JPH10322029A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】配線導体を高密度に形成することができず、ま
た部品の実装数が多く大型化する。 【解決手段】基板１上に、有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、
２ｃと薄膜配線導体３ａ、３ｂ、３ｃとを交互に積層す
るとともに上下に位置する薄膜配線導体３ａ、３ｂ、３
ｃを有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃに設けたスルーホ
ール導体９を介して電気的に接続してなる多層配線基板
であって、前記少なくとも一つの有機樹脂絶縁層２ｂに
穴部１０を形成し、該穴部１０内に有機誘電体層１１を
容量電極１３、１４で挟むことによって形成される容量
素子Ａを配設させるとともに、容量素子Ａの容量電極１
３、１４を有機樹脂絶縁層２ｂの上下に位置する薄膜配
線導体３ａ、３ｂに電気的に接続させた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば、半導体素子等の能動部品
や容量素子、抵抗器等の受動部品を多数搭載実装し、所
定の電子回路を構成するようになした混成集積回路装置
は、通常、絶縁基板の内部及び表面にタングステン、モ
リブデン等の高融点金属粉末から成る配線導体を形成し
た構造の配線基板を準備し、次に前記配線基板の表面に
半導体素子や容量素子、抵抗器等を搭載実装するととも
に該半導体素子等の電極を前記配線導体に接続すること
によって混成集積回路装置となる。

【０００３】かかる従来の混成集積回路装置に使用され
る配線基板は一般にセラミックスの積層技術及びスクリ
ーン印刷法等の厚膜手法を採用することによって製作さ
れており、具体的には以下の方法によって製作されてい
る。

【０００４】即ち、 （１）先ず、アルミナ等の電気絶縁性に優れたセラミッ
ク原料粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して複数枚のセ
ラミック生シートを得るとともに該各セラミック生シー
トの上下面にタングステン、モリブデン等の高融点金属
粉末から成る導電ペーストを従来周知のスクリーン印刷
法等の厚膜手法を採用することによって所定パターンに
印刷塗布する。

【０００５】（２）次に前記各セラミック生シートを積
層し、積層体を得るとともにこれを約１５００℃の温度
で焼成し、内部及び表面にタングステン、モリブデン等
の高融点金属粉末からなる配線導体を有する絶縁基板を
得る。

【０００６】（３）そして最後に、前記配線導体のう
ち、大気中に露出する表面にニッケル及び金等の耐蝕性
に優れ、良導電性で、半田等のロウ材と濡れ性（反応
性）の良い金属をメッキ法により被着させ、これによっ
て製品としての配線基板が完成する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板においては、配線導体がタングステン、モ
リブデン等の高融点金属粉末から成る導電ペーストをス
クリーン印刷法等の厚膜手法を採用し、所定パターンに
印刷塗布することによって形成されており、配線導体の
微細化が困難で、配線導体を高密度に形成することがで
きないという欠点を有していた。

【０００８】またこの従来の配線基板は表面に半導体素
子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品が多数
搭載実装され、部品の実装数に応じて大型化してしまう
という欠点も有していた。

【０００９】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は配線導体を薄膜形成技術により形成され
る薄膜配線導体とするとともに内部に所定の静電容量値
の容量素子を内蔵させることによって小型にして、かつ
配線が高密度の多層配線基板を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交互に積層するととも
に上下に位置する薄膜配線導体を有機樹脂絶縁層に設け
たスルーホール導体を介して電気的に接続してなる多層
配線基板であって、前記有機樹脂絶縁層の少なくとも一
層に穴部を形成し、該穴部内に有機誘電体層を容量電極
で挟むことによって形成される容量素子を配設させると
ともに、容量素子の容量電極を有機樹脂絶縁層の上下に
位置する薄膜配線導体に電気的に接続させたことを特徴
とするものである。

【００１１】また本発明は、前記有機誘電体層を有機樹
脂に誘電体粉末及び／又は金属粉末を含有させて形成し
たことを特徴とするものである。

【００１２】また本発明は、前記誘電体粉末がチタン酸
バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウ
ム、チタン酸マグネシウムの少なくとも一種からなり、
また金属粉末が銅、アルミニウム、砒素、金、銀、モリ
ブデン、タングステンの少なくとも一種からなることを
特徴とするものである。

