JPH1093247A - 多層配線基板 - Google Patents

多層配線基板

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JPH1093247A
JPH1093247A JP8246066A JP24606696A JPH1093247A JP H1093247 A JPH1093247 A JP H1093247A JP 8246066 A JP8246066 A JP 8246066A JP 24606696 A JP24606696 A JP 24606696A JP H1093247 A JPH1093247 A JP H1093247A
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JP
Japan
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organic resin
resin insulating
thin film
insulating layer
multilayer wiring
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JP8246066A
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Takeshi Kume
健士 久米
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】配線導体が高密度に形成することができずまた
全体の形状が大型化する。 【解決手段】基板1と、該基板1の少なくとも一主面上
に被着され、複数の有機樹脂絶縁層3a、3b、3cと
複数の薄膜配線導体4a、4b、4cとを交互に多層に
配設するとともに上下に位置する薄膜配線導体4a、4
b、4cを各有機樹脂絶縁層3a、3b、3cに設けた
スルーホール導体9を介して接続して成る多層配線部2
と、前記有機樹脂絶縁層の少なくとも一層3bに比誘電
率が20以上の誘電物フィラーを含有させるとともに該
誘電物フィラーが含有されている有機樹脂絶縁層3bを
その上下両面に配設されている薄膜配線導体4a、4b
の一部で対向挟持させることによって形成され、前記薄
膜配線導体4a、4b間に電気的に接続させている容量
素子Aとから成る多層配線基板であって、前記各有機樹
脂絶縁層が酸触媒型の感光性エポキシ樹脂で形成されて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子等の能動部品や容量素
子、抵抗器等の受動部品を多数搭載し、所定の電子回路
を構成するようになした混成集積回路装置は、通常、絶
縁基板の内部及び表面にタングステン、モリブデン等の
高融点金属粉末から成る配線導体を形成した構造の配線
基板を準備し、次に前記配線基板の表面に半導体素子や
容量素子、抵抗器等を搭載取着するとともに該半導体素
子等の電極を前記配線導体に接続することによって混成
集積回路装置となる。
【0003】かかる従来の混成集積回路装置等に使用さ
れる配線基板は一般にセラミックスの積層技術及びスク
リーン印刷法等の厚膜技術を採用することによって製作
されており、具体的には以下の方法によって製作されて
いる。
【0004】即ち、 (1)先ず、アルミナ等の電気絶縁性に優れたセラミッ
ク原料粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して複数枚のセ
ラミック生シートを得るとともに該各セラミック生シー
トの上下面にタングステン、モリブデン等の高融点金属
粉末から成る導電ペーストを従来周知のスクリーン印刷
法等の厚膜手法を採用することによって所定パターンに
印刷塗布する。
【0005】(2)次に前記各セラミック生シートを積
層し、積層体を得るとともにこれを約1500℃の温度
で焼成し、内部及び表面にタングステン、モリブデン等
の高融点金属粉末から成る配線導体を有する絶縁基板を
得る。
【0006】(3)そして最後に、前記配線導体のう
ち、大気中に露出する表面にニッケル及び金等の耐蝕性
に優れ、良導電性で、半田等のロウ材と濡れ性(反応
性)の良い金属をめっき法により被着させ、これによっ
て製品としての配線基板が完成する。
【0007】しかしながら、この従来の配線基板におい
ては、配線導体がタングステンやモリブデン等の高融点
