JPH057063A - コンデンサ内蔵型配線基板およびその製造方法 - Google Patents

コンデンサ内蔵型配線基板およびその製造方法

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JPH057063A
JPH057063A JP3282324A JP28232491A JPH057063A JP H057063 A JPH057063 A JP H057063A JP 3282324 A JP3282324 A JP 3282324A JP 28232491 A JP28232491 A JP 28232491A JP H057063 A JPH057063 A JP H057063A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 積層基板の内部にも配置することができる平
板状のコンデンサ内蔵型配線基板であって、しかも両
面の導体がエッチング可能である、コンデンサの容量
を大容量から小容量まで自由に選べる、若干の可撓性
を有している、広い面積に亘ってピンホールや欠陥が
無い、という性能を有するものを提供する。 【構成】 このコンデンサ内蔵型配線基板は、誘電体粉
末と樹脂とを混合して成る誘電体基板２と、この誘電体
基板２の両主面に設けられた導体４、４とを備えてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、配線基板自体で内部
にコンデンサを自由に形成することができるコンデンサ
内蔵型配線基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子回路のコンデンサとしては、従来は
主としてチップコンデンサが使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのようなコ
ンデンサは、マウンティングおよび半田接続等に工数が
かかる上、内部に非常に薄い誘電体を用いているため信
頼性が低く、しかも多層基板ではその最上層上にしかマ
ウントできない等の問題を有している。
【０００４】そのため、従来のコンデンサに代わるもの
として、積層基板の内部にも配置することができる平板
状のコンデンサ内蔵型配線基板であって、しかも両面
の導体がエッチング可能である、コンデンサの容量を
大容量から小容量まで自由に選べる、若干の可撓性を
有している、広い面積に亘ってピンホールや欠陥が無
い、という性能を有するものが要望されている。
【０００５】そこでこの発明は、このような要望に応え
ることができるコンデンサ内蔵型配線基板およびその製
造方法を提供することを主たる目的とする。
【０００６】
【発明の概要】この発明のコンデンサ内蔵型配線基板
は、簡単に言えば、誘電体粉末と樹脂とを混合して成る
誘電体基板と、この誘電体基板の両主面に設けられた導
体とを備えることを特徴とする。この導体は、銅箔でも
良いし、銅薄膜でも良い。このようなコンデンサ内蔵型
配線基板は、両面の導体を自由にエッチングすることが
可能であり、それによって内部に自由にコンデンサを形
成することができる。
【０００７】またこの発明の製造方法は、誘電体粉末ま
たは誘電体粉末に樹脂を混入させたものを真空中で板状
に成形して誘電体基板を作り、この誘電体基板の両主面
に樹脂から成る接着剤を介在させて銅箔を重ね、そして
これらを一緒に加圧加熱して一体化することを特徴とす
る。この場合、接着剤の代わりに樹脂フィルムを用いて
も良い。この製造方法によれば、加圧加熱によって接着
剤が溶けてそれが誘電体基板内にその両主面側から染み
込むので、誘電体基板内における樹脂の割合を中央部で
小さく両主面に近づくほど大きくすることができ、従っ
