JPH0645810A - マイクロ波増幅器及びその製造方法 - Google Patents
マイクロ波増幅器及びその製造方法Info
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- JPH0645810A JPH0645810A JP4194392A JP19439292A JPH0645810A JP H0645810 A JPH0645810 A JP H0645810A JP 4194392 A JP4194392 A JP 4194392A JP 19439292 A JP19439292 A JP 19439292A JP H0645810 A JPH0645810 A JP H0645810A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 広帯域にわたって平坦な周波数特性なマイク
ロ波増幅器を提供する。 【構成】 ソースが接地された電界効果トランジスタ30
のドレインに、金ワイヤーからなるインダクタ32を介し
て出力側整合回路34を接続し、トランジスタ30のゲート
に、金ワイヤーからなるインダクタ36を介して入力側整
合回路38を接続し、この入力側接合回路38上に形成され
ており、入力側整合回路とインダクタ36との接続点39と
基準電位点との間に、キャパシタ42とインダクタ44との
直列回路40を、接続している。
ロ波増幅器を提供する。 【構成】 ソースが接地された電界効果トランジスタ30
のドレインに、金ワイヤーからなるインダクタ32を介し
て出力側整合回路34を接続し、トランジスタ30のゲート
に、金ワイヤーからなるインダクタ36を介して入力側整
合回路38を接続し、この入力側接合回路38上に形成され
ており、入力側整合回路とインダクタ36との接続点39と
基準電位点との間に、キャパシタ42とインダクタ44との
直列回路40を、接続している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波増幅器及び
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波増幅器には、マイクロ
波用の高出力電界効果トランジスタと、入力側整合回路
と、出力側整合回路とを、１つのパッケージ内に設け
た、いわゆる内部整合型のものがある。尚、入力側整合
回路は、電界効果トランジスタの入力インピーダンス
を、パッケージの外部に設けた信号源のインピーダンス
と整合させるためのものであり、出力側整合回路は、電
界効果トランジスタの出力インピーダンスを、パッケー
ジの外部に設けた負荷のインピーダンスに整合させるた
めのものである。
波用の高出力電界効果トランジスタと、入力側整合回路
と、出力側整合回路とを、１つのパッケージ内に設け
た、いわゆる内部整合型のものがある。尚、入力側整合
回路は、電界効果トランジスタの入力インピーダンス
を、パッケージの外部に設けた信号源のインピーダンス
と整合させるためのものであり、出力側整合回路は、電
界効果トランジスタの出力インピーダンスを、パッケー
ジの外部に設けた負荷のインピーダンスに整合させるた
めのものである。
【０００３】このようなマイクロ波増幅器は、図７の等
価回路図に示すように、電界効果トランジスタ１０を有
し、そのソースが接地され、そのドレインはインダクタ
１２を介して出力側整合回路１４に接続され、ゲートは
インダクタ１６を介して入力側整合回路１８に接続され
ている。
価回路図に示すように、電界効果トランジスタ１０を有
し、そのソースが接地され、そのドレインはインダクタ
１２を介して出力側整合回路１４に接続され、ゲートは
インダクタ１６を介して入力側整合回路１８に接続され
ている。
【０００４】図８は、このマイクロ波増幅器の主要部を
示す概略図である。同図において、出力側整合回路１
４、入力側整合回路１８は、電界効果トランジスタ１０
とは別個の基板２０、２２上にそれぞれ形成されてお
り、電界効果トランジスタ１０のドレインが、インダク
タ１２として機能する複数の金ワイヤー１２ａ、１２ａ
・・・によって出力側整合回路１４に接続され、電界効
果トランジスタ１０のゲートが、インダクタ１６として
機能する複数の金ワイヤー１６ａ、１６ａ・・・を介し
て入力側整合回路１８に接続されている。
示す概略図である。同図において、出力側整合回路１
４、入力側整合回路１８は、電界効果トランジスタ１０
とは別個の基板２０、２２上にそれぞれ形成されてお
り、電界効果トランジスタ１０のドレインが、インダク
タ１２として機能する複数の金ワイヤー１２ａ、１２ａ
