SE513875C2 - Elektrisk komponent samt ett flerlagrigt kretskort - Google Patents

Elektrisk komponent samt ett flerlagrigt kretskort

Info

Publication number
SE513875C2
SE513875C2 SE9802157A SE9802157A SE513875C2 SE 513875 C2 SE513875 C2 SE 513875C2 SE 9802157 A SE9802157 A SE 9802157A SE 9802157 A SE9802157 A SE 9802157A SE 513875 C2 SE513875 C2 SE 513875C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
layer
electrical component
layers
component according
circuit board
Prior art date
Application number
SE9802157A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9802157L (sv
SE9802157D0 (sv
Inventor
Leif Bergstedt
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Priority to SE9802157A priority Critical patent/SE513875C2/sv
Publication of SE9802157D0 publication Critical patent/SE9802157D0/sv
Priority to US09/333,880 priority patent/US6421225B2/en
Priority to DE69926896T priority patent/DE69926896T2/de
Priority to EP99931703A priority patent/EP1095385B1/en
Priority to PCT/SE1999/001063 priority patent/WO1999066518A1/en
Priority to AU48139/99A priority patent/AU4813999A/en
Publication of SE9802157L publication Critical patent/SE9802157L/sv
Publication of SE513875C2 publication Critical patent/SE513875C2/sv

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/167Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed resistors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials
    • H05K2201/015Fluoropolymer, e.g. polytetrafluoroethylene [PTFE]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0183Dielectric layers
    • H05K2201/0191Dielectric layers wherein the thickness of the dielectric plays an important role
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0183Dielectric layers
    • H05K2201/0195Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/0332Structure of the conductor
    • H05K2201/0364Conductor shape
    • H05K2201/0367Metallic bump or raised conductor not used as solder bump
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09672Superposed layout, i.e. in different planes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/386Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

