JPS58180013A - プリント回路における厚膜コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ＋発明の技術分野 この発明はプリント回路の技術で作られる厚膜コンデン
サおよびこの種のコンデンサであって、各コンデンサの
端子あるいは各コンデンサ間を接続する導電路を組込ん
でなるプリント回路とこれらの製法に関する。

従来技術 簡単かつ安価に作れるコンデンサは以前から、′時ニグ
リ／ト回路に使用するだめに、待望されＣいる。最近で
はデータ処理装置において容量性結合を利用したキーボ
ードが出現するに及んでこのような要望はますます強く
なった。西独公開特許第２７４４２２６号公報には、こ
のような個所に使用する容量結合性のキースインチにつ
いて記載されている。しかし、この場合のコンデンサは
従来通り相互に動くメカニックな構造を備えている。

プリント回路の分野においてコンデ／すが広く用いられ
ていることは周知である。西独公開特許第２８４１７４
２号公報には容量（キヤ・くシティ）に関する回路網が
、特に電圧増倍回路における容量従続装置として使用さ
れるものが、記載されている。このものでは、コンデン
サの誘電体が形成された基板の上に金属層がプリントさ
れており、この層はコンデンサの電極や接続端子として
機能する。誘電体の板やプリントによる金属層を積層し
たり、個々の層を適宜接続するためにメタライジングし
たりしてノシラレルあるいはシリーズに構成された積層
構造のコンデンサを得ることができる。このよく知られ
た構成法、すなわちコンデンサの誘電体として誘電体板
を使用するものは、基板あるいは支持仮トヘ全ての電子
部品を殆んどプリントで形成するプリント回路で用いる
には適してい々い。

このことは従来のコンデンサ構成法においても同じであ
って、このものではコンデンサ′鑞極として金属板を用
いるので、殆んどプリントやエツチングで形成されるプ
リント回路の技術にうまく適合しない。

西独公開特許第２１３２９’　３５号公報には、プリン
ト方法で製造できるコンデンサが記載されている。この
製法では支持板上に銀ペーストをコンデン−す電極とし
てプリントした後、担体を加熱して蒸発させる。そして
、この上にプリント可能な誘電体、これはガラスあるい
はセラミックのプリントを例えばテレピン油と液状エチ
ルセルローズの混合物のような担体に混合し／“こもの
であるが、を厚膜誘電体として積み重ね、ついで８００
℃〜１０００℃で加熱する。このようにしてできた誘電
体の上にさらにコンデンサ電極用の銀ペーストを積み重
ね、７８０℃以下で加熱する。

このよく知られたいわゆる厚膜コンデンサの構成法は次
のような欠点を有している。すなわち、加熱温度がほぼ
１０００℃と比較的高いため耐熱性の支持体が例えばＡ
ｔ２０３　　に限定されてしまう。このものは、また、
利用できる有効面積に制限がある。つまｐ　ｈｔ２ｏ３
　から作られた耐熱性支持体は、比較的多数のコンデン
サおよびこれらに関する端子と導電路を備えた大きな面
積の入力用キーボードとして必要となる大きな面積を平
らに形成することができないし、また、利用が困難なほ
どに高価である。コンデンサ電極を銀ペーストからプリ
ントと加熱手段で作製すると、加熱中やあるいは動作状
態時に銀が拡散する危険本銀ペーストでメタライジング
した個所は半田付ができないという欠点を有している。

本発明の梗概 この発明は、プリント回路の技術で厚模コ／テンプを作
ることであり、その製造方法において、１０００℃の大
台に乗る高温の加熱は必要でなく、また、プリント回路
の製造工程へ組込むのに一層適したものである。特に、
この発明によれば、前記のコンデンサを多数、プリント
回路の技術分野において、大面積の支持板上に適用する
ことができる。これは例えばデータ処理装置の容ｌ結合
性の入力キーボードにおいて必蟹となるものである。前
記コンデンサあるいは相互に導電路で結合された多数の
コンデンサの一群を含んだプリント回路は、実際上は専
らシルクスクリーンによる層形成工程（場合によ′つて
は選択的なエツチング手段）で形成される。

また、コンデンサの上部電極および導電端子は経済性か
らあるいは直接に半田付けが可能なように特に銅まだは
ニッケルによるメタライジングとして形成される。

したがって、この発明は、基板あるいは支持板上に設け
られた固定電極、この上へ特にシルクスクリーン法でプ
リントされだ厚膜誘電体および固定電極に対応させて配
置された対向電極からなる、プリント回路技術内におけ
る厚膜コンデンサに関する。

このような発明の課題は、誘電体を混入しシルクスクリ
ーンでプリント可能な混練物からなる誘電体を比較的低
温で硬化する高分子材料から形成することで解決されて
いる。厚膜誘電体は特に誘電体の混入比７．０〜９０％
（重量比）、ポリマー材１０〜３０％（同）とした混線
物から々る。ポリマー材としてはポリウレタン、ポリエ
ステルあるいはエポキシあるいはメラミン樹脂のグルー
プから一つまだは複数の合成樹脂が選定される。誘電性
の混入物としては、ＺｎＯ。