・・・によって出力側整合回路１４に接続され、電界効
果トランジスタ１０のゲートが、インダクタ１６として
機能する複数の金ワイヤー１６ａ、１６ａ・・・を介し
て入力側整合回路１８に接続されている。
【０００５】電界効果トランジスタ１０は、高出力を得
るため、即ちドレイン電流を大きくするため、ゲート幅
を大きくしているので、ゲート・ソース間容量が大き
く、かつゲート・ソース間抵抗値が小さくなる。そのた
め、入力インピーダンス、即ちゲート・ソース間のイン
ピーダンスが容量性であり、しかも値が小さくなる。例
えば、０．２乃至０．３Ωとなる。従って、この入力イ
ンピーダンスを、このマイクロ波増幅器の入力側に接続
される回路のインピーダンス、例えば５０Ωと整合させ
る必要がある。そのため、金ワイヤー１６ａの本数を調
整することによって入力側整合回路１８と電界効果トラ
ンジスタ１０のゲートとの間のインダクタ１６のインダ
クタンスを調整することによって、上記入力インピーダ
ンスの容量分をできるだけキャンセルした上で、入力側
整合回路１８によって、このマイクロ波増幅器の入力側
に接続される回路のインピーダンスと整合させている。
るため、即ちドレイン電流を大きくするため、ゲート幅
を大きくしているので、ゲート・ソース間容量が大き
く、かつゲート・ソース間抵抗値が小さくなる。そのた
め、入力インピーダンス、即ちゲート・ソース間のイン
ピーダンスが容量性であり、しかも値が小さくなる。例
えば、０．２乃至０．３Ωとなる。従って、この入力イ
ンピーダンスを、このマイクロ波増幅器の入力側に接続
される回路のインピーダンス、例えば５０Ωと整合させ
る必要がある。そのため、金ワイヤー１６ａの本数を調
整することによって入力側整合回路１８と電界効果トラ
ンジスタ１０のゲートとの間のインダクタ１６のインダ
クタンスを調整することによって、上記入力インピーダ
ンスの容量分をできるだけキャンセルした上で、入力側
整合回路１８によって、このマイクロ波増幅器の入力側
に接続される回路のインピーダンスと整合させている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このマイクロ波増幅器
を広帯域で使用する場合、例えば３ＧＨｚから１２ＧＨ
ｚで使用しようとする場合、金ワイヤー１６ａによって
構成したインダクタンス１６のインピーダンスが入力信
号の周波数変化に従って変化し、入力側整合回路１８と
インダクタ１６との接続点から電界効果トランジスタ１
０側を見た場合のインピーダンスが入力信号の周波数に
応じて変化するので、このマイクロ波増幅器の周波数特
性を平坦にかつ高利得とすることができないという問題
点があった。
を広帯域で使用する場合、例えば３ＧＨｚから１２ＧＨ
ｚで使用しようとする場合、金ワイヤー１６ａによって
構成したインダクタンス１６のインピーダンスが入力信
号の周波数変化に従って変化し、入力側整合回路１８と
インダクタ１６との接続点から電界効果トランジスタ１
０側を見た場合のインピーダンスが入力信号の周波数に
応じて変化するので、このマイクロ波増幅器の周波数特
性を平坦にかつ高利得とすることができないという問題
点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題点
を解決するためになされたものであり、本発明によるマ
イクロ波増幅器は、ソースが接地された電界効果トラン
ジスタと、このトランジスタのドレインに接続された出
力側整合回路と、上記トランジスタのゲートにワイヤー
を介して接続された入力側整合回路と、この入力側接合
回路上に形成されており、上記入力側整合回路と上記ワ
イヤーとの接続点と、基準電位点との間に接続されたキ
ャパシタとインダクタとの直列回路とを、具備するもの
である。
を解決するためになされたものであり、本発明によるマ
イクロ波増幅器は、ソースが接地された電界効果トラン
ジスタと、このトランジスタのドレインに接続された出
力側整合回路と、上記トランジスタのゲートにワイヤー
を介して接続された入力側整合回路と、この入力側接合
回路上に形成されており、上記入力側整合回路と上記ワ
イヤーとの接続点と、基準電位点との間に接続されたキ
ャパシタとインダクタとの直列回路とを、具備するもの
である。
【０００８】また、本発明によるマイクロ波増幅器の製
造方法は、基板上に入力側整合回路と基準電位部を形成
する過程と、上記入力側整合回路にキャパシタ形成素子
を形成する段階と、ソースが接地された電界効果トラン
ジスタのゲートをワイヤーによって上記入力側整合回路
に接続すると共に上記キャパシタ形成素子を別のワイヤ
