SrTiO3、BaSrTiO3(BST)、PbZrTiO3(PZT)等の誘電体材料の他、Al2O3やSiO2等の絶縁体を骨材としたガラスセラミックス等で構成される。誘電体薄膜4a、4b、4cはこれらの材料をスパッタ法、CVD法またはスピンコート法で成膜することによって形成される。
第一の容量電極膜3a、3b及び第二の容量電極膜5a、5bはPt、Ru、Ir、Ag、Pd、Ni、Cu等の金属の他、IrO2、RuO2、SrRuO3、LaNiO3等の導電性金属酸化物が用いられる。第一の容量電極膜3a、3b及び第二の容量電極膜5a、5bはこれらの材料をスパッタ法、蒸着法、CVD法またはスピンコート法で成膜することによって形成される。
絶縁膜6a、6b、6c、6d、6eはAl2O3、SiO2、SiC、Si3N4等の絶縁体が用いられる。絶縁膜6a、6b、6c、6d、6eはこれらの絶縁体材料を斜入射スパッタ法によって全面に成膜した後、平面部の膜のみをエッチングによって除去して、端面すなわち垂直面の膜のみを残すことによって形成される。
第一の接続導体7a及び第二の接続導体7bはPt、Ru、Ir、Ag、Pd、Ni、Cu等の金属が用いられる。この第一の接続導体7a及び第二の接続導体7bは絶縁膜6a、6b、6c、6d、6eも覆うので、垂直面にも十分な厚みの金属膜を形成するために、蒸着法によって形成される。
ここで、本発明の積層型薄膜コンデンサの製造方法について図2乃至図20に基づいて説明する。図2乃至図20は本発明の積層型薄膜コンデンサの製造プロセスを示す模式断面図である。ここでは3.2mm×1.6mmサイズで誘電体薄膜3層、容量電極膜4層の積層型薄膜コンデンサを例にとって説明する。まず、図2に示すように、100mm×100mmで厚さ0.5mmのシリコンの基板2を用意し、この基板2上全面にCVD法によって厚さ3μmのSiO2の絶縁層2aを形成する。
次に図3に示すように、基板2の絶縁層2a上に、Ptの第一の容量電極膜3a、BSTの誘電体薄膜4a、Ptの第二の容量電極膜5a、BSTの誘電体薄膜4b、Ptの第一の容量電極膜3b、BSTの誘電体薄膜4c、Ptの第二の容量電極膜5bの順に同一チャンバー内で連続スパッタ成膜を行う。膜の厚みは第一の容量電極膜3aが150nm、誘電体薄膜4aが250nm、第二の容量電極膜5aが150nm、誘電体薄膜4bが250nm、第一の容量電極膜3bが150nm、誘電体薄膜4cが250nm、第二の容量電極膜5bが150nmであり、基板2の絶縁層2a上の全面に成膜する。成膜後、650℃でリカバリーアニールを行う。
次に図4に示すように、第二の容量電極膜5b上にレジスト膜10aを形成する。0.4mm間隔で格子状に並べられた、2.8mm×1.2mmで厚さ1.5μmのレジスト膜10aを、第二の容量電極膜5b上に形成し、次いで100℃でポストアニールを行い、次いで紫外線照射して硬化させた。
次に図5に示すように、レジスト膜10aをマスクにしてBCl3ガスをプロセスガスに使用して、異方性エッチングの一種であるRIE(Reactive Ion Etching)を行い、レジスト膜10aに覆われていない部分の第一の容量電極膜3a、誘電体薄膜4a、第二の容量電極膜5a、誘電体薄膜4b、第一の容量電極膜3b、誘電体薄膜4c及び第二の容量電極膜5bを除去する。このようにして、誘電体薄膜及び容量電極膜の積層体を個別のコンデンサの大きさに形成する。次いで図6に示すように、酸素ガス主体のアッシング及びウェット洗浄によりレジスト10aを剥離して除去する。
次に図7に示すように、積層体の一方の側の一部が長さ0.4mm程度露出するように、第二の容量電極膜5b上に厚さ1.5μmのレジスト10bを形成する。このとき積層体の他方の側はレジスト10bで覆っている。次いで100℃でポストアニールを行い、次いで紫外線照射して硬化させた。
次に図8に示すように、レジスト膜10bをマスクにしてBCl3ガスをプロセスガスに使用して、RIEを行い、レジスト膜10aに覆われていない部分の誘電体薄膜4c及び第二の容量電極膜5bを除去する。そして第一の容量電極膜3a、誘電体薄膜4a、第二の容量電極膜5a、誘電体薄膜4b及び第一の容量電極膜3bを残してエッチングを終了する。このようにして第一の容量電極膜3bの端面付近の平面部を露出させる。次いで図9に示すように、酸素ガス主体のアッシング及びウェット洗浄によりレジスト10bを剥離して除去する。