Ａ１２０Ｂ、　５ｒＴｉ０３　、　ＢａＴｉＯ３あるい
はセラミックを基材とするもの、の一つあるいは複数が
選択される。

この発明が基本とするところは、コンデンサ誘電体を、
比較（的低温で硬化するポリマー材をペースとし、シル
クスクリーンでプリント可能な厚膜ペーストで作り、１
０００℃の大台に乗るようなυ０熱処理温度を除去した
ことである。

この発明の目的に清って採用する合成樹脂は１３０℃の
高温側、特にほぼ１５０℃〜２５０℃の間の温度で硬化
するものである。したがって、基板としてプリント回路
用として普通に用いら７ｔｑる通常の硬質紙、合成樹脂
あるいは箔を用いることが可能である。これは西独公開
特許第２１３２９３５号公報において開示されている、
誘電体がガラスまたはセラミックフリットで形成され；
そ厚膜コンデンサ用のセラミック基板の場合とは異なる
。また、コンデンサを備えた比較的大面積のプリント回
路を製造することが可能となり、特にデータ処理装置に
おける入力機構の容量結合性キーボードの製作が可能と
なる。

イ＼発明によれば、厚膜誘電体の結合材として使１（１
される合成樹脂は、周知のガラスまたはセラミックフリ
ットを用いた厚膜誘電体における結ｉ’Ｆ　Ａ＝４より
安価である。さらに、格段に低い温度で硬化が行なわれ
ることは著るしい省エネルギーとなるし、１０００℃も
の加熱処理による高温の影響を避は難く結果として本発
明におけるようなコンデンサをプリント回路中に組み込
むことを妨げているプリント回路における他の部分の損
耗を確実に除去することができる。

コンデンサの下部ある騎は固定電極および場合によって
はこれに付属した導電路の製作は基板の金属被覆層を選
択的エツチングする通常の基板処理技術によるかあるい
は導電ペースト、特に金、銀ペーストで希埴のレイアウ
トに直接プリントすることによる。本発明の特に好しい
実施態様では、コンデンサの固定電極や場合によってそ
の付属する導電路は還元融媒を含有した、シルクスクリ
ーンによるプリント層を化学的に還元した金属面であり
、このメタライジング面は銅もしくはニッケルからなる
。前記の活性基部層上に還元で形成された金属面は完全
な半田付けが可能であり、例えばチップ部品を直接に接
続できる。このようにして得られた金属層（コンデンサ
電極および／あるいは導電路）はその基部層に確固とし
て保持されており、まタ、パラジウム、金、銀あるいは
ケルメツトのペーストをプリントして作られた電極もし
くは導電路より経済的である。

上記に対応してコンデンサの対向電極すなわち−Ｆ部電
極が、場合によってはその導電路も含めて、還元による
析出金属として第２の誘電体層上に形成される。第２の
誘電体は還元用の触媒を含んだもので第１の誘電体に重
ねて形成さＪｌだものである。すなわち、本発明の好し
い実施態様では１．第１の誘電体層上に、これが硬化し
た後シルクスクリーン法で、コンデンサの対向電極とし
て、場合によってはその導電路も含、Ｖ）での、希望す
るレイアウトで同様な第２の誘１に体層をプリントする
。この第２の誘電体層は層を還元によってメタライジン
グするのに有効な触媒を含有している。そして、この第
２の誘電体層は化学的な処理液槽（化学浴）で処理さｔ
１メタライジングされ、コンデンサの対向電極五その接
続用導電路が形成される。

前記したコンデンサの対向電極（場合によってはその導
電路も含めて）を還元析出にて形成するだめの基材とな
る第２の誘電体層は第１の誘電体層と同じ、もしくは類
似の組成でよいが、触媒としてパラジウムあるいは還元
可能なパラジウム化合物、例えばＰｄ　Ｏ１２を含有し
ている。

第１の誘電体層は実質的に完全なモ面に形成されること
が好しい。すなわち、コンデンサ領域、第１の導電面（
下部導電面）の導電路および両者間の間隙にわたって平
らにプリントされる。したがってその際、必要とあれば
コンデンサ領域以外の個所には、誘電率の低い誘電体ペ
ースト、例えば誘電率の低いＡｔ２０３．　Ｍ！ｉ’ｏ
あるいはセラミックを基材とした誘電性混入物を用いる
。このことは第２の誘電体層をプリント形成する際も同
じである。

本発明が、多数のこのようなコンデンサとこれに関する
接続用端子あるいは結線用導電路を含めた導電路をし体
に形成したプリント回路としての形態をとる場合、プリ
ント回路は、コンデンサの固定電極と対向電極と同じ形
成面にそＦｌそれ接続用端子や結線用を含めた導電路が
形成される。そしてこの場合、コンデンサと導電路の製
作は完全に一体化した一元的な方法で達成される。

