JP2002374066A

JP2002374066A - 多層プリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JP2002374066A
Application number: JP2001180737A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Inagaki; 靖稲垣; Shinichiro Ichikawa; 慎一郎市川
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2001-06-14
Filing date: 2001-06-14
Publication date: 2002-12-26

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】アンダーダーカットがなく、上面に充分な凹
凸を有する粗化面が形成された導体回路を有し、その結
果、樹脂絶縁層にクラックが発生せず、樹脂絶縁層と導
体回路との間で剥離が発生しない多層プリント配線板の
製造方法を提供する。【解決手段】下記(1) 〜(4) の工程を含む多層プリン
ト配線板の製造方法。（１）基板上または樹脂絶縁層２２上に薄膜導体層２４
を形成する工程、（２）薄膜導体層上の一部にドライフ
ィルムを用いてめっきレジスト２３を形成した後、めっ
きレジスト非形成部に電気めっき層２５を形成する工
程、（３）第一のエッチング液を用いて電気めっき層の
上面に粗化面２５ａを形成する工程、および、（４）め
っきレジストを剥離した後、第二のエッチング液を用
い、めっきレジストの下に存在する薄膜導体層を除去す
るとともに電気めっき層表面および薄膜導体層側面に粗
化面２４ｂを形成する工程。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ビルドアップ多層プリント配線板
は、例えば、特開平４−５５５５５号公報等に開示され
た方法により製造されている。すなわち、まず、銅箔が
貼り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて無
電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成
する。続いて、基板の表面を導体パターン状にエッチン
グ処理して導体回路を形成し、この導体回路の表面に、
エッチング等により粗化面を形成する。そして、この粗
化面を有する導体回路上に樹脂絶縁層を形成した後、露
光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成し、そ
の後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成す
る。

【０００３】さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤など
により粗化処理を施した後、薄い無電解めっき層を形成
し、この無電解めっき層上にめっきレジストを形成し、
電気めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥離
後、めっきレジスト下に存在している薄い無電解めっき
層をエッチング液により除去することにより独立した導
体回路を形成し、さらに、第二銅錯体と有機酸塩等によ
り導体回路表面に粗化面を形成する。この工程を繰り返
した後、最後に導体回路を保護するためのソルダーレジ
スト層を形成し、さらに、ＩＣチップ等との接続のため
に開口を形成し、露出した導体回路にめっき等を施し、
半田ペーストを印刷して半田バンプを形成することによ
り、ビルドアップ多層プリント配線板の製造を完了す
る。

【発明が解決しようとする課題】

【０００４】近年、多層プリント配線板の小型化、高密
度化が要求され、多層プリント配線板における導体回路
の幅や導体回路間の距離が短くなってきている。そのた
め、一回のエッチング処理で導体回路表面に粗化面を形
成した場合、導体回路がアンダーカット形状になってし
まうことがあった。

【０００５】これは、導体回路間の距離の長い部分と短
い部分とでは、エッチング液の入り込み易さが異なり、
導体回路間の距離の短い部分では、エッチング液が入り
込みにくく、導体回路間の距離の長い部分では、エッチ
ング液が入り込み易いためであると考えられる。即ち、
エッチング液の入り込みにくい部分に充分な凹凸を有す
る粗化面を形成しようとすると、エッチング処理時間を
長くしなければならず、このようにエッチング処理時間
を長くすると、導体回路間の距離の長い部分では、導体
回路側面がエッチングされすぎ、アンダーカット形状の
導体回路が存在することとなる。

【０００６】このようにアンダーカット形状の導体回路
が存在すると、導体回路上に層間樹脂絶縁層を形成した
場合に、アンダーカット部分に樹脂が充填されなかった
り、アンダーカット部分と樹脂との密着性が低かったり
し、層間樹脂絶縁層にクラックが発生したり、層間樹脂
絶縁層と導体回路との剥離が発生するという問題があっ
た。

【０００７】また、このような問題を回避するため、ア
ンダーカット形状の導体回路が形成されないようにエッ
チング処理時間を短くする方法もある。しかしながら、
この場合、表面に充分な凹凸を有する粗化面が形成され
ない導体回路が存在し、このような導体回路は、樹脂と
の密着性が低い。そのため、この場合も、導体回路上に
層間樹脂絶縁層を形成すると、層間樹脂絶縁層にクラッ
クが発生したり、層間樹脂絶縁層と導体回路との剥離が
発生するという問題があった。

【０００８】本発明は、上述の問題を解決するためにな
されたものであり、その目的は、アンダーカット等がな
く、上面に充分な凹凸を有する粗化面が形成された導体
回路を有し、その結果、層間樹脂絶縁層にクラックが発
生したり、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発
生したりすることがない多層プリント配線板の製造方法
を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
の実現に向け鋭意研究した結果、めっきレジストを剥離
する前に第一のエッチング処理を行い、電気めっき層の
上面に粗化面を形成し、続いて、上記めっきレジストを
剥離した後に第二のエッチング処理を行うとともに粗化
面形成処理を行うことにより、充分な凹凸が形成された
粗化面を有し、かつ、アンダーカットがない導体回路を
形成することができることを見いだし、以下に示す内容
を要旨構成とする発明に到達した。

【００１０】即ち、本発明の多層プリント配線板の製造
方法は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成さ
れ、これらの導体回路がバイアホールを介して接続され
てなる多層プリント配線板の製造方法であって、下記
（１）〜（４）の工程を含むことを特徴とする。（１）上記基板上および／または上記樹脂絶縁層上に薄
膜導体層を形成する工程、（２）上記薄膜導体層上の一
部にドライフィルムを用いてめっきレジストを形成した
後、上記めっきレジスト非形成部に電気めっき層を形成
する工程、（３）第一のエッチング液を用いて上記電気
めっき層の上面に粗化面を形成する工程、および、
（４）上記めっきレジストを剥離した後、第二のエッチ
ング液を用い、上記めっきレジストの下に存在する薄膜
導体層を除去するとともに上記電気めっき層表面および
上記薄膜導体層側面に粗化面を形成する工程。

【００１１】本発明の製造方法において、上記第一のエ
ッチング液は、塩化第二銅、塩化第二鉄、過硫酸塩、過
酸化水素／硫酸、アルカリエッチャントからなる群より
選択される少なくとも一種を含む溶液であることが望ま
しい。

【００１２】また、上記第一のエッチング液は、第二銅
錯体と有機酸塩とを含む混合溶液、または、過酸化水素
と硫酸とを含む混合溶液であることが望ましい。

【００１３】上記製造方法において、上記第二のエッチ
ング液は、第二銅錯体と有機酸塩とを含む混合溶液、ま
たは、過酸化水素と硫酸とを含む混合溶液であることが
望ましい。

【００１４】また、上記製造方法において、上記第一の
エッチング液および上記第二のエッチング液は、第二銅
錯体と有機酸塩とを含む混合溶液または過酸化水素と硫
酸とを含む混合溶液であり、かつ、上記第一のエッチン
グ液および上記第二のエッチング液は、同一であること
が望ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の多層プリント配線板の製
造方法は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成
され、これらの導体回路がバイアホールを介して接続さ
れてなる多層プリント配線板の製造方法であって、下記
（１）〜（４）の工程を含むことを特徴とする。（１）上記基板上および／または上記樹脂絶縁層上に薄
膜導体層を形成する工程、（２）上記薄膜導体層上の一
部にドライフィルムを用いてめっきレジストを形成した
後、上記めっきレジスト非形成部に電気めっき層を形成
する工程、（３）第一のエッチング液を用いて上記電気
めっき層の上面に粗化面を形成する工程、および、
（４）上記めっきレジストを剥離した後、第二のエッチ
ング液を用い、上記めっきレジストの下に存在する薄膜
導体層を除去するとともに上記電気めっき層表面および
上記薄膜導体層側面に粗化面を形成する工程。