10 15 20 25 30 513 875 a definierad sammansättning ock tjocklek, tex. används ett epoxi/keramiklaminat med 95% keramik.
US 5,065,284 beskriver framställning av kapacitíva öar i ett kretskort för att framställa avkopplingskondensatorer. En flexibel filrn innefattande celler med högt dielektrikurn används.
Varje kondensator består av en eller flera högkapacitiva flexibla dielektrisk skivor försedda med pläterade ytor. Varje dielektrisk skiva består av ett enkelskikt av flerskikts eller enskíkts, från varandra separerade spån eller pärlor med hög dielektrisk konstant anordnade mellan lameller.
Mellanrummen mellan pärlor är fyllda med en flexibel polymer eller ett bindemedel.
Enligt US 5,625,528 framställes en monolitkondensatorkrets innefattande flera kondensatorer framställda genom flera lager. Kondensatorema är isolerade från varandra genom dubbla dielektriska konstanter, trelagerslaminat och isolationslager. De olika lagren har olika termiska expansionskoeficienter för att ge kondensatorkresten en bättre stabilitet och spricktålighet.
KORTFATTAD BESKRIVNING AV UPPFINNINGEN Huvudsakli ga ändamålet med föreliggande uppfinning år att kontrollerat erhålla tunna lager, företrädesvis dielekrikalager vid fiamställning av flerlagriga kretskort, i synnerhet vid framställning av begravda kondensatorer eller liknande.
Ett andra ändamål med uppfinningen är att i ett flerlagerskretskort forma dielektriska lager mellan utvalda kapacitíva plan företrädesvis endast där dielektrikumet behövs. Ännu ett ändamål med uppfinningen är att skapa ett nytt dielektrikum för kondensatorer på flerlagriga kretskort.
Dessa uppgifter har lösts genom att det tredje lagret i den elektriska komponenten enligt inledningen består av åtminstone två skikt, varav åtminstone ett skikt är mer elastiskt vid en viss temperatur och/eller tryck än det andra skiktet.
Det mellanliggande skiktet är ett dielektrikumskilct vid framställning av kondensatorer.
Företrädesvis består dielektrilcumskiktet av två väsentligen separata skikt varav ett första skikt har lägre smälttemperatur än det andra skiktet. 10 15 20 25 fm 513 875 3 Vid påtöring av åtminstone ett av de ledande lagren på dielektrikumskiktet flyter undan det skikt, som har lägre smâlttemperatur och fyller tomma utrymmen och oj ärnnheter, medan det andra skiktet behåller en definierad tjocklek med önskad tunnhet. 'vid pressning undan blir ett mycket tunt skikt av det första skiktet och kan vidhäfia det andra skiktet till åtminstone ett av de ledande lagren. I ett utförande har även det andra skiktet vidhättningsegenskaper.
I ett föredraget utförande består det mellanliggande lagret av tre separata skikt, varvid ett skikten mellan två andra skikt har högre smälttemperatur än de två andra skikten. F öreträdesvis består skikten med lägre smälttemperatur av sarnma material och skiktet med högre smälttemperatur håller en kontrollerad minimi tjocklek. Skikten med lägre smälttemperatur används huvudsakligen för att fylla ut oj ämnheter samt vidhäfta olika lager.
I ett utförande fiarnställes hela det mellanliggande skiktet s_o_rn en homogen film.
Det mellanliggande skiktet innehåller i ett utförande mycket små eller inga mängder material med hög dielektricitetskonstant. Företrädesvis består skikten i det mellanliggande lagret av PTFE (polytetra flourethylene), PFA (perflouroalkoxy) och/eller FEP (flourinated ethylene-propylene).
Den elektriska komponenten är i ett utförande en begravd kondensator i ett flerlagrigt kretskort.
Den kan även vara ett motstånd.
Uppfinningen avser även ett flerlagrigt kretskort, vilket innefattar ett första och ett andra larninat och ett antal lager utgörande en begravd elektrisk komponent. Den begravda komponenten innefattar ett första och ett andra ledningslager och ett mellanliggande lager bestående av åtminstone två skikt. Åtminstone ett skikt är vid en viss temperatur och/eller tryck mer elastiskt än det andra skiktet.
KORTFATTAD BESKRIVNING AV RITNINGAR Uppñnningen kommer nedan att beskrivas med hänvisning till uttöringsexemplen visade på närslutna ritningar, i vilka: 10 15 20 25 30 513 875 Fig. 1 visarschematiskt ett tvärsnitt genom en del av ett första kretskort med en begravd kondensator, enligt uppfinningen.
Fig. 2 visar schematiskt ett tvärsnitt genom en del av ett andra kretskort med en begravd kondensator, enligt uppfinningen.
Fig. 3 visar schematiskt ett tvärsnitt genom en del av en tredje begravd kondensator, enligt uppfinningen.
BESKRIVNING AV UTFÖRINGSEPGENELEN Fi g. 1 visar ett utfiiringsexempel av ett flerlagrigt kretskort 10 försett med ett begravt kondensatorlager. Kretskortet består av ett första substrat 11 och ett andra substrat 12. Mellan substratlagren 11 och 12 är anordnade ett första ledande lager 13, dielektrikumskikt 14 sarnt en ledande yta 15. De ledande lagren är avsedda att användas som kondensatorytor, varvid det första lagret 11 användas som jordplan medan det andra 15 används som signalpol.