【００１３】また本発明は、前記誘電体粉末の平均粒径
が０．５μｍ乃至５０μｍであることを特徴とするもの
である。

【００１４】また本発明は、前記金属粉末の平均粒径が
０．１μｍ乃至５０μｍであることを特徴とするもので
ある。

【００１５】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基板
上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配線
の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成する
ことが可能となる。

【００１６】また本発明の多層配線基板によれば、有機
樹脂絶縁層の少なくとも一層に穴部を形成し、該穴部内
に有機誘電体層を容量電極で挟むことによって形成され
る容量素子を配設させるとともに、容量素子の容量電極
を有機樹脂絶縁層の上下に位置する薄膜配線導体に電気
的に接続させたことから所定の静電容量値を有する容量
素子を多層配線基板の内部に内蔵させることが可能とな
り、多層配線基板に半導体素子や容量素子、抵抗器等の
部品を搭載実装して混成集積回路装置等となす場合、多
層配線基板に別途、容量素子を多数搭載実装する必要は
なく、その結果、多層配線基板に搭載実装される部品の
数が減り、混成集積回路装置等を小型となすことができ
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１及び図２は、本発明の多層配線基
板の一実施例を示し、１は基板、２ａ、２ｂ、２ｃは有
機樹脂絶縁層、３ａ、３ｂ、３ｃは薄膜配線導体であ
る。

【００１８】前記基板１はその上面に３つの有機樹脂絶
縁層２ａ、２ｂ、２ｃと３つの層の薄膜配線導体３ａ、
３ｂ、３ｃを交互に多層に積層して成る多層配線部４が
配設されており、該多層配線部４を支持する支持部材と
して作用する。

【００１９】前記基板１は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化アルミニウムや酸化瑳素等の酸化物膜を有する
窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体等の非酸
化物系セラミックス、更にはガラス繊維を織り込んだ布
にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂等の電
気絶縁材料で形成されており、例えば、酸化アルミニウ
ム質焼結体で形成されている場合には、アルミナ、シリ
カ、カルシア、マグネシア等の原料粉末に適当な有機溶
剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従
来周知のドクターブレード法やカンダーロール法等を採
用することによってセラミックグリーンシート（セラミ
ツク生シート）を形成し、しかる後、前記セラミックグ
リーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状と
なすとともに高温（約１６００℃）で焼成することによ
って、或いはアルミナ等の原料粉末に適当な有機溶剤、
溶媒を添加混合して原料粉末を調整するとともに該原料
粉末をプレス成形機によって所定形状に成形し、最後に
前記成形体を約１６００℃の温度で焼成することによっ
て製作され、更にガラスエポキシ樹脂から成る場合は、
例えばガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂の前駆
体を含浸させるとともに該エポキシ樹脂前駆体を所定の
温度で熱硬化させることによって製作される。

【００２０】また前記基板１には上下両面に貫通する孔
径が例えば、直径３００μｍ〜５００μｍの貫通孔５が
形成されており、該貫通孔５の内壁には両端が基板１の
上下両面に導出する導電層６が被着されている。

【００２１】前記貫通孔５は後述する基板１の上面に形
成される多層配線部４の薄膜配線導体３ａと外部電気回
路とを電気的に接続する、或いは基板１の上下両面に多
層配線部４を形成した場合には両面の多層配線部４の薄
膜配線導体同士を電気的に接続する導電層６を形成する
ための形成孔として作用し、基板１にドリル孔あけ加工
法を施すことによって基板１の所定位置に所定形状に形
成される。

【００２２】更に前記貫通孔５の内壁及び基板１の上下
両面に被着形成されている導電層６は例えば、銅やニッ
ケル等の金属材料から成り、従来周知のメッキ法及びエ
ッチング加工技術を採用することによって貫通孔５の内
壁に両端を基板１の上下両面に導出させた状態で被着形
成される。

【００２３】前記導電層６は基板１の上面に形成される
多層配線部４の薄膜配線導体３ａを外部電気回路に電気
的に接続したり、基板１の上下両面に形成される各々の
多層配線部４の薄膜配線導体同士を電気的に接続する作
用をなす。

【００２４】また前記基板１に形成した貫通孔５はその
内部にエポキシ樹脂から成る有機樹脂充填体７が充填さ
れており、該有機樹脂充填体７によって貫通孔５が完全
に埋められ、同時に有機樹脂充填体７の両端が基板１の
上下両主面に被着させた導電層６の面と同一平面となっ
ている。

