JPH1093248A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】従来は配線導体を高密度に形成することができ
ずまた全体の形状が大型化していた。 【解決手段】薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃとを交互に
配設するとともに有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに設
けたスルーホール導体９を介して接続して成る多層配線
部２と、前記有機樹脂絶縁層の少なくとも一層３ｂに比
誘電率が２０以上の誘電物フィラーを含有させて高誘電
率有機樹脂絶縁層となすとともに薄膜配線導体４ａ、４
ｂの一部で対向挟持させて形成され前記薄膜配線導体４
ａ、４ｂ間に電気的に接続されている容量素子Ａとから
成る多層配線基板であって、薄膜配線導体４ｂは間に絶
縁樹脂膜１０を介して高誘電率有機樹脂絶縁層の上面に
接合され、且つ高誘電率有機樹脂絶縁層の下面側に配設
されている薄膜配線導体４ａはその表面粗さを中心線平
均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍとして高
誘電率有機樹脂絶縁層の下面に直接接合されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子等の能動部品や容量素
子、抵抗器等の受動部品を多数搭載し、所定の電子回路
を構成するようになした混成集積回路装置は、通常、絶
縁基板の内部及び表面にタングステン、モリブデン等の
高融点金属粉末から成る配線導体を形成した構造の配線
基板を準備し、次に前記配線基板の表面に半導体素子や
容量素子、抵抗器等を搭載取着するとともに該半導体素
子等の電極を前記配線導体に接続することによって混成
集積回路装置となる。

【０００３】かかる従来の混成集積回路装置等に使用さ
れる配線基板は一般にセラミックスの積層技術及びスク
リーン印刷法等の厚膜技術を採用することによって製作
されており、具体的には以下の方法によって製作されて
いる。

【０００４】即ち、 （１）先ず、アルミナ等の電気絶縁性に優れたセラミッ
ク原料粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して複数枚のセ
ラミック生シートを得るとともに該各セラミック生シー
トの上下面にタングステン、モリブデン等の高融点金属
粉末から成る導電ペーストを従来周知のスクリーン印刷
法等の厚膜手法を採用することによって所定パターンに
印刷塗布する。

【０００５】（２）次に前記各セラミック生シートを積
層し、積層体を得るとともにこれを約１５００℃の温度
で焼成し、内部及び表面にタングステン、モリブデン等
の高融点金属粉末から成る配線導体を有する絶縁基板を
得る。

【０００６】（３）そして最後に、前記配線導体のう
ち、大気中に露出する表面にニッケル及び金等の耐蝕性
に優れ、良導電性で、半田等のロウ材と濡れ性（反応
性）の良い金属をめっき法により被着させ、これによっ
て製品としての配線基板が完成する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板においては、配線導体がタングステンやモ
リブデン等の高融点金属粉末から成る導電ペーストをス
クリーン印刷法等の厚膜手法を採用し所定パターンに印
刷塗布することによって形成されており、配線導体の微
細化が困難で配線導体を高密度に形成することができな
いという欠点を有していた。

【０００８】またこの従来の配線基板は表面に半導体素
子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品が多数
搭載され、部品の搭載数に応じて大型化してしまうとい
う欠点も有していた。

【０００９】本発明は上述の欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は配線導体を薄膜形成技術により形成され
る薄膜配線導体とするとともに内部に容量素子を内蔵さ
せることによって小型にして、且つ配線が高密度の多層
配線基板を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
と、該基板の少なくとも一主面上に被着され、複数の有
機樹脂絶縁層と複数の薄膜配線導体とを交互に多層に配
設するとともに上下に位置する薄膜配線導体を各有機樹
脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して接続して成
る多層配線部と、前記有機樹脂絶縁層の少なくとも一層
に比誘電率が２０以上の誘電物フィラーを含有させて高
誘電率有機樹脂絶縁層となすととも該高誘電率有機樹脂
絶縁層をその上下両面に配設されている薄膜配線導体の
一部で対向挟持させることによって形成され、前記薄膜
配線導体間に電気的に接続されている容量素子とから成
る多層配線基板であって、前記高誘電率有機樹脂絶縁層
の上面側に配設されている薄膜配線導体は間に絶縁樹脂
膜を介して高誘電率有機樹脂絶縁層の上面に接合され、
且つ高誘電率有機樹脂絶縁層の下面側に配設されている
薄膜配線導体はその表面粗さを中心線平均粗さ（Ｒａ）
で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍとして高誘電率有機樹脂
絶縁層の下面に直接接合されていることを特徴とするも
のである。