本発明は、データ処理装置の入力機構における容量結合
性のキーボードとして組立てられる、多数のコンデンサ
を備えたプリント回路に対し、好適に用いることができ
る。この場合、コンデンサはマトリクス（格子様）に配
置ぞれ、そのコンデ／すの対向電極はこれが属する同じ
形成面の接続端子で直接に結合されているのではなく、
これらにスイッチ機能を有する橋絡接点を介して選択的
に接続されるようになっている。

’＋！＋　、？′ｆ請求の範囲第１５頃、第１６項はこ
の種の実施態様の詳細を要旨としている。この発明は目
り作に高い信頼性をもつ容量結合性の入カスイノｆ機構
を製造する簡素で安価な手段を提供し、時々のスイッチ
部分におけるコンデンサ容量は１′（１実に設定されて
おり、それらのスイッチを操１′１するとスイッチング
のＯＮ　−ＯＦＦ状況が転換する。

実施例の説明 以下、図示の実施例に基づいて説明する。第１図の各図
はこの発明による厚膜コンデンサとその付属導電路のプ
リント回路技術による製造法を種々の連続した製造過程
に対応させて説明したものであり、例示的にコンデンサ
のマトリクス配置をデータ処理装置の入力機構における
容量結合性のキーボードに採用されたものを示したもの
である。

まず、硬質紙やポリエステルあるいはポリイミド箔など
から成る基板すなわち支持板１上にコンデンサの電極つ
まり付着物とこれに付属する結合用とリード線としての
導電路が形成される。これは図示した１ａ、１ｂの二過
程で行なわれる。１ａ図の過程では、基板１上にシルク
スクリーン法で金属を還元析出できるペースト２がコン
デンサ領域３と導電路領域４として定められたレイアウ
トに沿ってブクト／される。

１ｂ図に示す第２の過程では、ペースト２がイヒ学浴で
図中の記号５で示すように還元金属化さｔｒ　ル。コレ
らの例えば銅またはニッケルからなり半田付けが可能な
メタライジングはコンデンサ用電極においてはコンデン
サ用固定電極Ｃ１を導電路領域では導電路Ｌ１となる。

これに対し、コンデンサ電極Ｃ，と導電路り、の形成を
１ａ、Ｉｂ図に示す二過程によるものに換え、第１図の
領域２，３に導電性ペーストを直接プリントするという
一過程で行うこともできる。この場合、ニッケルあるい
は銀のペーストが問題となる。すなわち、以後の製造過
程やこの種のものを組込んだ回路構成の動作中において
銀が拡散する危険がある。また導電性ペースト、特に銀
ペーストで作られた導電路にはその′ままでは半田付が
不可である。領域３にコンデンサ電極を領域４に導電路
を形成するにはさＣ〕に他の方法がある。すなわち、基
板形成の技術を使用して、支持基板上の完全に平らな例
え：ず銅のような金属被膜から例えば光学的プリン１−
　ｄ、を用いたフォトレジスト用エツチングマスクによ
る選択的エツチングでコンデンサ用電極Ｃ１と導電路Ｌ
１を形成する。

１０図は次の重要な過程を示しコンデンサ用の誘電体層
を形成する。図示した実施例では全ての回路が完全にシ
ルクスクリーン法でプリント可能な誘電物質で覆われて
いる。本発明で基本とするところは、例えばＺｎ、Ｏ、
Ａｔ２０３．５ｒＴｉ０３あるいはＢａＴｉＯ３のよう
な誘電体粒子と例えば、ポリウレタンや他の合成樹脂す
なわち、例えばポリエステル、エポキシ樹脂、メラミン
樹脂との混合物であるシルクスクリーンでプリン）ＥＴ
能な物質を用いることである。１０図に示すように、コ
ンデンサ領域５や導電領域４およびこれらの間の間隙は
同様に誘電体物質でほぼ平らに覆われる。あるいは、コ
ンデンサ領域３にのみ誘電体をプリントし、導電路面お
よび／あるいは両者間の間隙には、表面を一様な平坦面
とし絶縁体として（機能する他のペースト、好しくけ誘
電率の小さなものがプリントされる。導電路の固有容量
はできるだけ減少させるべきであるし、また、０Ｎ−Ｏ
ＦＦ動作として希望する応答性を得るにはできるだけ大
きな電圧差の得られることが好しいからである。

本発明において、誘電体として使用された合成樹脂を基
材とする混合物は、比較的低い１５０℃〜２３０℃の温
度領域で硬化し、このことは、セラミックあるいはガラ
スフワットペーストかＣつ作られた、加熱処理に１００
０℃を要する周相Ｏケルメソトコンデンザに対し、実質
的な利点を有し、特に通常の安価で強靭な基板粉料を）
１］いることができる。

