JPH07283074A - キャパシタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 例えば１ＧHz以上の高周波信号を扱う集積回
路に搭載されるキャパシタに関し、製造過程でキャパシ
タ電極となる平板導体の端部に生じることがあるバリの
影響を回避し、高い容量精度と信頼性を確保する。 【構成】 半導体または誘電体の基板１上に第１の平板
導体２−１を形成し、その上に第１の誘電体膜３を形成
し、その上に第２の平板導体２−２を形成した構造のキ
ャパシタにおいて、第２の平板導体を第１の平板導体よ
りも小さくかつ第１の平板導体の端部と重ならないよう
に形成し、第２の平板導体上に第２の誘電体膜６を形成
し、その上に第３の導体７を形成し、第２の平板導体と
第３の導体とを接続する手段８を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば１ＧHz以上の高
周波信号を扱う集積回路に搭載されるキャパシタに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図４は、従来のキャパシタの構成例を示
す。(1) は平面図であり、(2) は (1)のＡ−Ａ′線にお
ける断面図である。

【０００３】図において、半導体または誘電体の基板１
上に第１の平板導体２−１が形成され、その上に薄い誘
電体膜３が形成され、さらにその上に第２の平板導体２
−２が形成される。第１の平板導体２−１と第２の平板
導体２−２は誘電体膜３を介して対向し、キャパシタの
電極として作用する。本構成では、誘電体膜３を薄く形
成することにより、小さな面積で大きな容量のキャパシ
タを実現することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のキャパシタで
は、薄い誘電体膜を挟んで２枚の平板導体を対向させて
いる。このような構造では、図５に示すように製造過程
で下側の第１の平板導体２−１の端部にバリ４が生じる
とキャパシタの電極が短絡しやすくなり、信頼性が低下
することがあった。

【０００５】図６は、改良された従来のキャパシタの構
成例を示す。(1) は平面図であり、(2)は (1)のＡ−
Ａ′線における断面図である。図において、改良された
従来のキャパシタは、上側の第２の平板導体２−２が下
側の第１の平板導体２−１の端部と交差する位置にブリ
ッジ５を設けている。このような構造では、下側の第１
の平板導体２−１の端部にバリ４が生じても、上側の第
２の平板導体２−２との間に信頼性を確保する十分な間
隔をあけることができる。

【０００６】ところで、このブリッジ５を形成するに
は、誘電体膜３の一部を厚くする処理を行うことになる
が、このときブリッジ５の高さ，形状，角度などを精密
に制御することが困難であった。また、ブリッジ５の部
分における平板導体間の距離が他の部分と異なることに
なる。このようなことからエッジ部容量が不確定とな
り、キャパシタ容量の精度を高めることができなかっ
た。特に、上側の第２の平板導体２−２が下側の第１の
平板導体２−１よりも大きい場合にはブリッジ５の範囲
が広がり、キャパシタ容量の精度はさらに悪くなってい
た。

【０００７】本発明は、製造過程でキャパシタ電極とな
る平板導体の端部に生じることがあるバリの影響を回避
し、高い容量精度と信頼性を確保することができるキャ
パシタを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体または
誘電体の基板上に第１の平板導体を形成し、その上に第
１の誘電体膜を形成し、その上に第２の平板導体を形成
した構造のキャパシタにおいて、第２の平板導体を第１
の平板導体よりも小さくかつ第１の平板導体の端部と重
ならないように形成し、第２の平板導体上に第２の誘電
体膜を形成し、その上に第３の導体を形成し、第２の平
板導体と第３の導体とを接続する手段を備える。また、
第３の導体は平板導体であることを特徴とする。

【０００９】

【作用】本発明のキャパシタは、第２の平板導体が第１
の平板導体よりも小さく、かつ第１の平板導体の端部と
重ならないように形成される。したがって、第１の平板
導体の端部にバリが生じても、その上部に第２の平板導
体が存在しないので、キャパシタの電極が短絡すること
はない。

【００１０】また、第２の平板導体と外部回路との接続
は、第２の誘電体膜を介して第２の平板導体に接続され
る第３の導体を介して行うことにより、第１の平板導体
の端部に形成されるバリの影響を回避するためのブリッ
ジ構造が不要となる。これにより、キャパシタの容量は
第２の平板導体の大きさと、第１の平板導体と第２の平
板導体との距離（第１の誘電体膜の厚さ）に応じて決定
できるので、高い容量精度を実現することができる。