【００１６】上記多層プリント配線板の製造方法によれ
ば、めっきレジストを剥離する前に第一のエッチング処
理を行うことにより、電気めっき層の上面に粗化面を形
成し、さらに、上記めっきレジストを剥離した後に第二
のエッチング処理を行う際にも、上記めっき層表面に粗
化面形成処理を行うため、上記電気めっき層の上面は２
回エッチング処理されることとなり、導体回路上面に充
分な凹凸を有する粗化面が形成された多層プリント配線
板を製造することができる。また、上記第二のエッチン
グ処理は、通常の条件で充分であるので、導体回路にア
ンダーカットが生じることもない。従って、製造された
多層プリント配線板は、樹脂絶縁層が導体回路に密着
し、バイアホールも下の導体回路に密着する。その結
果、接続性、信頼性に優れた多層プリント配線板とな
る。

【００１７】また、上記製造方法において、第一のエッ
チング処理を行う際には、電気めっき層側面の両側には
めっきレジストが存在しているため、電気めっき層側面
はエッチングされることがなく、電気めっき層の上面の
みを選択的にエッチングする。そのため、電気めっき層
側面のエッチング状態（アンダーカットが形成されるか
否か等）を考慮することなく、電気めっき層の上面に充
分な凹凸を有する粗化面を形成するエッチング条件を選
択することができる。

【００１８】ここでは、まず、上記（１）〜（４）の工
程について詳しく説明し、（１）〜（４）の工程を含む
多層プリント配線板の全製造工程については、後に詳述
する。図１は、本発明の製造方法において、樹脂絶縁層
上に導体回路を形成する工程の一例を示す断面図であ
る。本発明の製造方法では、図１に示すように、まず、
樹脂絶縁層２２上に薄膜導体層２４を形成する（図１
（ａ）参照）。上記樹脂絶縁層とは、例えば、層間樹脂
絶縁層のことをいう。

【００１９】薄膜導体層２４の材質としては、例えば、
スズ、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、タリウム、鉛等
が挙げられる。これらのなかでは、電気特性、経済性等
を考慮すると銅が望ましい。薄膜導体層２４を形成する
方法としては、例えば、スパッタリング、無電解めっ
き、蒸着等が挙げられる。薄膜導体層２４の厚さは、
０．３〜２．０μｍが望ましい。上記厚さが０．３μｍ
未満では、樹脂絶縁層表面に粗化面が形成されている場
合、該粗化面の形状に薄膜導体層が追従することができ
ない場合があり、２．０μｍを超えると、後述する工程
で薄膜導体層を除去する際に、薄膜導体層を完全に除去
することができず、短絡の原因となる場合があるからで
ある。なお、上記樹脂絶縁層の材料については後述す
る。

【００２０】次に、薄膜導体層２４上の一部にドライフ
ィルムを用いてめっきレジスト２３を形成する（図１
（ｂ）参照）。めっきレジスト２３を形成する方法とし
ては、例えば、感光性ドライフィルムを薄膜導体層２４
上に貼り付けた後、露光、現像処理を施してめっきレジ
スト非形成部を除去する方法等が挙げられる。上記ドラ
イフィルムとしては特に限定されず、例えば、市販の感
光性ドライフィルム等が挙げられる。めっきレジスト２
３の厚さとしては特に限定されず、形成する導体回路の
厚さ等を考慮して適宜選択すればよいが、通常、１５〜
３０μｍが望ましい。

【００２１】次に、薄膜導体層２４上のめっきレジスト
２３非形成部に電気めっき層２５を形成する（図１
（ｃ）参照）。なお、図１（ｃ）では、電気めっき層２
５とめっきレジスト２３とは、ほぼ同一の厚さで形成し
ているが、電気めっき層はめっきレジストよりも厚く成
形してもよい。電気めっき層を厚く形成しても、後述す
る第一のエッチング処理を施すことにより、電気めっき
層の上面に粗化面を形成するとともに、電気めっき層と
めっきレジストとをほぼ同一の厚さにすることができ
る。

【００２２】また、電気めっき層２５を厚く形成してお
くと、後の工程でエッチング処理を施した際に、該導体
回路が薄くなりすぎず、エッチング処理条件を変えるこ
とで、所望の形状の導体回路を形成することができる。

【００２３】続いて、第一のエッチング液を用いて電気
めっき層２５の上面に粗化面を形成する。（図１（ｄ）
参照）。この場合、電気めっき層２５の側面はめっきレ
ジスト２３と接触しているためエッチングされることが
なく、電気めっき層２５の上面にのみ粗化面が形成され
ることとなる。

【００２４】上記第一のエッチング液としては、例え
ば、塩化第二銅、塩化第二鉄、過硫酸塩、過酸化水素／
硫酸、アルカリエッチャント等が挙げられる。これらの
第一のエッチング液は、単独で用いてもよいし、２種以
上併用してもよい。

【００２５】また、上記第一のエッチング液としては、
例えば、第二銅錯体と有機酸塩とを含む混合溶液や、過
酸化水素と硫酸とを含む混合溶液等も挙げられる。

【００２６】上記第二銅錯体としては特に限定されない
が、アゾール類の第二銅錯体が望ましい。この種の第二
銅錯体は、金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。
上記アゾール類としては、ジアゾール、トリアゾール、
テトラゾールが望ましい。なかでも、イミダゾール、２
−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−
エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダ
ゾール、２−ウンデシルイミダゾール等が望ましい。上
記第二銅錯体の添加量は、１〜１５重量％が望ましい。
上記範囲の添加量では、第二銅錯体の溶解性および安定
性に優れるからである。

【００２７】上記有機酸は、酸化銅を溶解させるため
に、上記第二銅錯体とともに配合する。アゾール類の第
二銅錯体を用いる場合には、有機酸は、蟻酸、酢酸、プ
ロピオン酸、酪酸、吉相酸、カプロン酸、アクリル酸、
クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル
酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リン
ゴ酸、スルファミン酸からなる群より選択される少なく
とも一種が望ましい。また、有機酸の含有量は、０．１
〜３０重量％が好ましい。酸化された銅の溶解性を維持
し、かつ、溶解安定性を確保するためである。

【００２８】上記第二銅錯体と有機酸塩とを含む混合溶
液には、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を補助するた
めに、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン等のハロ
ゲンイオンを加えてもよい。上記ハロゲンイオンは、塩
酸、塩化ナトリウム等として供給することかできる。ハ
ロゲンイオンの添加量は、０．０１〜２０重量％が望ま
しい。層間樹脂絶縁層との密着性に優れた粗化面を形成
することができるからである。

