JP4497614B2 - 多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等により製造されており、コアと呼ばれる０．１〜２．０ｍｍ程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより作製される。この多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホールにより行われている。
【０００３】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号公報等に開示された方法により製造されている。
すなわち、まず、銅箔が貼り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成する。続いて、基板の表面を導体パターン状にエッチング処理して導体回路を形成し、この導体回路の表面に無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、その粗化面を有する導体回路上に層間樹脂絶縁層を形成した後、露光、現像処理を行うか、レーザ処理によりバイアホール用開口を形成し、その後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。
【０００４】
さらに、層間樹脂絶縁層に粗化形成処理を施した後、形成された粗化面に薄い無電解めっき膜を形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成した後、電気めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイアホールにより接続された導体回路を形成する。
【０００５】
これを繰り返した後、最外層として導体回路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、ソルダーレジスト層に開口を形成し、開口部分の導体層にめっき等を施してパッドとした後、半田バンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント配線板を製造する。
【０００６】
このような多層プリント配線板の製造方法において、めっきレジストは、薄い無電解めっき膜等の薄膜導体層上に直接感光性ドライフィルムを貼り付け、該感光性ドライフィルムに露光、現像処理を施すことにより形成していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このように、表面に薄膜導体層を有する層間樹脂絶縁層上に直接感光性ドライフィルムを貼り付け、露光処理を施すと、図１２に示すように、光源２２から照射した光が、薄膜導体層１１２表面で乱反射するため、めっきレジスト非形成部の一部も露光され（図１２（ａ）参照）、続いて、現像処理を施すと、形成されるめっきレジスト１０３の形状が裾引き形状１０３ａとなってしまう（図１２（ｂ）参照）。そのため、次の工程で、電気めっきを行うことにより、めっきレジスト非形成部１９に電気めっき層１１３を形成した後（図１２（ｃ）参照）、めっきレジスト１０３の剥離と薄膜導体層１１２のエッチングを行うことより、電気めっき層１１３と薄膜導体層１１２とからなる導体回路１０５を形成すると、導体回路１０５の断面の形状が、アンダーカット形状となってしまう（図１２（ｄ）参照）。図１２中で、１８は感光性ドライフィルムであり、２１はマスクであり、１０２は層間樹脂絶縁層である。
【０００８】
そのため、導体回路と該導体回路を被覆する層間樹脂絶縁層との間で剥離が発生しやすかった。特に、この現象は、めっきレジスト同士の間隔の狭い部分、すなわち、幅の狭いめっきレジスト非成形部において、顕著にみられた。
【０００９】
また、図１３に示すように、露光処理時に薄膜導体層１１２表面で反射する光の量を減少させるために、光源２２から照射する光量を減らすと（図１３（ａ）参照）、めっきレジスト１０３の形状は裾引き形状にはならないものの、めっきレジスト１０３の形状がアンダーカット形状になる場合がある（図１３（ｂ）参照）。この場合、めっきレジスト非形成部１９に形成した電気めっき層１１３が底部の広がった台形状となり（図１３（ｃ）参照）、この後、めっきレジスト１０３の剥離と薄膜導体層１１２のエッチングを行うことより、電気めっき層１１３と薄膜導体層１１２とからなる導体回路１０５を形成すると、導体回路１０５の断面の形状が、底部の広がった台形状となってしまう（図１３（ｄ）参照）。そのため、隣接する導体回路同士の底部の間隔が狭くなり、隣接する導体回路間で短絡が発生しやすいという問題点があった。特に、Ｌ／Ｓ＝３５／３５のような幅の狭い導体回路間では、上記のような問題が起こり易かった。
なお、上記Ｌ／Ｓとは、導体配線の幅と導体配線間の距離との比のことであり、これを本明細書においては、以下、単にＬ／Ｓという。
【００１０】
さらに、上記薄膜導体層は、その表面の一部が酸化されている等により変性している場合があり、この場合、薄膜導体層表面の物性は均一ではなく、そのため、薄膜導体層上に直接感光性ドライフィルムを貼り付けた際に、該感光性ドライフィルムに膨れ等が発生し易かった。そのため、めっきレジストを形成した際に、この膨れに起因して該めっきレジストの表面が波状となって、その底部に空隙が形成される場合があり、この後、電気めっき等を施すことにより形成する導体回路は、この空隙部分にも形成されてしまうため、底部が広がった形状となることがあった。このような形状の導体回路では、多層プリント配線板のインピーダンスの整合が図りにくく、信号遅延や信号エラーが発生することがあった。