Dielektrikurnskiktet 14 består av två väsentligen separata skikt 16 och 17. Ett första skikt 16 har lägre smålttemperatur än det andra skiktet 17, vilket medför att det första skiktet år mer elastiskt eller flytande vid en viss temperatur medan det andra behåller sin form.
Enligt figuren har den ledande ytan 15 vid tillverkningsprocessen pressats ner mot dielektrikumskiktet 14 efter uppvärmning, så att det första skiktet 16 med lägre smälttemperatilr har flutits undan medan det andra skiktet 17 endast har deforrnerats något så att det väsentligen antagit den ledande ytans 15 yttre fonn. Det andra dielelctrikumskiktet behåller därmed sin väldefinierade tjocklek och kondensatorn mellan ytan 15 och jordplanet 11 erhåller den önskade karaktäristikan. Ett mycket tunt skikt av skiktet 16 blir dock kvar under den deformerade delen av skiktet 17 och utnyttjas för att vidhäfia skiktet 17 till jordplanet 11. Här antas att även skiktet 17 i har delvis vidhäfiningsegenskap så att ledaren 15 och substratet 12 kan vidhäftas till detsamma.
Ett andra utföringsexempel av ett kretskort 20 visas i fig. 2. Här har samma ingående delar betecknats med samma hänvisningsbeteckriingar som i exemplet enligt fig. 1. I detta fall har j ordplanet 21 utformats med upphöjningar 24, som motsvarar (eller är olik) storleken av ytan 15.
Skiktet 22 som motsvarar skiktet 16 i fig. 1 har något större tjocklek medan skiktet 23, motsvarande skiktet 17, har något mindre tjocklek. Även här har materialet i skiktet 22 pressats undan så att utrymmet mellan skiktet 23 och jordplanet samt andra oj ämnheter som kan 10 15 20 25 :so förekomma mellan skikten och lagren fyllts.
Hela det dielektriska skiktet 14 kan först fiamställas som en homogen film, som antigen innehåller mycket litet eller inget material alls med hög dielektricitetskonstant Dk för att inte ändra foliens plastiska egenskaper. Detta kan vara fallet då lägre kapacitiva värden (Lex. upp till cza 500 pF) eller mycket tunna skikt, tex. ner till um tjocklekar önskas.
Fig. 3 visar ett snitt genom ett tredje kretskort 30 uppbyggt enligt uppfinningen. Kretskortet 30 består av ett undre och ett övre isolerande substrat 31 och 32. Det övre substratet 31 är företrädesvis försett med ett antal genomföringshål via vilka på kretskortet anordnade anslutningar 33 anslutes medelst ledningar 34 till kondensatorytan 35. Dielektrikumskiktet 37 består av tre separat skikta 38, 39 och 40, där det rnittersta skiktet 39 har högre srnältternperatur än de två andra skikten 38 och 40. Skikten 38 och 40 kan bestå av samma eller olika material så länge de har lägre smälttemperatur än skikt 39. I Ledningsytan 35 är pressad i dielektrikumskiktet 37, vars olika skikt har förändrats på olika sätt.
Skikten 38 och 40, som har lägre smälttemperaturer har pressats undan och i området under ledaren har skikten 38, 40 mycket mindre tjocklek än vid sidoma av ledaren. Skíkt 39 med högre smälttemperatur har däremot huvudsakligen endast pressats mot j ordplanet utan att nämnvärt ändra tjocklek och håller en kontrollerad minimi tjocklek. Den kontrollerade tj ockleken är beroende av presstemperaturen och -trycket, d.v.s. temperatur och tryck, Lex. vid applicering av kondensatorytan 35.
Skikten 38 och 40 används huvudsakligen för att fylla tomrummen som kan bildas mellan lagren på grund av oj ämnheter och att vidhäfia de olika delarna, dvs. kondensatorytoma 36,35 och substraten 32 eller 31 till skikt 39. Emellertid kan andra vidhäftningsmedel förekomma.
Genom att framställa dielektrikumet av åtminstone tre skikt företrädesvis med de ytter skikten av terrnoplastmaterial med lägre smälttemperattlr kan dessa garanteras att "flyta" samtidigt som skiktet med högre smälttemperatur håller en kontrollerad tjocklek. Genom att skikten flyter fyller de ut eventuella ojämnheter som kan förekomma mellan skikten.
De olika lagren av terrnoplast i dielektrumet kan företrädesvis bestå av PTFE (polytetra flourethylene), PFA (perflouroalkoxy) och/eller FEP (flourinated ethylene-propylene), av vilka 10 15 PTFE har högsta smälttemperaturen (cza 327 °C). Självklart kan även andra lärnpliga material förekomma.
Tjockleken hos de olika skikten 38 - 40 kan variera från applikation till applikation, i ett föredraget exempel varierar varje skikts tjocklek mellan 5-75 um.
De mellanliggande skiktens elasticitet är självklart inte bara beroende av srnälttemperaturen utan kan påverkas av olika tryck, eller kombinationer av tryck och temperatur.
Tekniken enligt uppfimiingen kan även användas för framställning av andra begravda komponenter, t.ex. motstånd, där de mellanliggande skikten kan ersättas med ledande eller halvledande plast med olika srnälttemperattirer och ledningsfónnåga.
Medan vi har illustrerat och beskrivit föredragna utfóringsexempel av uppfinningen, inses det att flera variationer och modifieringar inom ramen for de närslutna patentkraven kan förekomma.