【００２９】上記第二銅錯体と有機酸塩とを含む混合溶
液は、上記第二銅錯体と有機酸と必要に応じてハロゲン
イオンとを、水に溶解することにより調製することがで
きる。また、市販のメック社製、商品名「メックエッチ
ボンド」を用いることができる。また、上記第二銅錯体
と有機酸塩とを含む混合溶液や上記過酸化水素と硫酸と
を含む混合溶液は、添加剤や安定剤を含んでいてもよ
い。

【００３０】上記第一のエッチング液を用いて第一のエ
ッチング処理を行うことにより、図１（ｄ）に示すよう
に、電気めっき層２５の上面に粗化面２５ａを形成する
ことができる。上記第一のエッチング処理の条件として
は特に限定されず、後述する第二のエッチング処理の条
件と、導体回路の上面に形成する粗化面の凹凸とを考慮
して、適宜選択すればよい。

【００３１】次に、めっきレジスト２３を剥離し（図１
（ｅ）参照）、その後、第二のエッチング液を用い、め
っきレジスト２３の下に存在する薄膜導体層２４を除去
するとともに電気めっき層２５表面および薄膜導体層２
４側面に粗化面２５ｂおよび粗化面２４ｂを形成し、独
立した導体回路とする（図１（ｆ）参照）。

【００３２】上記第二のエッチング液としては、例え
ば、第二銅錯体と有機酸塩とを含む混合溶液、過酸化水
素と硫酸とを含む混合溶液等が挙げられる。上記第二の
エッチング液として、どのエッチング液を使用するか
は、第一のエッチング液を考慮して選択するのが望まし
く、具体的には、第一のエッチンク液および第二のエッ
チング液として、同一のエッチング液を用いることが望
ましい。

【００３３】上記第二のエッチング処理の条件として
は、導体回路側面にアンダーカットを形成させない条件
であれば特に限定されず、導体回路間の距離、導体回路
を構成する金属の種類等を考慮して適宜選択すればよ
い。

【００３４】このような工程を経ることにより、樹脂絶
縁層上に表面に粗化面を有する導体回路を形成すること
ができ、特に、導体回路の上面に形成される粗化面２５
ｂは、２回のエッチング処理が施されているため、充分
な凹凸を有する。その結果、導体回路上に層間樹脂絶縁
層を形成した際に、導体回路と層間樹脂絶縁層との密着
性は優れたものとなる。

【００３５】なお、図１を参照しながら、樹脂絶縁層上
に導体回路を形成する方法について説明したが、基板上
に導体回路を形成する場合にも同様の方法を用いること
ができる。

【００３６】次に、上記工程を含む本発明のプリント配
線板の製造方法について、工程順に説明する。 (1) 本発明のプリント配線板の製造方法においては、ま
ず、絶縁性基板の表面に導体回路が形成された基板を作
製する。

【００３７】上記絶縁性基板としては、樹脂基板が望ま
しく、具体的には、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリ
エステル基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリ
アジン樹脂基板、熱硬化性ポリフェニレンエーテル基
板、フッ素樹脂基板、セラミック基板、銅張積層板、Ｒ
ＣＣ基板等が挙げられる。このとき、この絶縁性基板に
貫通孔を設けてもよい。この場合、貫通孔は直径１００
〜３００μｍのドリル、レーザ光等を用いて形成するこ
とが望ましい。

【００３８】(2) 次に、上述した方法を用いて、上記基
板上に導体回路を形成する。即ち、無電解めっき等によ
り基板上に薄膜導体層を形成し、さらに、該薄膜導体層
上の一部にめっきレジストを形成した後、めっきレジス
ト非形成部に、電気めっき層を形成する。続いて、上記
第一のエッチング液を用いて上記電気めっき層の上部に
粗化面を形成し、さらに、上記めっきレジストを剥離し
た後、上記第二のエッチング液を用いて該めっきレジス
ト下に存在する薄膜導体層を除去するとともに、上記電
気めっき層表面および上記薄膜導体層側面に粗化面を形
成する。

【００３９】上記無電解めっきとしては銅めっきが望ま
しい。また、このとき形成される粗化面の平均粗度Ｒｚ
は、０．１〜５μｍが望ましい。さらに、導体回路と層
間樹脂絶縁層との密着性、金属層のエッチングされ易さ
等を考慮すると２〜４μｍがより望ましい。また、絶縁
性基板に貫通孔を設けた場合には、薄膜導体層を形成す
る際に、該貫通孔の壁面にも同時に無電解めっきを施し
てスルーホールを形成することにより、基板の両面の導
体回路間を電気的に接続してもよい。

【００４０】また、上記した方法に代えて、以下のよう
な方法を用いて基板上に導体回路を形成してもよい。即
ち、銅張基板を用いるか、基板上に無電解めっきを施し
てベタの導体層を形成した後、基板上に導体回路形状の
エッチングレジストを形成し、エッチングを行うことに
より導体回路を形成してもよい。

【００４１】さらに、この無電解めっきの後、通常、無
電解めっき層表面とスルーホールを形成した場合にはス
ルーホール内壁との粗化形成処理を行う。粗化形成処理
方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機
酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ
−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等が挙げられる。

【００４２】上記黒化（酸化）−還元処理の具体的な方
法としては、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂
（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶
液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯ
Ｈ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶
液を還元浴とする還元処理を行う方法等が挙げられる。

【００４３】(3) 次に、この導体回路が形成された基板
上に層間樹脂絶縁層を形成する。上記層間樹脂絶縁層の
材料としては、粗化面形成用樹脂組成物、ポリフェニレ
ンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱
可塑性エラストマー等が挙げられる。上記層間樹脂絶縁
層は、未硬化の樹脂を塗布して成形してもよく、また、
未硬化の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さ
らに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔等の金属層が
形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。

【００４４】上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例
えば、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒
子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難
溶性樹脂という）中に分散したものが挙げられる。な
お、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一
の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度
の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速
度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。

【００４５】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよ
い。

【００４６】上記可溶性粒子の形状（粒径等）としては
特に限定されないが、（ａ）平均粒径が１０μｍ以下の
可溶性粒子、（ｂ）平均粒径が２μｍ以下の可溶性粒子
を凝集させた凝集粒子、（ｃ）平均粒径が２〜１０μｍ
の可溶性粒子と平均粒径が２μｍ以下の可溶性粒子との
混合物、（ｄ）平均粒径が２〜１０μｍの可溶性粒子の
表面に平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無
機粉末のいずれか少なくとも１種を付着させてなる疑似
粒子、（ｅ）平均粒径が０．１〜０．８μｍの可溶性粒
子と平均粒径が０．８μｍを超え、２μｍ未満の可溶性
粒子との混合物、（ｆ）平均粒径が０．１〜１．０μｍ
の可溶性粒子を用いることが望ましい。これらは、より
複雑なアンカーを形成することができるからである。

【００４７】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、アミ
ノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）等
からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなる
ものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からな
るものであってもよい。

【００４８】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた
場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、
酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述する
ように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与
する際に、触媒が付与されなかったり、触媒が酸化され
たりすることがない。

【００４９】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００５０】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグ
ネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ
素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライト等が挙
げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併
用してもよい。

【００５１】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００５２】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。

【００５３】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。これらのなかでは、熱硬化
性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、め
っき液または種々の加熱処理によっても粗化面の形状を
保持することができるからである。