【００１１】請求項２の発明は、前記誘電物フィラーが
チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸
カルシウム、チタン酸マグネシウムの少なくとも１種よ
りなることを特徴とするものである。

【００１２】請求項３の発明は、前記誘電物フィラーの
粒径が直径０．５μｍ乃至５０μｍであることを特徴と
するものである。

【００１３】請求項４の発明は、前記絶縁樹脂膜上面の
表面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒ
ａ≦５μｍであることを特徴とするものである。

【００１４】本発明の多層配線基板によれば、配線導体
を薄膜形成技術によって形成したことから配線導体の微
細化が可能となり、配線導体を極めて高密度に形成する
ことが可能となる。

【００１５】また本発明の多層配線基板によれば、有機
樹脂絶縁層と薄膜配線層とを交互に積層して形成される
多層配線部のうち、有機樹脂絶縁層の少なくとも一層に
比誘電率が２０以上の誘電物フィラーを含有させて高誘
電率有機樹脂絶縁層となすととも該高誘電率有機樹脂絶
縁層をその上下両面に配設されている薄膜配線導体の一
部で対向挟持させることによって容量素子を形成すると
ともに該容量素子を薄膜配線導体間に電気的接続させた
ことから多層配線基板に半導体素子や容量素子、抵抗器
等の部品を搭載して混成集積回路装置等となす場合、多
層配線基板に別途、容量素子を多数実装する必要はな
く、その結果、多層配線基板に実装される部品の数が減
り、混成集積回路装置等を小型となすことが可能とな
る。

【００１６】更に本発明の多層配線基板によれば、高誘
電率有機樹脂絶縁層の上面側に配設されている薄膜配線
導体を間に絶縁樹脂膜を介して高誘電率有機樹脂絶縁層
の上面に接合させ、下面側に配設されている薄膜配線導
体をその表面粗さを中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５
μｍ≦Ｒａ≦５μｍとして高誘電率有機樹脂絶縁層の下
面に直接接合させたことから高誘電率有機樹脂絶縁層と
薄膜配線導体との接合強度が極めて高いものとなり、そ
の結果、多層配線基板としての信頼性が極めて優れたも
のとなる。

【００１７】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１及び図２は、本発明の多層配線基
板の一実施例を示し、１は基板、２は多層配線部であ
る。

【００１８】前記基板１はその上面に３つの有機樹脂絶
縁層３ａ、３ｂ、３ｃと３つの層の薄膜配線導体４ａ、
４ｂ、４ｃを交互に多層に配設して成る多層配線部２が
形成されており、該多層配線部２を支持する支持部材と
して作用する。

【００１９】前記基板１は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラ
ス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されており、例
えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合
には、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア等の原
料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状と
なすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカ
レンダーロール法を採用することによってセラミックグ
リーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６００
℃）で焼成することによって、或いはアルミナ等の原料
粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末を
調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によって所
定形状に成形し、最後に前記成形体を約１６００℃の温
度で焼成することによって製作され、またガラスエポキ
シ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維を織り込んだ
布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該エポ
キシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによっ
て製作される。

【００２０】また前記基板１には上下両主面に貫通する
孔径が例えば、直径３００μｍ〜５００μｍの貫通孔５
が形成されており、該貫通孔５の内壁には両端が基板１
の上下両面に導出する導電層６が被着されている。

【００２１】前記貫通孔５は後述する基板１の上面に形
成される多層配線部２の薄膜配線導体４ａと外部電気回
路とを電気的に接続する、或いは基板１の上下両主面に
多層配線部２を配設した場合には両主面の多層配線部２
の薄膜配線導体同士を電気的に接続する導電層６を形成
するための形成孔として作用し、基板１にドリル孔あけ
加工法を施すことによって基板１の所定位置、所定形状
に形成される。