て誘電体基板の誘電率が大きく、しかも銅箔の密着性の
高いコンデンサ内蔵型配線基板を得ることがでる。接着
剤の代わりに樹脂フィルムを用いた場合も同様である。
【０００８】
【実施例】図１は、この発明に係るコンデンサ内蔵型配
線基板の一例を部分的に示す断面図である。
【０００９】このコンデンサ内蔵型配線基板は、誘電体
粉末と樹脂とを混合して成る誘電体基板２と、この誘電
体基板２の両主面に設けられた導体４、４とを備えてい
る。
【００１０】誘電体基板２は、例えば、誘電体粉末と樹
脂溶液との混合物を板状にセラミックグリーンシートの
ように（即ち厚みを一定に精度良く）成形しかつ乾燥さ
せたものである。この誘電体基板２内にはガラス繊維は
含めていない。
【００１１】上記誘電体粉末は、例えば、チタン酸バリ
ウム、酸化チタン等の誘電体セラミックスを焼成したも
のやマイカ等の誘電体物質を粉砕して微粉末にしたもの
である。上記樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、ＢＴ、ポ
リイミド等である。
【００１２】上記導体４は、例えば、上記のような誘電
体基板２の両主面に銅箔を加熱圧着や接着剤等で貼り合
わせたものでも良いし、上記のような誘電体基板２の一
方の主面に銅箔を上記のようにして貼り合わせ、他方の
主面に銅薄膜をＰＶＤ法（例えばスパッタ、真空蒸着等
の物理蒸着法。以下同じ）、ＣＶＤ法（化学気相成長
法。以下同じ）またはメッキ法等により付着させたもの
でも良いし、あるいは上記のような誘電体基板２の両主
面に銅薄膜をＰＶＤ法、ＣＶＤ法またはメッキ法等によ
り付着させたものでも良い。
【００１３】その場合、導体４が銅薄膜の場合は、それ
と誘電体基板２との密着性をより高める観点から、誘電
体基板２が半硬化状態で導体４を付着させるようにして
も良い。あるいは硬化した誘電体基板２を用いる場合
は、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法において直流電圧でイオン
を加速しながら成膜するようにしても良い。
【００１４】上記コンデンサ内蔵型配線基板は、両面の
導体４を自由にエッチングすることが可能であり、それ
によって内部に自由に（即ち数、配置、接続、容量等を
自由に）コンデンサを形成することができる。図２にそ
の一例を示し、図中中央部に所望のコンデンサＣが形成
されている。
【００１５】なお、絶縁基板上に導体層、その上に誘電
体層、更にその上に導体層を積層するという考えもある
が、これだと、下側の導体層のエッチングは誘電体層が
あるため困難であり、そのため通常は上側の導体層しか
エッチングできないため、下側の導体層が複数のコンデ
ンサに対して共通電極となり、コンデンサ間の浮遊容量
が大きくて信号のリークを起こすと共に、配線の自由度
が一切無くなり、従って実用にはならない。
【００１６】上記のようなコンデンサ内蔵型配線基板
は、両面の導体４を適当にエッチングした後、例えば図
３に例示するように他の基板６、６間に挟むことで積層
基板の内部に配置することもできるし、他のプリント基
板の表面に貼り合わせて使用することもできる。
【００１７】また、導体４のコンデンサ電極として使う
領域の面積、誘電体基板２の厚さ、更には誘電体基板２
内に含有させる誘電体粉末の材料、割合等を自由に変え
ることができるので、コンデンサの容量を大容量から小
容量まで自由に選ぶことができる。
【００１８】また、誘電体基板２は樹脂がつなぎとなっ
ているため、ある程度の可撓性を有しており、従って他
の可撓性を有する基板等と組み合わせて使用してもクラ
ックが入る心配がない。
【００１９】また、一般的に誘電体はあまり薄くすると
ピンホール等ができやすくなるが、このコンデンサ内蔵
型配線基板では、導体４のコンデンサ電極として使う領
