JP2001332437A - コンデンサおよび多層プリント配線板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 多層プリント配線板に収納または内蔵させる
のに適したコンデンサを提供する。 【解決手段】 多層プリント配線板に収納または内蔵さ
せるコンデンサであって、その表面の少なくとも一部に
粗面が形成されていることを特徴とするコンデンサであ
って、該粗面の平均粗度（Ｒｊ）は０．０１〜５μｍで
あり、エンボス加工により形成されている。また、上記
コンデンサが内臓または収納されている基板上に、層間
樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、該コンデンサ
と導体回路および上下の導体回路がバイアホールを介し
て接続されてなることを特徴とする多層プリント配線
板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板に実装するコンデンサおよび多層プリント配線板に関
し、特に、多層プリント配線板に内蔵させるコンデン
サ、および、該コンデンサを内蔵した多層プリント配線
板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、パッケージ基板用のプリント配線
板では、電源からＩＣチップの電源／アースまでのルー
プインダクタンスを低減するために、チップコンデンサ
を表面実装していた。即ち、伝送損失となるループイン
ダクタンスは、図１５（ａ）に示すＩＣチップ１９０の
電源端子１９２Ｐからプリント配線板３００内の電源線
を介して電源までの配線長および電源からプリント配線
板３００内のアース線を介してＩＣチップ１９０のアー
ス端子１９２Ｅ間での配線長に比例する。このため、図
１５（ｂ）に示すように、プリント配線板３００にチッ
プコンデンサ２００を表面実装し、電源とＩＣチップの
電源端子／アース端子との間にチップコンデンサを介在
させることで、ループインダクタンスを決定するループ
長を図中の実線で示すように、短縮することができる。

【０００３】しかしながら、ループインダクタンスのリ
アクタンス分は周波数に依存するため、ＩＣチップの駆
動周波数が増加するのに伴って、上述の多層プリント配
線板の表面にチップコンデンサを実装させても、ループ
インダクタンスを充分に低減することができなくなって
きた。

【０００４】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
電源からＩＣチップの電源／アースまでのループインダ
クタンスをより低減させるために、鋭意研究を行った結
果、多層プリント配線板にコンデンサを内蔵させれば良
いことを知見し、前に、コンデンサが内蔵または収納
（以下、両者をあわせて単に内蔵ともいう）されている
基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成さ
れ、前記電子部品と導体回路、および、上下の導体回路
がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配
線板を提案した。このような多層プリント配線板では、
ＩＣチップとコンデンサとの間の距離が、コンデンサを
表面実装する場合に比べて短く、高周波数で駆動するＩ
Ｃチップを実装した場合でも、ループインダクタンスが
充分に低い。

【０００５】上記多層プリント配線板においては、基板
にザクリ（凹部）、貫通孔等のコンデンサを内蔵するた
めのキャビティが設けられ、該キャビティ内に接着剤を
介してコンデンサが取り付けられており、さらに、この
コンデンサが内蔵された基板の両面には、層間樹脂絶縁
層と導体回路とが形成され、コンデンサの接続端子と上
層の導体回路、及び、層間樹脂絶縁層を介した上下の導
体回路間は、バイアホールを介して接続されている。

【０００６】しかしながら、従来の多層プリント配線板
実装用コンデンサは、表面実装を目的に製造されたもの
であり、通常、コンデンサの一面のみが多層プリント配
線板表面に接触するものであり、コンデンサを基板に内
蔵する使用形態が想定されたものではなかった。従っ
て、コンデンサの表面全体の状態は均一ではなく、その
ため、該コンデンサを基板に内蔵した際には、コンデン
サの表面状態が不均一であることに起因して、コンデン
サと接着剤との間で剥離が発生したり、該接着剤にクラ
ックが発生したりするという問題があった。この場合、
コンデンサの端子とバイアホールとの間の接続が遮断さ
れたり、層間樹脂絶縁層に膨れが生じたりし、これが、
多層プリント配線板の電気的接続性、信頼性を低下させ
る原因になっていた。

【０００７】また、上記以外にコンデンサを基板中に埋
め込む従来技術として、特開平６−３２６４７２号公
報、特開平７−２６３６１９号公報、特開平１１−４５
９５５号公報、特開平１１−１２６９７８号公報、特開
平１−３１２８６８号公報等がある。

【０００８】特開平６−３２６４７２号公報には、ガラ
スエポキシからなる樹脂基板にコンデンサを埋め込んだ
発明が記載されており、このように基板にコンデンサを
埋設することにより、電源のノイズが低減され、かつ、
チップコンデンサを実装するスペースが不要となり、基
板のサイズを小さくすることができるという効果が得ら
れることが記載されている。

【０００９】また、特開平７−２６３６１９号公報に
は、セラミック、アルミナなどの基板にコンデンサを埋
め込み、このコンデンサを電源層と接地層との間で接続
した発明が記載されており、このように構成すること
で、配線の長さを短くすることができ、インダクタンス
を低減させることができるという効果が得られることが
記載されている。

【００１０】しかしながら、これらの公報に記載された
コンデンサが埋設された基板においても、例えば、ヒー
トサイクルを１０００回繰り返す信頼性試験を行うと、
電気特性の低下、基板や層間樹脂絶縁層におけるクラッ
クの発生、コンデンサと基板や層間樹脂絶縁層との間で
の剥離の発生等が起こるという問題があった。

【００１１】本発明者らは、上記問題を解決するために
鋭意研究を重ねた結果、コンデンサ表面の少なくとも一
部に粗面を形成することにより、コンデンサと接着剤と
の密着性が向上し、該コンデンサと接着剤との間で剥離
が発生したり、該接着剤にクラックが発生したりしにく
くなることを見出し本発明を完成した。

【００１２】即ち、本発明のコンデンサは、多層プリン
ト配線板に収納または内蔵させるコンデンサであって、
その表面の少なくとも一部に粗面が形成されていること
を特徴とする。

【００１３】また、上記コンデンサに形成された粗面の
平均粗度（Ｒｊ）は、０．０１〜５μｍであることが望
ましい。また、上記粗面は、エンボス加工により形成さ
れていることが望ましい。

【００１４】また、本発明の多層プリント配線板は、コ
ンデンサが内蔵または収納されている基板上に、層間樹
脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記コンデンサ
と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを
介して接続されてなる多層プリント配線板であって、上
記コンデンサは、本発明のコンデンサであることを特徴
とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明のコンデンサは、多層プリ
ント配線板に収納または内蔵されるコンデンサであっ
て、その表面の少なくとも一部に粗面が形成されている
ことを特徴とする。

【００１６】本発明のコンデンサによれば、その表面の
少なくとも一部に粗面が形成されているため、このコン
デンサを多層プリント配線板の基板のキャビティ等に接
着剤を介して埋設した場合には、該接着剤との密着性に
優れ、コンデンサと接着剤との間で剥離が発生したり、
該接着剤にクラックが発生したりすることがない。従っ
て、本発明のコンデンサは、多層プリント配線板の内蔵
用として適したものである。

【００１７】上記コンデンサは、その表面の少なくとも
一部に粗面が形成されたものであり、具体例としては、
例えば、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）または（ｄ）に示
すようなチップコンデンサ等が挙げられる。なお、図１
（ａ）〜（ｄ）は、本発明のコンデンサの一例を模式的
に示す断面図である。

【００１８】図１（ａ）〜（ｄ）に示すように、コンデ
ンサ２０、１２０、２２０、３２０は、第１電極２１と
第２電極２２と、第１電極２１、第２電極２２に挟まれ
た誘電体２３とからなり、誘電体２３には、第１電極２
１側に接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に
接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配置されてい
る。また、第１電極２１、第２電極２２の周囲にはＳｎ
等からなる金属層２６、２２６が形成されていてもよ
い。金属層２６、２２６を形成することにより、防錆
性、半田付き性等を向上させることができる。

【００１９】また、図１（ａ）に示すコンデンサ２０で
は、第１電極２１および第２電極２２の周囲に金属層２
６が形成されており、金属層２６の表面全体にのみ粗面
２７が形成されている。（ｂ）に示すコンデンサ１２０
では、コンデンサ２０同様、第１電極２１および第２電
極２２の周囲に金属層２６が形成されており、金属層２
６の表面、および、誘電体２３の表面に粗面１２７が形
成されいる。また、（ｃ）に示すコンデンサ２２０で
は、第１電極および第２電極２２の上面を除いた部分に
金属層２２６が形成されており、金属層２２６の表面に
のみ粗面２２７が形成されている。また、（ｄ）に示す
コンデンサ３２０では、誘電体２３の表面にのみ粗面３
２７が形成されている。このように、本発明のコンデン
サでは、表面の少なくとも一部に粗面が形成されていれ
ばよく、必ずしも、全体に粗面が形成されている必要は
ない。従って、図示していないが、電極の側面にのみ粗
面が形成されていてもよいし、誘電体の表面の一部にの
み粗面が形成されていてもよい。