【００５４】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げら
れる。また、感光化した樹脂としては、例えば、メタク
リル酸やアクリル酸等と熱硬化基とをアクリル化反応さ
せたものが挙げられる。。特に、エポキシ樹脂をアクリ
レート化したものが望ましい。これらのなかでは、１分
子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂が
より望ましい。前述の粗化面を形成することができるば
かりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイク
ル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、
金属層の剥離などが起きにくいからである。

【００５５】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００５６】上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェ
ノキシ樹脂ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリス
ルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰ
Ｓ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリ
フェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド
（ＰＩ）、フッ素樹脂等が挙げられる。

【００５７】上記熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合
割合は、熱硬化性樹脂／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０
／５０が望ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性
値を確保できるからである。

【００５８】上記可溶性粒子の混合重量比は、難溶性樹
脂の固形分に対して５〜５０重量％が望ましく、１０〜
４０重量％がさらに望ましい。

【００５９】上記層間樹脂絶縁層を未硬化の樹脂フィル
ムを用いて形成する場合、該樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホー
ルやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体
回路の金属層の密着性を確保することができるからであ
る。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を
含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、
樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされ
ることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間
の絶縁性が確実に保たれる。

【００６０】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合
量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、４０重量％を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

【００６１】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子およ
び難溶性樹脂以外に、必要に応じて、硬化剤、溶剤、そ
の他の成分等を含有していてもよい。

【００６２】上記ポリフェニレンエーテル樹脂としては
特に限定されず、例えば、ＰＰＯ、ＰＰＥ等が挙げられ
る。上記ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブ
タジエン、ポリイソプレン、シクロオレフィン系樹脂、
これらの樹脂の共重合体等が挙げられる。これらのなか
では、誘電率および誘電正接が低く、ＧＨｚ帯域の高周
波信号を用いた場合でも信号遅延や信号エラーが発生し
にくく、さらには、剛性等の機械的特性にも優れている
点からシクロオレフィン系樹脂が望ましい。

【００６３】上記シクロオレフィン系樹脂としては、２
−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネンま
たはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または
共重合体等が望ましい。上記誘導体としては、上記２−
ノルボルネン等のシクロオレフィンに、架橋を形成する
ためのアミノ基や無水マレイン酸残基あるいはマレイン
酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられる。上記
共重合体を合成する場合の単量体としては、例えば、エ
チレン、プロピレン等が挙げられる。

【００６４】上記シクロオレフィン系樹脂は、上記した
樹脂の２種以上の混合物であってもよく、シクロオレフ
ィン系樹脂以外の樹脂を含むものであってもよい。ま
た、上記シクロオレフィン系樹脂が共重合体である場合
には、ブロック共重合体であってもよく、ランダム共重
合体であってもよい。

【００６５】また、上記シクロオレフィン系樹脂は、熱
硬化性シクロオレフィン系樹脂であることが望ましい。
加熱を行って架橋を形成させることにより、より剛性が
高くなり、機械的特性が向上するからである。上記シク
ロオレフィン系樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１３
０〜２００℃であることが望ましい。

【００６６】上記シクロオレフィン系樹脂は、既に樹脂
シート（フィルム）として成形されたものを使用しても
よく、単量体もしくは一定の分子量を有する低分子量の
重合体が、キシレン、シクロヘキサン等の溶剤に分散し
た未硬化溶液の状態であってもよい。また、樹脂シート
の場合には、いわゆるＲＣＣ（ＲＥＳＩＮＣＯＡＴＥ
ＤＣＯＰＰＥＲ：樹脂付銅箔）を用いてもよい。

【００６７】上記シクロオレフィン系樹脂は、フィラー
等を含まないものであってもよく、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、リン酸エステル等の難燃剤を
含むものであってもよい。

【００６８】上記フッ素樹脂としては、例えば、エチル
／テトラフルオロエチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）、ポ
リクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）等が挙げ
られる。

【００６９】上記熱可塑性エラストマー樹脂としては特
に限定されず、例えば、スチレン系熱可塑性エラストマ
ー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ウレタン系熱
可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラスト
マー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー、１，２−ポ
リブタジエン系熱可塑性エラストマー、塩ビ系熱可塑性
エラストマー、フッ素系熱可塑性エラストマー等が挙げ
られる。これらのなかでは、電気特性に優れる点からオ
レフィン系熱可塑性エラストマーやフッ素系熱可塑性エ
ラストマーが望ましい。

【００７０】上記樹脂フィルムを貼り付けることにより
層間樹脂絶縁層を形成する場合、該層間樹脂絶縁層の形
成は、真空ラミネーター等の装置を用い、減圧下または
真空下において、２．０〜１０ｋｇｆ／ｃｍ² の圧力、
６０〜１２０℃の温度で圧着し、その後、樹脂フィルム
を熱硬化することにより行うことが望ましい。なお、上
記熱硬化は、後述するバイアホール用開口および貫通孔
を形成した後に行ってもよい。

【００７１】(4) 次に、層間樹脂絶縁層を形成した基板
に、バイアホール用開口と必要に応じて貫通孔とを形成
する。上記バイアホール用開口は、レーザ処理等により
形成する。また、感光性樹脂からなる層間樹脂絶縁層を
形成した場合には、露光、現像処理を行うことにより、
バイアホール用開口を設けてもよい。このとき、使用さ
れるレーザ光としては、例えば、炭酸ガス（ＣＯ₂ ）レ
ーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられる
が、これらのなかでは、エキシマレーザや短パルスの炭
酸ガスレーザが望ましい。

【００７２】エキシマレーザは、後述するように、バイ
ヤホール用開口を形成する部分に貫通孔が形成されたマ
スク等を用いることにより、一度に多数のバイヤホール
用開口を形成することができ、また、短パルスの炭酸ガ
スレーザは、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹
脂に対するダメージが小さいからである。

【００７３】また、エキシマレーザのなかでも、ホログ
ラム方式のエキシマレーザを用いることが望ましい。ホ
ログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レン
ズ、レーザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射
する方式であり、この方式を用いることにより、一度の
照射で層間樹脂絶縁層に多数の開口を効率的に形成する
ことができる。

【００７４】また、炭酸ガスレーザを用いる場合、その
パルス間隔は、１０^-4〜１０^-8秒であることが望まし
い。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間
は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。エキシマ
レーザは、バイアホール用開口を形成する部分に貫通孔
が形成されたマスクの貫通孔は、レーザ光のスポット形
状を真円にするために、真円である必要があり、上記貫
通孔の径は、０．１〜２ｍｍ程度が望ましい。

【００７５】レーザ光にて開口を形成した場合、特に炭
酸ガスレーザを用いた場合には、デスミア処理を行うこ
とが望ましい。上記デスミア処理は、クロム酸、過マン
ガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使用して行うこと
ができる。また、酸素プラズマ、ＣＦ₄ と酸素の混合プ
ラズマやコロナ放電等で処理してもよい。また、低圧水
銀ランプを用いて紫外線を照射することにより、表面改
質することもできる。また、層間樹脂絶縁層を形成した
基板に、貫通孔を形成する場合には、直径５０〜３００
μｍのドリル、レーザ光等を用いて貫通孔を形成する。

【００７６】(5) 次に、バイアホール用開口の内壁を含
む層間樹脂絶縁層の表面と上記工程で貫通孔を形成した
場合には貫通孔の内壁とに、酸または酸化剤を用いて粗
化面を形成する。上記酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、
リン酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化剤としては、クロ
ム酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナトリウム等の過マン
ガン酸塩等が挙げられる。