Claims (20)

10 15 20 25 30 513 875 r PATENTKRAV
1. Elektrisk komponent, företrädesvis en komponent begravd i ett kretskort innefattande åtminstone iorsta och andra ledande lager (13,21, 36; 15, 35) och ett mellanliggande tredje lager (14, 37), kânnetecknad därav, att det mellanliggande tredje lagret (14, 37) består av åtminstone två skikt (16, 17, 22, 23, 38, 39, 40): åtminstone ett forsta skikt (17, 23, 39) och ett andra skikt ( 16, 22, 38, 40), vilket forsta skikt vid en viss temperatur och/eller tryck är mer elastiskt än det andra skiktet (16, 22, 38, 40).
2. Elektrisk komponent enligt patentkrav 1, kännetecknad därav, att det mellanliggande skiktet ( 14, 37) är dielektriskt.
3. Elektrisk komponent enligt patentkrav 2, kännetecknad därav, att det dielektrikiska skiktet består av två väsentligen separata skikt (16, 17; 22, 23) varav ett forsta skikt (16), vilket har lägre smälttemperatur än ett andra skikt (17).
4. Elektrisk komponent enligt patentkrav 3, kännetecknad därav, att vid påforing av åtminstone ett av de ledande lagren på det dielektriska skiktet (14, 22) flyter det skikt (16) som har lägre smälttemperatur undan medan det andra skiktet (17) behåller en definierad tjocklek.
5. Elektrisk komponent enligt ett av patentkraven l-4, kännetecknad därav, att ett mycket tunt skikt av det forsta skiktet vidhäftar det andra skiktet till åtminstone ett av de ledande lagren.
6. Elektrisk komponent enligt patentkrav 3, kännetecknad därav, att det andra skiktet (17) har vidhäftningsegenskaper. 10 15 20 25 30 515 875 8
7. Elektrisk komponent enligt ett av patentkrav-en 1-6, kännetecknad därav, att ett av de ledande lagren (21) är utformade med upphöjningar (22).
8. Elektrisk komponent enligt patentkrav 1, kännetecknad därav, att det mellanliggande lagret (37) består av tre separata skikt (38, 39, 40).
9. Elektrisk komponent enligt patentkrav 8, kännetecknad därav, att ett av skikten (3 9) mellan två andra skikt (38, 40) har högre smälttemperattir än de två andra skikten (38, 40).
10. Elektrisk komponent enligt patentkrav 8, kännetecknad därav, att skikten (38, 40) med lägre smälttemperatur består av samma material.
ll. Elektrisk komponent enligt patentkrav 9, kännetecknad därav, att skiktet (3 9) med högre smälttemperatiir håller en kontrollerad minimi tjocklek.
12. Elektrisk komponent enligt patentkrav 8, kännetecknad därav, att skikten (39, 40) med lägre smältternperatur används huvudsakligen för utfyllnad av tomrum och oj ärnnheter samt vidhäftning av olika lager.
13. Elektrisk komponent enligt patentkrav 1, kännetecknad därav, att hela det mellanliggande skiktet framställes som en homogen film.
14. Elektrisk komponent enligt patentkrav 1, kärznetecknad därav, att det mellanliggande skiktet innehåller mycket små eller inga mängder material med hög 10 15 20 25 30 513 875 ff dielektricitetskonstant.
15. Elektrisk komponent enligt patentkrav 1, kännerecknad därav, att skikten i det mellanliggande lagret består av PTFE (polytetra flourethylene), PFA (perflouroalkoxy) och/eller FEP (flourinated ethylene-propylene).
16. Elektrisk komponent enligt patentkrav 1, kännerecknad därav, att den är en begravd kondensator i ett flerlagrigt kretskort.
17. Elektrisk komponent enligt patentkrav 1, kännerecknad därav, att det mellanliggande skiktet har resistiva egenskaper.
18. Ett flerlagrigt kretskort (10, 20, 30) innefattande ett forsta och ett andra laminat (1 1, 31; 12, 32) och ett antal lager utgörande en begravd elektrisk komponent, kännetecknar därav, att den begravda komponenten innefattar ett första och ett andra ledningslager (13, 21, 36; 15, 35) och ett mellanliggande lager (14, 37) bestående av åtminstone två skikt (16, 17, 22, 23, 38, 39, 40), av vilka åtminstone ett skikt (17, 23, 39) vid en viss temperatur och/eller tryck är mer elastiskt än det andra skiktet (16, 22, 38, 40).
19. Ett flerlagrigt kretskort enligt patentkrav 18, kännetecknar därav, det mellanliggande lagret är ett dielektrikum.
20. Ett flerlagrigt kretskort enligt patentkrav 18, kännetecknar därav, det mellanliggande lagret har resistiva egenskaper.
SE9802157A 1998-06-15 1998-06-15 Elektrisk komponent samt ett flerlagrigt kretskort SE513875C2 (sv)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9802157A SE513875C2 (sv) 1998-06-15 1998-06-15 Elektrisk komponent samt ett flerlagrigt kretskort
US09/333,880 US6421225B2 (en) 1998-06-15 1999-06-15 Electric component
DE69926896T DE69926896T2 (de) 1998-06-15 1999-06-15 Elektrische komponente eingebettet in einer mehrschicht-leiterplattenanordnung
EP99931703A EP1095385B1 (en) 1998-06-15 1999-06-15 Electric component buried in multilayer pcb
PCT/SE1999/001063 WO1999066518A1 (en) 1998-06-15 1999-06-15 Electric component
AU48139/99A AU4813999A (en) 1998-06-15 1999-06-15 Electric component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9802157A SE513875C2 (sv) 1998-06-15 1998-06-15 Elektrisk komponent samt ett flerlagrigt kretskort