【００２０】上記コンデンサの表面に形成される粗面の
平均粗度（Ｒｊ）は、０．０１〜５μｍであることが望
ましい。上記平均粗度が０．０１μｍ未満では、コンデ
ンサ表面と接着剤との密着性が不充分なため、該コンデ
ンサと接着剤との間で剥離が発生したり、該接着剤にク
ラックが発生したりするのを充分に抑制することができ
ないことがあり、一方、粗面の平均粗度が５μｍを超え
ると、使用時の熱膨張や熱収縮により接着剤に損傷が発
生してしまうことがあり、また、粗面を形成する際に、
コンデンサにクラックや割れが発生してしまうことがあ
る。

【００２１】上記コンデンサに粗面を形成する方法とし
ては特に限定されず、該コンデンサの表面に所望の凹凸
を有する粗面を形成することができる方法であればよ
い。粗面形成方法としては、例えば、エンボス加工、研
磨処理、酸や酸化剤等による処理、めっき処理、酸化還
元処理、エッチング処理等が挙げられる。

【００２２】上記エンボス加工としては、例えば、コン
デンサを製造する際に、誘電体となるセラミック材料の
最外面にエンボス加工により粗面を形成する方法が挙げ
られる。即ち、コンデンサの製造は、通常、誘電体とな
るセラミックス材料のグリーンシートに、導電膜となる
金属ペーストを印刷し、その後、この金属ペーストを印
刷したグリーンシートを複数枚積層し、さらに、外部電
極形成用ペーストを塗布した後、焼成することにより行
う。そこで、このグリーンシートを焼成する前に、エン
ボス加工により、積層した際に最外層となるグリーンシ
ートの外側の面に粗面を形成しておき、これを焼成する
ことにより、コンデンサの表面に粗面を形成することが
できる。また、エンボス加工以外の方法で、グリーンシ
ートに粗面を形成してもよい。

【００２３】上記研磨処理としては、従来公知の各種研
磨材を用いて、完成したコンデンサの表面を研磨処理す
る方法等が挙げられる。以下に示す粗面形成方法は、い
づれも完成したコンデンサの表面に施す処理である。

【００２４】上記酸や酸化剤等による処理において、酸
としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、ふっ酸、りん酸
等が挙げられる。また、酸化剤としては、例えば、過酸
化水素、過マンガン酸、クロム酸等が挙げられる。

【００２５】上記めっき処理としては、例えば、硫酸銅
（１〜４０ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル（０．１〜６．０ｇ
／ｌ）、クエン酸（１０〜２０ｇ／ｌ）、次亜リン酸ナ
トリウム（１０〜１００ｇ／ｌ）、ホウ酸（１０〜４０
ｇ／ｌ）および界面活性剤（日信化学工業社製、サーフ
ィノール４６５）（０．０１〜１０ｇ／ｌ）を含むｐＨ
≒９の無電解めっき浴にて無電解めっきを施す方法等が
挙げられる。

【００２６】上記エッチング処理としては、例えば、有
機酸と第二銅錯体とを含むエッチング液を用いて行う方
法等が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、蟻
酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、
アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク
酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール
酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸等が挙げられる。
これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよ
い。

【００２７】また、上記混合溶液において、上記有機酸
の含有量は、０．１〜３０重量％が望ましい。酸化され
た銅の溶解性を維持し、かつ、触媒安定性を確保するこ
とができるからである。

【００２８】上記第二銅錯体としては、アゾール類の第
二銅錯体が望ましい。このアゾール類の第二銅錯体は、
金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾール類
としては、例えば、ジアゾール、トリアゾール、テトラ
ゾール等が挙げられる。これらのなかでは、イミダゾー
ル、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾー
ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニ
ルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールが望まし
い。上記エッチング液において、上記第二銅錯体の含有
量は、１〜１５重量％が望ましい。溶解性および安定性
に優れ、また、触媒核を構成するＰｄ等の貴金属をも溶
解させることができるからである。

【００２９】また、上記酸化還元処理としては、例え
ば、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／
ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）、を含む水溶液を黒化
浴とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、
ＮａＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還
元処理を行う方法等が挙げられる。

【００３０】これらの粗面を形成する方法は、単独で用
いても良いし、２種以上併用してもよい。なお、上記し
た粗面を形成する方法は、電極や金属層の表面に粗面を
形成するのに適した方法と、誘電体の表面に粗面を形成
するのに適した方法とが混在している。具体的には、酸
や酸化剤等による処理、めっき処理、酸化還元処理、お
よび、エッチング処理は、電極や金属層の表面に粗面を
形成する方法として適しており、エンボス加工は、誘電
体の表面に粗面を形成する方法として適している。ま
た、研磨処理は両者に適している。

【００３１】従って、コンデンサの表面に粗面を形成す
る際には、粗面を形成する部位を考慮して、形成方法を
適宜選択することが望ましく、コンデンサの全表面に粗
面を形成する場合には、複数の形成方法を組み合わせる
ことが望ましい。

【００３２】このような方法を用いて、コンデンサ表面
の少なくとも一部に粗面を形成することにより、従来の
表面実装用コンデンサを多層プリント配線板に内蔵する
のに適したコンデンサとすることができる。

【００３３】次に、本発明の多層プリント配線板につい
て説明する。本発明の多層プリント配線板は、コンデン
サが内蔵または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁
層と導体回路とが順次形成され、上記コンデンサと導体
回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して
接続されてなる多層プリント配線板であって、上記コン
デンサは、本発明のコンデンサであることを特徴とす
る。

【００３４】本発明の多層プリント配線板によれば、表
面の少なくとも一部に粗面が形成された本発明のコンデ
ンサが基板に内蔵されているため、コンデンサと接着剤
との間で剥離が発生したり、該接着剤にクラックが発生
したりすることがない。そのため、上記多層プリント配
線板は、コンデンサの端子とバイアホールとの間の接続
が遮断されたり、層間樹脂絶縁層に膨れが生じたりする
ことがなく、電気的接続性、信頼性に優れる。

【００３５】この場合、ヒートサイクル等により、コン
デンサ周辺の樹脂に応力が発生し、伸縮するが、本発明
のコンデンサでは、その全面に粗化面が形成されてお
り、該コンデンサとその周囲の樹脂とが強力に接着され
ているため、その応力が樹脂の一部に集中することがな
い。その結果、本発明の多層プリント配線板では、周辺
樹脂にクラックやコンデンサからの剥離が発生せず、コ
ンデンサのずれも発生しない。

【００３６】以下、本発明の多層プリント配線板につい
て図面を参照しながら説明する。まず、上記多層プリン
ト配線板の第一の実施形態について説明する。図２は、
本発明の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面
図であり、図３は、図２に示す多層プリント配線板にＩ
Ｃチップを実装し、ドータボードに取り付けた状態を模
式的に示す断面図である。

【００３７】図２に示すように多層プリント配線板１０
は、コンデンサ２０と、コンデンサ２０を内蔵する基板
３０と、層間樹脂絶縁層４０、６０とからなる。層間樹
脂絶縁層４０には、バイアホール４６および導体回路４
８が形成され、層間樹脂絶縁層６０には、バイアホール
６６および導体回路６８が形成されている。また、基板
３０を介した上下の導体回路間を接続するために、スル
ーホール３６が形成されている。

【００３８】また、層間時絶縁層６０上には、ソルダー
レジスト層７０が配設されており、ソルダーレジスト層
７０の開口部７１下の導体回路６８（バイアーホール６
６を含む）には、ドータボード、マザーボード等の外部
基板と接続するための半田バンプ７６がニッケルめっき
層および金めっき層を介して設けられている。

【００３９】この多層プリント配線板１０では、基板に
コンデンサ２０が接着剤３２を介して内蔵され、コンデ
ンサ２０の表面の少なくとも一部には粗面（図示せず）
が設けられている。このため、コンデンサ２０と接着剤
３２との密着性が高く、ヒートサイクル条件下において
も、コンデンサ２０と接着剤３２との接触面で剥離が発
生したり、接着剤にクラックが発生したりすることがな
い。従って、コンデンサの端子とバイアホールとの間の
接続が遮断されたり、層間樹脂絶縁層に膨れが生じたり
することがなく、多層プリント配線板１０は、電気的接
続性、信頼性に優れる。

【００４０】上記接着剤としては特に限定されず、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。

【００４１】また、図３に示すように、ＩＣチップ９０
が実装され、ドータボードへ取り付けられた多層プリン
ト配線板では、上側のソルダーレジスト層７０の開口部
７１内に形成されたバンプ７６と、ＩＣチップ９０のパ
ッド９２Ｓ１、９２Ｓ２、９２Ｐ１、９２Ｐ２とが接続
されている。また、下側のソルダーレジスト層７０の開
口部７１内に形成されたバンプ７６は、ドータボード９
４のパッド９６Ｓ１、９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２へ
接続されている。

【００４２】また、図３中に示すＩＣチップ９０の信号
用のパッド９２Ｓ２は、バンプ７６−導体回路６８−バ
イアホール６６−スルーホール３６−バイアホール６６
−バンプ７６を介して、ドータボード９４の信号用のパ
ッド９６Ｓ２に接続されている。一方、ＩＣチップ９０
の信号用のパッド９２Ｓ１は、バンプ７６−バイアホー
ル６６−スルーホール３６−バイアホール６６−バンプ
７６を介して、ドータボード９４の信号用のパッド９６
Ｓ１に接続されている。