【００７７】その後、酸を用いて粗化面を形成した場合
はアルカリ等の水溶液を用い、酸化剤を用いて粗化面を
形成した場合は中和液を用いて、バイアホール用開口内
や貫通孔内を中和する。この操作により酸や酸化剤を除
去し、次工程に影響を与えないようにする。なお、この
工程で形成する粗化面の平均粗度Ｒｚは、０．１〜５μ
ｍが望ましい。

【００７８】(6) 次に、形成された粗化面に、必要によ
り、触媒を付与する。上記触媒としては、例えば、塩化
パラジウム等が挙げられる。このとき、触媒を確実に付
与するために、酸素、窒素等のプラズマ処理やコロナ処
理等のドライ処理を施すことにより、酸または酸化剤の
残渣を除去するとともに層間樹脂絶縁層の表面を改質す
ることにより、触媒を確実に付与し、無電解めっき時の
金属の析出、および、無電解めっき層の層間樹脂絶縁層
への密着性を向上させることができ、特に、バイアホー
ル用開口の底面において、大きな効果が得られる。

【００７９】(7) ついで、形成された層間樹脂絶縁層上
に、上述した方法を用いて薄膜導体層を形成する。ま
た、上記(4) の工程で貫通孔を形成した場合は、この工
程で貫通孔の内壁面にも金属からなる薄膜導体層を形成
することにより、スルーホールとしてもよい。

【００８０】上記(7) の工程で、スルーホールを形成し
た場合には、以下のような処理工程を行うことが望まし
い。すなわち、無電解めっき層表面とスルーホール内壁
とを黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混
合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金
めっきによる処理等を用いて粗化形成処理を行う。この
後、さらに、樹脂充填剤等を用いてスルーホール内を充
填し、ついで、樹脂充填剤の表層部と無電解めっき層表
面とをバフ研磨等の研磨処理方法を用いて、平坦化す
る。さらに、無電解めっきを行い、既に形成した金属か
らなる薄膜導体層と樹脂充填剤の表層部とに無電解めっ
き層を形成することにより、スルーホールの上に蓋めっ
き層を形成する。

【００８１】(8) 次に、上記層間樹脂絶縁層上の一部に
ドライフィルムを用いてめっきレジストを形成し、その
後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電気めっきを
行い、上記めっきレジスト非形成部に電気めっき層を形
成する。上記電気めっきとしては、銅めっきを用いるこ
とが望ましい。この時、バイアホール用開口を電気めっ
きで充填してフィールドビア構造としてもよく、バイア
ホール用開口に導電性ペースト等を充填した後、その上
に蓋めっき層を形成してフィールドビア構造としてもよ
い。フィールドビア構造を形成することにより、バイア
ホールの直上にバイアホールを設けることができる。

【００８２】(9) 電気めっき層を形成した後、上記した
第一のエッチング液を用いて上記電気めっき層の上面に
粗化面を形成する。その後、上記めっきレジストを剥離
し、めっきレジストの下に存在していた薄膜導体層を第
二のエッチング液により除去するとともに、上記電気め
っき層表面および上記薄膜導体層側面に粗化面を形成
し、表面に粗化面を有する独立した導体回路とする。さ
らに、必要により、酸または酸化剤を用いて層間樹脂絶
縁層上の触媒を除去してもよい。触媒を除去することに
より、触媒に用いたパラジウム等の金属がなくなるた
め、電気特性の低減を防止することができる。

【００８３】(10)この後、必要により、(3) 〜(9) の工
程を繰り返し、その後、最上層の導体回路に粗化面を形
成する必要がある場合には、上述した第二のエッチング
液を用いて、粗化面を有する導体回路を形成する。

【００８４】(11)次に、最上層の導体回路を含む基板面
にソルダーレジスト層を形成する。上記ソルダーレジス
ト層としては、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、
ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマ
ー、ソルダーレジスト樹脂組成物等からなるものが挙げ
られる。上記ソルダーレジスト層は、未硬化の樹脂（樹
脂組成物）をロールコータ法等により塗布したり、未硬
化の樹脂フィルムを熱圧着したりした後、レーザ処理、
露光、現像処理等による開口処理を行い、さらに、硬化
処理等を行うことにより形成する。

【００８５】上記ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、フッ素樹脂および熱可塑性エラストマー
としては、例えば、層間樹脂絶縁層を形成する際に用い
るものと同様のもの等が挙げられる。また、上記ソルダ
ーレジスト樹脂組成物としては、例えば、ノボラック型
エポキシ樹脂の（メタ）アクリレート、イミダゾール硬
化剤、２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、
分子量５００〜５０００程度の（メタ）アクリル酸エス
テルの重合体、ビスフェノール型エポキシ樹脂等からな
る熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モ
ノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト
状の流動体等が挙げられ、その粘度は２５℃で１〜１０
Ｐａ・ｓに調製されていることが望ましい。

【００８６】上記ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）
アクリレートとしては、例えば、フェノールノボラック
やクレゾールノボラックのグリシジルエーテルをアクリ
ル酸やメタクリル酸等と反応させたエポキシ樹脂等が挙
げられる。また、上記２官能性（メタ）アクリル酸エス
テルモノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジ
オール類やアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙
げられる。

【００８７】(12)次に、ソルダーレジスト層の開口部分
にＮｉ、Ａｕ等からなる耐食金属層をめっき、スパッタ
リングまたは蒸着等により形成し、その後、ＩＣチップ
接続面には、半田ペーストを印刷することにより半田バ
ンプを形成し、外部基板接続面には、半田ボールやピン
等を配設することによりプリント配線板の製造を終了す
る。

【００８８】なお、製品認識文字などを形成するための
文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸
素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよ
い。以上の方法は、セミアディティブ法によるものであ
るが、フルアディティブ法を採用してもよい。

【００８９】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。（実施例１）Ａ．上層の粗化面形成用樹脂組成物の調製 1)クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社
製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重
量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液４００重量部、感光性
モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３２５）６０
重量部、消泡剤（サンノプコ社製Ｓ−６５）５重量部
およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３５重量部を容
器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製し
た。

【００９０】2)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）８０
重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポ
ール）の平均粒径１．０μｍのもの７２重量部および平
均粒径０．５μｍのもの３１重量部を別の容器にとり、
攪拌混合した後、さらにＮＭＰ２５７重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。

【００９１】3)イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２
Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２０重量部、光重合開始剤（ベンゾフ
ェノン）２０重量部、光増感剤（チバ・スペシャルティ
・ケミカルズ社製、ＥＡＢ）４重量部およびＮＭＰ１６
重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することによ
り混合組成物を調製した。そして、1)、2)および3)で調
製した混合組成物を混合することにより粗化面形成用樹
脂組成物を得た。

【００９２】Ｂ．下層の粗化面形成用樹脂組成物の調製 1)クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社
製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重
量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液４００重量部、感光性
モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３２５）６０
重量部、消泡剤（サンノプコ社製Ｓ−６５）５重量部
およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３５重量部を容
器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製し
た。

【００９３】2)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）８０
量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリ
マーポール）の平均粒径０．５μｍのもの１４５重量部
を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ２８
５重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合
組成物を調製した。