ついで、第２の電極すなわち、コンデンサにおける上方
電極の製作にあって、これはこの電（全に関するリード
線や結線用導電路をもつ第２の導電面と共に作られるこ
とが有利である。こ７′１は実施例においては１ｄ、Ｉ
ｅ図に示すよう（ζ、二つの過程を得て達成される。１
ａ図によると、捷ず、第２の誘電体層８が第２の導電面
１−のコンデンサ領域６および導電路領域９とな、ｂよ
う、光に得られた誘電体層６（１０図）に、必要とする
レイアラ）Ｋ従ってシルクスクリーンによりプリントさ
れる（図示した実施例において第２の導電路領域９は図
を簡素にするため下方の導電面における導電路領域４と
重ねである）。誘電体層８は、誘電体層６と同じあるい
は類似の組成でよいが、パラジウムをベースとした活性
剤を含有し、これによって第２の誘電体層８は化学的に
メタライジングされるという差異がある。メタライジン
グ用活性剤すなわち触媒としては、金属パラジウムを誘
電体物質８中に０．１％含有させるかあるいはＰｄＣｌ
２のようなパラジウム化合体が好しい。パラジウム化合
体を用いる場合は、プリント層の加熱処理後化学浴など
の適宜な手段で金属パラジウムに変化させる必要がある
。これは、次の過程である化学浴によるメタライジング
において第２の誘電体層に所定の活性を確実に持たせる
ためである。

第２の前記触媒を含有した誘電体層８の硬化後、この硬
化は比較的低い１５０℃〜２３０℃の範囲で達成される
が、１０図に示す次の過程でこの第２誘電体層８は他に
何らの準備も要せず（当初に触媒として金属パラジウム
を混入している場合）、あるいは前記の化学的な還元処
理の後に（当初に触媒成分としてパラジウム化に物を用
いている場合）Ｉｅ図に記号１ｏで示１ように化学浴で
メタライジングされる。このようにして、コンデンサ領
域３に第２のあるいはＥ方の電極Ｃ２が、また、導電路
領域９に第２の導電面における導電路Ｌ２が形成される
。

ｉａ、Ｉｂ図に示された、コンデンサの下方＋［極およ
び下方の導電面における導電路Ｌ１の製作と同様に上方
の電極Ｃ２および上方の導電路Ｌ２の製作において、１
ｄ図のコンデンサ領域６のプリント層（被覆）と導電路
領域９の（化学的なメタライジングに有効な）誘電物質
を含有し／こプリント層とは誘電率を異ならせることが
で久る。他の手段によればコンデンサ電極Ｃ２および上
方の導電面Ｌ２の製作を、前記の化学的なメタライジン
グに至る１ｄ、Ｉｅ図に示すような一段階方式に換えて
、導電性のシルクスクリーンによるプリント可能なペー
スト、例えば銀ペーストあるいはニッケルペーストをプ
リントすることにより一段階で達成することができる。

しかしながら、この場合、銀が不測に拡散するという難
点があり、また、このようにして形成された金属層はそ
のままで半田付けできないという欠点を有する。

１０図の状態で厚膜コンデンサとこれに関連したリード
用あるいは結線用の導電路の製作は終了する。コンデン
サ領域ｃ２と導電路Ｌ２間の間隙は例えば誘電率が同じ
か異なる（小さい）同様のシルクスクリーン用ペースト
で覆われる。

これにより、実際上平らな表面が得られ、金属層１０の
厚さを１０μｍ　の程度とできる。さらに絶縁塗料が保
護と固定用の層として平らに（接続端子をうまく利用し
て）施こされる。

任意に交叉が可能な導電面Ｌｌ、Ｌ２における二つの導
電路を周卸のスルーホール方式で絶縁体である誘電体層
８，６を貫通して接続することが可能である。さらに、
スルーホールによる接続は基板もしくは支持板１を貫通
して行うことができる。例えば、基板の両面に配された
電子回路を接続する場合である。このようなスルーポー
ルによる接続は導電路Ｌｌ、Ｌ２間であっても基板１の
両面にわたるものであっても、前記の実施例で採用した
コンデンサ電極と導電路を製・ｆ′１する際のメタライ
ジング用の化学浴と一体的に（同時に）行うのが特に有
利である。

コンデンサ電極や導電路を作るだめに採用さハた前記の
化学的なメタライジングによる金属層は、完全な半田付
けが可能であり、チップと１、′１″接に接続できる。

化学的なメタライジングで得られた金属層はまた、これ
を有している誘電体層と、製造法に基づく、直接的で緊
密な接触が原因の良好な定着力を有しているとの利点も
（１１ｈえる。

１ｆ図には、さらに他の実施例が、本発明による厚膜コ
ンデンサがデータ処理装置における人力機構の容量結合
性キーボードへの特別な適用とその結果の構成として開
示されており、これはこの発明を適用してプリント回路
技術で作られたコンデンサの好しい適用分野を示してい
る。