【００２５】前記有機樹脂充填体７は基板１の上面及び
／又は下面に後述する複数の有機樹脂絶縁層２ａ、２
ｂ、２ｃと複数の層の薄膜配線導体３ａ、３ｂ、３ｃと
からなる多層配線部４を形成する際、多層配線部４の各
有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃと各薄膜配線導体３
ａ、３ｂ、３ｃの平坦化を維持する作用をなす。

【００２６】なお、前記有機樹脂充填体７は基板１の貫
通孔５内にエポキジ樹脂の前駆体を充填し、しかる後、
これに８０℃〜２００℃の温度を０．５〜３時間印加
し、完全に熱硬化させることによって基板１の貫通孔５
内に充填される。

【００２７】更に前記基板１はその上面に３つの有機樹
脂絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃと３つの層の薄膜配線導体３
ａ、３ｂ、３ｃとが交互に多層に積層されて形成される
多層配線部４が配設されており、かつ該薄膜配線導体３
ａは導電層６と電気的に接続されている。

【００２８】前記多層配線部４を構成する有機樹脂絶縁
層２ａ、２ｂ、２ｃは上下に位置する薄膜配線導体３
ａ、３ｂ、３ｃの電気的絶縁を図る作用をなし、各薄膜
配線導体３ａ、３ｂ、３ｃは電気信号を伝達するための
伝達路として作用する。

【００２９】前記多層配線部４の各有機樹脂絶縁層２
ａ、２ｂ、２ｃは、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリ
アジン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂
等の有機樹脂から成り、例えば、エポキシ樹脂からなる
場合、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等に
アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬
化剤等の硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹
脂前駆体を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体を基板１
の上部にスピンコート法により被着させ、しかる後、こ
れを８０〜２００℃の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱
硬化させることによって形成される。

【００３０】また前記各有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２
ｃはその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層の厚
みに対して約１．５倍程度のスルーホール８が形成され
ており、該スルーホール８は後述する各有機樹脂絶縁層
２ａ、２ｂ、２ｃを介して上下に位置する薄膜配線導体
３ａ、３ｂ、３ｃの各々を電気的に接続するスルーホー
ル導体９を形成するための形成孔として作用する。

【００３１】前記各有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃに
設けるスルーホール８は例えば、各有機樹脂絶縁層２
ａ、２ｂ、２ｃにフォトリソグラフィー技術を採用する
ことによって、具体的には各有機樹脂絶縁層２ａ、２
ｂ、２ｃ上にレジスト材を塗布するとともにこれに露
光、現像を施すことによって所定位置に所定形状の窓部
を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチング液を
配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁層２
ａ、２ｂ、２ｃを除去して、有機樹脂絶縁層２ａ、２
ｂ、２ｃに穴（スルーホール）を形成し、最後に前記レ
ジスト材を有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃ上より剥離
させ除去することによって行われる。

【００３２】更に前記各有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２
ｃの各々の上面には所定パターンの薄膜配線導体３ａ、
３ｂ、３ｃが、また各有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃ
に設けたスルーホール８の内壁にはスルーホール導体９
が各々配設されており、スルーホール導体９によって有
機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃの各々を間に挟んで上下
に位置する各薄膜配線導体３ａ、３ｂ、３ｃが電気的に
接続されるようになっている。

【００３３】前記各有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃの
上面及びスルーホール８の内壁に配設される薄膜配線導
体３ａ、３ｂ、３ｃ及びスルーホール導体９は銅、ニッ
ケル、金、アルミニウム等の金属材料を無電解めっき法
や蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成技術及びフォ
トリソグラフィー技術を採用することによって形成さ
れ、例えば、銅で形成されている場合には、各有機樹脂
絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃの上面及びスルーホール８の内
壁に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリン０．
３モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５モル／リ
ットル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／リット
ルから成る無電解銅めっき浴を用いて厚さ１μｍ乃至４
０μｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をフォト
リソグラフィー技術により所定パターンに加工すること
によって各有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃ間、及び各
有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃのスルーホール８内壁
に配設される。この場合、薄膜配線導体３ａ、３ｂ、３
ｃは薄膜形成技術により形成されることから配線の微細
化が可能であり、これによって薄膜配線導体３ａ、３
ｂ、３ｃを極めて高密度に形成することが可能となる。