金属粉末から成る導電ペーストをスクリーン印刷法等の
厚膜手法を採用し所定パターンに印刷塗布することによ
って形成されており、配線導体の微細化が困難で配線導
体を高密度に形成することができないという欠点を有し
ていた。
【0008】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来の厚膜形成技術で形成するのに代えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて配線導体を高密度に形成した
多層配線基板が使用されるようになってきた。
【0009】かかる配線導体を薄膜形成技術により形成
した多層配線基板は、一般に酸化アルミニウム質焼結体
等から成るセラミックスやガラス繊維を織り込んだガラ
ス布にエポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエポ
キシ樹脂から成る絶縁基板の上面にスピンコート法及び
熱硬化処理によって形成されるエポキシ樹脂等の有機樹
脂から成る絶縁層と、銅やアルミニウム等の金属を無電
解メッキ法や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォトリソグ
ラフィー技術を採用することによって形成される薄膜配
線導体とを交互に積層させた構造を有している。
【0010】またこの多層配線基板においては、積層さ
れた各有機樹脂絶縁層間に配設されている薄膜配線導体
が有機樹脂絶縁層に形成したスルーホール導体を介して
電気的に接続されており、各有機樹脂絶縁層へのスルー
ホール導体の形成はまず各有機絶縁層上にレジスト材を
塗布するとともこれに露光、現像を施すことによって所
定位置に窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエ
ッチング液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹
脂絶縁層を除去して、有機樹脂絶縁層に穴(スルーホー
ル)を形成し、次に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層上
より剥離除去し、最後に有機樹脂絶縁層のスルーホール
内壁に該有機樹脂絶縁層の上面に薄膜配線導体を形成す
るのと同時に薄膜配線導体と同じ金属を被着させること
によって行われている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この多
層配線基板は、有機樹脂絶縁層が熱硬化性のエポキシ樹
脂で形成されており、該有機樹脂絶縁層にスルーホール
導体を形成する場合、最終的には剥離除去されるレジス
ト材を別途準備するとともにこれを有機樹脂絶縁層上に
必ず塗布しなければならず、スルーホール導体の形成に
最終的には除去されるレジスト材を別途準備するととも
多くの作業工程を必要として製品としての多層配線基板
を高価とする欠点を招来した。
【0012】また上記欠点に鑑み、有機樹脂絶縁層とな
るエポキシ樹脂を感光性としておき、該感光性エポキシ
樹脂に露光、現像処理を施すことによって有機樹脂絶縁
層に直接、スルーホールを形成することも考えられる。
【0013】しかしながら、一般に使用されている感光
性エポキシ樹脂はエポキシアクリル系やアクリル系の樹
脂であり、その内部にアクリロイル基やアクリル基等の
官能基を有しており、これらの官能基が紫外線のエネル
ギーによりラジカル重合反応して硬化するものであり、
該紫外線のエネルギーによるアクリロイル基やアクリル
基等の官能基のラジカル重合反応による硬化ではエポキ
シ樹脂前駆体の紫外線が照射される表面側から硬化が進
み、該硬化されたエポキシ樹脂と未硬化のエポキシ樹脂
との境において屈折率の差が生じ、その結果、硬化途中
におけるエポキシ樹脂内で紫外線の回析、屈折、反射が
大きく起こり、良好なパターンコントラストが得られな
いことから絶縁基板上に感光性エポキシ樹脂前駆体を塗
布するとともにこれに露光、現像処理を施してスルーホ
ールを形成する際、露光処理の解像度の限界が約100
μmとなって径の小さなスルーホールは形成することが
できずスルーホール導体の径が大きくなってしまうとい
う欠点を誘発する。
【0014】またこの多層配線基板は表面に半導体素子
等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品が多数搭
載されるようになっており、部品の搭載数に応じて大型