このように適用する場合は非常に多数のコンデンサ領域
３を必要とし、これらは、入力機構のキーボードにおい
て普通のマトリックスに配置される。このような特別の
適用例では、上部形成面におけるコンデンサ電極Ｃ２と
導電路Ｌ２間の間隙はそのままとされ、コンデンサ電極
Ｃ２に対するそれぞれの接続端子Ｌ２は両者が直接に接
続されることはない。個々のコンデンサの選択的なＯＮ
　−ＯＦＦは外部から操作可能な橋絡接点板で行う。１
ｆ図に示すように下方の第１誘電体層６上でコンデンサ
領域３と上方の導電面における導電路Ｌ２間（但し、−
組のコンデンサ電極Ｃ２とこれに属する接続端子５２間
ではなく）の適宜個所に支持機構１１を配する。ここで
は橋絡されるコンデンサＣ２と接続端子Ｌ２の粗間の領
域に対応した断面を持つ一枚のスペーサが好しい。

このスペーサ１１は例えばポリエチレンあるいはポリエ
ステル箔である。そして、このスペーツ１１上にこれら
に支えられてマトリクス構成部分の全部を覆う外部被覆
１２が配される。この被覆は、その下面でスペーサ１１
の空間に対し１１、した領域にそれぞれのコンデンサ電
極とその（ｉζ続端子Ｌ２に対面した金属性の橋絡接点
板１６、例えばニッケル、銀、好しくは金製のものをプ
リントにより備えている。外部被覆１２も！！、たド゛
リエチレンあるいはポリエステルで構成されるつ；、特
に高温下で使用する場合にはポリイミド等も用いられる
。スペーサ１１の高さく膜厚）は、橋絡接点板１３を非
操作時にはコンデンサ′Ｊ：　ｉｆ　Ｃ２とその接続端
子Ｌ２から離しておく程度の・ものとする。外部被覆１
２を押圧すると、それそ１れの成極１３に対応した領域
において、対向１、て−組となったコンデンサＣ２，Ｃ
１は回路にスイッチ・オンし、解放するとオフする。こ
のような容量結合性キイーボードの構成は、個々のスイ
ッチに配された容量（キャパシティ）が固、ゼされてお
り、それぞれのスイッチを操作するだけでＯＮ　−ＯＦ
Ｆが行なわれるという利点がある。

このようにすると、容量の誤差が僅少に抑えられ、個々
のこれまで記述してきた構成でプリント回路技術で作ら
れるコンデンサは比較的高い精度をもっているし、個々
のコンデンサにおける完全なＯＮ　−ＯＦＦはスイッチ
の応答性として機能する。操作キイーを操作してコンデ
ンサをオンするとその応答として容量が大きく変化する
。

これは特に、コンデンサ領域以外の個所に低誘電率の誘
電体ペーストを有するものが大きく変化する。

第２図は、この種の容量結合性入力機構の典型的な利用
状況を示すもので、デコーダを備えてデータを出力する
ブロック図としている。記号１４はデコーダを１５はマ
ルチプレクサ回路を示し、マルチプレクサは容量性イン
ターフェース装置１６を介してデコーダと接続している
。

記号１７は容量結合性キーボードを示し、本発明の実施
態−としそ形成され得るものである。記号１８はデータ
の出力部を示し、装置全体の各部におけるデータや処理
の流れは矢印で示されている。