【００９４】3)イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２
Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２０重量部、光重合開始剤（ベンゾフ
ェノン）２０重量部、光増感剤（チバ・スペシャルティ
・ケミカルズ社製、ＥＡＢ）４重量部およびＮＭＰ１６
重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することによ
り混合組成物を調製した。そして、1)、2)および3)で調
製した混合組成物を混合することにより無電解めっき用
接着剤を得た。

【００９５】Ｃ．樹脂充填剤の調製 1)ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社
製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳ
ｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ１１０１−
ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社
製ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌
混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４
９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製した。なお、硬化剤とし
て、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ）６．５重量部を用いた。

【００９６】Ｄ．プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両
面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層
板を出発材料とした（図２（ａ）参照）。まず、この銅
張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パ
ターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に
下層導体回路４とスルーホール９を形成した。

【００９７】(2) スルーホール９および下層導体回路４
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１
０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ
₄ （１６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とす
る黒化処理、および、ＮａＯＨ（１９ｇ／ｌ）、ＮａＢ
Ｈ₄ （５ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理
を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全
表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図２（ｂ）参
照）。

【００９８】(3) 上記Ｄに記載した樹脂充填剤を調製し
た後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルー
ホール９内、および、基板１の片面の導体回路非形成部
と導体回路４の外縁部とに樹脂充填剤１０の層を形成し
た。すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内
に樹脂充填剤を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件
で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分
が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて
凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填剤１０の
層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図
２（ｃ）参照）。

【００９９】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面や
スルーホール９のランド表面に樹脂充填剤１０が残らな
いように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨によ
る傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一
連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次
いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃
で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充
填剤１０を硬化した。

【０１００】このようにして、スルーホール９や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および
下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下
層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
（図２（ｄ）参照）。この工程により、樹脂充填剤１０
の表面と下層導体回路４の表面が同一平面となる。

【０１０１】(5) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソ
フトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面
にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表面とスル
ーホール９のランド表面と内壁とをエッチングすること
により、下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを
形成した（図３（ａ）参照）。エッチング液として、イ
ミダゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重
量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メ
ック社製、メックエッチボンド）を使用した。

【０１０２】(6) 基板の両面に、上記Ｂの粗化面形成用
樹脂組成物（粘度：１．５Ｐａ・ｓ）をロールコータで
塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３
０分の乾燥を行い、粗化面形成用樹脂層２ａを形成し
た。さらに、この粗化面形成用樹脂層２ａの上に上記Ａ
の粗化面形成用樹脂組成物（粘度：７Ｐａ・ｓ）をロー
ルコータを用いて塗布し、水平状態で２０分間放置して
から、６０℃で３０分の乾燥を行い、粗化面形成用樹脂
層２ｂを形成し、厚さ３５μｍの粗化面形成用樹脂層を
形成した（図３（ｂ）参照）。

【０１０３】(7) 上記(6) で粗化面形成用樹脂層を形成
した基板１の両面に、直径８５μｍの黒円が印刷された
フォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により
５００ｍＪ／ｃｍ² 強度で露光した後、ＤＭＤＧ溶液で
スプレー現像した。この後、さらに、この基板を超高圧
水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ² 強度で露光し、１０
０℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の
加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法
精度に優れた直径８５μｍのバイアホール用開口６を有
する厚さ３５μｍの層間樹脂絶縁層２を形成した（図３
（ｃ）参照）。

【０１０４】(8) バイアホール用開口６を形成した基板
を、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に１９
分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエポキ
シ樹脂粒子を溶解除去することにより、層間樹脂絶縁層
２の表面を粗面（深さ３μｍ）とした（図３（ｄ）参
照）。

【０１０５】(9) 次に、上記処理を終えた基板を、中和
溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さら
に、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒
（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁
層２の表面およびバイアホール用開口６の内壁面に触媒
核を付着させた。

【０１０６】(10)次に、以下の組成の無電解銅めっき水
溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．８μｍの
無電解銅めっき層１２を形成した（図４（ａ）参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル４０ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕３５℃の液温度で４０分

【０１０７】(11)市販の感光性ドライフィルムを無電解
銅めっき層１２に貼り付け、マスクを載置して、１００
ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液
で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレジ
スト３を設けた（図４（ｂ）参照）。

【０１０８】(12)ついで、基板を５０℃の水で洗浄して
脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してか
ら、以下の条件で電解銅めっきを施し、めっきレジスト
非形成部に電解銅めっき層１３を形成した（図４（ｃ）
参照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２度

【０１０９】(13)次に、有機酸塩と第二銅錯体とからな
るエッチング液を用いて、電解銅めっき層１３の上面に
粗化面を形成した（図４（ｄ）参照）。

【０１１０】(14)めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離
除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき層
１２を有機酸塩と第二銅錯体とからなるエッチング液で
処理して溶解除去するとともに、無電解銅めっき層１２
側面と電解銅めっき層１３表面に粗化面を形成すること
により、表面に粗化面の形成された厚さ１８μｍの導体
回路（バイアホール７を含む）５を形成した。さらに、
８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に３分間浸
漬して、導体回路非形成部分に位置する導体回路間の層
間樹脂絶縁層２の表面を１μｍエッチング処理し、その
表面に残存するパラジウム触媒を除去した（図５（ａ）
参照）。

【０１１１】(15)上記 (5)〜(14)の工程を繰り返すこと
により、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線板を
得た（図５（ｂ）〜図６（ｂ）参照）。

【０１１２】(16)次に、ジエチレングリコールジメチル
エーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように
溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日
本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光
性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重
量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品
名：エピコート１００１）６．６７重量部、同じくビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品
名：エピコートＥ−１００１−Ｂ８０）６．６７重量
部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ
４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２
官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０
４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄
化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、アクリ
ル酸エステル重合物からなるレベリング剤（共栄化学社
製、商品名：ポリフローＮｏ．７５）０．３６重量部を
容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この
混合組成物に対して光重合開始剤としてイルガキュアＩ
−９０７（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）
２．０重量部、光増感剤としてのＤＥＴＸ−Ｓ（日本化
薬社製）０．２重量部、ＤＭＤＧ０．６重量部を加える
ことにより、粘度を２５℃で１．４±０．３Ｐａ・ｓに
調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘度測
定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６
０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合は
ローターＮｏ．３によった。

【０１１３】(17)次に、多層配線基板の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０
℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密
着させて１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光し、ＤＭ
ＴＧ溶液で現像処理し、直径２００μｍの開口を形成し
た。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時
間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれ
ぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、
開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層
１４を形成した。

【０１１４】(18)次に、ソルダーレジスト層１４を形成
した基板を、塩化ニッケル（３０ｇ／ｌ）、次亜リン酸
ナトリウム（１０ｇ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１０
ｇ／ｌ）を含むｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき
層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリ
ウム（２ｇ／ｌ）、塩化アンモニウム（７５ｇ／ｌ）、
クエン酸ナトリウム（５０ｇ／ｌ）、次亜リン酸ナトリ
ウム（１０ｇ／ｌ）を含む無電解めっき液に９３℃の条
件で２３秒間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚
さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成した。

【０１１５】(19)この後、ソルダーレジスト層１４の開
口にはんだペーストを印刷して、２００℃でリフローす
ることによりはんだバンプ（はんだ体）１７を形成し、
はんだバンプ１７を有する多層配線プリント基板を製造
した（図６（ｃ）参照）。

