JPS63248112A - 厚膜コンデンサ - Google Patents
厚膜コンデンサInfo
- Publication number
- JPS63248112A JPS63248112A JP62082311A JP8231187A JPS63248112A JP S63248112 A JPS63248112 A JP S63248112A JP 62082311 A JP62082311 A JP 62082311A JP 8231187 A JP8231187 A JP 8231187A JP S63248112 A JPS63248112 A JP S63248112A
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- thick film
- film capacitor
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- capacitor
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は厚膜コンデンサに関し特にコンデンサの容量値
の調整を可能にした厚膜コンデンサに関する。
の調整を可能にした厚膜コンデンサに関する。
従来この種の厚膜コンデンサは、誘電体基板上に形成さ
れた第１の金属層に重ねて誘電体層が形成されかつ、そ
の誘電体層に重ねて第２の金属層が形成され、第１の金
属層と第２の金属層が、誘電体層をはさんで重なる面積
及び誘電体の誘電率により任意の容量値をもつコンデン
サを形成していた。
れた第１の金属層に重ねて誘電体層が形成されかつ、そ
の誘電体層に重ねて第２の金属層が形成され、第１の金
属層と第２の金属層が、誘電体層をはさんで重なる面積
及び誘電体の誘電率により任意の容量値をもつコンデン
サを形成していた。
上述した従来の厚膜コンデンサは、第１の金属層と第２
の金属層の間に形成される誘電体層の膜厚の精度が悪く
、第１の金属層と第２の金属層の間の距離にバラツキを
生じやすい。この第１の金属層と第２の金属層の距離の
バラツキはすなわち形成された厚膜コンデンサの容量の
バラツキを生ずることになる。この様なコンデンサでは
容量の精度が必要な用途、例えば高周波トランジスタの
整合回路等には使用できない。又、この容量値を調整す
るためにレーザー等により第１の金属層−誘電体層一第
２の金属層の重なり部分を切断しようとすると第１の金
属層と第２の金属層との間にレーザー等によシ、溶融し
た金属により電気菌接続が生じコンデンサとして、動作
しなくなる可能性が高く、この様な容量調整は信頼度的
に不都合であシ、実施できない。
の金属層の間に形成される誘電体層の膜厚の精度が悪く
、第１の金属層と第２の金属層の間の距離にバラツキを
生じやすい。この第１の金属層と第２の金属層の距離の
バラツキはすなわち形成された厚膜コンデンサの容量の
バラツキを生ずることになる。この様なコンデンサでは
容量の精度が必要な用途、例えば高周波トランジスタの
整合回路等には使用できない。又、この容量値を調整す
るためにレーザー等により第１の金属層−誘電体層一第
２の金属層の重なり部分を切断しようとすると第１の金
属層と第２の金属層との間にレーザー等によシ、溶融し
た金属により電気菌接続が生じコンデンサとして、動作
しなくなる可能性が高く、この様な容量調整は信頼度的
に不都合であシ、実施できない。
本発明の厚膜コンデンサは容量値の異なるあるいは同じ
に独立した複数の厚膜コンデンサを並列に接続する構成
により全体の容量値を得ている。
に独立した複数の厚膜コンデンサを並列に接続する構成
により全体の容量値を得ている。
従って必要に応じて並列接続された複数の厚膜コンデン
サのうちいくつかの厚膜コンデンサの電極部を切断ある
いは接続することにより容量値を可変できる。
サのうちいくつかの厚膜コンデンサの電極部を切断ある
いは接続することにより容量値を可変できる。
第１図は本発明の厚膜コンデンサの一実施例の平面図で
第２図は第１図Ａ −Ａ’ の縦断面図である。誘電体
基板１上に第１の金属層２が形成され、第１の金属層２
に重ねて誘電体層３が形成され、かつ誘電体層３の上に
重ねて第２の金属層４が形成されている。誘電体層３を
はさんだ第１の金属層２と、第２の金属層４によりコン
デンサが形成され、その容量値は誘電体層の膜厚が一定
であれば、第１の金属層２と第２の金属層４の重なった
面積及び誘電体層の誘電率に比例して増加する。
第２図は第１図Ａ −Ａ’ の縦断面図である。誘電体
基板１上に第１の金属層２が形成され、第１の金属層２
に重ねて誘電体層３が形成され、かつ誘電体層３の上に
重ねて第２の金属層４が形成されている。誘電体層３を
はさんだ第１の金属層２と、第２の金属層４によりコン
デンサが形成され、その容量値は誘電体層の膜厚が一定
であれば、第１の金属層２と第２の金属層４の重なった
面積及び誘電体層の誘電率に比例して増加する。
本実施例では第１の金属層と、第２の金属層が重なシ合
う部分（以下容量形成部と記す）を４ケ所に分けそれぞ
れ異なる容量値を形成する様に容量形成部の面積を変え
た構成をとりている。（例えば、各容量値を１ｐＦ、２
ｐＦ、４ｐＦ、８ｐＦに設計する）又、第２の金属層に
は容量調整時に切断が比較的容易にできる様に電極切断
部５，６，７．８が形成されている。この様な構成の厚
膜コンデンサで容量値を調整するには、電極切断部５，
６，７゜８を１〜３ケ所切断することにより、容量値が