【００２２】更に前記貫通孔５の内壁及び基板１の上下
両面に被着形成されている導電層６は例えば、銅やニッ
ケル等の金属材料から成り、従来周知のめっき法及びエ
ッチン法を採用することによって貫通孔５の内壁に両端
を基板１の上下両面に導出させた状態で被着形成され
る。

【００２３】前記導電層６は基板１の主面に配設される
多層配線部２の薄膜配線導体３ａを外部電気回路に電気
的に接続したり、絶縁基板１の上下両主面に配設される
各々の多層配線部２の薄膜配線導体同士を電気的に接続
する作用をなす。

【００２４】また前記基板１に形成した貫通孔５はその
内部にエポキシ樹脂から成る有機樹脂充填体７が充填さ
れており、該有機樹脂充填体７によって貫通孔５が完全
に埋められ、同時に有機樹脂充填体７の両端面が基板１
の上下両主面に被着させた導電層６の面と同一平面とな
っている。

【００２５】前記有機樹脂充填体７は基板１の上面及び
／又は下面に後述する複数の有機樹脂絶縁層３ａ、３
ｂ、３ｃと複数の層の薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃと
から成る多層配線部２を形成する際、多層配線部２の各
有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと各薄膜配線導体４
ａ、４ｂ、４ｃの平坦化を維持する作用をなす。

【００２６】尚、前記有機樹脂充填体７は基板１の貫通
孔５内にエポキシ樹脂の前駆体を充填し、しかる後、こ
れに８０℃〜２００℃の温度を０．５〜３時間印加し、
完全に熱硬化させることによって基体１の貫通孔５内に
充填される。

【００２７】更に前記基板１はその上面３つの有機樹脂
絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと３つの層の薄膜配線導体４
ａ、４ｂ、４ｃとが交互に多層に配設された多層配線部
２が形成されており、且つ該薄膜配線導体４ａは導電層
６と電気的に接続されている。

【００２８】前記多層配線部２を構成する有機樹脂絶縁
層３ａ、３ｂ、３ｃは上下に位置する薄膜配線導体４
ａ、４ｂ、４ｃの電気的絶縁を図る作用を為し、各薄膜
配線導体４ａ、４ｂ、４ｃは電気信号を伝達するための
伝達路として作用する。

【００２９】前記多層配線部２の各有機樹脂絶縁層３
ａ、３ｂ、３ｃはエポキシ樹脂から成り、例えば、エポ
キシ樹脂から成る場合、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合してペース
ト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとともに該エポキシ樹
脂前駆体を絶縁基板１の上部にスピンコート法により被
着させ、しかる後、これを約８０℃〜２００℃の熱で
０．５乃至３時間熱処理し、熱硬化させることによって
形成される。

【００３０】また前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３
ｃはその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層の厚
みに対して約１．５倍程度のスルーホール８が形成され
ており、該スルーホール８は後述する各有機樹脂絶縁層
３ａ、３ｂ、３ｃを介して上下に位置する各薄膜配線導
体４ａ、４ｂ、４ｃの各々を電気的に接続するスルーホ
ール導体９を形成するための形成孔として作用する。

【００３１】前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに
設けるスルーホール８は例えば、フォトリソグラフィー
技術、具体的には各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ上
にレジスト材を塗布するとともにこれに露光、現像を施
すことによって所定位置に所定形状の窓部を形成し、次
に前記レジスト材の窓部にエッチング液を配し、レジス
ト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ
を除去して、有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに穴（ス
ルーホール）を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹
脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ上より剥離させ除去すること
によって行われる。

【００３２】更に前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３
ｃの各々の上面には所定パターンの薄膜配線導体４ａ、
４ｂ、４ｃが、また各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ
に設けたスルーホール８の内壁にはスルーホール導体９
が各々配設されており、スルーホール導体９によって有
機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの各々を間に挟んで上下
に位置する各薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃが電気的に
接続されるようになっている。