ーによって上記基準電位部に接続する過程とを、具備す
るものである。
造方法は、基板上に入力側整合回路と基準電位部を形成
する過程と、上記入力側整合回路にキャパシタ形成素子
を形成する段階と、ソースが接地された電界効果トラン
ジスタのゲートをワイヤーによって上記入力側整合回路
に接続すると共に上記キャパシタ形成素子を別のワイヤ
ーによって上記基準電位部に接続する過程とを、具備す
るものである。
【０００９】
【作用】本発明によるマイクロ波増幅器では、入力側整
合回路と電界効果トランジスタとを接続しているワイヤ
ーがインダクタとして機能し、さらに、このワイヤーと
入力側整合回路との接続点と、基準電位点との間に接続
されたインダクタとが、電界効果トランジスタの入力イ
ンピーダンスの容量をほぼ打ち消しており、入力側整合
回路が、残りの容量と抵抗とを外部の信号源のインピー
ダンスと整合させている。なお、キャパシタは、直流カ
ット用のものである。
合回路と電界効果トランジスタとを接続しているワイヤ
ーがインダクタとして機能し、さらに、このワイヤーと
入力側整合回路との接続点と、基準電位点との間に接続
されたインダクタとが、電界効果トランジスタの入力イ
ンピーダンスの容量をほぼ打ち消しており、入力側整合
回路が、残りの容量と抵抗とを外部の信号源のインピー
ダンスと整合させている。なお、キャパシタは、直流カ
ット用のものである。
【００１０】本発明によるマイクロ波増幅器の製造方法
では、電界効果トランジスタのゲートを入力側整合回路
に接続しているワイヤーとキャパシタ形成素子との間で
キャパシタが形成され、このキャパシタ形成素子を基準
電位部に接続しているワイヤーがインダクタとして機能
する。
では、電界効果トランジスタのゲートを入力側整合回路
に接続しているワイヤーとキャパシタ形成素子との間で
キャパシタが形成され、このキャパシタ形成素子を基準
電位部に接続しているワイヤーがインダクタとして機能
する。
【００１１】
【実施例】本実施例のマイクロ波増幅器は、図１に示す
ようにマイクロ波用高出力電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）３０を有している。このＦＥＴ３０は、そのソース
が基準電位点に接続されており、ドレインがインダクタ
３２を介して出力側整合回路３４に接続されている。
ようにマイクロ波用高出力電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）３０を有している。このＦＥＴ３０は、そのソース
が基準電位点に接続されており、ドレインがインダクタ
３２を介して出力側整合回路３４に接続されている。
【００１２】また、このＦＥＴ３０のゲートは、インダ
クタ３６を介して入力側整合回路３８に接続されてお
り、この入力側整合回路３８とインダクタ３６との接続
点３９と、基準電位点との間に直列回路４０が設けられ
ている。この直列回路４０は、キャパシタ４２を上記接
続点３９側に、インダクタ４４を基準電位点側に、それ
ぞれ配置し、これらを直列に接続したものである。
クタ３６を介して入力側整合回路３８に接続されてお
り、この入力側整合回路３８とインダクタ３６との接続
点３９と、基準電位点との間に直列回路４０が設けられ
ている。この直列回路４０は、キャパシタ４２を上記接
続点３９側に、インダクタ４４を基準電位点側に、それ
ぞれ配置し、これらを直列に接続したものである。
【００１３】これらＦＥＴ３０、出力側整合回路３４、
入力側整合回路３８等は、図２及び図３に示すように、
金属製のパッケージ本体４４内に配置されている。ＦＥ
Ｔ３０は、その下部にソースが配置されており、この下
部を本体４４と接触させることによって、ソースが基準
電位点に接続されている。
入力側整合回路３８等は、図２及び図３に示すように、
金属製のパッケージ本体４４内に配置されている。ＦＥ
Ｔ３０は、その下部にソースが配置されており、この下
部を本体４４と接触させることによって、ソースが基準
電位点に接続されている。
【００１４】出力側整合回路３４は、ＦＥＴ３０とは別
個の基板４６の上面に形成されている。この出力側整合
回路３４は、インダクタ３２として機能する複数の金ワ
イヤー３２ａによって、ＦＥＴ３０のドレインに接続さ
れている。なお、この基板４６の下面の全域には基準電
位面４７が形成され、これが本体４４と接触している。
個の基板４６の上面に形成されている。この出力側整合
回路３４は、インダクタ３２として機能する複数の金ワ
イヤー３２ａによって、ＦＥＴ３０のドレインに接続さ
れている。なお、この基板４６の下面の全域には基準電