この発明は、好しい実施例をもとにして説明してきたが
、本発明の要旨を変更することなくｆ？々に変形が可能
である。本発明の基本的な技術顕想は、コンデンサを、
プリント回路に適合する厚膜プリント技術で製造するこ
とであり、比較的低い温度が硬化する合成樹脂を基材と
したンルクスクリーンで印刷可能な誘電体物質を用い、
コンデンサ電極や導電路を触媒を含有した誘電体層を利
用して化学的なメタライジングで製作することを組込ん
だものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ｌａ図〜１ｆ図） 容量結合性のキーボード用として形成された実施例を断
面にて示すもので、各図は製造工程順である。 第２図 データ出力部をもつデコーダで容量結合性の入力機構を
備えたものを、本発明の適用例として、ブロック図にて
示す。 １：基板 ２．８：メタライジング用ペースト ６：コンデンサ領域 ４：導電路領域 ５．１０　：金属層（メタライジング層）Ｃ１：固定電
極 Ｃ２：対向電極 ６：被覆層 ＬＩ＋”２　　’導電路 特許庁長官　若杉和夫　　殿 １．　４Ｊｊ件の表示 昭和タフ年特許願第　７９３５３７号 ２、　発明の名称 ；（、補正をする者 事件との関係　　出願人 １１１ｉ　　東京都港区虎）門二丁目８番１号（虎の門
・ト気ヒル）：；　−ｈｌｉ　＋Ｅ命令の１−１附 昭和５８年　２月　２日 ７　補ｉＥの山谷 別キＪ（の通り ４、図面の簡単な説明 第４＝＠−＋１ａ図〜１ｆ図十 容量結合性のキーボード用として形成された実施例を断
面にて示すもので、各図は製造工程順である。 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　プリント回路における厚膜コンデンサであっ
   て、基板上に固定電極を配し、その上に特にメルクスク
   リーン法で厚膜誘電体とさらにその上に固定電極と対応
   させた対向電極を有しており、 前記誘電体（６）が比較的低温で硬化するポリマー材中
   に誘電性の混入物を分散させ、かつ、メルクスクリーン
   法でブリット可能なも・ｙノであることを特徴としたも
   の。 （２、特許請求の範囲第１項に記載したコンデン・Ｊで
   あって、厚膜誘電体は７０〜９０％（重：１４比）の誘
   電性混入物と５０〜１０％（重量」Ｉ）のポリマー材と
   からなる混合物であるこノニを′Ｆ！ｆ敵としたもの。 （、（）　　特許請求の範囲第１項または第２項に記載
   （だコンデンサであって、厚膜１ｉＰｊ’４体（６）は
   誘電性混入物としてＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、５ｒＴｉ０３
   　。 ＢａＴｉＯ３あるいはセラミックを基材としだもののグ
   ループから１つまたは複数を採用していることを特徴と
   したもの。 （４）特許請求の範囲第１項、第２２項または第３項の
   いずれかに記載のコンデンサであって、厚膜誘電体がポ
   リマー材として、ポリウレタン、ポリエステル、エポキ
   シ、メラミンの各合成樹脂のグループから１つまたは複
   数の合成樹脂を採用していることを特徴としたもの。 （５）特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに
   記載したコンデンサの１つまたは複数とこれらのコンデ
   ンサに関連した接続用端子および結線用の導電路を備え
   だプリント回路であって、 コンデンサ領域（３）以外の個所（４，７）をコンデン
   サの厚膜誘電体より誘電率が低い物質で充てんしてなる
   ことを特徴としたもの。 （６）特許請求の範囲第５項に記載したプリント回路で
   あって、コンデンサ領域以外の個所を、有機的なラック
   もしくは樹脂中に低誘電率の物質を分散させた混合物で
   充てんしてなることを特徴としたもの。 （７）特許請求の範囲第６項に記載したプリント回路で
   あって、コンデンサ領域以外の個所が、低誘電率のＡｚ
   ２ｏ３．　ＭｒＯあるいはセラミックを基材としたもの
   のグループから珠用した１つ−または複数の混入物を保
   有していることを特徴としたもの。 （８）特許請求の範囲第５項、第６項または第７項のい
   ずれかに記載したプリント回路であって、コンデンサの
   固定電極（（！＋）および対向電極（Ｃ２）が属するそ
   れぞれの形成面に、これらコンデンサに付属する接続端
   子および結線用の導電路を含めた導電路（Ｌｌ　ｒ　Ｌ
   ２　）が配されていることを特徴としたもの。 （９）　特許請求の範囲第１項ないし第８項のいずハか
   一つに記載した、厚膜コンデンサまたはこれらコンデン
   サの複数とこれらに付属した導電路を備えたプリント回
   路であって、コンデ／すの固定電極（Ｃ１）と場合によ
   ってはこれに付属する導電路（Ｌｌ）が化学的なメタラ
   イジングに機能する触媒を含有している、シルクスクリ
   ーンでプリントした層（２）上に形成された［ヒ学的な
   析出による金属層（５，１ｂ図）であることを特徴とし
   たもの。 ００）特許請求の範囲第１項ないし第９項のいずれか一
   つに記載した、コンデンサまたはこれらコンデンサの複
   数とこれらに付属した導電路を有しているプリント回路
   であって、コンデンサの対向電極（Ｃ２）と場合によっ
   ては、これに付属した導電路（Ｌ２）が、第１の厚膜誘
   電体（６）上に位置し化学的なメタライジングに機能す