【００１１】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、アンダーカットがなく、表面が平坦なめっきレジストを形成することができるため、隣接する導体回路間で短絡の発生するおそれがなく、信号遅延や信号エラーが発生せず、導体回路と層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層との密着性が充分であり、ヒートサイクル条件下や高温高湿下において、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層にクラックが発生しにくく、導体回路の剥離が発生しにくい接続信頼性に優れる多層プリント配線板を製造する方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的の実現に向け鋭意研究した結果、薄膜導体層上に被覆層を形成することにより、露光時に発生する薄膜導体層の表面での光の反射を防止することができ、膨れ等のないめっきレジストを形成できることを見いだし、以下に示す内容を要旨構成とする本発明に想到した。
【００１３】
すなわち、本発明の多層プリント配線板の製造方法は、1)薄膜導体層が形成された層間樹脂絶縁層上に感光性ドライフィルムを貼り付ける工程、2)上記感光性ドライフィルムに露光、現像処理を施すことによりめっきレジストを形成する工程、および、3)めっきレジスト非形成部に導体回路を形成する工程を含む多層プリント配線板の製造方法であって、
上記1)の工程において、上記薄膜導体層上に、Ｐｄからなる金属による被覆層を形成するか、または、艶消し用コーティング剤からなる薬剤を用いた被覆層を形成した後、感光性ドライフィルムを貼り付け、
上記2)の工程において、上記めっきレジストを形成した後、前記被覆層を除去することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、1)薄膜導体層が形成された層間樹脂絶縁層上に感光性ドライフィルムを貼り付ける工程、2)上記感光性ドライフィルムに露光、現像処理を施すことによりめっきレジストを形成する工程、および、3)めっきレジスト非形成部に導体回路を形成する工程を含む多層プリント配線板の製造方法であって、
上記1)の工程において、上記薄膜導体層上に、Ｐｄからなる金属による被覆層を形成するか、または、艶消し用コーティング剤からなる薬剤を用いた被覆層を形成した後、感光性ドライフィルムを貼り付け、
上記2)の工程において、上記めっきレジストを形成した後、前記被覆層を除去することを特徴とする。
【００１６】
このような本発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、薄膜導体層上に被覆層を形成した後、感光性ドライフィルムを貼り付け、露光、現像処理を施すため、めっきレジストの形状がアンダーカット形状にならない充分な光量で露光処理を施しても、薄膜導体層の表面で光が反射せず、めっきレジストの形状が裾引き形状になることがなく、所望の形状のめっきレジストを形成することができる。
【００１７】
そのため、めっきレジストを形成した後、めっきレジスト非形成部に導体回路を形成すると、その断面が矩形状の導体回路を形成することができ、導体回路と層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層との密着性を充分に確保することができ、ヒートサイクル条件下や高温高湿下において、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層にクラックが発生しにくく、導体回路の剥離が発生しにくい接続信頼性に優れる多層プリント配線板を製造することができる。
【００１８】
また、薄膜導体層の表面の一部が酸化されていること等により、該薄膜導体層表面の物性が均一でない場合であっても、薄膜導体層表面に均一な物性を有する被覆層が形成されているため、薄膜導体層上に感光性ドライフィルムを貼り付けた際に、該感光性ドライフィルムに膨れ等が発生することがない。そのため、めっきレジストを形成した際に、該めっきレジストの表面が平坦となり、電気めっき等を施すことにより形成する導体回路の断面が矩形状となり、信号遅延や信号エラーの発生を防止することができる。
【００１９】
本発明の製造方法では、薄膜導体層が形成された層間樹脂絶縁層上に感光性ドライフィルムを貼り付ける工程において、上記薄膜導体層上に被覆層を形成した後、感光性ドライフィルムを貼り付ける。
【００２０】
上記被覆層としては、薄膜導体層表面の光沢度を低下させ、露光処理時に光の乱反射を防止することができるものであれば特に限定されず、例えば、金属、薬剤、フィルム等からなるものが挙げられる。また、薄膜導体層表面に黒化−還元処理を施すことにより形成される酸化膜等の化学処理を施すことにより形成されるものでもよい。
【００２１】
上記金属としては、Ｓｎ、Ｐｄが望ましい。これらの金属は、電気めっき時に用いる前処理液や、薄膜導体層を除去する際に用いるエッチング液により、除去することができるからである。