【００３４】なお、前記有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２
ｃと薄膜配線導体３ａ、３ｂ、３ｃとを交互に多層に積
層して形成される多層配線部４は各有機樹脂絶縁層２
ａ、２ｂ、２ｃの上面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．
０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと、有機樹脂
絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃと薄膜配線導体３ａ、３ｂ、３
ｃとの接合及び上下に位置する有機樹脂絶縁層２ａ、２
ｂ、２ｃ同士の接合を強固となすことができる。従っ
て、前記多層配線部４の各有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、
２ｃはその上面をエッチング加工技術等によって粗し、
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ
の粗面としておくことが好ましい。

【００３５】また、前記多層配線部４の各有機樹脂絶縁
層２ａ、２ｂ、２ｃはその各々の厚みが１００μｍを越
えると各有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃにフォトリソ
グラフィー技術を採用することによってスルーホール８
を形成する際、エッチング加工時間が長くなって、スル
ーホール８を所望する鮮明な形状に形成するのが困難と
なり、また５μｍ未満となると各有機樹脂絶縁層２ａ、
２ｂ、２ｃの上面に上下に位置する有機樹脂絶縁層の接
合強度を上げるための粗面加工を施す際、各有機樹脂絶
縁層２ａ、２ｂ、２ｃに不要な穴が形成され、上下に位
置する薄膜配線導体３ａ、３ｂ、３ｃに不要な電気的短
絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記多層配
線部４の各有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃはその各々
の厚みを５μｍ〜１００μｍの範囲としておくことが好
ましい。

【００３６】更に前記多層配線部４の各薄膜配線導体３
ａ、３ｂ、３ｃはその厚みが１μｍ未満であると各薄膜
配線導体３ａ、３ｂ、３ｃの電気抵抗が大きなものとな
って各薄膜配線導体３ａ、３ｂ、３ｃに所定の電気信号
を伝達させることが困難なものとなり、また４０μｍを
越えると各薄膜配線導体３ａ、３ｂ、３ｃを各有機樹脂
絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃに被着させる際に、各薄膜配線
導体３ａ、３ｂ、３ｃの内部に大きな応力が内在し、該
内在応力によって各薄膜配線導体３ａ、３ｂ、３ｃが各
有機樹脂絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃから剥離し易いものと
なる。従って、前記多層配線部４の各薄膜配線導体３
ａ、３ｂ、３ｃの厚みは１μｍ〜４０μｍの範囲として
おくことが好ましい。

【００３７】また更に前記多層配線部４はその少なくと
も一つの有機樹脂絶縁層２ｂに穴部１０が形成されてお
り、該穴部１０内には有機樹脂から成る有機誘電体層１
１を一対の容量電極１３、１４で挟むことによって形成
される容量素子Ａが配設され、該容量素子Ａの一方の容
量電極１３は薄膜配線導体３ａに、他方の容量電極１４
は薄膜配線導体３ｂに電気的に接続されている。

【００３８】前記容量素子Ａの静電容量値は有機誘電体
層１１の比誘電率と、一対の容量電極の対向面積の大き
さ及び間隔によって決定され、これらを可変することに
よって所定の静電容量値に調整される。

【００３９】前記容量素子Ａは基板１上に設けた多層配
線部４の内部に内蔵されており、そのためこの多層配線
基板に半導体素子や容量素子、抵抗器等の部品を搭載実
装して混成集積回路装置等となす場合、多層配線基板に
別途、容量素子を多数搭載実装する必要はなく、その結
果、多層配線基板に搭載実装される部品の数が減り、混
成集積回路装置等を小型となすことが可能となる。

【００４０】なお、前記容量素子Ａの有機誘電体層１１
は、例えばエポキシ樹脂等の有機樹脂から成り、有機樹
脂絶縁層２ｂに設けた穴部１０内にエポキシ樹脂等の樹
脂前駆体を充填するとともにこれを所定の温度で熱硬化
させることによって形成され、また一対の容量電極１
３、１４は銅やアルミニウム等の金属材料から成り、め
っき法や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフ
ィー技術を採用することによって有機誘電体層１１の上
下面に形成される。この場合、有機誘電体層１１と有機
樹脂絶縁層２ｂはいずれも有機樹脂により形成されてお
り両者の熱膨張係数が近似しているため有機誘電体層１
１と有機樹脂絶縁層２ｂに熱が印加されたとしても両者
間には両者の熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応力
が発生することはなく、これによって多層配線部４内に
容量素子Ａを極めて強固に取着内蔵させておくことがで
きる。

