JPH0622190B2 - 厚膜コンデンサ - Google Patents

厚膜コンデンサ

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JPH0622190B2
JPH0622190B2 JP62082311A JP8231187A JPH0622190B2 JP H0622190 B2 JPH0622190 B2 JP H0622190B2 JP 62082311 A JP62082311 A JP 62082311A JP 8231187 A JP8231187 A JP 8231187A JP H0622190 B2 JPH0622190 B2 JP H0622190B2
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JP
Japan
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metal layer
thick film
dielectric
layer
metal
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JP62082311A
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和義 上村
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は厚膜コンデンサに関し特にコンデンサの容量値
の調整を可能にした厚膜コンデンサに関する。
〔従来の技術〕
従来この種の厚膜コンデンサは、誘電体基板上に形成さ
れた第1の金属層に重ねて誘電体層が形成されかつ、そ
の誘電体層に重ねて第2の金属層が形成され、第1の金
属層と第2の金属層が、誘電体層をはさんで重なる面積
及び誘電体の誘電率により任意の容量値をもつコンデン
サを形成していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の厚膜コンデンサは、第1の金属層と第2
の金属層の間に形成される誘電体層の膜厚の精度が悪
く、第1の金属層と第2の金属層の間の距離にバラツキ
を生じやすい。この第1の金属層と第2の金属層の距離
のバラツキはすなわち形成された厚膜コンデンサの容量
のバラツキを生ずることになる。この様なコンデンサで
は容量の精度が必要な用途、例えば高周波トランジスタ
の整合回路等には使用できない。又、この容量値を調整
するためにレーザー等により第1の金属層−誘電体層−
第2の金属層の重なり部分を切断しようとすると第1の
金属層と第2の金属層との間にレーザー等により、溶融
した金属により電気的接続が生じコンデンサとして、動
作しなくなる可能性が高く、この様な容量調整は信頼度
的に不都合であり、実施できない。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、誘電体基板上に形成され、第1の金属
層−誘電体層−第2の金属層の構造により電気容量を形
成している厚膜コンデンサにおいて、第1の金属層はく
し状の歯に形成され、各歯は第1の引き出し電極に接続
され、第2の金属層は誘電体層を介して第1の金属層の
前記各歯に対向する金属部分を有し、金属部分は互いに
同一の幅を有するも第1の金属層の各歯との対向面積が
異なっており、第2の金属層のうち一部が選択的に第2
の引き出し電極と接続されている厚膜コンデンサが得ら
れる。
〔実施例〕
第1図は本発明の厚膜コンデンサの一実施例の平面図で
第2図は第1図A−A′の縦断面図である。誘電体基板
1上に第1の金属層2が形成され、第1の金属層2に重
ねて誘電体層3が形成され、かつ誘電体層3の上に重ね
て第2の金属層4が形成されている。誘電体層3をはさ
んだ第1の金属層2と、第2の金属層4によりコンデン
サが形成され、その容量値は誘電体層の膜厚が一定であ
れば、第1の金属層2と第2の金属層4の重なった面積
及び誘電体層の誘電率に比例して増加する。
本実施例では第1の金属層と、第2の金属層が重なり合
う部分(以下容量形成部と記す)を4ケ所に分けそれぞ
れ異なる容量値を形成する様に容量形成部の面積を変え
た構成をとっている。(例えば、各容量値を1pF,2p
F,4pF,8pFに設計する)又、第2の金属層には容量
調整時に切断が比較的容易にできる様に電極切断部5,
6,7,8が形成されている。この様な構成の厚膜コン
デンサで容量値を調整するには、電極切断部5,6,
7,8を1〜3ケ所切断することにより、容量値が初期
値の1/15倍まで段階的に調整できる。例えば初期値が
15pFで実現できたならば調整により15pF〜1pFの容量が
1pF間隔で実現できる。
〔実施例2〕 第3図は、本発明の実施例2の平面図で断面構造は実施
例1と同じである。本実施例では、実施例1と同様に4
つの独立形成された容量形成部により、厚膜コンデンサ
を構成しているが第2の金属層4と第3の金属層9,1
0,11は、初期において接続されていない構造となって
いる。この様な構成の厚膜コンデンサで容量値を調整す
るには第3の金属層9,10,11を必要に応じて第2の金
属層4に金属片、又は金属ワイヤ等で接続して容量値を
可変できる。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明は厚膜コンデンサの容量形成部
を独立した複数の容量形成部に分けて並列接続すること
により全体のコンデンサを構成して、並列接続された容
量形成部から引き出された電極部(金属層部)を切断又
は接続することにより容量値を可変できる。
従って(1)厚膜コンデンサの容量形成部の膜厚のバラツ
キによる容量値のバラツキを容量調整により補正でき
る。(2)この様な厚膜コンデンサをトランジスタの整合
回路等電気回路に使用した時、トランジスタのインピー
ダンス等特性のバラツキに対して回路定数の補正ができ
る。
等の効果があり、それらは、上下の電極をそれぞれ複数
個形成することにより、切断又は接続後に隣接したコン
デンサの影響を受けることが無く、正確に行うことがで
きる。しかも、各容量は互いに値が異なっており、その
違いを得るために長さをかえて並設する方向の幅は一定
にしているので、製造条件のばらつきによる影響もうけ
にくい。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の厚膜コンデンサの平面図、第2図は
第1図のA−A′線断面図、第3図は本発明の厚膜コン
デンサの第2の実施例の平面図である。 1……誘電体基板、2……第1の金属層、3……誘電体
層、4……第2の金属層、5,6,7,8……電極切断
部、9,10,11……第3の金属層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】誘電体基板上に形成され、第1の金属層−
    誘電体層−第2の金属層の構造により電気容量を形成し
    ている厚膜コンデンサにおいて、前記第1の金属層はく
    し状の歯に形成され、前記各歯は第1の引き出し電極に
    接続され、前記第2の金属層は前記誘電体層を介して前
    記第1の金属層の前記各歯に対向する複数の金属部分を
    有し、前記金属部分は互いに同一の幅を有するも前記第
    1の金属層の各歯との対向面積が異なっており、前記第
    2の金属層のうち一部が選択的に第2の引き出し電極と
    接続されていることを特徴とする厚膜コンデンサ。
JP62082311A 1987-04-02 1987-04-02 厚膜コンデンサ Expired - Lifetime JPH0622190B2 (ja)

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JPS63248112A (ja) 1988-10-14

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