【００３３】前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの
上面及びスルーホール８内に配設される薄膜配線導体４
ａ、４ｂ、４ｃ及びスルーホール導体９は銅、金、アル
ミニウム等の金属材料を無電解めっき法や蒸着法、スパ
ッタリング法等の薄膜形成技術及びエッチング加工技術
を採用することによって形成され、例えば銅で形成され
ている場合には、各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの
上面及びスルーホール８の内表面に硫酸銅０．０６モル
／リットル、ホルマリン０．３モル／リットル、水酸化
ナトリウム０．３５モル／リットル、エチレンジアミン
四酢酸０．３５モル／リットルからなる無電解銅メッキ
浴を用いて厚さ１μｍ乃至４０μｍの銅層を被着させ、
しかる後、前記銅層をエッチング加工法により所定パタ
ーンに加工することによって各有機樹脂絶縁層３ａ、３
ｂ、３ｃ間及び各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃのス
ルーホール８内壁に配設される。この場合、薄膜配線導
体４ａ、４ｂ、４ｃは薄膜形成技術により形成されるこ
とから配線の微細化が可能であり、これによって薄膜配
線導体４ａ、４ｂ、４ｃを極めて高密度に形成すること
が可能となる。

【００３４】尚、前記多層配線部２は各有機樹脂絶縁層
３ａ、３ｂ、３ｃの厚みが１００μｍを越えると各有機
樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃにフォトリソグラフィー技
術を採用することによってスルーホール８を形成する
際、エッチングの加工時間が長くなってスルーホール８
を所望する鮮明な形状に形成するのが困難となり、また
５μｍ未満となると各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ
の上面に上下に位置する有機樹脂絶縁層の接合強度を上
げるための粗面加工を施す際、各有機樹脂絶縁層３ａ、
３ｂ、３ｃに不要な穴が形成され上下に位置する薄膜配
線導体４ａ、４ｂ、４ｃに不要な電気的短絡を招来して
しまう危険性がある。従って、前記有機樹脂絶縁層各有
機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃはその各々の厚みを５μ
ｍ乃至１００μｍの範囲としておくことが好ましい。

【００３５】また前記多層配線部２の各薄膜配線導体４
ａ、４ｂ、４ｃはその厚みが１μｍ未満となると各薄膜
配線導体４ａ、４ｂ、４ｃの電気抵抗が大きなものとな
って各薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃに所定の電気信号
を伝達させることが困難なものとなり、また４０μｍを
越えると各薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃを各有機樹脂
絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに被着させる際、各薄膜配線導
体４ａ、４ｂ、４ｃ内に大きな応力が内在し、該内在応
力によって各薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃが各有機樹
脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃより剥離し易いものとなる。
従って、前記多層配線部２の各薄膜配線導体４ａ、４
ｂ、４ｃの厚みを１μｍ乃至４０μｍの範囲としておく
ことが好ましい。

【００３６】更に前記有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ
と各薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃとで形成される配線
導体部２はその有機樹脂絶縁層３ｂに比誘電率が２０以
上の誘電物フィラーが含有されて高誘電率有機樹脂絶縁
層となっており、該高誘電率有機樹脂絶縁層をその上下
両面に配設されている薄膜配線導体４ａ、４ｂの一部で
対向挟持することによって容量素子Ａが形成され、該容
量素子Ａは薄膜配線導体４ａ、４ｂに電気的に接続され
ている。

【００３７】前記容量素子Ａの静電容量値は比誘電率が
２０以上の誘電物フィラーが含有された高誘電率有機樹
脂絶縁層の比誘電率と、高誘電率有機樹脂絶縁層の厚み
と、薄膜配線導体４ａ、４ｂの対向面積の大きさによっ
て決定され、有機樹脂絶縁層３ｂに含有させる誘電物フ
ィラーの比誘電率及び薄膜配線導体４ａ、４ｂの対向面
積の大きさを可変することによって所定の静電容量値に
調整される。

【００３８】前記容量素子Ａは基板１上に設けた多層配
線部２の内部に内蔵されており、そのためこの多層配線
基板に半導体素子や容量素子、抵抗器等の部品を搭載し
て混成集積回路装置等となす場合、多層配線基板に別
途、容量素子を多数実装する必要はなく、その結果、多
層配線基板に実装される部品の数が減り、混成集積回路
装置等を小型となすことが可能となる。