【００４３】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ１
は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バ
イアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第１電
極２１へ接続されている。一方、ドータボード９４の電
源用パッド９６Ｐ１は、バンプ７６−バイアホール６６
−スルーホール３６−導体回路４８−バイアホール４６
を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続さ
れている。

【００４４】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ２
は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バ
イアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第２電
極２２へ接続されている。一方、ドータボード９４の電
源用パッド９６Ｐ２は、バンプ７６−バイアホール６６
−スルーホール３６−導体回路４８−バイアホール４６
を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続さ
れている。

【００４５】従って、本発明の多層プリント配線板で
は、図１５（ｃ）に示すように、コンデンサ２０を基板
に内蔵することにより、ＩＣチップ９０の直下にコンデ
ンサ２０が配置されることとなり、コンデンサを介した
電源とＩＣチップ９０の電源端子９２Ｅ／アース端子９
２Ｐとの間の距離、即ち、ループインダクタンスを決定
するループ長が図１５（ｃ）中の実線で示すように、さ
らに短縮されている。その結果、高周波数で駆動するＩ
Ｃチップ９０を実装した場合でも、ループインダクタン
スが充分に低く、また、電力を瞬時的にＩＣチップ側へ
供給することが可能である。

【００４６】さらに、コンデンサ２０同士の間にスルー
ホール３６を設けることにより、コンデンサを信号線が
通過しない構成にすることができる。そのため、コンデ
ンサを信号線が通過する構成にした場合に発生する高誘
電体によるインピーダンス不連続による反射、および、
高誘電体通過による信号伝搬遅延を防ぐことができる。

【００４７】次に、図２に示した第１の実施形態に係る
多層プリント配線板の製造方法（第一の多層プリント配
線板の製造方法）について、図４〜図８を参照しながら
説明する。

【００４８】（１）片面に金属膜４１を積層した樹脂フ
ィルム４０αを出発材料とする（図４（ａ）参照）。樹
脂フィルム４０αとしては、例えば、エポキシ樹脂、ビ
スマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、ポリイミド樹
脂、オレフィン樹脂等の熱硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂
と熱可塑性樹脂との樹脂複合体からなるもの等が挙げら
れる。また、感光性樹脂を用いることもできる。

【００４９】上記ポリオレフィン系樹脂の具体例として
は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソ
ブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロオ
レフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙げられ
る。上記ポリオレフィン系樹脂の市販品としては、例え
ば、住友スリーエム社製の商品名：１５９２等が挙げら
れる。また、融点が２００℃以上の熱可塑型ポリオレフ
ィン系樹脂の市販品としては、例えば、三井石油化学工
業社製の商品名：ＴＰＸ（融点２４０℃）、出光石油化
学社製の商品名：ＳＰＳ（融点２７０℃）等が挙げられ
る。

【００５０】これらのなかでは、シクロオレフィン系樹
脂が望ましい。シクロオレフィン系樹脂は、誘電率が低
く、ＧＨｚ帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延
や信号エラーが起きにくいことに加え、機械的特性、特
に、剛性が高いため、しっかりとした層間樹脂絶縁層を
形成することができ、その結果、多層プリント配線板の
接続信頼性を充分に確保することができる。

【００５１】また、上記シクロオレフィン系樹脂は、導
体回路との密着性にも優れるため、層間樹脂絶縁層が導
体回路から剥離することを防止することができ、剥離に
起因する層間樹脂絶縁層でのクラックの発生等も防止す
ることができる。さらに、上記シクロオレフィン系樹脂
は、吸水率が小さいため、導体回路間の電気絶縁性が高
くなり、信頼性も向上する。

【００５２】上記シクロオレフィン系樹脂としては、２
−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネンま
たはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または
共重合体であることが望ましい。上記誘導体としては、
２−ノルボルネン等のシクロオレフィンに、架橋を形成
するためのアミノ基や無水マレイン酸残基あるいはマレ
イン酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられる。
上記共重合体を合成する場合の単量体としては、例え
ば、エチレン、プロピレン等が挙げられる。

【００５３】上記シクロオレフィン系樹脂は、上記した
樹脂の２種以上の混合物であってもよく、シクロオレフ
ィン系樹脂以外の樹脂を含むものであってもよい。ま
た、上記シクロオレフィン系樹脂が共重合体である場合
には、ブロック共重合体であってもよく、ランダム共重
合体であってもよい。

【００５４】また、上記シクロオレフィン系樹脂は、熱
硬化性シクロオレフィン系樹脂であることが望ましい。
加熱を行って架橋を形成させることにより、より剛性が
高くなり、機械的特性が向上するからである。上記シク
ロオレフィン系樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１３
０〜２００℃であることが望ましい。

【００５５】上記シクロオレフィン系樹脂は、フィラー
等を含まないものであってもよく、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、リン酸エステル等の難燃剤を
含むものであってもよい。

【００５６】また、上記樹脂複合体は、熱可塑性樹脂と
熱硬化性樹脂とを含むものである。上記熱可塑性樹脂と
しては、例えば、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリエー
テルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフォン
（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥ
Ｓ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテ
ルイミド（ＰＩ）、フェノキシ樹脂、フッ素樹脂等が挙
げられる。これらのなかでは、ポリスルフォン（ＰＳ
Ｆ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテ
ルイミド（ＰＩ）および／またはフェノキシ樹脂が望ま
しい。耐熱性、絶縁性に優れるとともに、高い靱性値を
有するため、耐クラック性、形状保持性に優れる層間樹
脂絶縁層を形成するのに特に適しているからである。

【００５７】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げら
れる。また、上記熱硬化性樹脂は、感光化した樹脂であ
ってもよく、具体的には、例えば、メタクリル酸やアク
リル酸等と熱硬化基とをアクリル化反応させたもの等が
挙げられる。特に、エポキシ樹脂をアクリレート化した
ものが望ましい。これらのなかでは、１分子中に、２個
以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望まし
い。

【００５８】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００５９】上記樹脂複合体における熱可塑性樹脂と熱
硬化性樹脂との混合割合は、熱硬化性樹脂／熱可塑性樹
脂＝９５／５〜５０／５０が望ましい。耐熱性を損なう
ことなく、高い靱性値を確保することができるからであ
る。

【００６０】上記樹脂複合体の具体例としては、例え
ば、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子
という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶
性樹脂という）中に分散した粗化面形成用樹脂組成物等
が挙げられる。なお、上記「難溶性」および「可溶性」
という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、
相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」とい
い、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と
呼ぶ。

【００６１】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよ
い。

【００６２】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。

【００６３】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径ものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とのを含有する等であ
る。これにより、より複雑な粗化面を形成することがで
き、導体回路との密着性にも優れる。なお、本明細書に
おいて、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い
部分の長さである。

【００６４】上記可溶性樹脂粒子としては、酸あるいは
酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂
よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されず、そ
の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレ
ン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、アミノ樹脂
（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）等からな
るものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもので
あってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるもの
であってもよい。

【００６５】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた
場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、
酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述する
ように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与
する際に、触媒が付与されなかったり、触媒が酸化され
たりすることがない。

【００６６】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００６７】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグ
ネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ
素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライト等が挙
げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併
用してもよい。

【００６８】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００６９】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため上下の導体回路間の絶縁性を
確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱
膨張の調整が図りやすく、層間樹脂絶縁層にクラックが
発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発
生しないからである。

【００７０】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであればよく、上記熱可塑性
樹脂と上記熱硬化性樹脂との混合物を用いることができ
る。

【００７１】上記樹脂複合体として、粗化面形成用樹脂
組成物を用いる場合、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹
脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一
な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、バ
イアホールを含む導体回路との密着性を確保することが
できるからである。また、粗化面を形成する表層部だけ
に可溶性粒子を含有するフィルムを用いてもよい。この
場合、フィルムの表層部以外は、酸または酸化剤にさら
されることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回
路間の絶縁性が確実に保たれる。

【００７２】上記可溶性粒子の混合重量比は、難溶性樹
脂の固形分に対して５〜５０重量％が望ましく、１０〜
４０重量％がさらに望ましい。可溶性粒子の混合重量比
が５重量％未満では、充分な粗さの粗化面を形成するこ
とができない場合があり、５０重量％を超えると、酸ま
たは酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解して粗化面を形成
する際に、層間樹脂絶縁層の深部まで溶解してしまい、
樹脂絶縁層を介した上下の導体回路間の絶縁性を確保す
ることができず、短絡の原因となる場合がある。

【００７３】上記粗化面形成用樹脂組成物は、上記熱可
塑性樹脂および上記熱硬化性樹脂以外に、硬化剤、その
他の成分等を含有していることが望ましい。上記硬化剤
としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬
化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシ
アダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したも
の、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォ
ニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系
化合物等が挙げられる。

【００７４】上記硬化剤の含有量は、粗化面形成用樹脂
組成物に対して、０．０５〜１０重量％であることが望
ましい。０．０５重量％未満では、層間樹脂絶縁層を形
成する際に、樹脂複合体が充分に硬化せず、酸や酸化剤
を用いて層間樹脂絶縁層表面に粗化面を形成し、酸等が
樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、層間樹脂
絶縁層の絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重
量％を超えると過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変成さ
せることがあり、信頼性の低下を招いてしまうことがあ
る。