位面４７が形成され、これが本体４４と接触している。
【００１５】また、入力側整合回路３８も、ＦＥＴ３０
とは別個の基板４８の上面に形成されている。この入力
整合回路３８において、ＦＥＴ３０のゲートに最も近い
縁部に、インダクタ３６として機能する複数の金ワイヤ
ー３６ａが接続されている。
とは別個の基板４８の上面に形成されている。この入力
整合回路３８において、ＦＥＴ３０のゲートに最も近い
縁部に、インダクタ３６として機能する複数の金ワイヤ
ー３６ａが接続されている。
【００１６】これら金ワイヤー３６ａの入力側整合回路
３８への接続点の近傍に、キャパシタ４２が形成されて
いる。このキャパシタ４２は、入力側整合回路３８の上
面に形成された誘電体４２ａと、この誘電体４２ａ上に
形成された金メッキの電極４２ｂとからなるキャパシタ
形成素子を有し、誘電体４２ａが接触している入力側整
合回路３８の部分をもう一方の電極としている。
３８への接続点の近傍に、キャパシタ４２が形成されて
いる。このキャパシタ４２は、入力側整合回路３８の上
面に形成された誘電体４２ａと、この誘電体４２ａ上に
形成された金メッキの電極４２ｂとからなるキャパシタ
形成素子を有し、誘電体４２ａが接触している入力側整
合回路３８の部分をもう一方の電極としている。
【００１７】このキャパシタ４２の近傍の入力側整合回
路３８内には、３つの島状の基準電位部５０が入力側整
合回路３８とは絶縁された状態で形成されており、これ
ら基準電位部５０は、それぞれバイアホール５２を介し
て基板４８の下面全域に形成された基準電位面４９に接
続されている。この基準電位面４９は、本体４４に接触
している。これら基準電位部５０に、インダクタ４４と
して機能する複数の金ワイヤー４４ａによってキャパシ
タ４２が接続されている。
路３８内には、３つの島状の基準電位部５０が入力側整
合回路３８とは絶縁された状態で形成されており、これ
ら基準電位部５０は、それぞれバイアホール５２を介し
て基板４８の下面全域に形成された基準電位面４９に接
続されている。この基準電位面４９は、本体４４に接触
している。これら基準電位部５０に、インダクタ４４と
して機能する複数の金ワイヤー４４ａによってキャパシ
タ４２が接続されている。
【００１８】なお、パッケージ本体４４内には、ＦＥＴ
３０、インダクタ３６、直列回路４０、入力側整合回路
３８、インダクタ３２、出力側整合回路３４を１組とし
て、このような組が複数組設けられており、各組の入力
側整合回路３８は、金ワイヤー５４と図示していない各
組合成用パターンを介して互いに並列に接続されてい
る。同様に、各組の出力側整合回路３４も、金ワイヤー
５８と図示しない別の各組合成用パターンを介して互い
に並列に接続されている。また、パッケージの本体４４
の上部は、蓋６１によって覆われている。
３０、インダクタ３６、直列回路４０、入力側整合回路
３８、インダクタ３２、出力側整合回路３４を１組とし
て、このような組が複数組設けられており、各組の入力
側整合回路３８は、金ワイヤー５４と図示していない各
組合成用パターンを介して互いに並列に接続されてい
る。同様に、各組の出力側整合回路３４も、金ワイヤー
５８と図示しない別の各組合成用パターンを介して互い
に並列に接続されている。また、パッケージの本体４４
の上部は、蓋６１によって覆われている。
【００１９】このようなマイクロ波増幅器は、例えば次
のようにして製造される。まず図４に示すように、基板
４８の所定の位置にスルーホール５２を形成する。その
後、基板４８の上面及び下面、スルーホール５２の内面
に金メッキを施すことによって、下面に基準電位面４９
を形成すると共に、上面に基準電位部５０及び入力側整
合回路３８の元となる導電層６２を形成する。そして、
この導電層６２の上面に整合回路３８及び基準電位部５
０に対応するパターンを形成し、エッチングを行うこと
によって入力側整合回路３８及び基準電位部５０を形成
する。次に、スパッタリングによって誘電体４２ａを形
成し、その上面を金メッキすることによって電極４２ｂ
を形成し、キャパシタ４２を形成する。
のようにして製造される。まず図４に示すように、基板
４８の所定の位置にスルーホール５２を形成する。その
後、基板４８の上面及び下面、スルーホール５２の内面
に金メッキを施すことによって、下面に基準電位面４９
を形成すると共に、上面に基準電位部５０及び入力側整
合回路３８の元となる導電層６２を形成する。そして、
この導電層６２の上面に整合回路３８及び基準電位部５
０に対応するパターンを形成し、エッチングを行うこと
によって入力側整合回路３８及び基準電位部５０を形成