化してしまうという欠点も有していた。
【0015】本発明は上述の諸欠点に鑑み案出されたも
ので、その目的は配線導体の線幅を細く、スルーホール
導体の径を小さいものとし、且つ内部に容量素子を内蔵
させることによって小型にして、且つ配線が高密度の多
層配線基板を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
と、該基板の少なくとも一主面上に被着され、複数の有
機樹脂絶縁層と複数の薄膜配線導体とを交互に多層に配
設するとともに上下に位置する薄膜配線導体を各有機樹
脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して接続して成
る多層配線部と、前記有機樹脂絶縁層の少なくとも一層
に比誘電率が20以上の誘電物フィラーを含有させると
ともに該誘電物フィラーが含有されている有機樹脂絶縁
層をその上下両面に配設されている薄膜配線導体の一部
で対向挟持させることによって形成され、前記薄膜配線
導体間に電気的に接続させている容量素子とから成る多
層配線基板であって、前記各有機樹脂絶縁層が酸触媒型
の感光性エポキシ樹脂で形成されていることを特徴とす
るものである。
【0017】請求項2の発明は、前記誘電物フィラーが
チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸
カルシウム、チタン酸マグネシウムの少なくとも1種よ
りなることを特徴とするものである。
【0018】請求項3の発明は、前記誘電物フィラーの
粒径が直径0.5μm乃至50μmであることを特徴と
するものである。
【0019】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基板
上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配線
の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成する
ことが可能となる。
【0020】また本発明の多層配線基板によれば、有機
樹脂絶縁層の少なくとも一層に比誘電率が20以上の誘
電物フィラーを含有させるとともに該誘電物フィラーが
含有されている有機樹脂絶縁層をその上下両面に配設さ
れている薄膜配線導体の一部で対向挟持させることによ
って容量素子を形成するとともに該容量素子を薄膜配線
導体間に電気的接続させたことから多層配線基板に半導
体素子や容量素子、抵抗器等の部品を搭載して混成集積
回路装置等となす場合、多層配線基板に別途、容量素子
を多数実装する必要はなく、その結果、多層配線基板に
実装される部品の数が減り、混成集積回路装置等を小型
となすことが可能となる。
【0021】更に本発明の多層配線基板によれば、各有
機樹脂絶縁層を酸触媒型エポキシ樹脂で形成したことか
らスルーホール導体を設けるための各有機樹脂絶縁層へ
のスルーホールの形成がレジスト材を使用することな
く、各有機樹脂絶縁層に直接、形成することができ、レ
ジスト材を不要として有機樹脂絶縁層にスルーホールを
簡単に形成することが可能で製品としての多層配線基板
を安価となすことができる。また同時に酸触媒型エポキ
シ樹脂は露光時の解像度が30μm程度であることから
有機樹脂絶縁層に径が30μm程度の微細なスルーホー
ルを形成することができ、これによって上下に配した微
細な薄膜配線導体を確実に電気的接続することが可能と
なる。
【0022】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図1は、本発明の多層配線基板の一実
施例を示し、1は絶縁基板、2は多層配線部である。
【0023】前記絶縁基板1はその上面に3つの有機樹
脂絶縁層3a、3b、3cと3つの層の薄膜配線導体4
a、4b、4cを交互に多層に配設して成る多層配線部
2が形成されており、該多層配線部2を支持する支持部
材として作用する。
【0024】前記絶縁基板1は酸化アルミニウム質焼結
体やムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或い
は表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更には
ガラス繊維を織る込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させた
ガラスエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されてお
り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されてい
る場合には、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア
等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥
漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード
法やカレンダーロール法を採用することによってセラミ
ックグリーンシート(セラミック生シート)を形成し、
しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち
抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温(約16
00℃)で焼成することによって、或いはアルミナ等の
原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉
末を調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によっ
て所定形状に成形し、最後に前記成形体を約1600℃
の温度で焼成することによって製作され、またガラスエ
ポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維を織り込
んだ布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該
エポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることに
よって製作される。
【0025】また前記絶縁基板1には上下両主面に貫通
する孔径が例えば、直径300μm〜500μmの貫通
孔5が形成されており、該貫通孔5の内壁には両端が絶
縁基板1の上下両面に導出する導電層6が被着されてい
る。
【0026】前記貫通孔5は後述する絶縁基板1の上面
に形成される多層配線部2の薄膜配線導体4aと外部電
気回路とを電気的に接続する、或いは絶縁基板1の上下
両主面に多層配線部2を配設した場合には両主面の多層
配線部2の薄膜配線導体同士を電気的に接続する導電層
6を形成するための形成孔として作用し、絶縁基板1に
ドリル孔あけ加工法を施すことによって絶縁基板1の所
定位置、所定形状に形成される。
【0027】更に前記貫通孔5の内壁及び絶縁基板1の
上下両面に被着形成されている導電層6は例えば、銅や
ニッケル等の金属材料から成り、従来周知のめっき法及
びエッチン法を採用することによって貫通孔5の内壁に
両端を絶縁基板1の上下両面に導出させた状態で被着形
成される。
【0028】前記導電層6は絶縁基板1の主面に配設さ
れる多層配線部2の薄膜配線導体3aを外部電気回路に
電気的に接続したり、絶縁基板1の上下両主面に配設さ
れる各々の多層配線部2の薄膜配線導体同士を電気的に
接続する作用をなす。
【0029】また前記絶縁基板1に形成した貫通孔5は
その内部にエポキシ樹脂から成る有機樹脂充填体7が充
填されており、該有機樹脂充填体7によって貫通孔5が
完全に埋められ、同時に有機樹脂充填体7の両端面が絶
縁基板1の上下両主面に被着させた導電層6の面と同一
平面となっている。
【0030】前記有機樹脂充填体7は絶縁基板1の上面
及び/又は下面に後述する複数の有機樹脂絶縁層3a、
3b、3cと複数の層の薄膜配線導体4a、4b、4c
とから成る多層配線部2を形成する際、多層配線部2の
各有機樹脂絶縁層3a、3b、3cと各薄膜配線導体4
a、4b、4cの平坦化を維持する作用をなす。
【0031】尚、前記有機樹脂充填体7は絶縁基板1の
貫通孔5内にエポキシ樹脂の前駆体を充填し、しかる
後、これに80℃〜200℃の温度を0.5〜3時間印
加し、完全に熱硬化させることによって絶縁基体1の貫
通孔5内に充填される。
【0032】更に前記絶縁基板1はその上面3つの有機
樹脂絶縁層3a、3b、3cと3つの層の薄膜配線導体
4a、4b、4cとが交互に多層に配設された多層配線
部2が形成されており、且つ該薄膜配線導体4aは導電
層6と電気的に接続されている。
【0033】前記多層配線部2を構成する有機樹脂絶縁
層3a、3b、3cは上下に位置する薄膜配線導体4