【００７５】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物や樹脂等のフィラーが
挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリ
カ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂とし
ては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹
脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラ
ーを含有させることにより、熱膨張係数の整合や耐熱
性、耐薬品性の向上等を図り、多層プリント配線板の性
能をより向上させることができる。

【００７６】また、上記粗化面形成用樹脂組成物は、溶
剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテ
ートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げ
られる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上併
用してもよい。

【００７７】（２）次に、金属膜４１をパターンエッチ
ングして所定の回路パターン４２を形成する（図４
（ｂ）参照）。続いて、樹脂フィルム４０αの下面の回
路パターン４２にコンデンサ２０を半田、導電性ペース
ト等の接着材料３４を介して接着する。なお、コンデン
サの表面に形成された粗面については、図示していな
い。この場合、コンデンサは、半田等の接着材料を介し
て回路パターン４２に接続されるため、コンデンサの第
１および第２電極の周囲には、Ｓｎからなる金属層が形
成されていることが望ましい。

【００７８】（３）上記樹脂フィルム４０αとは別に、
コンデンサ２０を内蔵するキャビティ３１を穿設した基
板３０αを用意する。キャビティ３１は、ザクリ、貫通
孔を形成したプリプレグと貫通孔を形成しないプリプレ
グとの接合や、射出成形等により形成する。基板３０α
としては、一般的にプリント配線板で使用されるもので
あれば特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、ＢＴ樹
脂、フェノール樹脂等にガラスエポキシ樹脂等の補強材
や心材を含浸させた樹脂からなる基板や、エポキシ樹脂
を含浸させたプリプレグを積層した基板等が挙げられ
る。また、両面銅張積層板、片面板、金属膜を有さない
樹脂板、樹脂フィルム等を用いてもよい。

【００７９】（４）次に、コンデンサ２０を取り付けた
樹脂フィルム４０αと、キャビティ３１を設けた基板３
０αと、更に、もう１枚の樹脂フィルム４０αとを積層
した後プレスし（図４（ｃ）および（ｄ）参照）、その
後、必要に応じて、加熱硬化させることにより、樹脂フ
ィルムの硬化層４０βを形成する（図５（ａ）参照）。
このとき、予め、キャビティ３１の内壁面および／また
はコンデンサに接着剤を塗布しておくことにより、コン
デンサをキャビティ３１の内壁面に接着剤３２を介して
接着させる。

【００８０】（５）次に、樹脂フィルムの硬化層４０β
にバイアホール用開口４３を形成し、層間樹脂絶縁層４
０とする（図５（ｂ）参照）。バイアホール用開口４３
の形成は、レーザ処理により行う。このとき、使用する
レーザとしては、例えば、炭酸ガス（ＣＯ₂ ）レーザ、
紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられる。これら
のなかでは、エキシマレーザや短パルスの炭酸ガスレー
ザが望ましい。

【００８１】上記エキシマレーザは、後述するように、
バイアーホール用開口を形成する部分に貫通孔が形成さ
れたマスク等を用いることにより、一度に多数のバイア
ホール用開口を形成することができ、また、短パルスの
炭酸ガスレーザは、開口内の樹脂残りが少なく、レーザ
照射部位の周囲の樹脂に対するダメージが特に小さいか
らである。

【００８２】また、エキシマレーザのなかでも、ホログ
ラム方式のエキシマレーザを用いることが望ましい。ホ
ログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レン
ズ、レーザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射
する方式であり、この方式を用いることにより、一度の
照射で樹脂フィルム層に多数の開口を効率的に形成する
ことができる。

【００８３】また、炭酸ガスレーザを用いる場合、その
パルス間隔は、１０^-4〜１０^-8秒であることが望まし
い。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間
は、１０〜５００μｍ秒であることが望ましい。また、
バイアホール用開口を形成する部分に貫通孔が形成され
たマスクの貫通孔は、レーザ光のスポット形状を真円に
するために、真円である必要があり、上記貫通孔の径
は、０．１〜２ｍｍ程度が望ましい。

【００８４】また、光学系レンズと、マスクとを介して
レーザ光を照射することにより、一度に多数のバイアホ
ール用開口を形成することができる。光学系レンズとマ
スクとを介することにより、同一強度で、かつ、照射強
度が同一のレーザ光を複数の部分に照射することができ
るからである。

【００８５】また、樹脂フィルム４０αとして感光性樹
脂を用いた場合には、露光・現像処理によりバイアホー
ル用開口を形成してもよい。なお、この場合は、樹脂フ
ィルム４０αを積層して、プレスした後、加熱硬化する
前に、露光・現像処理を施すことが望ましい。完全に硬
化した層は、露光・現像処理により開口を形成するのに
適さず、所望の形状の開口を形成することができないか
らである。

【００８６】（６）次に、必要に応じて、デスミア処理
を行う。上記デスミア処理は、クロム酸、過マンガン酸
塩等の水溶液からなる酸化剤を使用して行うことができ
る。また、酸素プラズマ、ＣＦ₄ と酸素との混合プラズ
マやコロナ放電等で処理してもよい。また、低圧水銀ラ
ンプを用いて紫外線照射することにより、表面改質する
こともできる。その後、ドリル加工またはレーザ処理に
よりスルホール用貫通孔３３を形成する。スルホール用
貫通孔３３の径としては、５０〜５００μｍが望ましい
（図５（ｃ）参照）。

【００８７】また、スルホール用貫通孔３３を形成した
後、層間樹脂絶縁層４０表面（バイアホール用開口およ
びスルーホール用貫通孔の内壁面を含む）に粗化面を形
成してもよい。例えば、層間樹脂絶縁層４０の材料とし
て、上記ポリオレフィン系樹脂を用いた場合には、プラ
ズマ処理により粗化面を形成することができ、上記粗化
面形成用樹脂組成物を用いた場合には、酸や酸化剤を用
いて粗化面を形成することができる。

【００８８】（７）次に、無電解めっき、スパッタリン
グ等により層間樹脂絶縁層４０表面（バイアホール用開
口およびスルーホール用貫通孔の内壁面を含む）に薄膜
導体層４４を形成する（図６（ａ）参照）。薄膜導体層
４４は、単層であってもよいし、２層以上からなるもの
であってもよい。なお、無電解めっきにより薄膜導体層
を形成する場合には、予め、層間樹脂絶縁層４０表面に
パラジウム触媒等の触媒核を付与しておくことが望まし
い。

【００８９】薄膜導体層４４の材質としては、例えば、
スズ、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、タリウム、鉛等
が挙げられる。これらのなかでは、電気特性、経済性等
に優れる点から銅や銅およびニッケルからなるものが望
ましい。薄膜導体層４４の厚さとしては、無電解めっき
により薄膜導体層を形成する場合には、０．６〜１．２
μｍが望ましく、スパッタリングにより形成する場合に
は、０．１〜１．０μｍが望ましい。

【００９０】（８）次に、薄膜導体層４４を形成した層
間樹脂絶縁層４０上の一部にドライフィルムを用いてめ
っきレジスト５１を形成し、その後、薄膜導体層４４を
めっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジ
スト非形成部に電解めっき層４５を析出させる（図６
（ｂ）参照）。上記電解めっきとしては、銅めっきが望
ましい。また、このとき、バイアホール用開口を電解め
っきにより充填してフィールドビア構造としてもよく、
バイアホール用開口に導電性ペーストを充填した後、そ
の上に蓋めっき層を形成してフィールドビア構造として
もよい。フィールドビア構造を形成することにより、バ
イアホールの直上にバイアホールを設けることができ
る。

【００９１】（９）次に、めっきレジスト５１を除去し
た後、そのめっきレジスト５１下に存在する薄膜導体層
４４をエッチングにて溶解除去し、薄膜導体層４４と電
解めっき層４５とからなる導体回路４８、バイアホール
４６およびスルーホール３６を形成する（図６（ｃ）参
照）。なお、触媒を付着させた後、無電解めっきにより
薄膜導体層４４を形成した場合は、酸、または、酸化剤
を用いて層間樹脂絶縁層４０上の触媒を除去してもよ
い。触媒を除去することにより、電気特性の低減を防止
することができる。

【００９２】（１０）次に、必要に応じて、導体回路４
８、バイアホール４６およびスルーホール３６の表面に
粗化面を形成する。該粗化面は、エッチング処理、黒化
還元処理、めっき処理等により形成することができる。

【００９３】上記エッチング処理は、例えば、有機酸と
第二銅錯体とを含むエッチング液を用いて行うことがで
きる。上記有機酸としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロ
ピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、ク
ロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル
酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リン
ゴ酸、スルファミン酸等が挙げられる。これらは、単独
で用いてもよく、２種以上併用してもよい。上記混合溶
液において、上記有機酸の含有量は、０．１〜３０重量
％が望ましい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ、
触媒安定性を確保することができるからである。

【００９４】上記第二銅錯体としては、アゾール類の第
二銅錯体が望ましい。このアゾール類の第二銅錯体は、
金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾール類
としては、例えば、ジアゾール、トリアゾール、テトラ
ゾール等が挙げられる。これらのなかでは、イミダゾー
ル、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾー
ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニ
ルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールが望まし
い。上記エッチング液において、上記第二銅錯体の含有
量は、１〜１５重量％が望ましい。溶解性および安定性
に優れ、また、触媒核を構成するＰｄ等の貴金属をも溶
解させることができるからである。