次に図10に示すように、第一の容量電極膜3bの一方の側の一部が長さ0.2mm程度露出するように、第一の容量電極膜3b及び第二の容量電極膜5b上に厚さ1.5μmのレジスト10cを形成する。このとき積層体の他方の側はレジスト10cで覆っている。次いで100℃でポストアニールを行い、次いで紫外線照射して硬化させた。
次に図11に示すように、レジスト膜10cをマスクにしてBCl3ガスをプロセスガスに使用して、RIEを行い、レジスト膜10cに覆われていない部分の誘電体薄膜4a、第二の容量電極膜5a、誘電体薄膜4b及び第一の容量電極膜3bを除去する。そして第一の容量電極膜3aを残してエッチングを終了する。このようにして第一の容量電極膜3aの端面付近の平面部を露出させる。次いで図12に示すように、酸素ガス主体のアッシング及びウェット洗浄によりレジスト10cを剥離して除去する。
次に図13に示すように、積層体の他方の側の一部が長さ0.2mm程度露出するように、第二の容量電極膜5b上に厚さ1.5μmのレジスト10dを形成する。このとき積層体の一方の側はレジスト10dで覆っている。次いで100℃でポストアニールを行い、次いで紫外線照射して硬化させた。
次に図14に示すように、レジスト膜10dをマスクにしてBCl3ガスをプロセスガスに使用して、RIEを行い、レジスト膜10dに覆われていない部分の誘電体薄膜4b、第一の容量電極膜3b、誘電体薄膜4c及び第二の容量電極膜5bを除去する。そして第一の容量電極膜3a、誘電体薄膜4a及び第二の容量電極膜5aを残してエッチングを終了する。このようにして第ニの容量電極膜5aの端面付近の平面部を露出させる。次いで図15に示すように、酸素ガス主体のアッシング及びウェット洗浄によりレジスト10dを剥離して除去する。
次に図16に示すように、厚さ700nmのSi3N4の絶縁膜6を、基板2上を水平方向に回転させながら、その全面に斜入射スパッタ法により成膜する。斜入射スパッタ法による成膜なので、積層体の端面すなわち垂直面にも平面と略同じ厚みの絶縁膜が形成される。
次に図17に示すように、C4F8/O2/N2ガスを用いたRIEにより、絶縁膜6をエッチングし、平面部の絶縁膜を除去し、端面の絶縁膜6a、6b、6c、6d、6eを形成する。この工程では終点検出器の使用もしくは時間制御によりエッチングを制御する。そしてさらにオーバーエッチングにより各絶縁膜の最上部の高さが各端面の高さと同じになるように形成する。なお、各絶縁膜の上部は、外側に向かって下がる傾斜面またはR面を形成しても良い。
次に図18に示すように、第一の接続導体7a及び第二の接続導体7bを形成するためのレジスト膜10eを形成する。このレジスト膜10eは次のようにして形成される。まず、紫外線硬化性のレジストを第二の容量電極膜5b上で1.5μmになるように基板2上の全面に塗布する。次に第一の接続導体7a及び第二の接続導体7bが形成される位置以外の部分に紫外線を照射して硬化させる。未硬化のレジストを除去すると、レジスト膜10eが形成される。レジスト膜10eは上部にひさし状の突起部がある形状が好ましい。この形状によればレジスト膜側面に金属膜が成膜されにくくなり、レジスト除去時に金属膜が剥離したり、余分な金属膜が形成されるのを防止することができる。この突起部を形成するには例えば2種類のレジストを用い、開口部の大きさが異なるように紫外線照射、レジスト除去を行うことによって形成される。
次に図19に示すように、厚さ300nmのPt膜を蒸着法で形成して、第一の接続導体7a及び第二の接続導体7bを形成する。第一の接続導体7aは絶縁膜6a及び絶縁膜6cに沿って連続して形成され、第一の容量電極膜3aの端面付近の平面部及び第一の容量電極膜3bの端面付近の平面部と電気的に接続される。また、第ニの接続導体7bは絶縁膜6b及び絶縁膜6dに沿って連続して形成され、第ニの容量電極膜5aの端面付近の平面部及び第ニの容量電極膜5bの端面付近の平面部と電気的に接続される。
次に図20に示すように、レジスト膜10eをウェット剥離液で除去し、積層型薄膜コンデンサが形成される。基板2をダイシングソー等で3.2mm×1.6mmに切断分割すると、図1の積層型薄膜コンデンサ1が得られる。
こうして得られた積層型薄膜コンデンサ1は、各容量電極膜及び各誘電体薄膜を最初に積層して形成するので、各々の厚みは略均一になり、バラツキが少なくなる。よって、厚みのバラツキに起因する静電容量のバラツキが低減されるため、積層型薄膜コンデンサの静電容量の制御が容易になる。
また、積層型薄膜コンデンサ1は各容量電極膜及び各誘電体薄膜の厚みが略均一であるため、例えば第一の容量電極膜3aと3bとの間の段差と第ニの容量電極膜5aと5bとの間の段差がほぼ同じになる。よって積層数の増加に伴う段差の拡大が少ないので、段差の拡大による電極切れを防止することができる。
