JPH114080A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ボンディングパッドに半導体素子や容量素子等
の電子部品を実装接続する際、有機樹脂絶縁層の熱膨張
係数と電子部品の熱膨張係数の相違によって電子部品に
クラックや割れ等が発生してしまう。 【解決手段】基板１上に、複数の有機樹脂絶縁層２と薄
膜配線導体層３とを交互に積層するとともに上下に位置
する薄膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に設けたスル
ーホール導体８を介して電気的に接続してなり、最上層
の有機樹脂絶縁層２上面に、前記薄膜配線導体層３と電
気的に接続し、外部の電子部品Ａが接続されるボンデイ
ングパッド９を設けて成る多層配線基板であって、前記
各有機樹脂絶縁層２にフィラーを含有させるとともに、
該フィラーの含有量を最下層の有機樹脂絶縁層から最上
層の有機樹脂絶縁層に向かって順次多くした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。

【０００３】このＭｏ−Ｍｎ法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミツク体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ツク体とを焼結一体化させる方法である。

【０００４】なお、前記配線導体が形成されるセラミッ
ク体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。

【０００５】しかしながら、このＭｏ−Ｍｎ法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。

【０００６】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようになってきた。

【０００７】かかる配線導体を薄膜形成技術により形成
した多層配線基板は、一般に酸化アルミニウム質焼結体
やガラス繊維を織り込んだガラス布にエポキシ樹脂を含
浸させて形成されるガラスエポキシ樹脂等から成る絶縁
基板の上面に、スピンコート法及び熱硬化処理等によっ
て形成されるエポキシ樹脂等の有機樹脂から成る絶縁層
と、銅やアルミニウム等の金属を無電解めっき法や蒸着
法等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採
用することによって形成される薄膜配線導体層とを交互
に積層させるとともに、上下に位置する薄膜配線導体層
を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁に被着さ
れているスルーホール導体を介して電気的に接続させた
構造を有しており、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前
記薄膜配線導体層と電気的に接続するボンディングパッ
ドを形成しておき、該ボンディングパッドに半導体素子
等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極を
半田等のロウ材を介して接続させるようになっている。

【０００８】なお、前記多層配線基板においては、積層
された各有機樹脂絶縁層間に配設された薄膜配線導体層
が有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁に被着さ
れているスルーホール導体を介して電気的に接続されて
おり、各有機樹脂絶縁層へのスルーホールの形成はまず
各有機樹脂絶縁層上にレジスト材を塗布するとともにこ
れに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状
の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチン
グ液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁
層を除去して、有機樹脂絶縁層に穴（スルーホール）を
形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層上より
剥離させ除去することによって行われている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この多
層配線基板においては、有機樹脂絶縁層の熱膨張係数が
半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部
品の熱膨張係数に対し大きく相違しており、そのためボ
ンディングパッドに半導体素子や容量素子等をロウ材を
介して接続させると、有機樹脂絶縁層と半導体素子や容
量素子等との間に両者の熱膨張係数の相違に起因して大
きな熱応力が生じるとともに該熱応力によって半導体素
子や容量素子等にクラツクや割れ等が発生し、半導体素
子等を正常に作動させることができなくなるという欠点
を有していた。

【００１０】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は配線導体を薄膜形成技術により形成し、
配線導体を高密度に形成するのを可能とするとともに有
機樹脂絶縁層の熱膨張係数を半導体素子や容量素子等の
熱膨脹係数に近づけ、半導体素子等の能動部品や容量素
子、抵抗器等の受動部品にクラックや割れ等が発生する
ことなく有機樹脂絶縁層に設けたボンディングパッドに
強固に接続させ、半導体素子等を正常に駆動させること
ができる多層配線基板を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、複
数の有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層す
るとともに上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶
縁層に設けたスルーホール導体を介して電気的に接続し
てなり、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線
導体層と電気的に接続し、外部の電子部品が接続される
ボンデイングパッドを設けて成る多層配線基板であっ
て、前記各有機樹脂絶縁層にフィラーを含有させるとと
もに、該フィラーの含有量を最下層の有機樹脂絶縁層か
ら最上層の有機樹脂絶縁層に向かって順次多くしたこと
を特徴とするものである。