【００９５】上記黒化還元処理の具体的な方法として
は、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／
ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）、を含む水溶液を黒化
浴とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、
ＮａＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還
元処理を行う方法等が挙げられる。

【００９６】上記めっき処理の具体的な方法としては、
硫酸銅（１〜４０ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル（０．１〜
６．０ｇ／ｌ）、クエン酸（１０〜２０ｇ／ｌ）、次亜
リン酸ナトリウム（１０〜１００ｇ／ｌ）、ホウ酸（１
０〜４０ｇ／ｌ）および界面活性剤（日信化学工業社
製、サーフィノール４６５）（０．０１〜１０ｇ／ｌ）
を含むｐＨ＝９の無電解めっき浴にて無電解めっきを施
す方法等が挙げられる。

【００９７】（１１）次に、スルホール３６内を樹脂充
填材を用いて充填し、その後、導体回路４８を形成した
基板３０の両面に樹脂フィルム６０αを張り付ける（図
７（ａ）参照）。上記樹脂充填材としては、エポキシ樹
脂等の樹脂を主成分とする導電性を有さない樹脂や、銅
等の金属ペーストを含有させた導電性樹脂等を用いるこ
とができる。また、熱硬化性エポキシ樹脂に、シリカ等
の無機フィラーを配合して熱膨張率を層間樹脂絶縁層と
整合させた樹脂充填材を用いてもよい。また、樹脂フィ
ルム６０αとしては、樹脂フィルム４０αと同様のもの
を用いることができる。

【００９８】（１２）次に、必要に応じて、樹脂フィル
ムを硬化させた後、上記（５）〜（１０）の工程（スル
ーホール用貫通孔の形成工程を除く）を繰り返すことに
より、更に上層の層間樹脂絶縁層６０および導体回路６
６（バイアホール６８）を形成する（図７（ｂ）〜図８
（ｂ）参照）。

【００９９】（１３）次に、最外層の導体回路６８を含
む基板面に開口部７１を有するソルダーレジスト層７０
を形成する。上記ソルダーレジスト層としては、例え
ば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン系樹
脂、フッ素系樹脂、熱可塑性エラストマー、ソルダーレ
ジスト樹脂組成物等からなるものが挙げられる。上記ソ
ルダーレジスト層は、未硬化の樹脂（樹脂組成物）をロ
ールコータ法等により塗布したり、未硬化の樹脂フィル
ムを熱圧着したりした後、レーザ処理、露光・現像処理
等により開口処理を行い、さらに、硬化処理等を行うこ
とにより形成する。

【０１００】上記ソルダーレジスト樹脂組成物として
は、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アク
リレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アク
リル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度
の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノー
ル型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリ
ル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル
系溶剤などを含むペースト状の流動体等が挙げられ、そ
の粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調製されているこ
とが望ましい。

【０１０１】上記ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）
アクリレートとしては、例えば、フェノールノボラック
やクレゾールノボラックのグリシジルエーテルをアクリ
ル酸やメタクリル酸等と反応させたエポキシ樹脂等が挙
げられる。また、上記２官能性（メタ）アクリル酸エス
テルモノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジ
オール類やアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙
げられる。また、開口部７１は、露光・現像処理、レー
ザ処理等により形成する。

【０１０２】（１４）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１内の導体回路６８上にニッケルめっき層７
２、金めっき層７４等を形成することにより、半田パッ
ドを設け、該半田パッド上に、はんだペーストを印刷し
て、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ７
６を形成する。これにより、ＩＣチップ２０が基板に内
蔵され、半田バンプを有する多層プリント配線板を得る
ことができる（図２参照）。また、上記ソルダーレジス
ト層の開口部に、はんだペーストを印刷した後、開口部
に導電性ピンを載置し、２００℃でリフローすることに
より、外部端子と接続するためのＰＧＡ(Pin Grid Arra
y)が配設された多層プリント配線板としてもよい。

【０１０３】次に、第二の実施形態の多層プリント配線
板について図９を参照しながら説明する。図９は、本発
明の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面図で
ある。図９に示した第二の実施形態の多層プリント配線
板１１０は、第一の実施形態の多層プリント配線板とほ
ぼ同様である。ただし、多層プリント配線板１１０で
は、コンデンサの内蔵方法が異なる。即ち、第一の実施
形態では、コンデンサの第１、第２電極２１、２２とバ
イアホール４６との間は、半田や導電性ペースト等の接
着材料３４を用いて電気的に接続していたが、第二の実
施形態の多層プリント配線板では、第１および第２電極
にめっきを施すことにより、バイアホールとの間を電気
的に接続する。そのため、それぞれの内蔵方法に適した
コンデンサを使用している。

【０１０４】そこで、第一および第二の実施形態で用い
るコンデンサについて説明する。第一の実施形態で用い
るコンデンサ２０は、図１（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、第１電極２１および第２電極２２の外周にＳｎ等か
らなる金属層２６が形成されている。これは、Ｓｎ等か
らなる金属層２６を有する場合、半田付け性が向上する
とともに、防錆効果を有するからである。従って、金属
層２６表面に形成する粗面が金属層２６と同様の材質の
ものから形成されている場合、即ち、エンボス加工、酸
や酸化剤による処理、研磨処理やエッチング処理等によ
り形成されている場合は、半田付け部分に粗面が形成さ
れていてもよいが、粗面が金属層２６と異なる材質のも
のから形成されている場合、即ち、めっき処理、酸化還
元処理等により形成されている場合は、半田付け部分に
は粗面が形成されていない方が好ましい。

【０１０５】一方、第二の実施形態で用いるコンデンサ
２２０は、図１（ｃ）に示すように、第１電極２１およ
び第２電極２２の上面が露出するように金属層２２６が
形成されている。そのため、めっきを用いて、電極とバ
イアホールとを接続するのに適している。なお、めっき
により、電極とバイアホールとを接続した場合には、接
続抵抗を低減させることができる。

【０１０６】次に、図９に示した多層プリント配線板の
製造方法（第二の多層プリント配線板の製造方法）につ
いて、図１０〜図１２を参照しながら説明する。

【０１０７】（１）ビスマレイミド・トリアジン樹脂
（ＢＴ樹脂）板３５に、コンデンサ内蔵用の貫通孔を形
成し、これを４枚積層した積層板３０αと、貫通孔を形
成しないＢＴ樹脂板３５を２枚積層した積層板３０βと
を出発材料とする（図１０（ａ）参照）。積層板３０
α、３０βとしては、上記ＢＴ樹脂からなる積層板以外
に、例えば、エポキシ樹脂やフェノール樹脂からなるも
の、または、ガラスクロス等の強化材を含有したもの等
を用いることができる。

【０１０８】（２）次に、積層板３０αに形成した貫通
孔３７にコンデンサ２２０を内蔵する。なお、コンデン
サ２２０は、接着剤３２を介して貫通孔３７内に取り付
ける。その後、積層板３０αと積層板３０βとを積層し
た後、圧着することによりコンデンサ内蔵基板３０とす
る（図１０（ｂ）参照）。上記接着剤としては、第一の
多層プリント配線板の製造方法で用いた接着剤と同様の
ものを用いることができる。

【０１０９】（３）次に、コンデンサ内蔵基板３０の両
面に、樹脂フィルム４０αを積層した後、圧着し、その
後、必要に応じて、加熱硬化させることにより樹脂フィ
ルムの硬化層４０βを形成する（図１０（ｃ）および
（ｄ）参照）。樹脂フィルム４０αとしては、第一の多
層プリント配線板の製造方法で用いるものと同様のも
の、即ち、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、ポリイミド樹脂、
オレフィン樹脂等の熱硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂と熱
可塑性樹脂との混合物等を用いることができる。

【０１１０】（４）次に、ドリル加工やレーザ処理を用
いて、スルホール用開口３３を形成する（図１１（ａ）
参照）。スルホール用開口３３の径としては、５０〜５
００μｍが望ましい。次に、基板の両面に形成した樹脂
フィルムの硬化層４０βにバイアホール用開口４３を形
成し、層間樹脂絶縁層４０とする（図５（ｂ）参照）。
バイアホール用開口４３の形成は、レーザ処理により行
う。このとき、使用するレーザとしては、第一の多層プ
リント配線板の製造方法と同様のものを用いることがで
きる。なお、樹脂フィルム４０αとして感光性樹脂を用
いた場合には、露光・現像処理によりバイアホール用開
口を形成してもよい。

【０１１１】（５）次に、必要に応じて、デスミア処理
を行う。特に、炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール
用開口を形成した場合には、デスミア処理を行うことが
望ましい。上記デスミア処理は、第一の多層プリント配
線板の製造方法と同様の方法で行うことができる。ま
た、デスミア処理終了後、必要に応じて、層間樹脂絶縁
層４０表面（バイアホール用開口４３およびスルーホー
ル用貫通孔３３の内壁面を含む）に粗化面を形成しても
よい。