域の面積を大きくすることや含有させる誘電体粉末によ
って誘電率を大きくすること等で、誘電体基板２をあま
り薄くしなくても希望容量を得ることができるので、し
かも樹脂を混合しているので、広い面積に亘ってピンホ
ールや欠陥の無い信頼性の高いものを得ることができ
る。
【００２０】従って、このようなコンデンサ内蔵型配線
基板によれば、従来のコンデンサと違って、ユーザにお
いて内部にコンデンサを自由な容量、数、接続等で形成
することができ、しかも配置場所も自由になるので、電
子回路設計の自由度が飛躍的に向上する。
【００２１】ところで、例えば図４に示す実施例のよう
に、上記誘電体基板２とその一方の導体４との間に、ま
たは両方の導体４との間に、抵抗体薄膜８を介在させて
も良く、そのようにすれば、コンデンサの他に抵抗をも
内蔵させたコンデンサ内蔵型配線基板を得ることができ
る。
【００２２】このようなコンデンサ内蔵型配線基板によ
れば、上記のようなコンデンサ内蔵の利点に加えて、抵
抗体に関しても、従来の抵抗器と違ってマウンティン
グおよび半田接続等の工数が不要になる、半田接続の
減少により信頼性が向上する、配置が自由になる、
内蔵のコンデンサ等との配線距離を最短にして高周波特
性を向上させることができる、等の利点が得られる。
【００２３】抵抗体薄膜８は、例えば、ニクロム合金、
クロムシリコン、窒化タンタルまたはＩＴＯ（すずをド
ープした酸化インジウム）等から成る。この抵抗体薄膜
８の厚さは、例えば０．１μｍ程度であるがこれに限定
されるものではない。
【００２４】この抵抗体薄膜８も、例えば、前述したＰ
ＶＤ法またはＣＶＤ法によって誘電体基板２に付着させ
ることができる。その上に導体４を設ける方法は前記と
同様である。
【００２５】誘電体基板２上に抵抗体薄膜８を付着させ
る場合も、両者間の密着性をより高める観点から、誘電
体基板２が半硬化状態で行っても良いし、硬化した誘電
体基板２の場合は直流電圧でイオンを加速しながら行っ
ても良い。
【００２６】このようなコンデンサ内蔵型配線基板は、
両面の導体４を適当にエッチングした後、抵抗体薄膜８
を適当にエッチングすることにより、自由にコンデンサ
および抵抗を形成することができる。図５はその一例を
示し、この例では二つのコンデンサＣ1 およびＣ2 と抵
抗Ｒの直列回路が構成されている。
【００２７】抵抗体薄膜８を設ける場合は、その上の導
体４を銅薄膜としてその厚さを薄くするのが好ましく、
そのようにすれば、導体４の厚さに応じてそのエッチン
グの精度が向上するので、内蔵抵抗体の抵抗値精度を高
めることができる。
【００２８】また、抵抗体薄膜８を設ける場合でその上
の導体４が銅薄膜の場合は、両者間に、抵抗体薄膜８を
構成する物質（例えば抵抗体薄膜８がニクロム合金の場
合はニッケルやクロム）が銅薄膜中へ拡散するのを防止
する拡散防止膜（図示省略）を介在させても良く、その
ようにすれば、抵抗体薄膜８の安定性が向上し、経時的
に抵抗値が変化するのを防止することができる。この拡
散防止膜は、例えばニッケル、モリブデンまたはチタン
等から成る。
【００２９】図６は、この発明に係るコンデンサ内蔵型
配線基板の更に他の実施例を部分的に示す断面図であ
る。
【００３０】このコンデンサ内蔵型配線基板は、上記各
実施例のような誘電体基板２を用いる代わりに、銅箔１
４の一方の主面に、前述したような誘電体粉末と樹脂と
の混合物から成る誘電体層１２を塗布等によって設け、
その上に銅薄膜１６をＰＶＤ法またはＣＶＤ法等によっ
て付着させたものである。
【００３１】この実施例の場合も、上記実施例の場合と
同様、誘電体層１２と銅箔１４や銅薄膜１６との間に、
抵抗体薄膜、更に必要に応じて拡散防止膜を設けても良
い。また、銅薄膜１６の代わりに第２の銅箔を誘電体層