【００１２】また本発明は、前記フィラーが金属、金属
酸化物、金属酸化物の焼結体の少なくとも１種よりなる
ことを特徴とするものである。

【００１３】また本発明は、前記フイラーの粒径が０．
０５μｍ乃至５０μｍであることを特徴とするものであ
る。

【００１４】本発明の多層配線基板によれば、基板上に
薄膜形成技術によって配線を形成したことから配線の微
細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成すること
ができる。

【００１５】また本発明の多層配線基板によれば、多層
に積層された各有機樹脂絶縁層にフィラーを含有させる
とともにその含有量を最下層の有機樹脂絶縁層から最上
層の有機樹脂絶縁層に向かって順次多くしたことから最
下層の有機樹脂絶縁層はその熱膨張係数が基板の熱膨張
係数に近似して基板と最下層の有機樹脂絶縁層とは強固
に接合し、同時に最上層の有機樹脂絶縁層はその熱膨張
係数が搭載される半導体素子や容量素子、抵抗器等の電
子部品の熱膨張係数に近似して最上層の有機樹脂絶縁層
に設けたボンディングパッドに半導体素子や容量素子等
をクラックや割れ等を発生することなく強固に接続させ
ることが可能となり、これによって半導体素子等を常に
正常に駆動させることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実施
例を示し、１は基板、２は有機樹脂絶縁層、３は薄膜配
線導体層である。

【００１７】前記基板１はその上面に多数の有機樹脂絶
縁層２と薄膜配線導体層３を交互に多層に積層してなる
多層配線部４が配設されており、該多層配線部４を支持
する支持部材として作用する。

【００１８】前記基板１は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラ
ス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂やガラス繊維を織り込んだ布にビスマレ
イミドトリアジン樹脂を含浸させたビスマレイミドトリ
アジン樹脂等の電気絶縁材料で形成されており、例え
ば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合に
は、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア等の原料
粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状とな
すとともにこれを従来周釦のドクターブレード法やカレ
ンダーロール法を採用することによってセラミツクグリ
ーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６００
℃）で焼成することによって、或いはアルミナ等の原料
粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末を
調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によって所
定形状に成形し、最後に前記成形体を約１６００℃の温
度で焼成することによって製作され、またガラスエポキ
シ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維を織り込んだ
布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該エポ
キシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによっ
て製作される。

【００１９】また前記基板１には上下両面に貫通する孔
径が例えば、３００μｍ〜５００μｍの貫通孔５が形成
されており、該貫通孔５の内壁には両端が基板１の上下
両面に導出する導電層６が被着されている。

【００２０】前記貫通孔５は後述する基板１の上面に形
成される多層配線部４の薄膜配線導体層３と外部電気回
路とを電気的に接続する、或いは基板１の上下両面に多
層配線部４を形成した場合には両面の多層配線部４の薄
膜配線導体層同士を電気的に接続する導電層６を形成す
るための形成孔として作用し、基板１にドリル孔あけ加
工法を施すことによって基板１の所定位置に所定形状に
形成される。

【００２１】更に前記貫通孔５の内壁及び基板１の上下
両面に被着形成されている導電層６は例えば、銅やニッ
ケル等の金属材料から成り、従来周知のめっき法及びエ
ッチング法を採用することによって貫通孔５の内壁に両
端を基板１の上下両面に導出させた状態で被着形成され
る。

【００２２】前記基板１にはまた上面に複数の有機樹脂
絶縁層２と薄膜配線導体層３とが交互に多層に積層され
て形成される多層配線部４が被着されており、該多層配
線部４を構成する有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄
膜配線導体層３の電気的絶縁を図る作用をなし、また薄
膜配線導体層３は電気信号を伝達するための伝達路とし
て作用する。

【００２３】前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２は、
エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂から成
り、例えば、エポキシ樹脂からなる場合、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イ
ミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添
加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとと
もに該エポキシ樹脂前駆体を基板１の上部にスピンコー
ト法により被着させ、しかる後、これを８０℃〜２００
℃の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させることに
よって形成される。

