JPH02165612A - 分布ｃｒ回路素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板上に電極及び抵抗体等を積層してなる分
布ＣＲ回路素子の構造の改良に関する。

〔従来の技術〕

第２図（ａ）は、従来ＯＣＲ回路素子の構造を示す断面
図である。絶縁性基板１上に、抵抗体層２が形成されて
おり、該抵抗体層２の上面に、電極３ａ、３ｂが所定距
離を隔てて形成されている。

従って、電極３ａ、３ｂ間には、その間に存在する抵抗
体層２により抵抗素子が構成されている。

電極３ａの上面には、誘電体層４が形成されており、さ
らに該誘電体層４を介して電極３ａと重なり合うように
、電極３ｃが形成されている。この電極３ａと電極３ｃ
との間で、誘電体層４に基づく容量が取り出される。

従って、第２図（ａ）のＣＲ回路素子では、コンデンサ
と抵抗素子とが直列に接続された第２図（ｂ）に示すＣ
Ｒ回路が構成されている。

〔発明が解決しようとする技術的課題〕上記のＣＲ回路
素子では、電極３ａが抵抗素子とコンデンサとにおいて
共通とされているが、抵抗体層２及び誘電体層４の２種
類の材質の異なる層を基板１上に形成する必要がある。

従って、製造工程が煩雑であり、かつＣＲチップとして
用いる場合、小型化・高精度化の点で制約が大きかった
。

よって、本発明の目的は、比較的簡単な工程で製造する
ことができ、かつ小型化・高精度化の容易な構造を備え
たＣＲ回路素子を提供することにある。

〔技術的課題を解決するための手段］ 本発明の分布ＣＲ回路素子では、基板として誘電体基板
が用いられている。この誘電体基板の一方面側には抵抗
体層と、抵抗体層により接続された第１．第２の分割電
極とが形成されている。また、誘電体基板の他方面側に
は、第１．第２の分割電極と誘電体基板を介して重なり
合うように共通電極が形成されている。

〔作用〕

誘電体基板を用い、該誘電体基板の一方面側に形成され
た第１．第２の分割電極と他方面側に形成された共通電
極とによりコンデンサが構成されているため、コンデン
サを構成するための誘電体層を基板上に形成する必要が
ない、すなわち、誘電体基板を用いているため、コンデ
ンサを構成するには電極を形成するだけでよく、また基
板上には電極を除けば抵抗体層が形成されるだけである
ため、小型化・高精度化も容易である。

〔実施例の説明〕

第１図及び第３図は、本発明の一実施例の断面図及び平
面図である６本実施例の分布ＣＩ？回路素子は、誘電体
基板１１を用いて構成されている。

誘電体基板１１を構成する材料としては、特に限定され
るものではないが、大容量化のためには、より高誘電率
の材料を用いることが好ましい。

誘電体基板１１の上面には、抵抗体層１２が形成されて
いる。抵抗体層１２は、Ｔａ、Ｎ、ＮｉＣ「または５ｉ
Ｏ−Ｃｒ等の任意の抵抗性材料を用いて形成することが
でき、また形成方法についてもスパッタあるいは蒸着等
の任意の膜形成方法を用いることができる。

抵抗体層１２の上面には、所定距離を隔てて第１、第２
の分割電極１３．１４が形成されている。

従って、第１．第２の分割電極１３．１４間において抵
抗体層１２に基づく抵抗成分が取り出される。

他方、誘電体基板１１の他方面すなわち下面側には、共
通電極１５が全面に形成されている。この共通型８ｉ１
５と、上面側に形成された分割電極１３．１４との間で
、それぞれ、誘電体基板１１に基づく容量が取り出され
る。従って、コンデンサの容量を大きくしたい場合には
、分割電極１３゜１４の面積をより大きくするか、誘電
体基板１１を薄くすればよい。

上記した第１．第２の分割電極１３．１４及び共通電極
１５は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ等の任意の導電性材料
を、スパッタ、蒸着もしくはめっきまたはこれらの組み
合わせ等の任意の膜形成法により、単層あるいはこれら
の組み合わせにより多層状に形成することができる。

本実施例のＣＲ回路素子の回路図を第４図に示す０本実
施例では、誘電体基板１１を用いてその上面及び下面に
容量取出しのための第１．第２の分割電極１３．１４及
び共通型８ｉ１５を形成するだけでコンデンサが構成さ
れる。従って、抵抗体層１２及び各電極１３，１４．１
５を形成するだけで、ＣＲ回路を構成することができる
。

なお、分割電極１３．１４及び共通電極１５並びに抵抗
体層１２のパターニングについては、フォトリソ・エツ
チング等の任意のパターニング技術を用いて行うことが
でき、このパターニングは誘電体基板１１の片面側にお
いてのみ行ってもよく、必要に応じて両面において行っ
てもよい。

本実施例のＣＲ回路素子では、コンデンサの容量は、パ
ターニングした電極面積、すなわち分割電極１３．１４
と共通電極１５の対向面積で決定されるが、フォトリソ
・エツチングにより高精度に各電極を形成し得るので、
容量を高精度に形成することができる。

また、従来例のように基板上において電極の他に誘電体
層及び抵抗体層の双方を形成するものではないため、す
なわち抵抗体層及び電極部分のみを基板上に形成するも
のであるため、チップサイズの小型化も可能である。

誘電体基板１１として、比誘電率ａ　ｙ　！：ｉ　３０
００の材料からなるものを用い、上記実施例のＣＲ回路
素子を構成したところ、１ｍ”のサイズのチツブで容量
は約１００ｐＦ、抵抗が５０〜１００Ω程度のＣＲ回路
素子を得ることができた。

なお、上記実施例では、誘電体基板１１の一方面側にの
み抵抗体層１２を形成したが、他方面側にも抵抗体層を
形成してもよい、その場合には、抵抗体層のさらに下面
に共通電極１５が形成されることになる。

また、誘電体基板１１の上面側において抵抗体層１２を
形成した後に、抵抗体１１１２の上面に第１、第２の分
割電極１３．１４を形成していたが、逆に第１．第２の
分割電極１３．１４を誘電体基板１１の上面に形成し、
その上に第１．第２の分割電極にまたがるように抵抗体
層１２を形成してもよい。

〔発明の効果〕

本発明では、誘電体基板を用い、該誘電体基板の一方面
側に分割電極を、他方面側に共通電極を形成してコンデ
ンサが構成されており、一方面側の分割電極間に接続さ
れる抵抗体層を形成することにより抵抗素子が構成され
ている。従って、第２図に示した従来例のように、コン
デンサを構成するために基板上に誘電体層を形成する必
要がないため、ＣＲ回路素子の製造工程を簡略化するこ
とができると共に、ＣＲ回路素子の小型・薄型化・高精
度化を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のＣＲ回路素子の断面図、第
２図（ａ）は従来例の断面図、第２図（ｂ）は従来例の
回路図、第３図は第１図実施例の平面図、第４図は第１
図実施例の回路図である。 図において、１１は誘電体基板、１２は抵抗体層、１３
は第１の分割電極、１４は第２の分割電極、１５は共通
電極を示す。 第１図 第２図 ３α

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 誘電体基板と、前記誘電体基板の一方面側に形成された
   抵抗体層と、前記誘電体基板の一方面側に形成されてお
   りかつ前記抵抗体層により互いに接続された第１，第２
   の分割電極と、前記第１，第２の分割電極と誘電体基板
   を介して重なり合うように、前記誘電体基板の他方面側
   に形成された共通電極とを備えることを特徴とする分布
   ＣＲ回路素子。