【０１１６】（実施例２）Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０
重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキ
シ当量２１５、大日本インキ化学工業社製エピクロン
Ｎ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノー
ルノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大
日本インキ化学工業社製フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製した。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さ
が５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。

【０１１７】Ｂ．樹脂充填剤の調製 1)ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社
製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳ
ｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ１１０１−
ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社
製ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌
混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４
９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製した。なお、硬化剤とし
て、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ）６．５重量部を用いた。

【０１１８】Ｃ．プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両
面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層
板を出発材料とした（図７（ａ）参照）。まず、この銅
張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パ
ターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に
下層導体回路４とスルーホール９を形成した。

【０１１９】(2) スルーホール９および下層導体回路４
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１
０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ
₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする
黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ
₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を
行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表
面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図７（ｂ）参照）。

【０１２０】(3) 上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調製し
た後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルー
ホール９内、および、基板１の片面の導体回路非形成部
と導体回路４の外縁部とに樹脂充填剤１０の層を形成し
た。すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内
に樹脂充填剤を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件
で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分
が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて
凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填剤１０の
層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図
７（ｃ）参照）。

【０１２１】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面や
スルーホール９のランド表面に樹脂充填剤１０が残らな
いように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨によ
る傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一
連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次
いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理
を行って樹脂充填剤１０を硬化した。

【０１２２】このようにして、スルーホール９や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および
下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下
層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
（図７（ｄ）参照）。すなわち、この工程により、樹脂
充填剤１０の表面と下層導体回路４の表面とが同一平面
となる。

【０１２３】(5) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソ
フトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面
にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表面とスル
ーホール９のランド表面と内壁とをエッチングすること
により、下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを
形成した（図８（ａ）参照）。エッチング液としては、
イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸
７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液
（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。

【０１２４】(6) 基板の両面に、上記Ａで作製した層間
樹脂絶縁層用樹脂フィルムを、以下の方法により真空ラ
ミネーター装置を用いて貼り付けることにより層間樹脂
絶縁層を形成した（図８（ｂ）参照）。すなわち、層間
樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、真空度
０．５Ｔｏｒｒ、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度８０℃、
圧着時間６０秒の条件で貼り付け、その後、１００℃で
３０分、１５０℃で１時間熱硬化させた。

【０１２５】(7) 次に、層間樹脂絶縁層２上に、貫通孔
が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ
₂ ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハット
モード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．
０ｍｍ、２ショットの条件で層間樹脂絶縁層２に、直径
６０μｍのバイアホール用開口６を形成した（図８
（ｃ）参照）。

【０１２６】(8) バイアホール用開口６を形成した基板
を、８０ｇ／ｌの過マンガン酸塩を含む６０℃の溶液に
２０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエ
ポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホー
ル用開口６の内壁を含む層間樹脂絶縁層２の表面を粗面
とした（図８（ｄ）参照）。

【０１２７】(9) 次に、上記処理を終えた基板を、中和
溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さら
に、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面
に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与すること
により、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用
開口６の内壁面に触媒核を付着させた。

【０１２８】(10)次に、以下の組成の無電解銅めっき水
溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜０．
９μｍの無電解銅めっき層１２を形成した（図９（ａ）
参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル４０ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕３５℃の液温度で４０分

【０１２９】(11)市販の感光性ドライフィルムを無電解
銅めっき層１２に貼り付け、マスクを載置して、１００
ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液
で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレジ
スト３を設けた（図９（ｂ）参照）。

【０１３０】(12)ついで、基板を５０℃の水で洗浄して
脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してか
ら、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層
１３を形成した（図９（ｃ）参照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【０１３１】(13)次に、有機酸塩と第二銅錯体とからな
るエッチング液を用いて、電解銅めっき層１３の上面に
粗化面を形成した（図９（ｄ）参照）。

【０１３２】(14)めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離
除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき層
１２を有機酸塩と第二銅錯体とからなるエッチング液で
処理して溶解除去するとともに、無電解銅めっき層１２
側面と電解銅めっき層１３表面に粗化面を形成すること
により、表面に粗化面の形成された厚さ１８μｍの導体
回路（バイアホール７を含む）５を形成した。さらに、
８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に３分間浸
漬して、導体回路非形成部分に位置する導体回路間の層
間樹脂絶縁層２の表面を１μｍエッチング処理し、その
表面に残存するパラジウム触媒を除去した（図１０
（ａ）参照）。

【０１３３】(15)上記 (5)〜(14)の工程を繰り返すこと
により、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線板を
得た（図１０（ａ）〜図１１（ｂ）参照）。 (16)次に、実施例１の(16)〜(19)と同様にして、はんだ
バンプ１７を有する多層配線プリント基板を製造した。
（図１１（ｃ）参照）。

【０１３４】（実施例３）Ａ．ソルダーレジスト樹脂組成物の調製実施例１と同様にしてソルダーレジスト樹脂組成物を調
製した。

【０１３５】Ｂ．プリント配線板の製造 (1) 厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂からなる基板１の
両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積
層板を出発材料とした（図１２（ａ）参照）。まず、こ
の銅張積層板をドリル削孔し、続いてめっきレジストを
形成した後、この基板に無電解銅めっき処理を施してス
ルーホール９を形成し、さらに、銅箔を常法に従いパタ
ーン状にエッチングすることにより、基板の両面に内層
銅パターン（下層導体回路）４を形成した。

【０１３６】(2) 下層導体回路４を形成した基板を水洗
いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレ
イで吹きつけて、下層導体回路４の表面とスルーホール
９のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、
下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した
（図１２（ｂ）参照）。エッチング液として、イミダゾ
ール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、
塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を
混合したものを使用した。

【０１３７】(3) 上記Ａに記載した樹脂充填剤を調製し
た後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルー
ホール９内、および、基板１の片面の導体回路非形成部
と導体回路４の外縁部とに樹脂充填剤１０の層を形成し
た。すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内
に樹脂充填剤を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件
で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分
が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて
凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填剤１０の
層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図
１２（ｃ）参照）。

【０１３８】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサ
ンダー研磨により、下層導体回路４の表面やスルーホー
ル９のランド表面に樹脂充填剤１０が残らないように研
磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り
除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を
基板の他方の面についても同様に行った。そして、充填
した樹脂充填剤１０を加熱硬化させた（図１２（ｄ）参
照）。

【０１３９】このようにして、スルーホール９等に充填
された樹脂充填剤１０の表層部および下層導体回路４上
面の粗化層４ａを除去して基板両面を平滑化し、樹脂充
填剤１０と下層導体回路４の側面とが粗化面４ａを介し
て強固に密着し、またスルーホール９の内壁面と樹脂充
填剤１０とが粗化面９ａを介して強固に密着した配線基
板を得た。

【０１４０】(5) 次に、上記(4) の処理を終えた基板の
両面に、上記(2) で用いたエッチング液と同じエッチン
グ液をスプレイで吹きつけ、一旦平坦化された下層導体
回路４の表面とスルーホール９のランド表面とをエッチ
ングすることにより、下層導体回路４の全表面に粗化面
４ａ、９ａを形成した（図１３（ａ）参照）。

【０１４１】(6) 次に、上記工程を経た基板の両面に、
厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シート
を温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃ
ｍ² で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹脂
からなる層間樹脂絶縁層２を設けた（図１３（ｂ）参
照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇであった。