する。次に、スパッタリングによって誘電体４２ａを形
成し、その上面を金メッキすることによって電極４２ｂ
を形成し、キャパシタ４２を形成する。
【００２０】一方、基板４６の上下両面に金メッキを施
し、下面に基準電位面４７を形成すると共に、上面に出
力側整合回路３４の元となる導電層６４を形成する。こ
の導電層６４の上面に、出力側整合回路３４に対応する
パターンを形成し、上面をエッチングすることによって
出力側整合回路３４を形成する。
し、下面に基準電位面４７を形成すると共に、上面に出
力側整合回路３４の元となる導電層６４を形成する。こ
の導電層６４の上面に、出力側整合回路３４に対応する
パターンを形成し、上面をエッチングすることによって
出力側整合回路３４を形成する。
【００２１】このように入力側整合回路３８等が形成さ
れた基板４８と、出力側整合回路３４が形成された基板
４６と、別途製造したＦＥＴ３０とを、図３に示すよう
に本体４４内に配置し、かつ本体４４に結合する。そし
て、金ワイヤー３２ａによってＦＥＴ３０のドレインと
出力側整合回路３４とを接続し、金ワイヤー３６ａによ
ってＦＥＴ３０のゲートを入力側整合回路３８とを接続
し、金ワイヤー４４ａによってキャパシタ４２の電極４
２ｂを基準電位部５０に接続する。無論、入力側整合回
路３８は、金ワイヤー５４によって各組合成用パターン
に接続され、出力側整合回路３６も金ワイヤー５８によ
って別の各組合成用パターンに接続される。
れた基板４８と、出力側整合回路３４が形成された基板
４６と、別途製造したＦＥＴ３０とを、図３に示すよう
に本体４４内に配置し、かつ本体４４に結合する。そし
て、金ワイヤー３２ａによってＦＥＴ３０のドレインと
出力側整合回路３４とを接続し、金ワイヤー３６ａによ
ってＦＥＴ３０のゲートを入力側整合回路３８とを接続
し、金ワイヤー４４ａによってキャパシタ４２の電極４
２ｂを基準電位部５０に接続する。無論、入力側整合回
路３８は、金ワイヤー５４によって各組合成用パターン
に接続され、出力側整合回路３６も金ワイヤー５８によ
って別の各組合成用パターンに接続される。
【００２２】図５は、この実施例においてＦＥＴ３０に
トータルゲート幅１２．６ｍｍのものを使用し、インダ
クタ３６、３２にそれぞれ約０．０５ｎＨのものを使用
し、インダクタ４４に約０．０４ｎＨのものを使用し、
キャパシタ４２に約６００ｐＦのものを使用した場合に
おける、入力信号の周波数をｆ１（３．０ＧＨＺ）から
ｆ２（１２．０ＧＨｚ）まで変化させたとき、接続点３
９からＦＥＴ３０側を見たときの入力インピーダンス
が、どのように変化するかを示したもので、ｆ１におい
て約（０．０２＋ｊ０．１１）Ωとなり、ｆ２において
約（０．２５＋ｊ０．２）Ωとなる。しかも、この入力
インピーダンスは、入力信号の周波数の変化に従ってほ
ぼ１つの円の上を変化するので、インピーダンスの変化
が少ない。従って、入力側整合回路３８の設計が容易で
あり、このマイクロ波増幅器の周波数特性も、ほぼ一定
となる。
トータルゲート幅１２．６ｍｍのものを使用し、インダ
クタ３６、３２にそれぞれ約０．０５ｎＨのものを使用
し、インダクタ４４に約０．０４ｎＨのものを使用し、
キャパシタ４２に約６００ｐＦのものを使用した場合に
おける、入力信号の周波数をｆ１（３．０ＧＨＺ）から
ｆ２（１２．０ＧＨｚ）まで変化させたとき、接続点３
９からＦＥＴ３０側を見たときの入力インピーダンス
が、どのように変化するかを示したもので、ｆ１におい
て約（０．０２＋ｊ０．１１）Ωとなり、ｆ２において
約（０．２５＋ｊ０．２）Ωとなる。しかも、この入力
インピーダンスは、入力信号の周波数の変化に従ってほ
ぼ１つの円の上を変化するので、インピーダンスの変化
が少ない。従って、入力側整合回路３８の設計が容易で
あり、このマイクロ波増幅器の周波数特性も、ほぼ一定
となる。
【００２３】図６は、この実施例においてインダクタ４
４、キャパシタ４２を除去した場合における入力信号の
周波数をｆ１からｆ２まで変化させたとき、接続点３９
からＦＥＴ３０側を見たときの入力インピーダンスが、
どのように変化するかを示したもので、ｆ１において約
（０．２５−ｊ３）Ωとなり、ｆ２において約（０．２
５＋ｊ０．２）Ωとなる。この場合、入力インピーダン
スの変化は大きく、入力側整合回路３８の設計がしにく
くなり、このマイクロ波増幅器の周波数特性は、平坦に
ならない。
４、キャパシタ４２を除去した場合における入力信号の
周波数をｆ１からｆ２まで変化させたとき、接続点３９
からＦＥＴ３０側を見たときの入力インピーダンスが、
どのように変化するかを示したもので、ｆ１において約