   る触媒を含有した誘電体層（８）上に形成された化学的
   な析出による金属層（１０）であることを特徴としたも
   の。 ０υ　特許請求の範囲第９項まだは第１０項のいずれか
   に記載Ｌｌたコンデンサおよびプリント回路であって、
   化学的にメタライ／フグが可能なシルクスクリーンでの
   プリントによる誘電体層（２あるいは６）が触媒として
   パラジウムあるいはパラジクム化合物を含有しているこ
   表を特徴としたもの。 （１２、特許請求の範囲第１項ないし第８項のいずｈか
   一つに記載した、コンデンサまだは複数のコンデンサと
   これらに付属した導電路を備えたプリント回路であって
   、 コンデンサの固定電極（Ｃ１）と／あるいは対向電極（
   Ｃ２）、および同様にこれらに付属した導電路（Ｌｘｌ
   　Ｌ２　）が導電性のシルクスクリーン用ペーストから
   形成されていることを特徴としたもの。 （１：３）　　特許請求の範囲第１項ないし第１２項の
   いずれか一つにおける、コンデンサまたはプリント回路
   であって、基板（１）が硬質紙やガラス繊維で強化した
   合成樹脂材、リドン、ポリエステルあるいはポリイミド
   箔または熱硬化性樹脂からなることを特徴としたもの。 （１１）特許請求の範囲第１項ないし第１６項のいずれ
   か一つに記載したプリント回路であって、データ処理装
   置の入力機構における容量結合性のキイーボードとして
   構成された多数のコンデンサを備え、 これらコンデンサ（０＋、２）はマトリクスに配置され
   ていること、対向電極（Ｃ２）は、これと同一形成面に
   ある接続用端子（Ｌ２）と直接には接続されておらず、
   これらに対してスイッチング操作が可能な橋絡電極（１
   ３）が選択的にスイッチング可能として配置されている
   こと、を特徴としたもの、（１ｆ図）。 （１５１特許請求の範囲第１４項に記載したプリント回
   路であって、マトリクスに配されたコンデンサ間の間隙
   にスペーサ（１１，１ｆ図）を有し、これは上方の対向
   電極（Ｃ２）およびこれに付属した導電路（Ｌ２）の上
   方へ突出し、これらの上には対向電極（Ｃ２）とこれに
   付属した接続端子（Ｌ２）とを結合するよう作動する橋
   絡接点板（１３）を備えた操作具（１２）が配されてい
   ること、を特徴としたもの。 （１６）特許請求の範囲第１５項に記載したプリント回
   路であって、スペーサはコンデンサ（０２）とこれに付
   属した接続端子（Ｌｌ）に対応した個所に四部を有する
   一枚の箔であること、および、橋絡接点の保持体が、ス
   ペーサ１１上に被覆されだ可撓性の膜体（１２）であシ
   、その下面に、スペーサ箔（１１）の四部で対向ミノ全
   （Ｃ２）とこれに付属した導電路（Ｌｌ）に対応した位
   置に橋絡電極としてのプリントされた金属層（１３）が
   配されていること、を特徴としたもの。 （１７）特許請求の範囲第５項ないし第１６項のいずれ
   か一つ、特に特許請求の範囲第８項に記載した、プリン
   ト回路であって、異なる形成面に位置した導電路（ＬＩ
   　ｒ　Ｌｌ　）間をスルーホールで結合したこと、を特
   徴としたもの。 １１８）特許請求の範囲第５項ないし第１７項のいずれ
   か一つに記載したプリント回路であって、基板の表裏に
   形成された回路を、基板を貫通するスルーホールで結合
   してなること、を特徴としたもの。 ０９）　　１つまたは複数の厚膜コンデンサとこれに付
   属した導電路を備えたプリント回路におけるプリント回
   路の技術による厚膜コンデンサの製造方法であって、基
   板上にコンデンサの固定電極がそれぞれのコンデンサに
   対応して設けられ、ついでこの電極上にシルクスクリー
   ン法で厚膜誘電体が設けられ、これの硬化後対向電極が
   前記の固定電極に対応して設けられるもので、 誘電体の層形成に、比較的低温で硬化するポリマー材中
   に誘電性混入物を分散させた、シルクスクリーンでプリ
   ント可能な混合物が用いられること、を特徴とした方法
   。 （２、特許請求の範囲第１９項に記載した方法であって
   、厚膜誘電体が誘電性混入物６０〜７０％（重量比）と
   ポリマー材３０〜１０％（重量比）の混合物から形成さ
   れることを特徴としたもの。　　（ （２、特許請求の範囲第１９項まだは第２０項のいずれ
   かに記載した方法であって、厚膜誘電体（６）を形成す
   るためのシルクスクリーンでプリント可能な混合物が、
   誘電性混入物としてＺｎＯ＋Ａ／’２０３．５ｒＴｉ０
   ３．ＢａＴｉＯ３あるいはセラミックを基材としたもの
   、のグループから１つまだは複数を保有していることを
   特徴としたもの。 （ン２、特許請求の範囲第１９項ないし第２１項のいず
   れか一つに記載した方法であって、厚膜誘電体（６）を
   形成するための、シルクスクリーンでプリント可能な混
   合物が、ポリマー材として、ポリウレタンポリエステル
   、エポキ／、メラミンの合成樹脂グループから１つまだ
   は複数を保有していることを特徴としたもの。 （２３＋　　特許請求の範囲第１９項ないし第２２項の
   いずれか一つに記載した方法であって、対向電極（Ｃ２
   ）および場合によってはこれに付属する導電路（Ｌｌ）
   を形成するために、第１の誘電体層（６）上に、これが
   硬化後、シルクスクリーン法でこれら対向電極および場