【０１４２】(7) 次に、層間樹脂絶縁層２上に、貫通孔
が形成されたマスクを介して、波長２４８ｎｍのエキシ
マレーザを用いてレーザ光を照射することにより、シク
ロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層２に直径８
０μｍのバイアホール用開口６を設けた（図１３（ｃ）
参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を
行った。

【０１４３】(8) 次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ
−４５４０を用い、Ｎｉをターゲットにしたスパッタリ
ングを、ガス圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００
Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ金属層１２ａを層間
樹脂絶縁層２の表面に形成した。このとき、形成された
Ｎｉ金属層１２ａの厚さは０．１μｍであった。さら
に、Ｎｉ金属層１２ａ上に、Ｃｕをターゲットにしたス
パッタリングを同条件で行いＣｕ金属層１２ｂを形成し
た。このとき、形成されたＣｕ金属層１２ｂの厚さは
０．１μｍであった（図１３（ｄ）参照）。

【０１４４】(9) 上記処理を終えた基板の両面に、市販
の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィ
ルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ² で露光した後、
０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ２５μｍの
めっきレジスト３のパターンを形成した（図１４（ａ）
参照）。

【０１４５】(10)ついで、基板を５０℃の水で洗浄して
脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してか
ら、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層
１３を形成した（図１４（ｂ）参照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２度

【０１４６】(11)次に、有機酸塩と第二銅錯体とからな
るエッチング液を用いて、電解銅めっき層１３の上面に
粗化面を形成した（図１４（ｃ）参照）。

【０１４７】(12)めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離
除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき層
１２を有機酸塩と第二銅錯体とからなるエッチング液で
処理して溶解除去するとともに、無電解銅めっき層１２
側面と電解銅めっき層１３表面に粗化面を形成すること
により、表面に粗化面の形成された厚さ１８μｍの導体
回路（バイアホール７を含む）５を形成した（図１４
（ｄ）参照）。

【０１４８】(13)上記 (5)〜(14)の工程を繰り返すこと
により、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線板を
得た（図１５（ａ）〜図１６（ｂ）参照）。 (14)次に、実施例１の(16)〜(19)と同様にして、はんだ
バンプ１７を有する多層配線プリント基板を製造した
（図１６（ｃ）参照）。

【０１４９】このようにして製造した実施例１〜３の多
層プリント配線板について、該多層プリント配線板をク
ロスカットして、導体回路およびその表面に形成した粗
化面の形状、導体回路と層間樹脂絶縁層との剥離の有
無、並びに、層間樹脂絶縁層にクラックが発生している
か否かをその断面を顕微鏡観察することにより調べた。

【０１５０】その結果、実施例１〜３で製造した多層プ
リント配線板においては、導体回路の上面には充分な凹
凸（０．１〜５μｍ）の粗化面が形成され、また、アン
ダーカット形状の導体回路も見られなかった。

【０１５１】また、実施例１〜３で製造した多層プリン
ト配線板において、導体回路と層間樹脂絶縁層との剥離
は観察されず、層間樹脂絶縁層にもクラックの発生は観
察されなかった。

【０１５２】また、実施例１〜３で製造した多層プリン
ト配線板について、１２５℃で３分、−５５℃で３分の
条件によるヒートサイクル試験を１０００回実施した
後、上記と同様に多層プリント配線板をクロスカットし
て、導体回路と層間樹脂絶縁層との剥離の有無、並び
に、層間樹脂絶縁層にクラックが発生しているか否かを
その断面を顕微鏡観察することにより調べた。

【０１５３】その結果、実施例１〜３で製造した多層プ
リント配線板において、導体回路と層間樹脂絶縁層との
剥離は観察されず、層間樹脂絶縁層にもクラックの発生
は観察されなかった。

【０１５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層プリ
ント配線板の製造方法によれば、めっきレジストを剥離
する前に第一のエッチング処理を行うことにより、電気
めっき層の上面に粗化面を形成し、さらに、上記めっき
レジストを剥離した後に第二のエッチング処理を行う際
にも、上記めっき層表面に粗化面形成処理を行うため、
導体回路上面に充分な凹凸を有する粗化面を形成するこ
とができ、充分な凹凸を有する粗化面が形成された多層
プリント配線板を製造することができる。また、第二の
エッチング処理は、通常の条件で充分に行うことができ
るため、導体回路にアンダーカットが生じることもな
い。その結果、製造された多層プリント配線板は、樹脂
絶縁層が導体回路に密着し、さらに、バイアホールも下
の導体回路に密着し、接続性、信頼性に優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の製造工程おいて、
樹脂絶縁層上に導体回路を形成する工程を模式的に示す
断面図である。

【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図８】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。

【符号の説明】

１基板２層間樹脂絶縁層（粗化面形成用樹脂層）３めっきレジスト４下層導体回路４ａ粗化面５導体回路６バイアホール用開口７バイアホール８銅箔９、２９スルーホール９ａ粗化面１０樹脂充填剤１２無電解銅めっき層１２ａＮｉ金属層１２ｂＣｕ金属層１３電気めっき層１４ソルダーレジスト層１５ニッケルめっき層１６金めっき層１７はんだバンプ２２樹脂絶縁層２３めっきレジスト２４薄膜導体層２４ｂ粗化面２５電気めっき層２５ａ、２５ｂ粗化面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E343 AA07 AA15 AA17 BB24 BB67 CC34 CC43 CC45 CC46 CC50 DD33 DD43 DD76 EE52 ER26 GG02 5E346 AA15 AA32 CC04 CC09 CC32 CC58 DD12 DD25 DD32 EE19 EE33 EE38 FF13 GG15 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次
形成され、これらの導体回路がバイアホールを介して接
続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、
下記（１）〜（４）の工程を含むことを特徴とする多層
プリント配線板の製造方法。（１）前記基板上および／または前記樹脂絶縁層上に薄
膜導体層を形成する工程、（２）前記薄膜導体層上の一
部にドライフィルムを用いてめっきレジストを形成した
後、前記めっきレジスト非形成部に電気めっき層を形成
する工程、（３）第一のエッチング液を用いて前記電気
めっき層の上面に粗化面を形成する工程、および、
（４）前記めっきレジストを剥離した後、第二のエッチ
ング液を用い、前記めっきレジストの下に存在する薄膜
導体層を除去するとともに前記電気めっき層表面および
前記薄膜導体層側面に粗化面を形成する工程。
【請求項２】前記第一のエッチング液は、塩化第二
銅、塩化第二鉄、過硫酸塩、過酸化水素／硫酸、アルカ
リエッチャントからなる群より選択される少なくとも一
種を含む溶液である請求項１記載の多層プリント配線板
の製造方法。
【請求項３】前記第一のエッチング液は、第二銅錯体
と有機酸塩とを含む混合溶液、または、過酸化水素と硫
酸とを含む混合溶液である請求項１記載の多層プリント
配線板の製造方法。
【請求項４】前記第二のエッチング液は、第二銅錯体
と有機酸塩とを含む混合溶液、または、過酸化水素と硫
酸とを含む混合溶液である請求項１〜３のいずれか１に
記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】前記第一のエッチング液および前記第二
のエッチング液は、第二銅錯体と有機酸塩とを含む混合
溶液、または、過酸化水素と硫酸とを含む混合溶液であ
り、かつ、前記第一のエッチング液および前記第二のエ
ッチング液は同一である請求項１記載の多層プリント配
線板の製造方法。