【００２４】更に前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２
はその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚
みに対して約１．５倍程度のスルーホール７が形成され
ており、該スルーホール７は後述する有機樹脂絶縁層２
を介して上下に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気
的に接続するスルーホール導体８を形成するための形成
孔として作用する。

【００２５】前記有機樹脂絶縁層２に設けるスルーホー
ル７は有機樹脂絶縁層２に従来周知のフォトリソグラフ
イー技術を採用することによって、具体的には各有機樹
脂絶縁層２上にレジスト材を塗布するとともにこれに露
光、現像を施すことによって所定位置に所定形状の窓部
を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチング液を
配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁層２を
除去して、有機樹脂絶縁層２に穴（スルーホール）を形
成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層２上より
剥離させ除去することによって所定の径に形成される。

【００２６】また前記各有機樹脂絶縁層２の上面には所
定パターンの薄膜配線導体層３が、更に各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール７の内壁にはスルーホール導
体８が各々形成されており、スルーホール導体８によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。

【００２７】前記各有機樹脂絶縁層２の上面及びスルー
ホール７の内壁に形成される薄膜配線導体層３及びスル
ーホール導体８は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の
金属材料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法
等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフイー技締を採用
することによって形成され、例えば、銅で形成されてい
る場合には、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール
７の内表面に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマ
リン０．３モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５
モル／リットル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル
／リットルから成る無電解鋼めっき浴を用いて厚さ１μ
ｍ乃至４０μｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層
をフォトリソグラフイー技術を採用することにより所定
パターンに加工することによって各有機樹脂絶縁層２
間、及びスルーホール７内壁に形成される。この場合、
薄膜配線導体層３及びスルーホール導体８は薄膜形成技
術により形成されることから配線の微細化が可能であ
り、これによって薄膜配線導体層３を極めて高密度に形
成することが可能となる。

【００２８】なお、前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とを交互に多層に積層して形成される多層配線部
４は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと
有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下
に位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすこ
とができる。従って、前記多層配線部４の各有機樹脂絶
縁層２はその上面をエッチング加工法等によって粗し、
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ
の粗面としておくことが好ましい。

【００２９】また前記有機樹脂絶縁層２はその表面の
２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウン
ト値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．
１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ
≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個以上としておくと有
機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下に
位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合がより強固とな
る。従って、前記有機樹脂絶縁層２はその表面の２．５
ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値
を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．１μ
ｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐ
ｃ≦０．１μｍが１２５００個以上としておくとことが
好ましい。

【００３０】前記有機樹脂絶縁層２上面の中心線平均粗
さ（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ
（Ｐｃ）のカウント値は、有機樹脂絶縁層２の表面を原
子間力顕微鏡（Digital Instruments Inc.製のDimensio
n 3000-Nano Scope III)で５０μｍ角の対角（７０μ
ｍ）に走査させてその表面状態を検査測定し、その測定
結果より各々の数値を出した。

【００３１】また前記中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸
の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μ
ｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５０
０個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５０
０個以上の有機樹脂絶縁層２は、該有機樹脂絶縁層２の
上面にＣＨＦ₃ 、ＣＦ₄ 、Ａｒ等のガスを吹きつけリア
クティブイオンエッチング処理をすることによって表面
が所定の粗さに粗される。

【００３２】更に前記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚
みが１００μｍを超えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフイー技術を採用することによってスルーホール
７を形成する際、エッチング加工時間が長くなってスル
ーホール７を所望する鮮明な形状に形成するのが困難と
なり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上面
に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げる
ための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴
が形成され上下に位置する薄膜配線導体層３に不要な電
気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記
有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ〜１００μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。

【００３３】また更に前記多層配線部４の各薄膜配線導
体層３はその厚みが１μｍ未満であると各薄膜配線導体
層３の電気抵抗値が大きなものとなって各薄膜配線導体
層３に所定の電気信号を伝達させることが困難となり、
また４０μｍを超えると薄膜配線導体層３を有機樹脂絶
縁層２に被着させる際に薄膜配線導体層３の内部に大き
な応力が発生内在し、該大きな内在応力によって薄膜配
線導体層３が有機樹脂絶縁層２から剥離し易いものとな
る。従って、前記多層配線部４の各薄膜配線導体層３の
厚みは１μｍ〜４０μｍの範囲としておくことが好まし
い。