a、4b、4cの電気的絶縁を図る作用を為し、各薄膜
配線導体4a、4b、4cは電気信号を伝達するための
伝達路として作用する。
【0034】前記多層配線部2の各有機樹脂絶縁層3
a、3b、3cは酸触媒型の感光性エポキシ樹脂から成
り、例えば、フェノールノボラック樹脂、メチロールメ
ラミン、ジアリルジアゾニウム塩にプロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテートを添加混合してペース
ト状の酸触媒型感光性エポキシ樹脂前駆体を得るととも
に、該酸触媒型の感光性エポキシ樹脂前駆体を基板1の
上部にスピンコート法やドクターブレード法等により所
定厚みに被着させ、次にこれを高圧水銀ランプ等を用い
た露光機により1〜3J/cm3 のエネルギーで所定の
露光を行うとともにスプレー現像機で現像して後述する
スルーホール8となる穴を形成し、しかる後、これを1
80℃の温度で30〜60分加熱し、完全に硬化させる
ことによって形成される。
【0035】前記各有機樹脂絶縁層3a、3b、3cは
その各々の所定位置にスルーホール8が形成されてお
り、該スルーホール8は各有機樹脂絶縁層3a、3b、
3cを介して上下に位置する各薄膜配線導体4a、4
b、4cの各々を電気的に接続するスルーホール導体9
を形成するための形成孔として作用する。
【0036】前記スルーホール8は各有機樹脂絶縁層3
a、3b、3cが酸触媒型の感光性エポキシ樹脂で形成
されていることから、前述した有機樹脂絶縁層3a、3
b、3cを形成する際に基板1上部に塗布された酸触媒
型感光性樹脂前駆体に露光、現像を施すことによって有
機樹脂絶縁層3a、3b、3cに直接、形成され、有機
樹脂絶縁層3a、3b、3cにスルーホール8を形成す
るためのレジスト材を別途、準備する必要は全くなく、
これによって有機樹脂絶縁層3a、3b、3cに簡単に
スルーホール8を形成することが可能となるとともに製
品としての多層配線基板を安価となすことができる。
【0037】また前記各有機樹脂絶縁層3a、3b、3
cの各々の上面には所定パターンの薄膜配線導体4a、
4b、4cが、また各有機樹脂絶縁層3a、3b、3c
に設けたスルーホール8の内壁にはスルーホール導体9
が各々配設されており、スルーホール導体9によって有
機樹脂絶縁層3a、3b、3cの各々を間に挟んで上下
に位置する各薄膜配線導体4a、4b、4cが電気的に
接続されるようになっている。
【0038】前記各有機樹脂絶縁層3a、3b、3cの
上面及びスルーホール8内に配設される薄膜配線導体4
a、4b、4c及びスルーホール導体9は銅、金、アル
ミニウム等の金属材料を無電解めっき法や蒸着法、スパ
ッタリング法等の薄膜形成技術及びエッチング加工技術
を採用することによって形成され、例えば銅で形成され
ている場合には、各有機樹脂絶縁層3a、3b、3cの
上面及びスルーホール8の内表面に硫酸銅0.06モル
/リットル、ホルマリン0.3モル/リットル、水酸化
ナトリウム0.35モル/リットル、エチレンジアミン
四酢酸0.35モル/リットルからなる無電解銅メッキ
浴を用いて厚さ1μm乃至40μmの銅層を被着させ、
しかる後、前記銅層をエッチング加工法により所定パタ
ーンに加工することによって各有機樹脂絶縁層3a、3
b、3c間及び各有機樹脂絶縁層3a、3b、3cのス
ルーホール8内壁に配設される。この場合、薄膜配線導
体4a、4b、4cは薄膜形成技術により形成されるこ
とから配線の微細化が可能であり、これによって薄膜配
線導体4a、4b、4cを極めて高密度に形成すること
が可能となる。
【0039】また前記各有機樹脂絶縁層3a、3b、3
c間に配設される薄膜配線導体4a、4b、4cは、そ
の各々が有機樹脂絶縁層3a、3b、3cに設けたスル
ーホール8の内壁に被着させたスルーホール導体9を介
して電気的に接続されており、スルーホール8は各有機
樹脂絶縁層3a、3b、3cが酸触媒型の感光性エポキ
シ樹脂で形成され、該酸触媒型のエポキシ樹脂は、まず
酸触媒型のエポキシ樹脂前駆体に紫外線が照射されると
該前駆体は硬化しないものの紫外線のエネルギーにより
エポキシ樹脂前駆体中に熱によるエポキシ樹脂前駆体の
重合反応を促進させる触媒作用のあるルイス酸等の触媒
物質が形成され、次にこれに熱が印加されると該熱のエ
ネルギーにより前記触媒物質が形成されたエポキシ樹脂
前駆体が触媒物質の触媒作用により重合反応し熱硬化す
るものであり、紫外線の照射により酸触媒型エポキシ樹