【００３９】尚、前記誘電物フィラーの有機樹脂絶縁層
３ｂへの含有はエポキシ樹脂等の有機樹脂前駆体を使用
して有機樹脂絶縁層３ｂを形成する際に予め有機樹脂前
駆体に誘電物フィラーを添加混合させておくことによっ
て有機樹脂絶縁層３ｂに含有される。

【００４０】また前記有機樹脂絶縁層３ｂに含有される
誘電物フィラーはその比誘電率が２０（室温１ＭＨｚ）
未満となると有機樹脂絶縁層３ｂの比誘電率が小さくな
って容量素子Ａの静電容量値が実用に供しない小さな値
となってしまう。従って、前記有機樹脂絶縁層３ｂに含
有される誘電物フィラーはその比誘電率が２０（室温１
ＭＨｚ）以上のものに特定され、チタン酸バリウムやチ
タン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸
マグネシウム等の比誘電率が高い材料が好適に使用され
る。

【００４１】更に前記誘電物フィラーはその粒径が直径
０．５μｍ未満となると誘電物フィラーの比表面積が大
きくなってこの誘電物フィラーを添加混合した有機樹脂
前駆体の粘度を高くしてしまい、その結果、この誘電物
フィラーを添加混合した有機樹脂前駆体をスピンコート
法等を採用して有機樹脂絶縁層３ｂを形成する際、有機
樹脂絶縁層３ｂの厚みが不均一となり、有機樹脂絶縁層
３ｂを所定の均一厚みとすることが困難となってしま
い、また５０μｍを越えると誘電物フィラーによって有
機樹脂絶縁層３ｂの表面に凹凸が形成され、容量素子Ａ
が形成される領域における有機樹脂絶縁層３ｂの比誘電
率にバラツキが発生したり、有機樹脂絶縁層３ｂにおけ
る誘電物フィラーの接着強度が低下し、誘電物フィラー
が有機樹脂絶縁層３ｂより脱落したりしてしまう危険性
がある。従って、前記誘電物フィラーはその粒径を直径
０．５μｍ乃至５０μｍの範囲としておくことが好まし
い。

【００４２】また更に前記誘電物フィラーの有機樹脂絶
縁層３ｂへの含有量は、誘電物フィラーの量が有機樹脂
絶縁層３ｂの全有機樹脂量に対し２０重量％未満となる
と有機樹脂絶縁層３ｂの比誘電率が小さく、実用に供す
ることができる容量素子Ａを形成するのが困難となり、
また７５重量％を越えると有機樹脂絶縁層３ｂにおける
誘電物フィラーの接着強度が低下し、誘電物フィラーが
有機樹脂絶縁層３ｂより脱落してしまう危険性がある。
従って、前記誘電物フィラーの有機樹脂絶縁層３ｂへの
含有量は２０重量％乃至７５重量％の範囲としておくこ
とが好ましい。

【００４３】更にまた、前記誘電物フィラーが含有され
ている有機樹脂絶縁層３ｂ（高誘電率有機樹脂絶縁層）
とその上下両面に配設されている薄膜配線導体４ａ、４
ｂとは、図２に示すように高誘電率有機樹脂絶縁層の上
面側に配設されている薄膜配線導体４ｂは間に絶縁樹脂
膜１０を介して高誘電率有機樹脂絶縁層の上面に接合さ
れ、下面側に配設されている薄膜配線導体はその表面粗
さを中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５
μｍとして高誘電率有機樹脂絶縁層の下面に直接接合さ
れている。