（０．２５−ｊ３）Ωとなり、ｆ２において約（０．２
５＋ｊ０．２）Ωとなる。この場合、入力インピーダン
スの変化は大きく、入力側整合回路３８の設計がしにく
くなり、このマイクロ波増幅器の周波数特性は、平坦に
ならない。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、キャパ
シタとインダクタとの直列回路を、ＦＥＴのゲートに接
続されたインダクタと基準電位点との間に接続している
ので、入力インピーダンスをほぼ一定にすることがで
き、広帯域にわたって平坦な周波数特性を有するマイク
ロ波増幅器を得ることができる。
シタとインダクタとの直列回路を、ＦＥＴのゲートに接
続されたインダクタと基準電位点との間に接続している
ので、入力インピーダンスをほぼ一定にすることがで
き、広帯域にわたって平坦な周波数特性を有するマイク
ロ波増幅器を得ることができる。
【図１】本発明によるマイクロ波増幅器の１実施例の回
路図である。
路図である。
【図２】同実施例の部分省略平面図である。
【図３】図２の２−２線に沿う断面図である。
【図４】この実施例の製造過程を示す図である。
【図５】この実施例における接続点３９からＦＥＴ側を
見たインピーダンスの入力信号の周波数変化に従った変
化を示す。
見たインピーダンスの入力信号の周波数変化に従った変
化を示す。
【図６】この実施例においてインダクタ４４及びキャパ
シタ４２を除去した状態での接続点３９からＦＥＴ側を
見たインピーダンスの入力信号の周波数変化に従った変
化を示す。
シタ４２を除去した状態での接続点３９からＦＥＴ側を
見たインピーダンスの入力信号の周波数変化に従った変
化を示す。
【図７】従来のマイクロ波増幅器の回路図である。
【図８】図７のマイクロ波増幅器の部分省略平面図であ
る。
る。
３０ 電界効果トランジスタ ３６ インダクタ ４０ 直列回路 ４２ キャパシタ ４４ インダクタ
Claims (2)
- 【請求項１】 ソースが接地された電界効果トランジス
タと、このトランジスタのドレインに接続された出力側
整合回路と、上記トランジスタのゲートにワイヤーを介
して接続された入力側整合回路と、この入力側接合回路
上に形成されており、入力側整合回路と上記ワイヤーと
の接続点と基準電位点との間に接続されたキャパシタと
インダクタとの直列回路とを、具備するマイクロ波増幅
器。 - 【請求項２】 基板上に入力側整合回路と基準電位部を
形成する過程と、上記入力側整合回路にキャパシタ形成
素子を形成する段階と、ソースが接地された電界効果ト
ランジスタのゲートをワイヤーによって上記入力側整合
回路に接続すると共に上記キャパシタ形成素子を別のワ
イヤーによって上記基準電位部に接続する過程とを、具
備するマイクロ波増幅器の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4194392A JPH0645810A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | マイクロ波増幅器及びその製造方法 |
| US08/094,302 US5469107A (en) | 1992-07-22 | 1993-07-21 | Microwave amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4194392A JPH0645810A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | マイクロ波増幅器及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645810A true JPH0645810A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16323835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4194392A Pending JPH0645810A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | マイクロ波増幅器及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5469107A (ja) |
