JPS6317239Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はコンデンサなどを形成した回路基板に
関するものである。

従来基板上に配線パターン、コンデンサなどを
形成した回路基板として、例えばセラミツク基板
上に配線パターン、コンデンサの一方の電極など
の下部導体層を形成し、この一方の電極上に誘電
体層を形成し、さらにこの誘電体層上にコンデン
サの他方の電極を形成した三層構成のものがあ
る。これは下層の一方の電極と連続する引出し電
極を必要とし、また回路は浮遊容量などの影響を
受けやすく、製造も煩雑であつた。

また絶縁基板上に例えば櫛歯状の２つの電極を
形成し、この２つの電極の上部に誘電体層を形成
した二層構成のものもあるが、これはコンデンサ
の電気容量が小さく、浮遊容量の影響も受けやす
かつた。

本考案は基板の一面に下部導体層を形成し、こ
の下部導体層をコンデンサの一方の電極とすると
ともに、回路を電気的にシールドし、上記欠点を
除去するものである。

以下本考案の実施例を図面にもとづいて説明す
る。

第１，２図において、１はコンデンサを形成し
た回路基板であり、下部導体層を兼ねる導体基板
であるアルミニウム板２と、このアルミ板の一面
に形成した誘電体層であるアルマイト層３と、こ
のアルマイト層の上部に形成した配線パターンお
よびコンデンサを構成する上部導体層とからな
る。配線パターンおよび上部導体層は、金属を真
空蒸着、スパツタリングなどにより形成してあ
る。またこれらのものは銀パラジウムなどの導電
ペーストを印刷などにより層膜形成してもよい。
配線パターンはVDD端子４、VSS端子５、XT
端子６、XT端子７、出力端子８，９、リセツト
端子１０、ICチツプのパツド部１１などからな
り、上部導体層はコンデンサ１２を構成する２つ
の上部導体層１３，１４、コンデンサ１５を構成
する２つの上部導体層１６，１７よりなる。上部
導体層１３と１４とは、また上部導体層１５と１
６とは互いに櫛歯状で近接しており、近接対向部
分を多くしている。パツド部１１にはICチツプ
１８が導電ペーストなどにより接着してあり、端
子部と配線パターンとがワイヤボンデイングされ
ている。XT端子６、XT端子７には水晶振動子
（図示せず。）が接続される。

ここでコンデンサ１２，１５によいて詳細に説
明するが略同一構成のためコンデンサ１５につい
て説明する。コンデンサ１５は下部導体層である
アルミニウム板２と、誘電体層３と、上部導体層
１６，１７とから構成される。コンデンサ１５の
上部導体層１６，１７はともに櫛歯状であるが説
明のため第３，４図示のように簡略化した形状の
コンデンサとして説明する。同図において、上部
導体層１６とアルミニウム板２との間の層厚方向
の電気容量をC₁とし、上部導体層１７とアルミ
ニウム板２との間の層厚方向の電気容量をC₂と
し、２つの上部導体層間の層面方向の電気容量を
C₃とする。C₁とC₂とは下部導体層であるアルミ
ニウム板２により直列に接続され、この直列接続
された電気容量にC₃が並列に接続されている。
すなわち第４図示のように接続され、コンデンサ
１５の電気容量Ｃは Ｃ＝１／１／C₁＋１／C₂＋C₃となる。

そして電気容量Ｃを大きくするため、２つの上
部導体層１６，１７を櫛歯状とし、近接させてい
る。すなわち２つの上部導体層１６，１７の間隙
を小さくし、対向部分を多くしてC₃を増加させ、
Ｃを大きくしている。

このコンデンサ１２，１５を形成した回路基板
は、下部導体層であるアルミニウム板２上に誘電
体層であるアルマイト層を形成し、さらにその上
に配線パターンとコンデンサ１２，１５を構成す
る２つの上部導体層１３，１４および１６，１７
を形成した二層構成である。またアルマイト層３
を形成したアルミニウム板２を使用すれば、配線
パターンと上部導体層１３，１４および１６，１
７を形成するだけで製造でき、極めて容易であ
る。また二層構成であるがコンデンサは大容量が
得られる。さらにアルミニウム板２はコンデンサ
１２，１５の一方の導体層となるともにコンデン
サ、回路を電気的にシールドする効果を持つ。こ
のため回路は浮遊容量などの影響を受けにくくな
る。