   合によってはこれに付属する導電路のために設定された
   レイアウトに従って第２の一同様な誘電体層（８）が設
   けられ、この層は化学的なメタライジングに機能する触
   媒を含有していること、 つづいてこの第２の誘電体層（８）は対向電極（Ｃ２）
   と導電路（Ｌｌ）を形成するため、化学浴でメタライジ
   ングされること（１０，１８図）、 を特徴とした方法。 （２４特許請求の範囲第１９項ないし第２５項のいずれ
   か一つに記載した方法であって、対向電極（Ｃ２）とこ
   れに付属する導電路（Ｌｌ）がシルクスクリーンでプリ
   ント可能な導電性ペーストを第１の誘電体層上にプリン
   トで形成すること、を特徴とした方法。 （２、特許請求の範囲第１９項ないし第２４項のいずれ
   か一つに記載した方法であって、コンデンサの固定電極
   （Ｃ１）およびこれに付属した導電路（Ｌｌ）を形成す
   るだめに、基板（１）上にとれら電極（Ｃ，）と導電路
   （ＬＩ）のためＱて設定されたレイアウトに従って、化
   学的なメタライジングに活性を示すペーストをシルクス
   クリーン法でプリントし、これの硬化後、前記電極と導
   電路を形成すべく化学〆谷でメタライジング（５）され
   る（Ｉａ図、１ｂ図）こと、を特徴とした方法。 １：４ｉｉ）　　特許請求の範囲第１９項ないし第２４
   項のいずれか一つに記載した方法であって、コンテ／す
   の固定電極（Ｃ０）とこれに付属する導電路（Ｌｌ）が
   基板上にシルクスクリーンでプリント可能な導電性ペー
   ストで、設定されたレイアウトに従って形成されること
   を特徴とした方法。 （２７１特許請求の範囲第１９項ないし第２４項のいｒ
   れか一つに記載した方法であって、コンデンサの固定電
   極（Ｃ１）とこれに付属する導電路（Ｌｌ）が基板の金
   属被覆層を選択的にエツチングする除去法で形成される
   こと、を特徴としンそ方法。 ＋２８１　　特許請求の範囲第１９項ないし第２７項の
   いずれか一つに記載した方法であって、誘電体層（６，
   １ｃ図；ｓ、１ａ図）は１３０℃以上、特に１５０〜２
   ３０℃間の領域における温度で硬化されること、を特徴
   とした方法。 （２９）厚膜によるコンデンサと、これに付属する導電
   路を包含したプリント回路の製造方法であって、次の工
   程からなることを特徴とするもの。 （ａ）基板上に、下方形成面におけるコンデンサ領域（
   ３，１ａ図）およびこれに付属した導電路（４）をこれ
   らに関するレイアウトに従って、特に化学的にメタライ
   ジングが可能なペースト（２）でシルクスクリーン法に
   よりプリントする（Ｉａ図）； （ｂ）　　プリントされたペーストは硬化後化学浴でメ
   タライジングされ、下方の導電面におけるコンデンサめ
   固定電極（Ｃ１）およびこれに付属する（導電路（Ｌ＋
   ）を形成する（１ｂ図） （Ｃ）形成された回路面を低い温度で硬化する誘電体層
   （６）で覆う。この層は誘電性混入物をポリマー材中に
   分散した混合物である。 また、コンデンサ（６）の領域以外の個所（４，７）で
   は誘電率の低い誘電体を用い得る（１１ニジ１）； （ｄ）誘電体層（６）を１６０℃以上、特に１５０℃〜
   ２６０℃の範囲における温度で硬化する；（θ）第１の
   誘′遊体層（６）上に、コンデンサ領域（ろ、１ｄ図）
   および第２の導電面において導電路となる領域（９）に
   第２の誘電体、１（８）ヲシルクスクリーン法でそのレ
   イアウトに従ってプリントする。第２の層（８）は化学
   的にメタライジングする際に機能する触媒を含何してい
   る（１ｄ図）。また、同様にコンデンサ領域（３）以外
   の個所は低い誘電率の誘電体層とすることができる：（
   ｆ）　　第２の誘電体層（８）を１６０℃以上、特に１
   ５０℃〜２３０℃の範囲における温度で１１更化する： （ｇ）第２の誘電体層（８）を化学浴でメタライジング
   しく１０．１ｅ図）、第２の導電面にコンデンサの対向
   電極（Ｃ２）とこれに付属する導電路（Ｌ２）を形成す
   る（１８図）。 （３０）特許請求の範囲第２９項に記載した方法であっ
   て、コンデンサ領域（６）における誘電体層（６，８１
   ｃ図、１ｄ図）が高い誘電率をもつＺｎＯ、Ａｔ２０３
   ．５ｒＴｉ０３　、　ＢａＴｉＯ３あるいはセラミック
   を基材としたもの、のグループから１つまたは複数の誘
   電性混入物を含有していること、を特徴とした方法。 （３１）特許請求の範囲第２９項または第３０項に記載
   した方法であって、誘電体層（６，８）がコンデンサ領
   域（３）以外の個所において、低い誘電率のＡｚ２ｏ３
   ．　ＭｆＯあるいはセラミックを基材としたもの、のグ
   ループから１つまたは複数の誘電性混入物を含有してい
   ること、を特徴とした方法。 （３２、特許請求の範囲第２９項ないし第６１項のいず
   れか一つに記載の方法であって、誘電体層（６，８）が
   誘電性混入物を、ポリウレタン、ポリエステル、エポキ
   シ、メラミンの合成樹脂のグループからの合成樹脂中に
   分散させていること、を特徴とした方法。 ・）、３）特許請求の範囲第２９項ないし第３２項のい
   ずれか一つに記載した方法であって、第２の、化学的に
   メタライジングの可能な誘電体層（８）が触媒としてパ
   ラジウムあるいは還元可能なパラジウム化合物を含有し
   ていることを特徴とした方法。