これらの金属からなる被覆層を形成する方法としては、例えば、めっき、蒸着等の方法が挙げられる。
【００２２】
上記薬剤としては、例えば、シリコーン樹脂塗料、艶消し用コーティング剤、トリチオール系防錆剤等が挙げられる。
上記フィルムとしては、例えば、上記艶消し用コーティング剤を硬化させフィルム状に成形したもの等が挙げられる。
【００２３】
これらのなかでは、酸やアルカリにより溶解除去できるものが望ましく、めっきレジスト形成時に用いる現像液や硫酸により溶解除去することができるものがより望ましい。具体的には、黒化−還元処理を施すことにより形成される酸化膜が望ましい。これは、現像液や硫酸により溶解除去することができるうえ、簡単に、物性の均一な被覆層を形成できるからである。
【００２４】
上記被覆層は電気めっき等を行うことにより導体回路を形成する前に除去しておくことが望ましい。これは、被覆層を除去することにより、薄膜導体層と被覆層と電気めっき層との電気特性の違いに起因する接続信頼性の低下を回避することができ、特に、ヒートサイクル条件下における接続信頼性の低下を回避することができるからである。
また、電気めっきにより導体回路を形成する場合には、めっきリードが必要であるため、上記被覆層を絶縁性材料で形成した場合には、電気めっきを行う前に、被覆層を除去しておく必要がある。
【００２５】
上記被覆層を除去する方法としては、例えば、上述した現像液や硫酸による除去以外に、例えば、塩酸、硝酸等を用いて除去する方法等が挙げられる。
これらのなかでは、現像液や硫酸による除去が望ましい。これは、銅からなる薄膜導体層の上に形成されている被覆層を溶解除去する場合に、銅のスマットが発生するおそれがないからである。
【００２６】
上記被覆層の厚さとしては特に限定されず、露光処理時に薄膜導体層表面での光の乱反射が起こらず、現像処理時または現像処理終了後に溶解除去し易い厚さを適宜選択すれば良い。通常、０．０１〜０．５μｍが望ましい。
【００２７】
図１（ａ）〜（ｂ）は、本発明の製造方法に用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
このような本発明の多層プリント配線板の製造方法では、図１に示すように、薄膜導体層１１２上に、被覆層２３を形成し、さらにその上に感光性ドライフィルム１８を貼り付けているため、露光処理を施す際に、光源２２からめっきレジスト１０３の形状がアンダーカット形状にならない充分な光量の光を照射しても、照射した光は、薄膜導体層１１２表面で反射しない（図１（ａ）参照）。そのため、続いて、現像処理を施すことにより、アンダーカット形状でも、裾引き形状でもないめっきレジスト１０３を形成することができる（図１（ｂ）参照）。従って、この後、電気めっきを施すと、薄膜導体層との密着性に優れ、断面が矩形状の電気めっき層１１３を形成することができ（図１（ｃ）参照）、さらに、めっきレジスト１０３を剥離し、エッチング処理により薄膜導体層を除去することにより、隣接する導体回路間で短絡の発生するおそれがなく、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層との密着性に優れる導体回路１０５を形成することができる（図１（ｄ）参照）。
【００２８】
また、図１に示すように、現像処理時にめっきレジスト非形成部１９に存在する被覆層を除去した場合には、より接続信頼性に優れる導体回路１０５を形成することができる。
【００２９】
次に、このような本発明の多層プリント配線板の製造方法について、工程順に簡単に説明する。
【００３０】
(1) まず、樹脂基板の表面に下層導体回路を有する配線基板を作製する。
樹脂基板としては、無機繊維を有する樹脂基板が望ましく、具体的には、例えば、ガラス布エポキシ基板、ガラス布ポリイミド基板、ガラス布ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、ガラス布フッ素樹脂基板等が挙げられる。
また、上記樹脂基板の両面に銅箔を貼った銅張積層板を用いてもよい。
【００３１】
通常、この樹脂基板にドリルで貫通孔を設け、該貫通孔の壁面および銅箔表面に無電解めっきを施してスルーホールを形成する。無電解めっきとしては銅めっきが好ましい。さらに、銅箔の厚付けのために電気めっきを行ってもよい。この電気めっきとしては銅めっきが好ましい。
この後、スルーホール内壁等に粗化処理を施し、スルーホールを樹脂ペースト等で充填し、その表面を覆う導電層を無電解めっきもしくは電気めっきにて形成してもよい。
【００３２】
上記粗化処理の方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等が挙げられる。
上記工程を経て、基板上の全面に形成された銅のベタパターン上にフォトリソグラフィーの手法を用いてエッチングレジストを形成し、続いて、エッチングを行うことにより、下層導体回路を形成する。この後、必要に応じて、導体回路の形成により、エッチングされ、凹部となった部分に樹脂等を充填してもよい。
【００３３】
(2) 次に、形成された下層導体回路に、必要により粗化処理を施す。粗化処理の方法としては、上記した方法、すなわち、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等が挙げられる。
また、下層導体回路に粗化処理を施さず、下層導体回路が形成された基板を樹脂成分を溶解した溶液に浸漬することにより、下層導体回路の表面に樹脂からなる層を形成し、その上に形成する層間樹脂絶縁層との密着性を確保してもよい。