【００３４】前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３
とを交互に多層に積層して形成される多層配線部４は更
に、最上層の有機樹脂絶縁層２に薄膜配線導体層３と電
気的に接続しているボンディングパッド９が形成されて
おり、該ボンディングパッド９は半導体素子や容量素
子、抵抗器等の電子部品Ａの電極を薄膜配線導体層３に
電気的に接続させる作用をなす。

【００３５】前記ボンディングパッド９は例えば、直径
が２００〜５００μｍの円形状をなしており、該ボンデ
ィングパッド９に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａ
の電極をロウ材を介して接続させれば、半導体素子や容
量素子等の電子部品Ａの電極は薄膜配線導体層３に電気
的に接続されることとなる。

【００３６】前記ボンディングパッド９は薄膜配線導体
層３と同じ金属材料、具体的には銅、ニッケル、金、ア
ルミニウム等の金属材料から成り、最上層の有機樹脂絶
縁層２上に薄膜配線導体層３を形成する際に同時に前記
薄膜配線導体層３と電気的接続をもって形成される。

【００３７】また更に前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体層３とを交互に多層に積層して形成される多層配線
部４は、各有機樹脂絶縁層２の内部にフィラーが含有さ
れており、かつ該フィラーの含有量は最下層の有機樹脂
絶縁層から最上層の有機樹脂絶縁層に向かって順次多
く、具体的には最下層の有機樹脂絶縁層に含有されるフ
ィラーの含有量は０〜５０重量％、最上層の有機樹脂絶
縁層に含有されるフィラーの含有量は５０〜９０重量％
として最下層の有機樹脂絶縁層から最上層の有機樹脂絶
縁層に向かって順次多くなっている。この場合、最下層
の有機樹脂絶縁層には０〜５０重量％の少量のフィラー
が含有されることによって熱膨張係数が基板１の熱膨張
係数に近似し、これによって基板１と最下層の有機樹脂
絶縁層との接合が強固となり、また最上層の有機樹脂絶
縁層には５０〜９０重量％の多量のフィラーを含有する
ことによって熱膨張係数が搭載される半導体素子や容量
素子、抵抗器等の電子部品Ａの熱膨張係数に近似する値
（５〜３０ｐｐｍ／Ｋ：６０〜８０℃）となり、最上層
の有機樹脂絶縁層２に設けたボンディングパッド９に半
導体素子や容量素子等の電子部品Ａをロウ材を介して接
続する際、有機樹脂絶縁層２と電子部品Ａとの間には大
きな熱応力が発生することはなく、その結果、半導体素
子や容量素子等の電子部品Ａにクラックや割れ等が発生
するのを有効に防止しつつ、該電子部品Ａの電極を有機
樹脂絶縁層２に設けたボンデイングパッド９に強固に接
続させることが可能となる。

【００３８】前記フィラーは、アルミナ、ジルコニア、
ムライト、シリカ、チタン酸バリウム、酸化チタン、チ
タン酸ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、銅、モリブデン等の
金属や金属酸化物、金属酸化物の焼結体の少なくとも１
種より成り、上下に積層された有機樹脂絶縁層２の各々
に、下層側に位置する有機樹脂絶縁層２には少なく、上
層側に位置する有機樹脂絶縁層２には多く含有される。

【００３９】また前記フィラーはエポキシ樹脂前駆体を
使用して各有機樹脂絶縁層２を形成する際に予めエポキ
シ樹脂前駆体内にフィラーを所定量含有させておくこと
によって各有機樹脂絶縁層２に含有される。

【００４０】更に前記フィラーはその粒径が０．０５μ
ｍ未満であると有機樹脂絶縁層２を形成する際の前駆体
の粘度が上昇し、所定の均一厚みの有機樹脂絶縁層２を
形成することが困難となり、また５０μｍを超えると有
機樹脂絶縁層２にスルーホール７を形成する際、その加
工精度が極めて悪いものとなる。従って、前記フィラー
はその粒径を０．０５μｍ乃至５０μｍの範囲としてお
くことが好ましい。