１２上に貼り合わせても良い。
【００３２】ところで、上記のようなコンデンサ内蔵型
配線基板の誘電体基板には、上記実施例のように誘電体
粉末と樹脂とを混合して成る誘電体基板２の代わりに、
誘電体粉末と樹脂との混合物をガラス繊維に含浸させて
成る誘電体基板を用いることも考えられるが、これは実
験の結果好ましくないことが分かった。
【００３３】即ち、ガラス繊維が入っていても誘電体基
板内に含有させる誘電体粉末の割合を増せば当該誘電体
基板の誘電率が上昇すると思われるのに、実際は殆ど上
昇しなかった。例えば、誘電体粉末に誘電率が約２００
０のセラミックス粉末を用い、セラミックス／エポキシ
樹脂の比（体積％。以下同じ）を０／１００、２３／７
７、５５／４５と変えたところ、誘電率は約５、約７、
約８としか変化せず、誘電率の上昇は微々たるものであ
った。これに対して、誘電体基板にガラス繊維を含めず
にそのセラミックス／エポキシ樹脂の比を５５／４５に
したところ、誘電率は約２９とかなり上昇した。このこ
とから、誘電体基板にガラス繊維が入っていると、誘電
体粉末の割合を増やしても誘電率の上昇に殆ど効果のな
いことが分かった。
【００３４】ところが、ガラス繊維の入っていない誘電
体基板において、より大きな誘電率を得るために、更に
誘電体粉末の割合を増やして７０／３０としたところ、
誘電体基板に対する銅箔の密着性が極端に悪くなり、銅
箔が誘電体基板から浮いて誘電率の測定が不可能になっ
た。即ち、誘電体粉末の割合を単に増やすことには限界
があることが分かった。
【００３５】そこでこのような点について更に検討した
結果、次のようにすることで誘電体基板中の誘電体粉末
の割合を高めてより大きな誘電率を得ることができ、し
かも当該誘電体基板に対する銅箔の密着性を高くできる
ことが分かった。
【００３６】即ち、これを図７を参照して説明すると、
このコンデンサ内蔵型配線基板における誘電体基板２２
は、前述したような誘電体粉末と樹脂とを混合したもの
であり、しかもその内部における樹脂の割合を中央部で
小さく両主面に近づくほど大きくしている。勿論、この
誘電体基板２２内にはガラス繊維は含めていない。そし
てこのような誘電体基板２２の両主面に銅箔１４、１４
を貼り合わせている。
【００３７】このようなコンデンサ内蔵型配線基板によ
れば、樹脂を均一に拡散させたものに比べて、誘電体基
板２２内における樹脂の割合を全体として平均してみれ
ば小さくすることができる。即ち誘電体粉末の割合を大
きくすることができ、その結果誘電体基板２２の誘電率
としてより大きな誘電率を得ることができる。しかも、
上記誘電体基板２２においては銅箔１４の接着に必要な
両主面では樹脂の割合が大きいので、誘電体基板２２に
対する銅箔１４の密着性も高くなる。実験結果の一例は
後述する製造方法のところで説明するが、このような構
造によれば、同一の誘電体粉末および樹脂を用いて同一
の寸法で、しかも銅箔の密着性を悪化させないで、誘電
体基板２２の誘電率を、樹脂を均一に拡散させたものの
２倍以上にすることも可能である。
【００３８】このような誘電体基板２２を用いた場合
も、例えば図８に示す実施例のように、当該誘電体基板
２２とその一方の銅箔１４との間に、または両方の銅箔
１４との間に、前述したような抵抗体薄膜８を介在させ
ても良く、そのようにすれば、コンデンサの他に抵抗を
も内蔵させたコンデンサ内蔵型配線基板を得ることがで
きる。
【００３９】次に、図７あるいは図８に示したようなコ
ンデンサ内蔵型配線基板の製造方法の例を図９を参照し
ながら説明する。
【００４０】まず、誘電体粉末または誘電体粉末に樹脂
を混入したものを真空中で板状に成形して誘電体基板３
２を作る。誘電体粉末や樹脂の例は前述のとおりであ