【００３４】
(3) 次に、上記(2) で作製した下層導体回路を有する配線基板の両面に、層間樹脂絶縁層を形成する。
上記層間樹脂絶縁層の材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の一部を感光化した樹脂またはこれらの複合樹脂を使用することができる。
層間樹脂絶縁層は、未硬化の樹脂を塗布して形成してもよく、また、未硬化の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔などの金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。このような樹脂フィルムを使用する場合は、バイアホール形成部分の金属層をエッチングした後、レーザ光を照射して開口を設ける。金属層が形成された樹脂フィルムとしては、樹脂付き銅箔などを使用することができる。
【００３５】
これらの層間樹脂絶縁層を形成する材料の具体例としては、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレン系樹脂（ＰＰＥ、ＰＰＯ等）、フッ素系樹脂等が挙げられる。
上記ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、上記ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、これらの樹脂の共重合体等が挙げられ、上記フッ素系樹脂としては、例えば、エチル／テトラフルオロエチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）等が挙げられる。
【００３６】
また、上記材料以外に、例えば、無電解めっき用接着剤層も使用することができる。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できるからである。
【００３７】
上記無電解めっき用接着剤において、特に硬化処理された上記耐熱性樹脂粒子としては、(a) 平均粒径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、(b) 平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、(c) 平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、(d) 平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、(e) 平均粒径が０．１〜０．８μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が０．８μｍを超え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、(f) 平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成することができるからである。
【００３８】
上記酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」または「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」などが望ましい。前者については耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからである。
【００３９】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用することができる。また、感光化した樹脂としては、メタクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反応させたものが挙げられる。特にエポキシ樹脂をアクリレート化したものが最適である。
エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用することができる。
【００４０】
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フッ素樹脂などを使用することができる。
熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０が望ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保できるからである。
【００４１】
上記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して５〜５０重量％が望ましく、１０〜４０重量％がさらに望ましい。
耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹脂などが望ましい。
【００４２】
(4) 次に、層間樹脂絶縁層を硬化する一方で、その層間樹脂絶縁層に露光および現像処理、もしくは、レーザ処理を行うことによりバイアホール用開口を形成する。