【００４１】また更に、前記フィラーはその表面をシラ
ンカップリング剤で表面処理しておくとシランカップリ
ング剤の親水基がフィラーと、疎水基が有機樹脂絶縁層
２の樹脂成分と結合してフィラーと有機樹脂絶縁層２と
を強固に結合させることができる。従って、フィラーと
有機樹脂絶縁層２とを強固に結合させるにはフィラーの
表面をシランカップリング剤で表面処理しておくことが
好ましい。

【００４２】なお、前記フィラーの表面をシランカップ
リング剤で表面処理する場合、シランカップリング剤と
しては特にアミノ基、エポキシ基、カルボニ基の少なく
とも１種の官能基を有するメトキシシランを使用すれば
有機樹脂絶縁層２の樹脂とシランカップリング剤で表面
処理されたフイラーとの間に共有結合を持つ重合体が形
成され、有機樹脂絶縁層２とフィラーとの接合が極めて
強固なものとなる。従って、前記フィラーの表面をシラ
ンカップリング剤で表面処理する場合、シランカップリ
ング剤としてはアミノ基、エポキシ基、カルボニ基の少
なくとも１種の官能基を有するメトキシシランから成る
ものを使用することが好ましい。

【００４３】かくして上述の多層配線基板によれば、最
上層の有機樹脂絶縁層２に設けたボンディングパッド９
に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａの電極を半田等
から成るロウ材を介して接続させ、電子部品Ａの電極を
ボンディングパッド９を介して薄膜配線導体層３に電気
的に接続させることによって半導体装置や混成集積回路
装置となり、薄膜配線導体層３の一部を外部電気回路に
接続すれば前記電子部品Ａは外部電気回路に接続される
こととなる。

【００４４】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例において
は基板１の上面側のみに複数の有機樹脂絶縁層２と複数
の薄膜配線導体層３とを交互に積層して形成される多層
配線部４を被着させたが、該多層配線部４を基板１の下
面側のみに設けても、上下の両面に設けてもよい。

【００４５】

【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、基板上
に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配線の
微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成するこ
とができる。

【００４６】また本発明の多層配線基板によれば、多層
に積層された各有機樹脂絶縁層にフィラーを含有させる
とともにその含有量を最下層の有機樹脂絶縁層から最上
層の有機樹脂絶縁層に向かって順次多くしたことから最
下層の有機樹脂絶縁層はその熱膨張係数が基板の熱膨張
係数に近似して基板と最下層の有機樹脂絶縁層とは強固
に接合し、同時に最上層の有機樹脂絶縁層はその熱膨張
係数が搭載される半導体素子や容量素子、抵抗器等の電
子部品の熱膨張係数に近似して最上層の有機樹脂絶縁層
に設けたボンディングパッドに半導体素子や容量素子等
をクラックや割れ等を発生することなく強固に接続させ
ることが可能となり、これによって半導体素子等を常に
正常に駆動させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。

【符号の説明】

１・・・基板 ２・・・有機樹脂絶縁層 ３・・・薄膜配線導体層 ４・・・多層配線部 ７・・・スルーホール ８・・・スルーホール導体 ９・・・ボンディングパッド Ａ・・・電子部品

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に、複数の有機樹脂絶縁層と薄膜配
   線導体層とを交互に積層するとともに上下に位置する薄
   膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導
   体を介して電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶
   縁層上面に、前記薄膜配線導体層と電気的に接続し、外
   部の電子部品が接続されるボンデイングパッドを設けて
   成る多層配線基板であって、前記各有機樹脂絶縁層にフ
   ィラーを含有させるとともに、該フィラーの含有量を最
   下層の有機樹脂絶縁層から最上層の有機樹脂絶縁層に向
   かって順次多くしたことを特徴とする多層配線基板。
2. 【請求項２】前記フィラーは金属、金属酸化物、金属酸
   化物の焼結体の少なくとも１種よりなることを特徴とす
   る請求項１記載の多層配線基板。
3. 【請求項３】前記フイラーの粒径が０．０５μｍ乃至５
   ０μｍであることを特徴とする請求項１記載の多層配線
   基板。