なお、本発明の積層型薄膜コンデンサの別の実施形態としては、図21に示したようなものがある。これは積層型薄膜コンデンサ1をSiO2等の絶縁体8で被覆し、エッチングによりビアホール9a、9bを形成し、このビアホール9a、9bに導電体を充填して第一の接続導体7a及び第二の接続導体7bに接続するコンタクトプラグ9c、9dを形成したものである。
また、本発明の積層型薄膜コンデンサの別の実施形態としてはさらに、図22に示した積層薄膜コンデンサ1‘のようなものがある。これは第一の接続導体7a及び第二の接続導体7bが基板面2または基板2上の絶縁層2aに接触しない形状である。このような形状であれば寄生容量が小さくなり、高周波応答性が優れた積層薄膜コンデンサとなる。このように、本発明の範囲内であれば積層型薄膜コンデンサは様々な形状を採用することが可能である。
1、1‘、11 積層型薄膜コンデンサ
2、12 基板
2a 絶縁層
3a、3b、13a、13b 第一の容量電極膜
4a、4b、4c、14a、14b、14c 誘電体薄膜
5a、5b、15a、15b 第ニの容量電極膜
6、6a、6b、6c、6d、6e 絶縁膜
7a 第一の接続導体
7b 第ニの接続導体
8 絶縁体
9a、9b ビアホール
9c、9d コンタクトプラグ
10a、10b、10c、10d、10e レジスト膜
2、12 基板
2a 絶縁層
3a、3b、13a、13b 第一の容量電極膜
4a、4b、4c、14a、14b、14c 誘電体薄膜
5a、5b、15a、15b 第ニの容量電極膜
6、6a、6b、6c、6d、6e 絶縁膜
7a 第一の接続導体
7b 第ニの接続導体
8 絶縁体
9a、9b ビアホール
9c、9d コンタクトプラグ
10a、10b、10c、10d、10e レジスト膜
Claims (2)
- 基板上に、第一の容量電極膜と第二の容量電極膜が誘電体薄膜を介して交互に多数積み重ねられかつ相対向する端面及び側面を有する積層体が形成されており、前記積層体の一方の端面側に形成されかつ前記第一の容量電極膜同士を電気的に接続する第一の接続導体と、前記積層体の他方の端面側に形成されかつ前記第二の容量電極膜同士を電気的に接続する第二の接続導体と、を有する積層型薄膜コンデンサの製造方法において、
前記第一の容量電極膜、前記誘電体薄膜及び前記第二の容量電極膜を前記基板上に順次積層する工程と、
前記第一の容量電極膜の一方の端面付近の平面部を露出させて前記積層体の一方の端面を階段状に形成する工程と、
前記第二の容量電極膜の他方の端面付近の平面部を露出させて前記積層体の他方の端面を階段状に形成する工程と、
前記積層体を絶縁層で覆って、次いで前記絶縁層のうち前記第一の容量電極膜及び前記第二の容量電極膜の平坦部を覆っている絶縁層のみを除去して前記積層体の端面及び側面を絶縁膜で覆う工程と、
前記積層体の一方の端面に前記第一の接続導体を形成して前記第一の容量電極膜の一方の端面付近の平面部同士を電気的に接続し、前記積層体の他方の端面に前記第ニの接続導体を形成して前記第ニの容量電極膜の他方の端面付近の平面部同士を電気的に接続する工程と、
を有することを特徴とする積層型薄膜コンデンサの製造方法。 - 基板上に、第一の容量電極膜と第二の容量電極膜が誘電体薄膜を介して交互に多数積み重ねられかつ相対向する端面及び側面を有する積層体が形成されており、前記積層体の一方の端面側に形成されかつ前記第一の容量電極膜同士を電気的に接続する第一の接続導体と、前記積層体の他方の端面側に形成されかつ前記第二の容量電極膜同士を電気的に接続する第二の接続導体と、を有する積層型薄膜コンデンサにおいて、
前記積層体の一方の端面は階段状に形成されて前記第一の容量電極膜の端面付近に平面部が形成されており、前記積層体の他方の端面は階段状に形成されて前記第ニの容量電極膜の端面付近に平面部が形成されており、前記第一の容量電極膜、前記第二の容量電極膜及び前記誘電体薄膜の端面及び側面は絶縁膜で覆われており、前記第一の容量電極膜と前記第一の接続導体は前記第一の容量電極膜の一方の端面付近の平面部で接続され、前記第ニの容量電極膜と第ニの接続導体は前記第ニ容量電極膜の他方の端面付近の平面部で接続されている
ことを特徴とする積層型薄膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
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