【００４１】前記容量素子Ａは、また有機誘電体層１１
中にチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタ
ン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム等の比誘電率が
２０以上の誘電体粉末を含有させておくと有機誘電体層
１１の比誘電率が高くなって一対の容量電極１３、１４
の対向面積を小さくして所定の静電容量値を得ることが
でき、更に有機誘電体層１１中に銅、アルミニウム、砒
素、金、銀、モリブデン、タングステン等の金属粉末を
含有させておくと一対の容量電極１３、１４の間隔が実
質的に狭いものとなり、同様に一対の容量電極１３、１
４の対向面積を小さくして所定の静電容量値を得ること
がでる。従って、容量素子Ａの形状を小さくし、多層配
線部４への内蔵を容易とするためには前記容量素子Ａは
有機誘電体層１１中にチタン酸バリウム、チタン酸スト
ロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウ
ム等の誘電体粉末や銅、アルミニウム、砒素、金、銀、
モリブデン、タングステン等の金属粉末を含有させてお
くことが好ましい。

【００４２】前記容量素子Ａの有機誘電体層１１中への
誘電体粉末や金属粉末の含有はエポキシ樹脂等の有機樹
脂前駆体を使用して有機誘電体層１１を形成する際に予
め有機樹脂前駆体に誘電体粉末や金属粉末を添加混合さ
せておくことによって有機誘電体層１１に含有される。

【００４３】更に、前記容量素子Ａの有機誘電体層１１
中に誘電体粉末を含有させる場合、誘電体粉末の平均粒
経が直径０．５μｍ未満となると誘電体粉末の比表面積
が大きくなってこの誘電体粉末を添加混合した有機樹脂
前駆体の粘度が高いものとなってしまい、その結果、こ
の誘電体粉末を添加混合した有機樹脂前駆体を使用して
有機誘電体層１１を形成すると有機誘電体層１１の厚み
が不均一となって容量素子Ａの静電容量値にバラツキが
発生してしまう危険性を有し、また５０μｍを越えると
誘電体粉末によって有機誘電体層１１の表面に凹凸が形
成され、該凹凸によって容量素子Ａの静電容量値にバラ
ツキが発生してしまう危険性がある。従って、前記容量
素子Ａの有機誘電体層１１中に誘電体粉末を含有させる
場合、誘電体粉末の平均粒径は直径０．５μｍ乃至５０
μｍの範囲としておくことが好ましい。

【００４４】また更に、前記容量素子Ａの有機誘電体層
１１中に誘電体粉末を含有させる場合、誘電体粉末の量
が有機誘電体層１１の全有機樹脂の量に対し５重量％未
満となると有機誘電体層１１の比誘電率を十分に上げる
ことができず、また７５重量％を越えると有機誘電体層
１１における誘電体粉末の接着強度が低下し、誘電体粉
末が有機誘電体層１１より脱落してしまう危険性があ
る。従って、前記容量素子Ａの有機誘電体層１１中に誘
電体粉末を含有させる場合、誘電体粉末の量を有機誘電
体層１１の全有機樹脂の量に対し５重量％乃至７５重量
％の範囲としておくことが好ましい。

【００４５】また一方、前記容量素子Ａの有機誘電体層
１１中に金属粉末を含有させる場合、金属粉末の平均粒
経が直径０．１μｍ未満となると金属粉末の比表面積が
大きくなってこの金属粉末を添加混合した有機樹脂前駆
体の粘度が高いものとなってしまい、その結果、この金
属粉末を添加混合した有機樹脂前駆体を使用して有機誘
電体層１１を形成すると有機誘電体層１１の厚みが不均
一となって容量素子Ａの静電容量値にバラツキが発生し
てしまう危険性を有し、また５０μｍを越えると金属粉
末によって有機誘電体層１１の表面に凹凸が形成され、
該凹凸によって容量素子Ａの静電容量値にバラツキが発
生してしまう危険性がある。従って、前記容量素子Ａの
有機誘電体層１１中に金属粉末を含有させる場合、金属
粉末の平均粒径は直径０．１μｍ乃至５０μｍの範囲と
しておくことが好ましい。