| JP (1) | JPH0645810A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5592122A (en) * | 1994-05-19 | 1997-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Radio-frequency power amplifier with input impedance matching circuit based on harmonic wave |
| JPH10242776A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-09-11 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波増幅器 |
| US6121840A (en) * | 1996-12-24 | 2000-09-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency amplifier |
| US5973568A (en) * | 1998-06-01 | 1999-10-26 | Motorola Inc. | Power amplifier output module for dual-mode digital systems |
| US6597227B1 (en) | 2000-01-21 | 2003-07-22 | Atheros Communications, Inc. | System for providing electrostatic discharge protection for high-speed integrated circuits |
| JP2004228989A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4859633A (en) * | 1985-01-31 | 1989-08-22 | Texas Instruments Incorporated | Process for fabricating monolithic microwave diodes |
| US4658220A (en) * | 1985-09-06 | 1987-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Dual-gate, field-effect transistor low noise amplifier |
| JPS62274806A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | Toshiba Corp | マイクロ波電界効果トランジスタ |
| JPH0754889B2 (ja) * | 1987-01-28 | 1995-06-07 | 三菱電機株式会社 | Ｆｅｔ多段増幅器 |
| JPS6490718A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-07 | Toyo Machinery & Metal | Molding machine provided with working state recording device |
| JPH01117958A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Honda Motor Co Ltd | 内燃エンジンの空燃比フィードバック制御方法 |
| US5023993A (en) * | 1988-09-30 | 1991-06-18 | Grumman Aerospace Corporation | Method for manufacturing a high-performance package for monolithic microwave integrated circuits |
| JPH0732335B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1995-04-10 | 日本電信電話株式会社 | 高周波増幅器 |
-
1992
- 1992-07-22 JP JP4194392A patent/JPH0645810A/ja active Pending
-
1993
- 1993-07-21 US US08/094,302 patent/US5469107A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5469107A (en) | 1995-11-21 |
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