【００１１】

【実施例】図１は、本発明のキャパシタの第１実施例の
構成を示す。(1) は平面図であり、(2) は (1)のＡ−
Ａ′線における断面図である。なお、図４〜図６に示す
従来のキャパシタと同等の機能を果たすものは同一符号
を付している。

【００１２】図において、半導体または誘電体の基板１
上に第１の平板導体２−１が形成され、その上に第１の
誘電体膜３が形成され、さらにその上に第２の平板導体
２−２が形成される。第２の平板導体２−２は、(1) に
示すように第１の平板導体２−１よりも一回り小さく、
かつ第１の平板導体２−１の端部と重ならないように形
成される。さらに、第２の平板導体２−２の上に厚さが
例えば１〜10μｍ程度の第２の誘電体膜６が形成され、
その上に第３の導体７が形成される。第２の平板導体２
−２と第３の導体７は、誘電体膜６に設けたスルーホー
ル８を介して接続される。このスルーホール８および第
３の導体７を介して、第２の平板導体２−２と外部回路
との接続が行われる。なお、図１(1) では、基板１，第
１の誘電体膜３，第２の誘電体膜６は省略されている。

【００１３】このような構造では、第１の平板導体２−
１の端部にバリ４が生じても、第２の平板導体２−２お
よび第３の導体７と短絡することはなく、信頼性を高め
ることができる。また、キャパシタの容量は、第２の平
板導体２−２の大きさと、第１の平板導体２−１と第２
の平板導体２−２との距離に応じて決定される。したが
って、容量精度を高めることができる。

【００１４】図２は、第１実施例の構成を示す斜視図で
ある。なお、ここでは第１の平板導体２−１，第２の平
板導体２−２，第３の導体７，スルーホール８のみを表
す。図３は、本発明のキャパシタの第２実施例の構成を
示す斜視図である。なお、図１，図２に示す第１実施例
と同等の機能を果たすものは同一符号を付している。

【００１５】本実施例では、第３の導体７を平板状に形
成し、接地導体として機能させることを特徴とする。こ
のような構造のキャパシタは、第１実施例と同様の作用
および効果を有するとともに、接地導体を誘電体多層膜
の中間に形成した多層型ＭＭＩＣなどにおいて、接地用
のキャパシタを構成する場合に特に有効である。

【００１６】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、第２の平
板導体を第１の平板導体よりも小さく、かつ第１の平板
導体の端部と重ならないように形成することにより、第
１の平板導体の端部にバリが生じてもキャパシタの短絡
を防ぐことができ、信頼性を高めることができる。

【００１７】また、キャパシタの容量は第２の平板導体
の大きさと、第１の平板導体と第２の平板導体との距離
に応じて決定できるので、第１の平板導体の端部に生じ
るバリの影響を回避でき、高い容量精度を実現すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のキャパシタの第１実施例の構成を示す
図。

【図２】第１実施例の構成を示す斜視図。

【図３】本発明のキャパシタの第２実施例の構成を示す
斜視図。

【図４】従来のキャパシタの構成例を示す図。

【図５】従来のキャパシタの問題点を示す図。

【図６】改良された従来のキャパシタの構成例を示す
図。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 平板導体 ３，６ 誘電体膜 ４ バリ ５ ブリッジ ７ 導体 ８ スルーホール

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体または誘電体の基板上に第１の平
   板導体を形成し、第１の平板導体上に第１の誘電体膜を
   形成し、第１の誘電体膜上に第２の平板導体を形成した
   構造のキャパシタにおいて、 前記第２の平板導体を前記第１の平板導体よりも小さく
   かつ第１の平板導体の端部と重ならないように形成し、 前記第２の平板導体上に第２の誘電体膜を形成し、第２
   の誘電体膜上に第３の導体を形成し、前記第２の平板導
   体と第３の導体とを接続する手段を備えたことを特徴と
   するキャパシタ。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のキャパシタにおいて、 第３の導体は平板導体であることを特徴とするキャパシ
   タ。