脂前駆体に触媒物質を形成させる際には硬化が起こらな
いことから酸触媒型エポキシ樹脂前駆体内で紫外線の回
析、屈折、反射が大きく起こることはなく、従って、エ
ポキシ樹脂前駆体中に触媒物質がシャープなコントラス
トのパターンに形成され、また熱により硬化させる際に
は該シャープなコントラストのパターンで触媒物質で形
成された部位のみが触媒物質の触媒作用のもとで熱によ
り重合硬化することから酸触媒型感光性エポキシ樹脂前
駆体に露光加熱処理を施した場合、その解像度を約30
μmとしてスルーホール8の径が約30μmの微細なも
のとなすことができるとともに該スルーホール8内壁に
被着形成されるスルーホール導体9も極めて微細なもの
となすことができ、その結果、有機樹脂絶縁層3a、3
b、3cを間に挟んで上下に配設した微細な薄膜配線導
体4a、4b、4cは同様に微細に形成したスルーホー
ル導体9を介して確実に電気的接続することが可能とな
る。
【0040】尚、前記有機樹脂絶縁層3a、3b、3c
と薄膜配線導体4a、4b、4cとを交互に積層して形
成される多層配線部2は、各有機樹脂絶縁層3a、3
b、3cの上面を中心線平均粗さ(Ra)で0.05μ
m≦Ra≦5μmの粗面としておくと有機樹脂絶縁層3
a、3b、3cと薄膜配線導体4a、4b、4cとの接
合及び上下に位置する有機樹脂絶縁層3a、3b、3c
同士の接合を強固となすことができる。従って、前記多
層配線部2の各有機樹脂絶縁層3a、3b、3cはその
上面にCHF2 、CF4 、Ar等のガスを吹きつけてリ
アクティブイオンエッチング処理をすること等によって
粗し、中心線平均粗さ(Ra)で0.05μm≦Ra≦
5μmの粗面としておくことが好ましい。
【0041】更に前記有機樹脂絶縁層3a、3b、3c
はその各々の厚みが100μmを越えると酸触媒型感光
性エポキシ樹脂前駆体に露光、現像処理を施すことによ
ってスルーホールとなる穴を形成する際、その穴を鮮明
に形成するのが困難となって、有機樹脂絶縁層3a、3
b、3cに所定のスルーホール8を形成することができ
なくなる危険性を有し、また5μm未満となると有機樹
脂絶縁層3a、3b、3cの上面に上下に位置する有機
樹脂絶縁層3a、3b、3cの接合強度を上げるための
粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層3a、3b、3cに
不要な穴が形成され、上下に位置する薄膜配線導体4
a、4b、4cに不要な電気的短絡を招来してしまう危
険性がある。従って、前記有機樹脂絶縁層3a、3b、
3cはその各々の厚みを5μm〜100μmの範囲とし
ておくことが好ましい。
【0042】また更に前記多層配線部2の各薄膜配線導
体4a、4b、4cはその厚みが1μm未満となると各
薄膜配線導体4a、4b、4cの電気抵抗が大きなもの
となって各薄膜配線導体4a、4b、4cに所定の電気
信号を伝達させることが困難なものとなり、また40μ
mを越えると各薄膜配線導体4a、4b、4cを各有機
樹脂絶縁層3a、3b、3cに被着させる際、各薄膜配
線導体4a、4b、4c内に大きな応力が内在し、該内
在応力によって各薄膜配線導体4a、4b、4cが各有
機樹脂絶縁層3a、3b、3cより剥離し易いものとな
る。従って、前記多層配線部2の各薄膜配線導体4a、
4b、4cの厚みを1μm乃至40μmの範囲としてお
くことが好ましい。
【0043】更にまた前記薄膜配線導体4a、4b、4
cはその表面が中心線平均粗さ(Ra)で0.05μm
≦Ra≦5μm、表面の2.5mmの長さにおける凹凸
の高さ(Pc)のカウント値を0.01μm≦Pc≦
0.1μmが30000個以上、0.1μm≦Pc≦1
μmが3000個乃至10000個、1μm≦Pc≦1
0μmが500個以下となるように粗しておくと各有機
樹脂絶縁層3a、3b、3cと各薄膜配線導体4a、4
b、4cとはその接合面積が極めて広いものとなり、そ
の結果、各有機樹脂絶縁層3a、3b、3cと各薄膜配
線導体4a、4b、4cとの密着性が著しく向上し、有
機樹脂絶縁層3a、3b、3cや薄膜配線導体4a、4
b、4cに外力が印加されても該外力によって各有機樹
脂絶縁層3a、3b、3cと各薄膜配線導体4a、4
b、4cとの間に剥離が発生することはなく、両者の接
合を極めて強固となすことができる。従って、前記各薄
膜配線導体4a、4b、4cはその表面が中心線平均粗
さ(Ra)で0.05μm≦Ra≦5μm、表面の2.