【００４６】また前記容量素子Ａの有機誘電体層１１中
に金属粉末を含有させる場合、金属粉末の量が有機誘電
体層１１の全有機樹脂の量に対し５重量％未満となると
有機誘電体層１１の比誘電率を十分に上げることができ
ず、また９５重量％を越えると金属粉末同士の接触、ト
ンネル効果等によって有機誘電体層１１の電気的絶縁性
が大きく低下してしまう危険性がある。従って、前記容
量素子Ａの有機誘電体層１１中に金属粉末を含有させる
場合、金属粉末の量を有機誘電体層１１の全有機樹脂の
量に対し５重量％乃至９５重量％の範囲としておくこと
が好ましい。

【００４７】かくして本発明の多層配線基板によれば、
例えば、基板１の上面に配設された多層配線部４上に半
導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品
を実装させることによって混成集積回路装置となり、基
板１の下面に被着されている導電層６を外部電気回路に
接続すればかかる混成集積回路装置が外部電気回路に電
気的に接続されることとなる。

【００４８】なお、本発明は上述の実施例に限定される
もではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例において
は基板１の上面のみに複数の有機樹脂絶縁層２ａ、２
ｂ、２ｃと薄膜配線導体３ａ、３ｂ、３ｃとを交互に多
層に積層して形成される多層配線部４を配設したが、該
多層配線部４を基板１の下面側のみに設けても、上下の
両面に設けてもよい。

【００４９】また容量素子Ａは多層配線部４の有機樹脂
絶縁層２ｂに設けた穴部１０に配設したが、これを有機
樹脂絶縁層２ａや２ｃに形成してもよい。有機樹脂絶縁
層２ａに穴部１０を形成し、この穴部１０に容量素子Ａ
を配設した場合、容量素子Ａの一方の容量電極は基板１
上に被着させた導電層６に接続され、また他方の容量電
極は薄膜配線導体３ａに接続される。

【００５０】

【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。

【００５１】また本発明の多層配線基板によれば、有機
樹脂絶縁層の少なくとも一層に穴部を形成し、該穴部内
に有機誘電体層を容量電極で挟むことによって形成され
る容量素子を配設させるとともに、容量素子の容量電極
を有機樹脂絶縁層の上下に位置する薄膜配線導体に電気
的に接続させたことから所定の静電容量値を有する容量
素子を多層配線基板の内部に内蔵させることが可能とな
り、多層配線基板に半導体素子や容量素子、抵抗器等の
部品を搭載実装して混成集積回路装置等となす場合、多
層配線基板に別途、容量素子を多数搭載実装する必要は
なく、その結果、多層配線基板に搭載実装される部品の
数が減り、混成集積回路装置等を小型となすことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。

【図２】図１に示す多層配線基板の要部拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

１・・・・・・・・・・・基板 ２ａ、２ｂ、２ｃ・・・・有機樹脂絶縁層 ３ａ、３ｂ、３ｃ・・・・薄膜配線導体 ４・・・・・・・・・・・多層配線部 ９・・・・・・・・・・・スルーホール導体 １０・・・・・・・・・・穴部 １１・・・・・・・・・・有機誘電体層 １３、１４・・・・・・・容量電極 Ａ・・・・・・・・・・・容量素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体
   とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導
   体を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して
   電気的に接続してなる多層配線基板であって、前記有機
   樹脂絶縁層の少なくとも一層に穴部を形成し、該穴部内
   に有機誘電体層を容量電極で挟むことによって形成され
   る容量素子を配設させるとともに、容量素子の容量電極
   を有機樹脂絶縁層の上下に位置する薄膜配線導体に電気
   的に接続させたことを特徴とする多層配線基板。
2. 【請求項２】前記有機誘電体層は有機樹脂に誘電体粉末
   及び／又は金属粉末を含有させて形成されていることを
   特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
3. 【請求項３】前記誘電体粉末がチタン酸バリウム、チタ
   ン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マ
   グネシウムの少なくとも一種からなることを特徴とする
   請求項２記載の多層配線基板。
4. 【請求項４】前記金属粉末が銅、アルミニウム、砒素、
   金、銀、モリブデン、タングステンの少なくとも一種か
   らなることを特徴とする請求項２記載の多層配線基板。
5. 【請求項５】前記誘電体粉末の平均粒径が０．５μｍ乃
   至５０μｍであることを特徴とする請求項２または３に
   記載の多層配線基板。
6. 【請求項６】前記金属粉末の平均粒径が０．１μｍ乃至
   ５０μｍであることを特徴とする請求項２または４に記
   載の多層配線基板。