【００４４】前記高誘電率有機樹脂絶縁層の上面側に配
設されている薄膜配線導体４ｂは、有機樹脂材から成
り、誘電物フィラーを含有する有機樹脂絶縁層３ｂと薄
膜配線導体４ｂの両方に対して接合性がよい絶縁樹脂膜
１０を間に介して高誘電率有機樹脂絶縁層の上面に接合
されるため高誘電率有機樹脂絶縁層と該高誘電率有機樹
脂絶縁層の上面側に配設されている薄膜配線導体４ｂと
の接合強度は強くなり、また高誘電率有機樹脂絶縁層の
下面側に配設されている薄膜配線導体４ａはその表面粗
さを中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５
μｍの粗いものとしたため、高誘電率有機樹脂絶縁層の
下面と該高誘電率有機樹脂絶縁層の下面側に配設される
薄膜配線基板４ａとはその接合面積が広くなって接合強
度が強くなり、これによって高誘電率有機樹脂絶縁層と
その上下両面に配設されている薄膜配線導体４ａ、４ｂ
との接合強度は強く、多層配線部２等に外力が印加され
ても高誘電率有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体４ａ、４ｂ
との間に剥離等が発生することはなく、多層配線基板と
しての信頼性が著しく向上する。

【００４５】尚、前記高誘電率有機樹脂絶縁層の上面側
に配設されている薄膜配線導体４ｂと高誘電率有機樹脂
絶縁層の上面との間に介在される絶縁樹脂膜１０は、例
えば、各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃを構成する材
料と同じエポキシ樹脂から成り、各有機樹脂絶縁層３
ａ、３ｂ、３ｃを形成するのと同様の方法によって誘電
物フィラーが含有されている有機樹脂絶縁層３ｂの上面
と薄膜配線導体４ｂとの間に所定厚みに被着形成され
る。

【００４６】また前記絶縁樹脂膜１０はその厚みが２．
０μｍ未満となると、高誘電率有機樹脂絶縁層の上面側
に配設されている薄膜配線導体４ｂと高誘電率有機樹脂
絶縁層の上面との接合強度が低下し、また５０μｍを越
えると薄膜配線導体４ａと４ｂとの間に形成される容量
素子Ａの静電容量値を実用に供する所望の値とするのが
困難となる危険性がある。従って、前記絶縁樹脂膜１０
はその厚みを２．０μｍ乃至５０μｍの範囲としておく
ことが好ましい。

【００４７】更に前記絶縁樹脂膜１０はその上面の表面
粗さを中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ乃至５μ
ｍの範囲としておくと、絶縁樹脂膜１０と薄膜配線導体
４ｂとの接合面積が広くなって、両者の接合強度がより
強固となる。従って、前記絶縁樹脂膜１０はその上面の
表面粗さを中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ乃至
５μｍの範囲としておくことが好ましい。

【００４８】また更に前記高誘電率有機樹脂絶縁層の下
面側に配設されている薄膜配線導体４ａはその表面の粗
さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ未満となる
と、高誘電率有機樹脂絶縁層の下面側に配設されている
薄膜配線導体４ａと高誘電率有機樹脂絶縁層との接合強
度が低下し、また５μｍを越えると高誘電率有機樹脂絶
縁層に欠陥を生じ、容量素子Ａの静電容量値にバラツキ
が発生してしまう。従って、前記高誘電率有機樹脂絶縁
層の下面側に配設されている薄膜配線導体４ａはその表
面の粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒ
ａ≦５μｍの範囲に特定される。

【００４９】前記薄膜配線導体４ａの表面の粗さを中心
線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの範
囲とするには薄膜配線導体４ａの表面に所定のエッチン
グ加工を施すことによって形成される。

【００５０】かくして本発明の多層配線基板によれば、
例えば、絶縁基板１の上面に被着させた多層配線部２上
に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動
部品を実装させることによって混成集積回路装置とな
り、絶縁基板１の下面に被着されている導電層６を外部
電気回路に接続すればかかる混成集積回路装置が外部電
気回路に電気的に接続されることとなる。

【００５１】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例において
は絶縁基板１の上面のみに複数の有機樹脂絶縁層３ａ、
３ｂ、３ｃと複数の薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃとか
ら成る多層配線部２を設けたが、該多層配線部２を絶縁
基板１の下面側のみに設けても、上下の両主面に設けて
もよい。