5mmの長さにおける凹凸の高さ(Pc)のカウント値
を0.01μm≦Pc≦0.1μmが30000個以
上、0.1μm≦Pc≦1μmが3000個乃至100
00個、1μm≦Pc≦10μmが500個以下となる
ように粗しておくことが好ましい。
【0044】また一方、前記有機樹脂絶縁層3a、3
b、3cと各薄膜配線導体4a、4b、4cとからなる
配線導体部2は有機樹脂絶縁層3bに比誘電率が20以
上の誘電物フィラーが含有され、かつ有機樹脂絶縁層3
bをその上下両面に配設された薄膜配線導体4a、4b
の一部で対向挟持せることによって容量素子Aが形成さ
れており、該容量素子Aは薄膜配線導体4a、4bに電
気的に接続されている。
【0045】前記容量素子Aの静電容量値は比誘電率が
20以上の誘電物フィラーが含有された有機樹脂絶縁層
3bの比誘電率と、有機樹脂絶縁層3bの厚みと、薄膜
配線導体4a、4bの対向面積の大きさによって決定さ
れ、有機樹脂絶縁層3bに含有させる誘電物フィラーの
比誘電率及び薄膜配線導体4a、4bの対向面積の大き
さを可変することによって所定の静電容量値に調整され
る。
【0046】前記容量素子Aは絶縁基板1上に設けた多
層配線部2の内部に内蔵されており、そのためこの多層
配線基板に半導体素子や容量素子、抵抗器等の部品を搭
載して混成集積回路装置等となす場合、多層配線基板に
別途、容量素子を多数実装する必要はなく、その結果、
多層配線基板に実装される部品の数が減り、混成集積回
路装置等を小型となすことが可能となる。
【0047】尚、前記誘電物フィラーの有機樹脂絶縁層
3bへの含有は酸触媒型感光性エポキシ樹脂前駆体を使
用して有機樹脂絶縁層3bを形成する際に予め酸触媒型
感光性エポキシ樹脂前駆体に誘電物フィラーを添加混合
させておくことによって有機樹脂絶縁層3bに含有され
る。
【0048】また前記有機樹脂絶縁層3bに含有される
誘電物フィラーはその比誘電率が20(室温1MHz)
未満となると有機樹脂絶縁層3bの比誘電率が小さくな
って容量素子Aの静電容量値が実用に供しない小さな値
となってしまう。従って、前記有機樹脂絶縁層3bに含
有される誘電物フィラーはその比誘電率が20(室温1
MHz)以上のものに特定され、チタン酸バリウムやチ
タン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸
マグネシウム等の比誘電率が高い材料が好適に使用され
る。
【0049】更に前記誘電物フィラーはその粒径が直径
0.5μm未満となると誘電物フィラーの比表面積が大
きくなってこの誘電物フィラーを添加混合した有機樹脂
前駆体の粘度を高くしてしまい、その結果、この誘電物
フィラーを添加混合した有機樹脂前駆体をスピンコート
法等を採用して有機樹脂絶縁層3bを形成する際、有機
樹脂絶縁層3bの厚みが不均一となり、有機樹脂絶縁層
3bを所定の均一厚みとすることが困難となってしま
い、また50μmを越えると誘電物フィラーによって有
機樹脂絶縁層3bの表面に凹凸が形成され、容量素子A
が形成される領域における有機樹脂絶縁層3bの比誘電
率にバラツキが発生したり、有機樹脂絶縁層3bにおけ
る誘電物フィラーの接着強度が低下し、誘電物フィラー
が有機樹脂絶縁層3bより脱落したりしてしまう危険性
がある。従って、前記誘電物フィラーはその粒径を直径
0.5μm乃至50μmの範囲としておくことが好まし
い。
【0050】また更に前記誘電物フィラーの有機樹脂絶
縁層3bへの含有量は、誘電物フィラーの量が有機樹脂
絶縁層3bの全有機樹脂量に対し20重量%未満となる
と有機樹脂絶縁層3bの比誘電率が小さく、実用に供す
ることができる容量素子Aを形成するのが困難となり、
また75重量%を越えると有機樹脂絶縁層3bにおける
誘電物フィラーの接着強度が低下し、誘電物フィラーが
有機樹脂絶縁層3bより脱落してしまう危険性がある。
従って、前記誘電物フィラーの有機樹脂絶縁層3bへの
含有量は20重量%乃至75重量%の範囲としておくこ
とが好ましい。
【0051】かくして本発明の多層配線基板によれば、
例えば、絶縁基板1の上面に被着させた多層配線部2上
に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動
部品を実装させることによって混成集積回路装置とな
り、絶縁基板1の下面に被着されている導電層6を外部
電気回路に接続すればかかる混成集積回路装置が外部電
気回路に電気的に接続されることとなる。
【0052】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例において
は絶縁基板1の上面のみに複数の有機樹脂絶縁層3a、
3b、3cと複数の薄膜配線導体4a、4b、4cとか
ら成る多層配線部2を設けたが、該多層配線部2を絶縁
基板1の下面側のみに設けても、上下の両主面に設けて
もよい。
【0053】