る。樹脂を混入しても良いのは、それをつなぎとして成
形後の誘電体基板３２の強度をより高めるためであり、
従って樹脂の割合はわずか（例えば１５％以下）で良
い。真空中で成形するのは、成形後の誘電体基板３２の
内部に気泡が残って誘電率が低下するのを防止するため
である。
【００４１】次に、上記のようにして得られた誘電体基
板３２の両主面に樹脂から成る接着剤３０、３０を介在
させて銅箔１４、１４を重ね、そしてこれらを一緒に加
圧加熱して一体化する。接着剤３０は、例えばエポキシ
樹脂系やポリイミド系等のものである。この場合、接着
剤３０は、誘電体基板３２の両主面側に塗布しておいて
も良いし、上下両側の銅箔１４の内側になる面に塗布し
ておいても良い。また上記加圧加熱は、ボイドレス、低
圧成形が可能な点で真空中で行うのが好ましいが、大気
中で行っても良い。
【００４２】このような製造方法によれば、ミクロ的に
みれば誘電体基板３２には小さな隙間が存在していてそ
こに加圧加熱によって溶けた接着剤３０が両主面側から
染み込むので、誘電体基板３２内における樹脂の割合を
中央部で小さく両主面に近づくほど大きく（例えば１０
０％近くに）することができる。従って、図７で説明し
たような、誘電体基板の誘電率が大きくしかも銅箔の密
着性の高いコンデンサ内蔵型配線基板を得ることができ
る。
【００４３】上記方法による具体的な実験結果の一例を
示すと、誘電体粉末として誘電率が約２０００のチタン
酸バリウムが８５％、エポキシ樹脂が１５％の混合物を
真空中で板状に成形して厚さ０．２ｍｍの誘電体基板を
作り、その両面に、約１０μｍの厚さのエポキシ系接着
剤を塗布した銅箔を貼り付け、これらを加圧加熱してコ
ンデンサ内蔵型配線基板を作った。このコンデンサ内蔵
型配線基板における誘電体基板の誘電率は約６２であ
り、また銅箔の密着性も実用上支障のないものであっ
た。ちなみに、接着剤分を加味すると、この場合の誘電
体基板中の誘電体粉末の割合は約７５％になり、前述し
たように樹脂を均一に拡散させたものでは、誘電体粉末
をこのような高い割合にすることは銅箔の密着性の点で
不可能であった。
【００４４】なお、上記各接着剤３０の代わりに樹脂フ
ィルムを用いて、これを図９に示すように重ねて加圧加
熱して一体化しても良く、この場合でも樹脂フィルムが
溶けて誘電体基板３２内に染み込むので、接着剤を用い
る場合と同様の効果を得ることができる。この樹脂フィ
ルムには、例えばエポキシ樹脂フィルムやポリイミドフ
ィルム等を用いることができる。またこの樹脂フィルム
は、あまり厚いと誘電体基板３２の表面での残存量が多
くなり誘電率低下の原因になるので、例えば５０μｍ以
下の薄いものを用いるのが好ましい。
【００４５】また、上記接着剤を用いる方法および樹脂
フィルムを用いる方法のいずれの場合も、一方の銅箔１
４または両方の銅箔１４の誘電体基板３２側の面に抵抗
体薄膜を付着させておいても良く、そのようにすれば前
述したような、コンデンサの他に抵抗をも内蔵させたコ
ンデンサ内蔵型配線基板を得ることができる。この抵抗
体薄膜の種類は前述のとおりである。
【００４６】この発明に係るコンデンサ内蔵型配線基板
の更に他の実験結果の例を示すと、通常、基板用として
使用されるエポキシ樹脂の分子量はたかだか２５００以
下であるが、エポキシ樹脂の中でも、特に分子量が５０
００以上の高分子量のものを用いることにより、誘電体
粉末の充填量が増え、その結果、誘電体基板の誘電率を
大きくすることが可能となった。エポキシ樹脂の分子量
の違いによる誘電率の差は殆どない。ところが、分子量
が５０００以上のものは、その長い直鎖状高分子によっ
て、誘電体粉末との濡れ性が良好となり、粉末の分散性
を向上させることができる。このような結果が得られる
のは、エポキシ樹脂量を少なくしても、高分散された各