初期値の１／１５倍まで段階的に調整できる。例えば初
期値が１５ｐＦで実現できたならば調整により１５ｐＦ
〜１ｐＦの容量がＩｐＦ 間隔で実現できる。
う部分（以下容量形成部と記す）を４ケ所に分けそれぞ
れ異なる容量値を形成する様に容量形成部の面積を変え
た構成をとりている。（例えば、各容量値を１ｐＦ、２
ｐＦ、４ｐＦ、８ｐＦに設計する）又、第２の金属層に
は容量調整時に切断が比較的容易にできる様に電極切断
部５，６，７．８が形成されている。この様な構成の厚
膜コンデンサで容量値を調整するには、電極切断部５，
６，７゜８を１〜３ケ所切断することにより、容量値が
初期値の１／１５倍まで段階的に調整できる。例えば初
期値が１５ｐＦで実現できたならば調整により１５ｐＦ
〜１ｐＦの容量がＩｐＦ 間隔で実現できる。
〔実施例２〕
第３図は、本発明の実施例２の平面図で断面構造は実施
例１と同じである。本実施例では、実施例１と同様に４
つの独立形成された容量形成部によシ、厚膜コンデンサ
を構成しているか第２の金属層４と第３の金属層９，１
０．１１は、初期において接続されていない構造となっ
ている。この様な構成の厚膜コンデンサで容量値を調整
するには第３の金属層９，１０．１１を必要に応じて第
２の金属層４に金属片、又は金属ワイヤ等で接続して容
量値を可変できる。
例１と同じである。本実施例では、実施例１と同様に４
つの独立形成された容量形成部によシ、厚膜コンデンサ
を構成しているか第２の金属層４と第３の金属層９，１
０．１１は、初期において接続されていない構造となっ
ている。この様な構成の厚膜コンデンサで容量値を調整
するには第３の金属層９，１０．１１を必要に応じて第
２の金属層４に金属片、又は金属ワイヤ等で接続して容
量値を可変できる。
以上説明した様に本発明は厚膜コンデンサの容１形成部
を独立した複数の容量形成部に分けて並列接続すること
によシ全体のコンデンサを構成して、並列接続された容
量形成部から引き出された電極部（金属層部）を切断又
は接続することにより容量値を可変できる。
を独立した複数の容量形成部に分けて並列接続すること
によシ全体のコンデンサを構成して、並列接続された容
量形成部から引き出された電極部（金属層部）を切断又
は接続することにより容量値を可変できる。
従って（１）厚膜コンデンサの容量形成部の膜厚のバラ
ツキによる容量値のバラツキを容量調整により補正でき
る。（２）この様な厚膜コンデンサをトランジスタの整
合回路等電気回路に使用した時、トランジスタのインピ
ーダンス等特性のバラツキに対して回路定数の補正がで
きる。
ツキによる容量値のバラツキを容量調整により補正でき
る。（２）この様な厚膜コンデンサをトランジスタの整
合回路等電気回路に使用した時、トランジスタのインピ
ーダンス等特性のバラツキに対して回路定数の補正がで
きる。
等の効果がある。
第１図は、本発明の厚膜コンデンサの平面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ’ 線断面図、第３図は本発明の厚膜コ
ンデンサの第２の実施例の平面図である。 １・・・・・・誘電体基板、２・・・・・・第１の金属
層、３・・・・・・誘電体層、４・・・・・・第２の金
属層、５，６，７，８・・・・・・電極切断部、９，１
０．１１・・・・・・第３の金属層。
第１図のＡ−Ａ’ 線断面図、第３図は本発明の厚膜コ
ンデンサの第２の実施例の平面図である。 １・・・・・・誘電体基板、２・・・・・・第１の金属
層、３・・・・・・誘電体層、４・・・・・・第２の金
属層、５，６，７，８・・・・・・電極切断部、９，１
０．１１・・・・・・第３の金属層。
Claims (1)
- 誘電体基板上に形成された第１の金属層と前記第１の金
属層上に形成された誘電体層と前記誘電体層の上に形成
された第２の金属層があって第１の金属層−誘電体層−
第２の金属層の構造により電気容量を形成している厚膜
コンデンサにおいてコンデンサの容量値を増加あるいは
減少することが可能であることを特徴とする厚膜コンデ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62082311A JPH0622190B2 (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 厚膜コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62082311A JPH0622190B2 (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 厚膜コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63248112A true JPS63248112A (ja) | 1988-10-14 |
| JPH0622190B2 JPH0622190B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=13771016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62082311A Expired - Lifetime JPH0622190B2 (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 厚膜コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622190B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014072241A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Rohm Co Ltd | チップ部品 |