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9802157D0 SE9802157D0 (sv) 1998-06-15
SE9802157L SE9802157L (sv) 1999-12-16
SE513875C2 true SE513875C2 (sv) 2000-11-20

Family

ID=20411738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9802157A SE513875C2 (sv) 1998-06-15 1998-06-15 Elektrisk komponent samt ett flerlagrigt kretskort

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6421225B2 (sv)
EP (1) EP1095385B1 (sv)
AU (1) AU4813999A (sv)
DE (1) DE69926896T2 (sv)
SE (1) SE513875C2 (sv)
WO (1) WO1999066518A1 (sv)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080031522A (ko) 2000-02-25 2008-04-08 이비덴 가부시키가이샤 다층프린트배선판 및 다층프린트배선판의 제조방법
CN1901181B (zh) 2000-09-25 2012-09-05 揖斐电株式会社 半导体元件及其制造方法、多层印刷布线板及其制造方法
US7038143B2 (en) * 2002-05-16 2006-05-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wiring board, fabrication method of wiring board, and semiconductor device
US6900708B2 (en) * 2002-06-26 2005-05-31 Georgia Tech Research Corporation Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates
US7260890B2 (en) * 2002-06-26 2007-08-28 Georgia Tech Research Corporation Methods for fabricating three-dimensional all organic interconnect structures
US6987307B2 (en) * 2002-06-26 2006-01-17 Georgia Tech Research Corporation Stand-alone organic-based passive devices
US7489914B2 (en) * 2003-03-28 2009-02-10 Georgia Tech Research Corporation Multi-band RF transceiver with passive reuse in organic substrates
US7054599B2 (en) * 2003-05-08 2006-05-30 Lockheed Martin Corporation High density interconnect structure for use on software defined radio
TWI314745B (en) * 2004-02-02 2009-09-11 Ind Tech Res Inst Method and apparatus of non-symmetrical electrode of build-in capacitor
US8345433B2 (en) * 2004-07-08 2013-01-01 Avx Corporation Heterogeneous organic laminate stack ups for high frequency applications
US20060011376A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 General Electric Company Multi-axial electrically conductive cable with multi-layered core and method of manufacture and use
JP2007142109A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Tdk Corp 電子部品
US7439840B2 (en) 2006-06-27 2008-10-21 Jacket Micro Devices, Inc. Methods and apparatuses for high-performing multi-layer inductors
US7808434B2 (en) * 2006-08-09 2010-10-05 Avx Corporation Systems and methods for integrated antennae structures in multilayer organic-based printed circuit devices
US7989895B2 (en) 2006-11-15 2011-08-02 Avx Corporation Integration using package stacking with multi-layer organic substrates
US8325461B2 (en) * 2008-08-08 2012-12-04 Hamilton Sundstrand Corporation Printed wiring board feed-through capacitor
US10372213B2 (en) * 2016-09-20 2019-08-06 Facebook Technologies, Llc Composite ribbon in a virtual reality device
US10993333B2 (en) * 2017-07-15 2021-04-27 Sanmina Corporation Methods of manufacturing ultra thin dielectric printed circuit boards with thin laminates