【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。
【0054】また本発明の多層配線基板によれば、有機
樹脂絶縁層の少なくとも一層に比誘電率が20以上の誘
電物フィラーを含有させるとともに該誘電物フィラーが
含有されている有機樹脂絶縁層をその上下両面に配設さ
れている薄膜配線導体の一部で対向挟持させることによ
って容量素子を形成するとともに該容量素子を薄膜配線
導体間に電気的接続させたことから多層配線基板に半導
体素子や容量素子、抵抗器等の部品を搭載して混成集積
回路装置等となす場合、多層配線基板に別途、容量素子
を多数実装する必要はなく、その結果、多層配線基板に
実装される部品の数が減り、混成集積回路装置等を小型
となすことが可能となる。
【0055】更に本発明の多層配線基板によれば、各有
機樹脂絶縁層を酸触媒型エポキシ樹脂で形成したことか
らスルーホール導体を設けるための各有機樹脂絶縁層へ
のスルーホールの形成がレジスト材を使用することな
く、各有機樹脂絶縁層に直接、形成することができ、レ
ジスト材を不要として有機樹脂絶縁層にスルーホールを
簡単に形成することが可能で製品としての多層配線基板
を安価となすことができる。また同時に酸触媒型エポキ
シ樹脂は露光時の解像度が30μm程度であることから
有機樹脂絶縁層に径が30μm程度の微細なスルーホー
ルを形成することができ、これによって上下に配した微
細な薄膜配線導体を確実に電気的接続することが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。
【符号の説明】
1・・・基板 2・・・多層配線部 3a、3b、3c・・有機樹脂絶縁層 4a、4b、4c・・薄膜配線導体 5・・・貫通孔 6・・・導電層 7・・・有機樹脂充填体 8・・・スルーホール 9・・・スルーホール導体 A・・・容量素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // H05K 1/03 610 H01L 23/14 R

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板と、該基板の少なくとも一主面上に被
    着され、複数の有機樹脂絶縁層と複数の薄膜配線導体と
    を交互に多層に配設するとともに上下に位置する薄膜配
    線導体を各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を
    介して接続して成る多層配線部と、前記有機樹脂絶縁層
    の少なくとも一層に比誘電率が20以上の誘電物フィラ
    ーを含有させるとともに該誘電物フィラーが含有されて
    いる有機樹脂絶縁層をその上下両面に配設されている薄
    膜配線導体の一部で対向挟持させることによって形成さ
    れ、前記薄膜配線導体間に電気的に接続させている容量
    素子とから成る多層配線基板であって、前記各有機樹脂
    絶縁層が酸触媒型の感光性エポキシ樹脂で形成されてい
    ることを特徴とする多層配線基板。
  2. 【請求項2】前記誘電物フィラーがチタン酸バリウム、
    チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン
    酸マグネシウムの少なくとも1種よりなることを特徴と
    する請求項1記載の多層配線基板。
  3. 【請求項3】前記誘電物フィラーの粒径が直径0.5μ
    m乃至50μmであることを特徴とする請求項1記載の
    多層配線基板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003046242A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Kyocera Corp 多層配線基板
WO2024035176A1 (ko) * 2022-08-10 2024-02-15 엘지이노텍 주식회사 반도체 패키지 기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지

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JP2003046242A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Kyocera Corp 多層配線基板
WO2024035176A1 (ko) * 2022-08-10 2024-02-15 엘지이노텍 주식회사 반도체 패키지 기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지

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Effective date: 20040629