【０１１２】（６）次に、無電解めっき、スパッタリン
グ等により層間樹脂絶縁層４０表面（バイアホール用開
口４３およびスルーホール用貫通孔３３の内壁面を含
む）に薄膜導体層４４を形成する（図１１（ｃ）参
照）。薄膜導体層４４は、単層であってもよいし、２層
以上からなるものであってもよい。なお、無電解めっき
により薄膜導体層を形成する場合には、予め、層間樹脂
絶縁層４０表面にパラジウム触媒等の触媒核を付与して
おくことが望ましい。薄膜導体層４４の材質および厚さ
としては、第一の多層プリント配線板の製造方法と同様
のものが望ましい。

【０１１３】（７）次に、薄膜導体層４４を形成した層
間樹脂絶縁層４０上の一部にドライフィルムを用いてめ
っきレジスト５１を形成し（図１２（ａ）参照）、その
後、薄膜導体層４４をめっきリードとして電解めっきを
行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層４５
を析出させる（図１２（ｂ）参照）。なお、めっきレジ
スト５１の形成、および、電解めっき層４５の析出は、
第一の多層プリント配線板の製造方法と同様の方法によ
り行うことができる。

【０１１４】（８）次に、めっきレジスト５１を除去し
た後、そのめっきレジスト５１下に存在する薄膜導体層
４４をエッチングにて溶解除去し、薄膜導体層４４と電
解めっき層４５とからなる導体回路４８、バイアホール
４６およびスルーホール３６を形成する（図１２（ｃ）
参照）。なお、触媒を付着させた後、無電解めっきによ
り薄膜導体層４４を形成した場合は、酸、または、酸化
剤を用いて層間樹脂絶縁層４０上の触媒を除去してもよ
い。触媒として用いたパラジウムを除去することによ
り、電気特性の低減を防止することができる。

【０１１５】これ以降は、図示していないが、図７
（ａ）〜図８（ｃ）に図示した方法と同様の方法であ
る。 （９）次に、必要に応じて、導体回路４８、バイアホー
ル４６およびスルーホール３６の表面に粗化面を形成す
る。該粗化面は、第一の製造方法と同様、エッチング処
理、黒化還元処理、めっき処理等により形成することが
できる。

【０１１６】（１０）次に、スルホール３６内を樹脂充
填材を用いて充填する。上記樹脂充填材としては、第一
の多層プリント配線板の製造方法と同様のものを用いる
ことができる。

【０１１７】（１１）次に、必要に応じて、（３）〜
（１０）の工程（スルーホール用貫通孔の形成工程を除
く）を繰り返すことにより、更に上層の層間樹脂絶縁層
６０および導体回路６８（バイアホール６６を含む）を
形成する。

【０１１８】（１２）さらに、第一の多層プリント配線
板の製造方法（１３）および（１４）の工程と同様にし
て、ソルダーレジスト層および半田バンプを形成し、コ
ンデンサの内蔵された多層プリント配線板とする（図９
参照）。

【０１１９】次に、第三の実施形態の多層プリント配線
板について図１３を参照しながら説明する。図１３は、
本発明の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面
図である。図１３に示した第三の実施形態の多層プリン
ト配線板２１０は、第二の実施形態の多層プリント配線
板とほぼ同様である。ただし、多層プリント配線板２１
０では、コンデンサの内蔵方法が異なる。即ち、第二の
実施形態では、第１電極２１および第２電極２２のＩＣ
チップ側（上側）のみ、電気的に接続していたが、本実
施形態では、第１電極２１および第２電極２２のＩＣチ
ップ側（上側）およびドータボード側（下側）の両側を
それぞれ電気的に接続している。従って、コンデンサの
外部電極がいわゆるスルーホールの機能を備えており、
パッケージ構造を簡単にできるので、高周波のＩＣチッ
プに対応することができる。

【０１２０】従って、第三の実施形態で用いるコンデン
サとしては、図１（ｄ）に示すような第１電極２１、第
２電極２２の周囲に金属層が形成されておらず、誘電体
膜２３の表面にのみ粗面が形成されているコンデンサが
望ましい。上述したように、第三の実施形態では、コン
デンサの外部電極がいわゆるスルホールの機能を備えて
いるため、該外部電極の表面に粗面を形成した場合に
は、この粗面に起因した表皮効果等により、多層プリン
ト配線板の電気特性が低下することがあるからである。

【０１２１】次に、図１３に示した多層プリント配線板
の製造方法（第三の多層プリント配線板の製造方法）に
ついて、図１４を参照しながら説明する。 （１）まず、ビスマレイミド・トリアジン樹脂（ＢＴ樹
脂）板を積層してなる積層板３０αにコンデンサを内蔵
する貫通孔３７を形成する（図１４（ａ）参照）。積層
板３０αとしては、上記ＢＴ樹脂からなる積層板以外
に、例えば、エポキシ樹脂やフェノール樹脂からなるも
の、または、ガラスクロス等の強化材を含有したもの等
を用いることができる。

【０１２２】次に、積層板３０α内の貫通孔３７内に，
コンデンサ３２０を内蔵させる（図１４（ｂ）参照）。
なお、貫通孔３７の内壁面には、予め、接着剤を塗布し
ておき、接着剤を介して貫通孔３７の内壁面に、コンデ
ンサを接着する。

【０１２３】（２）樹脂フィルム４０αと、コンデンサ
３２０を内蔵する積層板３０αと、樹脂フィルム４０α
とを積層して、圧着し、その後、加熱硬化させることで
コンデンサ３２０を内蔵する基板３０および樹脂フィル
ムの硬化４０βを形成する（図１４（ｃ）および（ｄ）
参照）。 （３）その後、第二の製造方法の工程（４）〜（１２）
と同様にして、コンデンサ内蔵基板１３０の両面に、層
間樹脂絶縁層および導体回路を順次形成し、さらに、最
外層にソルダーレジスト層を形成することによりコンデ
ンサ内蔵多層プリント配線板を製造する（図１３参
照）。

【０１２４】また、本発明の多層プリント配線板の実施
形態は、上記第一〜第三の実施形態に限定されず、例え
ば、多数のコンデンサが一つのキャビティに並列に内蔵
された形態であっても良い。このような実施形態の多層
プリント配線板では、電源電圧の不足分を補うことがで
き、ＩＣの誤動作がなくすことができる。従って、この
ような多層プリント配線板は、フリップチップ用として
最適である。

【０１２５】このような多層プリント配線板では、基板
にコンデンサ内蔵されているため、ＩＣチップを実装し
た際に、該ＩＣチップとコンデンサとの距離が短く、高
周波数で駆動するＩＣチップを実装した場合でも、ルー
プインダクタンスが充分に低い。また、基板に内蔵する
コンデンサは、その表面の少なくどせ一部に粗面が形成
されているため、コンデンサと接着剤との密着性が高
く、ヒートサイクル条件下においても、コンデンサと接
着剤との接触面で剥離が発生したり、接着剤にクラック
が発生したりすることがない。従って、コンデンサの端
子とバイアホールとの間の接続が遮断されたり、層間樹
脂絶縁層に膨れが生じたりすることがなく、電気的接続
性、信頼性に優れる。

【０１２６】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。

【０１２７】（実施例１） （１）片面に銅からなる金属膜４１を積層したエポキシ
樹脂フィルム４０αを出発材料とする（図４（ａ）参
照）。まず、金属膜４１をパターンエッチングすること
により、所定の回路パターン４２を形成した（図４
（ｂ）参照）。

【０１２８】（２）次に、樹脂フィルム４０αに形成し
た回路パターン４２に、半田３４を介してコンデンサ２
０を取り付けた（図４（ｃ）参照）。コンデンサ２０と
しては、市販のチップコンデンサ（村田製作所社製、Ｇ
ＰＭ３３）の金属層２６表面に、研磨材として、砥粒を
用いた研磨処理により、平均粗度（Ｒｊ）＝０．５〜
１．０μｍの粗面を形成したものを用いた（図１（ｂ）
参照）。

【０１２９】なお、コンデンサの表面に形成した粗面の
平均粗度は、以下の方法を用いて測定した。即ち、ＪＩ
Ｓ９４に準じた方法により、表面粗さ形状測定機（東京
精密社製、サーフコム１３０Ａ／４８０Ａ）を用いて、
粗面の平均粗度を測定した。

【０１３０】（３）上記とは別に、コンデンサ２０を内
蔵するためのキャビティ３１を穿設した基板３０αを用
意する。次に、キャビティ３１の内壁に接着剤を塗布し
た後、コンデンサ２０を取り付けた樹脂フィルム４０α
と、キャビティ３１を穿設した基板３０αと、もう１枚
の樹脂フィルム４０αとを積層してプレスした（図４
（ｃ）および（ｄ）参照）。なお、接着剤としては、エ
ポキシ系樹脂を用いた。

【０１３１】（４）次に、加熱硬化処理を施し、コンデ
ンサ２０を内蔵する基板３０と、樹脂フィルムの硬化層
４０βを形成した（図５（ａ）参照）。続いて、樹脂フ
ィルムの硬化層４０β上に、貫通孔が形成されたマスク
を介して、波長１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、
ビーム径４．０ｍｍ、ドップハットモード、パルス幅
８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、２ショッ
トの条件で樹脂フィルムの硬化層４０βに、直径６０μ
ｍのバイアホール用開口４３を形成し、層間樹脂絶縁層
４０とした（図５（ｂ）参照）。この後、酸素プラズマ
を用いてデスミア処理を行った。