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL267988A (sv) * 1960-08-15 1900-01-01
US3886415A (en) * 1968-04-01 1975-05-27 Itek Corp Capacitor with photo-conductive dielectric
US3806775A (en) * 1971-10-19 1974-04-23 Du Pont Polyolefin capacitor construction
US3778689A (en) * 1972-05-22 1973-12-11 Hewlett Packard Co Thin film capacitors and method for manufacture
JPS6040383B2 (ja) * 1978-07-05 1985-09-10 東レ株式会社 ポリプロピレン複合二軸延伸フイルム
DE2851557C2 (de) 1978-11-29 1982-04-01 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Biaxial gestreckte Polypropylenverbundfolie zur Verwendung als Elektroisolierfolie
JPS60214941A (ja) * 1984-04-10 1985-10-28 株式会社 潤工社 プリント基板
US5065253A (en) 1987-12-25 1991-11-12 Pioneer Electronic Corporation Disk player with disk tilt or pickup position responsive noise reduction
US5065284A (en) 1988-08-01 1991-11-12 Rogers Corporation Multilayer printed wiring board
JP3019541B2 (ja) * 1990-11-22 2000-03-13 株式会社村田製作所 コンデンサ内蔵型配線基板およびその製造方法
FR2684333B1 (fr) 1991-12-03 1999-07-16 Bollore Technologies Film plastique bicouche bi-etire.
US5800575A (en) * 1992-04-06 1998-09-01 Zycon Corporation In situ method of forming a bypass capacitor element internally within a capacitive PCB
US5625528A (en) 1992-10-21 1997-04-29 Devoe; Daniel F. Monolithic, buried-substrate, ceramic multiple capacitors isolated, one to the next, by dual-dielectric-constant, three-layer-laminate isolation layers
US5625655A (en) 1994-07-29 1997-04-29 Combustion Engineering, Inc. Fuel transfer tube quick operating remote closure device
US5796587A (en) 1996-06-12 1998-08-18 International Business Machines Corporation Printed circut board with embedded decoupling capacitance and method for producing same

Also Published As

Publication number Publication date
EP1095385A1 (en) 2001-05-02
DE69926896D1 (de) 2005-09-29
EP1095385B1 (en) 2005-08-24
AU4813999A (en) 2000-01-05
WO1999066518A1 (en) 1999-12-23
SE9802157L (sv) 1999-12-16
US20010011606A1 (en) 2001-08-09
SE9802157D0 (sv) 1998-06-15
DE69926896T2 (de) 2006-03-30
US6421225B2 (en) 2002-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE513875C2 (sv) Elektrisk komponent samt ett flerlagrigt kretskort
US4522667A (en) Method for making multi-layer metal core circuit board laminate with a controlled thermal coefficient of expansion
US6861744B2 (en) Multilayer ceramic substrate utilizing an intaglio plate with a plurality of grooves having different depths
US3739469A (en) Multilayer printed circuit board and method of manufacture
US4496793A (en) Multi-layer metal core circuit board laminate with a controlled thermal coefficient of expansion
US5428499A (en) Printed circuit board having integrated decoupling capacitive core with discrete elements
CN1105484C (zh) 电子电路组件中埋置的电容器的制造方法及电子电路组件
US9307632B2 (en) Multilayered substrate and method of manufacturing the same
CN103906372A (zh) 具有内埋元件的电路板及其制作方法
CN105307382A (zh) 印刷电路板及其制造方法
CN102595799B (zh) 高密度互联印刷电路板的制造方法
US20060098386A1 (en) Embedded capacitor and method for manufacturing the same
EP1581035A3 (en) Multilayer ceramic substrate and its production method
CN110140432A (zh) 印刷电路板和用于制造印刷电路板的方法
US6574090B2 (en) Printed circuit board capacitor structure and method
GB2096821A (en) High capacitance multilayerbus bar
CN103889165A (zh) 具有内埋元件的电路板及其制作方法
US20090025213A1 (en) Substantially Continuous Layer of Embedded Transient Protection For Printed Circuit Boards
KR101805074B1 (ko) 세라믹 다층회로 기판의 제조방법
CN104766855A (zh) 芯片装置及其制造方法
CN106341945B (zh) 一种柔性线路板及其制作方法
GB2080729A (en) A multi-layer metal core circuit board laminate with a controlled thermal coefficient of expansion and method for making same.
CN210157483U (zh) 多层基板
KR100835660B1 (ko) 커패시터, 그 제조방법 및 커패시터가 내장된 인쇄회로기판
RU2628111C1 (ru) Способ изготовления тонкопленочных чип-резисторов