| JP2014072240A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Rohm Co Ltd | チップ部品 |
| JP2014072239A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Rohm Co Ltd | チップ部品 |
| JP2015018975A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | コンデンサ及びフレキシブルプリント配線板 |
| JP2017130671A (ja) * | 2017-02-27 | 2017-07-27 | ローム株式会社 | チップ部品 |
| JP2017157849A (ja) * | 2011-12-28 | 2017-09-07 | ローム株式会社 | チップ部品の製造方法およびチップ部品 |
| JP2018064110A (ja) * | 2017-12-14 | 2018-04-19 | ローム株式会社 | チップ部品 |
| JP2018110236A (ja) * | 2012-01-27 | 2018-07-12 | ローム株式会社 | チップ部品 |
| US10210971B2 (en) | 2012-01-27 | 2019-02-19 | Rohm Co., Ltd. | Chip component |
| JP2019145828A (ja) * | 2012-01-17 | 2019-08-29 | ローム株式会社 | チップコンデンサ |
| US10446302B2 (en) | 2011-12-28 | 2019-10-15 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and methods of producing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57113431U (ja) * | 1980-12-29 | 1982-07-13 | ||
| JPS5848906A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜コンデンサ−の容量調節方法 |
-
1987
- 1987-04-02 JP JP62082311A patent/JPH0622190B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57113431U (ja) * | 1980-12-29 | 1982-07-13 | ||
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2017157849A (ja) * | 2011-12-28 | 2017-09-07 | ローム株式会社 | チップ部品の製造方法およびチップ部品 |
| US10446302B2 (en) | 2011-12-28 | 2019-10-15 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and methods of producing the same |
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| US10210971B2 (en) | 2012-01-27 | 2019-02-19 | Rohm Co., Ltd. | Chip component |
| US10763016B2 (en) | 2012-01-27 | 2020-09-01 | Rohm Co., Ltd. | Method of manufacturing a chip component |
| JP2014072241A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Rohm Co Ltd | チップ部品 |
| JP2014072240A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Rohm Co Ltd | チップ部品 |
| JP2014072239A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Rohm Co Ltd | チップ部品 |
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| JP2018064110A (ja) * | 2017-12-14 | 2018-04-19 | ローム株式会社 | チップ部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0622190B2 (ja) | 1994-03-23 |
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