【０１３２】（５）次に、層間樹脂絶縁層５０を形成し
た基板３０に、ドリル加工により、直径３００μｍのス
ルーホール用貫通孔３３を形成した（図５（ｃ）参
照）。さらに、層間樹脂絶縁層４０の表面（バイアホー
ル用開口４３およびスルーホール用貫通孔３３の内壁面
を含む）に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与
することにより、層間樹脂絶縁層４０の表面に触媒核を
付着させた。

【０１３３】（６）次に、以下の組成の無電解銅めっき
水溶液中に基板を浸漬して、層間樹脂絶縁層４０および
スルーホール用貫通孔３３の表面全体に厚さ０．６〜
０．９μｍの薄膜導体層（無電解銅めっき層）４４を形
成した（図６（ａ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ₄ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ３５℃の液温度で４０分

【０１３４】（７）次に、市販の感光性ドライフィルム
を無電解銅めっき４４に張り付け、マスクを載置して、
１００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム
水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト５１
を設けた。さらに、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂
し、２５℃の水で水洗後、硫酸で洗浄してから、以下の
条件で電解銅めっきを施し、めっきレジスト非形成部に
電解銅めっき層４５を形成した（図６（ｂ）参照）。

【０１３５】〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １．９５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ² 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃

【０１３６】（８）次に、めっきレジスト５１を５％Ｋ
ＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５１下の無
電解めっき層４４を硫酸と過酸化水素との混合液でエッ
チングして除去し、層間樹脂絶縁層４０には導体回路４
８とバイアホール４６を形成し、基板３０にはスルーホ
ール３６を形成した（図６（ｃ）参照）。

【０１３７】（９）次に、導体回路４８、バイアホール
４６およびスルーホール３６の表面を、有機酸塩と第二
銅錯体とからなるエッチング液を用いて、エッチング処
理することにより、該表面に粗化面（図示せず）を形成
した。さらに、導体回路４８等を形成した基板を、８０
０ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に３分間浸漬し
て、導体回路非形成部分に位置する導体回路間の層間樹
脂絶縁層４０の表面を１μｍエッチングし、その表面に
残存するパラジウム触媒を除去した。

【０１３８】さらに、スルホール３６内にスキージを用
いて樹脂充填剤を充填し、１００℃で２０分間乾燥させ
ることにより、樹脂充填剤層３８を形成した。なお、樹
脂充填剤としては、ビスフェノールＦ型エポキシモノマ
ー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）
１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティ
ングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の粒径が
１５μｍ以下のＳｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、Ｃ
ＲＳ １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング
剤（サンノプコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を
容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度を２３
±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓに調製したものを使用し
た。ここで、硬化剤としては、イミダゾール硬化剤（四
国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用い
た。

【０１３９】その後、基板の両面に樹脂フィルム６０α
を張り付けた（図７（ａ）参照）。なお、樹脂フィルム
６０αとしては、エポキシ樹脂からなる樹脂フィルムを
用いた。

【０１４０】（１０）上記（４）〜（８）の工程（スル
ーホール用貫通孔の形成工程を除く）を繰り返すことに
より、さらに上層の導体回路６８（バイアホール６６を
含む）を形成し、その後、導体回路６６の表面をエッチ
ング処理することにより、粗化面（図示せず）を形成す
ることにより、最外層に導体回路の形成された多層配線
板を得た（図７（ｂ）〜図８（ｂ）参照）。

【０１４１】（１１）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社
製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮ
ｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。

【０１４２】（１２）次に、多層配線板に、上記ソルダ
ーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で
２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った
後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画
された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層
７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光
し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開
口７１を形成した（図８（ｃ）参照）。

【０１４３】（１３）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめ
っき層（図示せず）を形成した。さらに、その基板を、
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッ
ケルめっき層上に厚さ０．０３μｍの金めっき層（図示
せず）を形成することで、導体回路６８およびに半田パ
ッドを形成した。

【０１４４】（１４）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃
でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成し
た。これにより、コンデンサ２０を内蔵し、半田バンプ
７６を有する多層プリント配線板１０を得た（図２参
照）。

【０１４５】（実施例２）実施例１で用いた金属層２６
の表面に粗面が形成されたコンデンサに、さらに、研磨
材として、砥粒を用いて、誘電体２３の表面に研磨処理
を施すことにより、平均粗度（Ｒｊ）＝０．５〜１．０
μｍの粗面を形成したコンデンサ（図１（ｂ）参照）を
用いた以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線
板を製造した。

【０１４６】（実施例３）コンデンサとして、市販のチ
ップコンデンサ（村田製作所社製、ＧＰＭ３３）の金属
層の表面に、有機酸塩と第二銅錯体とからなるエッチン
グ液を用いたエッチング処理を施すことにより、平均粗
度（Ｒｊ）＝１．０〜１．５μｍの粗面を形成したもの
を用いた以外は、実施例１と同様にして多層プリント配
線板を製造した。

【０１４７】（実施例４） （１）エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ３５を４枚
積層し、コンデンサを内蔵するための貫通孔を形成した
積層板３０αと、プリプレグ３５を２枚積層した積層板
３０βとを出発材料とした（図１０（ａ）参照）。

【０１４８】（２）次に、積層板３０αに形成した貫通
孔に、接着剤（熱硬化性樹脂）を介在させてコンデンサ
２２０を取り付け、さらに、積層板３０αと積層板３０
βと積層して張り付け、コンデンサ２２０を内蔵する基
板３０を得た（図１０（ｂ）参照）。なお、コンデンサ
２２０の底面と積層板３０βとの間にも上記接着剤を介
在させた。

【０１４９】コンデンサ２２０は、市販のチップコンデ
ンサ（村田製作所社製、ＧＰＭ３３）の第１電極および
第２電極２２の上面には金属層を形成せず露出させてお
き、金属層２２６の表面に、下記の無電解めっき液を用
いためっき処理を施すことにより、平均粗度（Ｒｊ）＝
１．０〜２．０μｍの粗面を形成したものを用いた（図
１（ｃ）参照）。

【０１５０】無電解めっき液としては、硫酸銅（８ｇ／
ｌ）、硫酸ニッケル（０．６ｇ／ｌ）、クエン酸（１５
ｇ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２９ｇ／ｌ）、ホウ
酸（３１ｇ／ｌ）および界面活性剤（日信化学工業社
製、サーフィノール４６５）（０．１ｇ／ｌ）を含むｐ
Ｈ＝９の無電解めっき液を使用した。

【０１５１】（３）次に、コンデンサ２２０を内蔵した
基板３０の上下に樹脂フィルム４０αを積層してプレス
し、その後、加熱硬化処理を施し、コンデンサ２２０を
内蔵した基板の両面に樹脂フィルムの硬化層４０βを形
成した（図１０（ｃ）および（ｄ）参照）。なお、樹脂
フィルム４０αとしては、熱硬化性シクロオレフィン系
樹脂からなる樹脂フィルムを使用した。

【０１５２】（４）次に、樹脂フィルムの硬化層４０β
を形成した基板３０に、ドリル加工により、直径３００
μｍのスルーホール用貫通孔３３を形成した（図１１
（ａ）参照）。

【０１５３】続いて、樹脂フィルムの硬化層４０β上
に、貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４
μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、ド
ップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通
孔の径１．０ｍｍ、２ショットの条件で樹脂フィルムの
硬化層４０βに、直径６０μｍのバイアホール用開口４
３を形成し、層間樹脂絶縁層４０とした（図１１（ｂ）
参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を
行った。

【０１５４】（５）次に、日本真空技術株式会社製のＳ
Ｖ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶
縁層４０の表面に粗化面（図示せず）を形成した。この
際、不活性ガスとしは、アルゴンガスを使用し、電力２
００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で２分間
プラズマ処理を実施した。

【０１５５】（６）次に、同じ装置を用い、内部アルゴ
ンガスを使用した後、Ｎｉ−Ｃｕ合金をターゲットにし
たスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電
力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ−Ｃｕ合金
からなる厚さ０．２μｍの薄膜導体層４４を層間樹脂絶
縁層４０および貫通孔３３の表面に形成した（図１１
（ｃ）参照）。

【０１５６】（７）次に、市販の感光性ドライフィルム
を無電解銅めっき４４に張り付け、マスクを載置して、
１００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム
水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト５１
を設けた（図１２（ａ）参照）。さらに、基板を５０℃
の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、硫酸で洗
浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、めっき
レジスト非形成部に電解銅めっき層４５を形成した（図
１２（ｂ）参照）。

【０１５７】〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １．９５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ² 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃

【０１５８】（８）次に、めっきレジスト５１を５％Ｋ
ＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５１下の無
電解めっき層４４を硫酸と過酸化水素との混合液でエッ
チングして除去し、層間樹脂絶縁層４０に導体回路４８
とバイアホール４６を、基板３０にスルーホール３６を
形成した（図１２（ｃ）参照）。

【０１５９】（９）次に、導体回路４８、バイアホール
４６およびスルーホール３６の表面を、有機酸塩と第二
銅錯体とからなるエッチング液を用いて、エッチング処
理することにより、該表面に粗化面（図示せず）を形成
した。さらに、導体回路４８等を形成した基板を、８０
０ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に３分間浸漬し
て、導体回路非形成部分に位置する導体回路間の層間樹
脂絶縁層４０の表面を１μｍエッチングし、その表面に
残存するパラジウム触媒を除去した。