なお本実施例ではアルミニウム板などの導体基
板を用いて下部導体層を兼用させたが、セラミツ
クなどの絶縁基板に下部導体層を印刷などにより
形成してもよい。この場合下部導体層は基板全面
に形成しても、また回路の高周波部分に対応させ
て形成してもよい。

つぎに本考案の他の実施例を第５，６図にもと
づいて説明する。

第５図において、２１はホウロウ基板であり、
下部導体層を兼ねる鉄板２２などの金属基板の両
面に、誘電体層としてホウロウ２３を融着形成し
たものである。そしてホウロウ２３の上面に配線
パターンとともに２つの上部導体層２４，２５を
形成し、コンデンサ２６を構成する。コンデンサ
２６の電気容量は前記実施例と同様、鉄板２２と
上部導体層２４との間の層厚方向の電気容量と鉄
板２２と上部導体層２５との間の層厚方向の電気
容量を直列接続し、さらにこれと２つの上部導体
層２４，２５間の電気容量とを並列接続したもの
であり、二層構成であり大きな電気容量が得られ
る。そしてこの鉄板２２は回路を電気的にシール
ドし、浮遊容量などの影響は受けにくい。この例
もホウロウ基板を使用すれば、ホウロウの上に配
線パターンおよび上部導体層を形成するだけでよ
い。

つぎに第６図において、回路基板２７は、導体
基板２８上に接着剤により金属箔を貼着したもの
であり、接着層２９が誘電体層であり、金属箔３
０が導体層である。そして金属箔３０をエツチン
グ処理などにより配線パターンを形成するととも
に２つの導体層３１，３２を形成する。これによ
りコンデンサ３３が構成され、この電気容量は導
体層３１、接着層２９、導体基板２８により構成
されるコンデンサの電気容量と、導体層３２、接
着層２９、導体基板２８により構成されるコンデ
ンサの電気容量とを直列に接続した電気容量と、
２つの導体層３１，３２により構成されるコンデ
ンサの電気容量とを並列接続した電気容量が得ら
れる。この例の場合もコンデンサは大容量がとれ
るとともに回路は電気的にシールドされ、浮遊容
量などの影響は受けにくい。

以上述べたように本考案によれば、構成が簡単
で構造が容易なコンデンサを形成した回路基板が
提供できる。またコンデンサは電気容量が大きく
とれ、回路は電気的にシールドされ浮遊容量など
の影響を受けにくい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例の正面図、第２図は
第１図−線要部拡大断面図、第３，４図はコ
ンデンサの説明図であり、第３図は概略断面図、
第４図は接続図、第５，６図はそれぞれ本考案の
他の実施例のコンデンサの概略断面図である。 １２，１５，２６，３３……コンデンサ、２，
２２，２８……下部導体層、３，２３，２９……
誘電体層、１６，１７，２４，２５，３１，３２
……上部導体層。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 基板の少なくとも一面に形成した下部導体層
   と、上記下部導体層の上部に形成した誘電体層
   と、この誘電体層の上部に形成した配線パター
   ンおよび２つの上部導体層とからなり、上記２
   つの上部導体層の一方と上記下部導体層との間
   の層厚方向の電気容量と上記２つの上部導体層
   の他方と上記下部導体層との間の層厚方向の電
   気容量とを上記下部導体層により直列接続した
   電気容量と、上記２つの上部導体層の間の層面
   方向の電気容量とを並列接続した電気容量を上
   記２つの電極より得るとともに上記下部導体層
   が回路を電気的にシールドすることを特徴とす
   るコンデンサを形成した回路基板。 (2) 実用新案登録請求の範囲第１項において、基
   板は導体であり、この基板が下部導体層を兼ね
   ることを特徴とするコンデンサを形成した回路
   基板。 (3) 実用新案登録請求の範囲第１項において、下
   部導体層は回路の高周波部分に対応して形成し
   てあることを特徴とする回路基板。