誘電体粉末表面を硬化性の薄層樹脂で被覆することにな
るため、複合材料として実用上問題のない基板強度が得
られ、銅箔との密着性を損なうことが少なくなると考え
られる。以下に具体的な実験結果を示す。
【００４７】高分子エポキシ樹脂として分子量が約５７
００のものを用い（例えば、商品名エピコート１００９
−油化シェルエポキシ株式会社製）、硬化剤、硬化促進
剤を含めた樹脂分が２０％、誘電体粉末として誘電率が
約２０００のチタン酸バリウム８０％の混和物を十分に
溶融混練し、その後粉末化した。次に２枚の銅箔の間に
準備した粉末を挟み、真空中で加熱、加圧成型し、厚み
０．３ｍｍの両面銅張りのコンデンサ内蔵型配線基板を
作製した。得られた基板の誘電率は１２０であり、銅箔
との密着性も実用上支障のないものであった。
【００４８】
【発明の効果】以上のようにこの発明のコンデンサ内蔵
型配線基板は、両面の導体がエッチング可能であり、
コンデンサの容量を大容量から小容量まで自由に選ぶ
ことができ、ある程度の可撓性を有しており、広い
範囲に亘ってピンホールや欠陥が無い、という優れた性
能を有している。従ってこのようなコンデンサ内蔵型配
線基板によれば、従来のコンデンサと違って、ユーザに
おいて内部にコンデンサを自由な容量、数、接続等で形
成することができ、しかも配置場所も自由になるので、
電子回路設計の自由度が飛躍的に向上する。
【００４９】また、抵抗体薄膜を設けたコンデンサ内蔵
型配線基板によれば、上記のようなコンデンサ内蔵の利
点に加えて、抵抗体に関しても、マウンティングおよ
び半田接続等の工数が不要になる、半田接続の減少に
より信頼性が向上する、配置が自由になる、コンデ
ンサ等との配線距離を最短にして高周波特性を向上させ
ることができる、等の利点が得られ、電子回路設計の自
由度が更に飛躍的に向上する。
【００５０】また、誘電体基板内における樹脂の割合を
中央部で小さく両主面に近づくほど大きくしたコンデン
サ内蔵型配線基板によれば、樹脂を均一に拡散させたも
のに比べて全体としてみれば樹脂の割合を小さく、即ち
誘電体粉末の割合を大きくすることができ、その結果よ
り大きな誘電率を得ることができる。しかも、銅箔の接
着に必要な両主面では樹脂の割合が大きいので、誘電体
基板に対する銅箔の密着性も高くなる。
【００５１】またこの発明の製造方法によれば、加圧加
熱によって接着剤あるいは樹脂フィルムが溶けてそれが
誘電体基板内にその両主面側から染み込むので、誘電体
基板内における樹脂の割合を中央部で小さく両主面に近
づくほど大きくすることができ、従って誘電体基板の誘
電率がより大きくしかも銅箔の密着性の高いコンデンサ
内蔵型配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明に係るコンデンサ内蔵型配線基板の
一例を部分的に示す断面図である。
【図２】 図１のコンデンサ内蔵型配線基板の使用例を
部分的に示す断面図である。
【図３】 図２のコンデンサ内蔵型配線基板の使用例を
部分的に示す断面図である。
【図４】 この発明に係るコンデンサ内蔵型配線基板の
他の例を部分的に示す断面図である。
【図５】 図４のコンデンサ内蔵型配線基板の使用例を
部分的に示す断面図である。
【図６】 この発明に係るコンデンサ内蔵型配線基板の
更に他の例を部分的に示す断面図である。
【図７】 この発明に係るコンデンサ内蔵型配線基板の
更に他の例を部分的に示す断面図である。
【図８】 この発明に係るコンデンサ内蔵型配線基板の
更に他の例を部分的に示す断面図である。
【図９】 この発明に係る製造方法の一例を説明するた
めの図である。
【符号の説明】
２ 誘電体基板 ４ 導体 ８ 抵抗体薄膜 １２ 誘電体層 １４ 銅箔 １６ 銅薄膜 ２２ 誘電体基板 ３０ 接着剤 ３２ 誘電体基板