【００５２】また上述の実施例において、更に前記薄膜
配線導体４ｂの表面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、表面の２．５ｍｍの長さにおけ
る凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値を０．０１μｍ≦Ｐ
ｃ≦０．１μｍが３００００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ
≦１μｍが３０００個乃至１００００個、１μｍ≦Ｐｃ
≦１０μｍが５００個以下となるように粗しておくと薄
膜配線導体４ｂと有機樹脂絶縁層３ｃとの接合面積が極
めて広いものとなり、その結果、薄膜配線導体４ｂと有
機樹脂絶縁層３ｃとの密着性を著しく向上させることが
できる。従って、前記薄膜配線導体４ｂはその表面を中
心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、
表面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）の
カウント値を０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが３００
００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが３０００個乃
至１００００個、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以
下となるように粗しておくことが好ましい。

【００５３】

【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、配線導
体を薄膜形成技術によって形成したことから配線導体の
微細化が可能となり、配線導体を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。

【００５４】また本発明の多層配線基板によれば、有機
樹脂絶縁層と薄膜配線層とを交互に積層して形成される
多層配線部のうち、有機樹脂絶縁層の少なくとも一層に
比誘電率が２０以上の誘電物フィラーを含有させて高誘
電率有機樹脂絶縁層となすととも該高誘電率有機樹脂絶
縁層をその上下両面に配設されている薄膜配線導体の一
部で対向挟持させることによって容量素子を形成すると
ともに該容量素子を薄膜配線導体間に電気的接続させた
ことから多層配線基板に半導体素子や容量素子、抵抗器
等の部品を搭載して混成集積回路装置等となす場合、多
層配線基板に別途、容量素子を多数実装する必要はな
く、その結果、多層配線基板に実装される部品の数が減
り、混成集積回路装置等を小型となすことが可能とな
る。

【００５５】更に本発明の多層配線基板によれば、高誘
電率有機樹脂絶縁層の上面側に配設されている薄膜配線
導体を間に絶縁樹脂膜を介して高誘電率有機樹脂絶縁層
の上面に接合させ、下面側に配設されている薄膜配線導
体をその表面粗さを中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５
μｍ≦Ｒａ≦５μｍとして高誘電率有機樹脂絶縁層の下
面に直接接合させたことから高誘電率有機樹脂絶縁層と
薄膜配線導体との接合強度が極めて高いものとなり、そ
の結果、多層配線基板としての信頼性が極めて優れたも
のとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。

【図２】図１に示す多層配線基板の要部拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

１・・・絶縁基板 ２・・・多層配線部 ３ａ、３ｂ、３ｃ・・有機樹脂絶縁層 ４ａ、４ｂ、４ｃ・・薄膜配線導体 ５・・・貫通孔 ６・・・導電層 ７・・・有機樹脂充填体 １０・・絶縁樹脂膜 Ａ・・・容量素子

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板と、該基板の少なくとも一主面上に被
   着され、複数の有機樹脂絶縁層と複数の薄膜配線導体と
   を交互に多層に配設するとともに上下に位置する薄膜配
   線導体を各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を
   介して接続して成る多層配線部と、前記有機樹脂絶縁層
   の少なくとも一層に比誘電率が２０以上の誘電物フィラ
   ーを含有させて高誘電率有機樹脂絶縁層となすととも該
   高誘電率有機樹脂絶縁層をその上下両面に配設されてい
   る薄膜配線導体の一部で対向挟持させることによって形
   成され、前記薄膜配線導体間に電気的に接続されている
   容量素子とから成る多層配線基板であって、前記高誘電
   率有機樹脂絶縁層の上面側に配設されている薄膜配線導
   体は間に絶縁樹脂膜を介して高誘電率有機樹脂絶縁層の
   上面に接合され、且つ高誘電率有機樹脂絶縁層の下面側
   に配設されている薄膜配線導体はその表面粗さを中心線
   平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍとして
   高誘電率有機樹脂絶縁層の下面に直接接合されているこ
   とを特徴とする多層配線基板。
2. 【請求項２】前記誘電物フィラーがチタン酸バリウム、
   チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン
   酸マグネシウムの少なくとも１種よりなることを特徴と
   する請求項１に記載の多層配線基板。
3. 【請求項３】前記誘電物フィラーの粒径が直径０．５μ
   ｍ乃至５０μｍであることを特徴とする請求項１に記載
   の多層配線基板。
4. 【請求項４】前記絶縁樹脂膜上面の表面粗さが中心線平
   均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍである請
   求項１に記載の多層配線基板。