【０１６０】さらに、スルホール３６内にスキージを用
いて樹脂充填剤を充填し、１００℃で２０分間乾燥させ
ることにより、樹脂充填剤層３８を形成した。なお、樹
脂充填剤としては、実施例１で用いた樹脂充填剤と同様
のものを用いた。

【０１６１】その後、基板の両面に樹脂フィルム６０α
を張り付けた。なお、樹脂フィルム６０αとしては、樹
脂フィルム４０αと同様のものを用いた。

【０１６２】（１０）上記（４）〜（８）の工程を繰り
返すことにより、さらに上層の導体回路６８（バイアホ
ール６６を含む）を形成し、その後、導体回路６６の表
面をエッチング処理することにより、粗化面（図示せ
ず）を形成することにより、最外層に導体回路の形成さ
れた多層配線板を得た。

【０１６３】（１１）実施例１の（１１）〜（１４）と
同様にして、コンデンサ２２０を内蔵し、半田バンプ７
６を有する多層プリント配線板１１０を得た（図９参
照）。

【０１６４】（実施例５） （１）コンデンサを内蔵するための貫通孔３７を形成し
たビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂板３０αを
出発材料とした（図１４（ａ）参照）。

【０１６５】（２）次に、積層板３０αに形成した貫通
孔に、接着剤（熱硬化性樹脂）を介在させてコンデンサ
３２０を取り付け、コンデンサ３２０を内蔵する基板３
０を得た（図１４（ｂ）参照）。コンデンサ３２０とし
ては、製造時に誘電体の表面に平均粗度（Ｒｊ）＝０．
５〜１．０μｍの粗面を形成したものを用いた（図１
（ｄ）参照）。

【０１６６】（３）次に、コンデンサ３２０を内蔵した
基板３０の上下に樹脂フィルム４０αを積層してプレス
し、その後、加熱硬化処理を施し、コンデンサ２２０を
内蔵した基板の両面に樹脂フィルムの硬化層４０βを形
成した（図１４（ｃ）および（ｄ）参照）。なお、樹脂
フィルム４０αとしては、熱硬化性シクロオレフィン系
樹脂からなる樹脂フィルムを使用した。

【０１６７】（４）以下、実施例４の（４）〜（１１）
と同様の方法を用いて、コンデンサ３２０を内蔵し、半
田バンプ７６を有する多層プリント配線板２１０を得た
（図１３参照）。なお、実施例４では、コンデンサ２２
０の第１、第２電極２１、２２の上面のみをバイアホー
ルと接続するように、多層プリント配線板を製造した
が、本実施例では、コンデンサ３２０の第１、第２電極
２１、２２と上面と下面のそれぞれをバイアホールと接
続するように多層プリント配線板を製造した。

【０１６８】実施例１〜５で得られた多層プリント配線
板について、下記の条件でヒートサイクル試験を行った
後、下記の評価方法により、コンデンサと接着剤と間で
の剥離の発生の有無、接着剤中でのクラックの発生の有
無、短絡または断線の発生の有無、層間樹脂絶縁層の膨
れの有無を評価した。結果を表１に示した。

【０１６９】ヒートサイクル試験 得られた多層プリント配線板を、１３０℃の雰囲気下に
３分間維持した後、−６５℃の雰囲気下に３分間維持す
るサイクルを、１０００回および２０００回繰り返し
た。

【０１７０】評価方法 （１）コンデンサと接着剤との間での剥離の発生の有無 多層プリント配線板をカッターで切断し、切断した断面
を顕微鏡で観察した。なお、ここでは、コンデンサを切
断するように、多層プリント配線板を切断した。 （２）接着剤中でのクラックの発生の有無 上記（１）と同様にして多層プリント配線板を切断し、
その断面を顕微鏡で観察した。

【０１７１】（３）短絡または断線の発生の有無 多層プリント配線板にＩＣチップを実装した後、導通試
験を行い、モニターに表示される結果から導通状態を評
価した。 （４）層間樹脂絶縁層の膨れの有無 上記（１）と同様にして多層プリント配線板を切断し、
その断面を顕微鏡で観察した。 （５）信頼性試験前後における静電容量の測定 ピコアンメータを用い、上記信頼性試験の前後におい
て、コンデンサの静電容量を測定した。その結果を下記
の表２に示した。

【０１７２】

【表１】

【０１７３】

【表２】

【０１７４】表１に示したように、実施例１〜５で得ら
れた多層プリント配線板について、１０００サイクルの
ヒートサイクル試験を行った場合、コンデンサと接着剤
と間での剥離は発生しておらず、接着剤中にもクラック
は発生していなかった。また、短絡や断線、層間樹脂絶
縁層の膨れも発生していなかった。

【０１７５】また、２０００サイクルのヒートサイクル
試験を行った場合には、実施例１、３、４および５で得
られた多層プリント配線板では、粗面を形成していない
部分の一部で、コンデンサと接着剤と間での剥離が発生
しており、接着剤中にもわずかにクラックが発生してい
たが、製品に影響を与える程のものではなく、短絡や断
線、層間樹脂絶縁層の膨れは発生していなかった。ま
た、実施例２で得られた多層プリント配線板では、コン
デンサと接着剤と間での剥離は発生しておらず、接着剤
中にもクラックは発生していなかった。また、この場合
でも、短絡や断線、層間樹脂絶縁層の膨れも発生してい
なかった。

【０１７６】さらに、表２に示したように、実施例１〜
５で基板に埋設したコンデンサは、信頼性試験の前後で
静電容量に変化が少なく、導体回路−コンデンサの間に
おいても、電気的接続による影響が殆どない。

【０１７７】

【発明の効果】以説明したように、本発明のコンデンサ
は、その表面の少なくとも一部に粗面が形成されている
ため、多層プリント配線板の基板に接着剤を介して内蔵
された場合に、該接着剤との密着性に高く、コンデンサ
と接着剤との間で剥離が発生したり、該接着剤にクラッ
クが発生したりすることがなく、多層プリント配線板に
内蔵するコンデンサとして好適である。

【０１７８】また、本発明の多層プリント配線板は、コ
ンデンサが内蔵されているため、ＩＣチップとコンデン
サとの距離が短く、高周波数で駆動するＩＣチップを実
装した場合でもループインダクタンスが充分低い。さら
に、内蔵されるコンデンサは、表面の少なくとも一部に
粗面が形成された本発明のコンデンサであるため、コン
デンサと接着剤との間で剥離が発生したり、該接着剤に
クラックが発生したりすることがない。そのため、上記
多層プリント配線板は、コンデンサの端子とバイアホー
ルとの間の接続が遮断されたり、層間樹脂絶縁層に膨れ
が生じたりすることがなく、電気的接続性、信頼性に優
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｂ）は、本発明のカーボンの一例を
模式的に示す断面図である。

【図２】本発明の多層プリント配線板の一例を模式的に
示す断面図である。

【図３】図２に示す多層プリント配線板にＩＣチップを
実装し、ドータボードに取り付けた状態を模式的に示す
断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図９】本発明の多層プリント配線板の別の一例を模式
的に示す断面図である。

【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図１３】本発明の多層プリント配線板の更に別の一例
を模式的に示す断面図である。

【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程を模式的に示す断面図である。

【図１５】（ａ）、（ｂ）は、従来の多層プリント配線
板のループインダクタンスの説明図であり、（ｃ）は、
本発明の多層プリント配線板のループインダクタンスの
説明図である。

【符号の説明】

１０、１１０、２１０ 多層プリント配線板 ２０、１２０、２２０、３２０ コンデンサ ２１ 第１電極 ２２ 第２電極 ２３ 誘電体 ２４ 第１導電膜 ２５ 第２導電膜 ２６、２２６、３２６ 金属層 ２７、２２７、３２７ 粗面 ３０ 基板 ４０、６０ 層間樹脂絶縁層 ４６、６６ バイアホール ４８、６８ 導体回路 ７０ ソルダーレジスト層 ７６ 半田バンプ ９０ ＩＣチップ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｂ Ｐ (72)発明者 伊藤 克敏 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社大垣北工場内 Ｆターム(参考） 5E346 AA02 AA12 AA15 AA32 AA43 BB20 CC02 CC09 CC10 CC37 CC38 CC40 CC42 CC52 EE20 EE39 FF01 FF02 FF07 FF08 FF10 FF13 FF14 FF17 FF19 FF22 FF27 GG15 GG25 HH05 HH06 HH07

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 多層プリント配線板に収納または内蔵さ
   せるコンデンサであって、その表面の少なくとも一部に
   粗面が形成されていることを特徴とするコンデンサ。
2. 【請求項２】 前記粗面の平均粗度（Ｒｊ）は、０．０
   １〜５μｍである請求項１に記載のコンデンサ。
3. 【請求項３】 前記粗面は、エンボス加工により形成さ
   れている請求項１または２に記載のコンデンサ。
4. 【請求項４】 コンデンサが内蔵または収納されている
   基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成さ
   れ、前記コンデンサと導体回路、および、上下の導体回
   路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント
   配線板であって、前記コンデンサは、請求項１〜３のい
   ずれか１に記載のコンデンサであることを特徴とする多
   層プリント配線板。