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 誘電体粉末と樹脂とを混合して成る誘電
    体基板と、この誘電体基板の両主面に設けられた導体と
    を備えることを特徴とするコンデンサ内蔵型配線基板。
  2. 【請求項２】 前記導体として、前記誘電体基板の両主
    面に銅箔を貼り合わせている請求項１記載のコンデンサ
    内蔵型配線基板。
  3. 【請求項３】 前記導体として、前記誘電体基板の一方
    の主面に銅箔を貼り合わせ、他方の主面に銅薄膜を付着
    させている請求項１記載のコンデンサ内蔵型配線基板。
  4. 【請求項４】 前記導体として、前記誘電体基板の両主
    面に銅薄膜を付着させている請求項１記載のコンデンサ
    内蔵型配線基板。
  5. 【請求項５】 前記誘電体基板とその少なくとも一方の
    主面側の導体との間に、抵抗体薄膜を介在させている請
    求項１ないし４のいずれかに記載のコンデンサ内蔵型配
    線基板。
  6. 【請求項６】 銅箔と、この銅箔の一方の主面に設けら
    れていて誘電体粉末と樹脂との混合物から成る誘電体層
    と、この誘電体層上に付着された銅薄膜とを備えること
    を特徴とするコンデンサ内蔵型配線基板。
  7. 【請求項７】 前記銅箔と誘電体層との間および誘電体
    層と銅薄膜との間の少なくとも一方に、抵抗体薄膜を介
    在させている請求項６記載のコンデンサ内蔵型配線基
    板。
  8. 【請求項８】 第１の銅箔と、この銅箔の一方の主面に
    設けられていて誘電体粉末と樹脂との混合物から成る誘
    電体層と、この誘電体層上に貼り合わされた第２の銅箔
    とを備えることを特徴とするコンデンサ内蔵型配線基
    板。
  9. 【請求項９】 前記誘電体層と少なくとも一方の銅箔と
    の間に、抵抗体薄膜を介在させている請求項８記載のコ
    ンデンサ内蔵型配線基板。
  10. 【請求項１０】 誘電体粉末と樹脂とを混合して成る誘
    電体基板であってその内部における樹脂の割合を中央部
    で小さく両主面に近づくほど大きくしたものと、この誘
    電体基板の両主面に貼り合わされた銅箔とを備えること
    を特徴とするコンデンサ内蔵型配線基板。
  11. 【請求項１１】 前記誘電体基板とその少なくとも一方
    の主面側の銅箔との間に抵抗体薄膜を介在させている請
    求項１０記載のコンデンサ内蔵型配線基板。
  12. 【請求項１２】 誘電体粉末または誘電体粉末に樹脂を
    混入させたものを真空中で板状に成形して誘電体基板を
    作り、この誘電体基板の両主面に樹脂から成る接着剤を
    介在させて銅箔を重ね、そしてこれらを一緒に加圧加熱
    して一体化することを特徴とするコンデンサ内蔵型配線
    基板の製造方法。
  13. 【請求項１３】 誘電体粉末または誘電体粉末に樹脂を
    混入したものを真空中で板状に成形して誘電体基板を作
    り、銅箔、樹脂フィルム、前記誘電体基板、樹脂フィル
    ムおよび銅箔をこの順に重ね、そしてこれらを一緒に加
    圧加熱して一体化することを特徴とするコンデンサ内蔵
    型配線基板の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記２枚の銅箔の内の少なくとも一方
    の銅箔の誘電体基板側の面に抵抗体薄膜を付着させてお
    く請求項１２または１３記載のコンデンサ内蔵型配線基
    板の製造方法。
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