層間樹脂絶縁層の開口は、無電解めっき用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化樹脂、ポリオレフィン系樹脂、シクロオレフィン系樹脂等の場合は、レーザー光や酸素プラズマ等を用いて行い、感光性樹脂である場合には、露光現像処理にて行う。なお、露光現像処理は、バイアホール用開口形成のための円パターンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）を、円パターン側を感光性の層間樹脂絶縁層の上に密着させて載置した後、露光し、現像処理液に浸漬するか、現像処理液をスプレーすることにより行う。
充分な凹凸形状の粗化面を有する導体回路上に形成された層間樹脂絶縁層を硬化させることにより、導体回路との密着性に優れた層間樹脂絶縁層を形成することができる。
【００４３】
上記レーザ光を用いて、バイアホール用開口を設ける場合、使用するレーザ光としては、例えば、炭酸ガス（ＣＯ2 ）レーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられる。これらのなかでは、エキシマレーザや短パルスの炭酸ガスレーザが好ましい。
【００４４】
エキシマレーザは、後述するように、バイヤホール用開口を形成する部分に貫通光が形成されたマスク等を用いることにより、一度に多数のバイヤホール用開口を形成することができ、また、短パルスの炭酸ガスレーザは、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対するダメージが小さいからである。
【００４５】
また、エキシマレーザのなかでも、ホログラム方式のエキシマレーザを用いることが望ましい。ホログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レンズ、レーザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射する方式であり、この方式を用いることにより、一度の照射で層間樹脂絶縁層に多数の開口を効率的に形成することができる。
【００４６】
また、炭酸ガスレーザを用いる場合、そのパルス間隔は、１０-3〜１０-10 秒であることが望ましい。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。
バイアホール用開孔を形成する部分に貫通孔が形成されたマスクの貫通孔は、レーザ光のスポット形状を真円にするために、真円である必要があり、上記貫通孔の径は、０．０５〜０．４ｍｍ程度が望ましい。
【００４７】
レーザ光にて開口を形成した場合、特に炭酸ガスレーザを用いた場合には、デスミア処理を行うことが望ましい。上記デスミア処理は、クロム酸、過マンガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使用して行うことができる。また、酸素プラズマ、ＣＦ4 と酸素の混合プラズマやコロナ放電等で処理してもよい。また、低圧水銀ランプを用いて紫外線を照射することにより、表面改質することもできる。
【００４８】
(5) 次に、必要により、バイアホール用開口を設けた層間樹脂絶縁層の表面を粗化する。無電解めっき用接着剤を用いて層間樹脂絶縁層を形成した場合、層間樹脂絶縁層の粗化は、無電解めっき用接着剤層の表面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸または酸化剤で溶解除去することにより行う。
酸処理等により形成する粗化面の高さは、Ｒｍａｘ＝０．０１〜２０μｍが望ましい。導体回路との密着性を確保するためである。特にセミアディティブ法では、０．１〜５μｍが望ましい。密着性を確保しつつ、金属層を除去することができるからである。
【００４９】
上記酸処理を行う際には、リン酸、塩酸、硫酸、または、蟻酸や酢酸などの有機酸を用いることができ、特に有機酸を用いるのが望ましい。粗化形成処理した場合に、バイアホールから露出する金属導体層を腐食させにくいからである。
上記酸化処理は、クロム酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）を用いることが望ましい。
【００５０】
(6) 次に、層間樹脂絶縁層およびバイアホールの開口部の表面にＣｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、ＣｏおよびＷ等の金属からなる薄膜導体層を形成する。上記薄膜導体層は単独の金属からなるものであってもよいし、２種以上の金属からなるものであってもよい。また、上記薄膜導体層は、１層であってもよいし、２層以上であってもよい。
この薄膜導体層の厚さは、０．１〜５μｍが望ましく、０．５〜２μｍがより望ましい。また、上記薄膜導体層は、スパッタリング、めっき、もしくは、スパッタリングおよびめっきを行うことにより形成することが望ましい。特に、スパッタリングにより薄膜導体層を形成する場合は、その膜厚は０．５〜２μｍであることが望ましい。
【００５１】
(7) 次に、上記薄膜導体層上に、被覆層を形成する。上記被覆層は、Ｓｎ、Ｐｄ等の金属をめっきやスパッタリングしたり、黒化−還元処理により酸化膜を形成することにより形成する。
【００５２】
(8) 続いて、上記(7) で形成した被覆層上にめっきレジストを形成する。
このめっきレジストは、感光性ドライフィルムを薄膜導体層上にラミネートした後、露光、現像処理を施すことにより形成される。
上記現像処理時に用いる現像液によって、現像処理と同時に被覆層を除去することが最も望ましいが、現像液により被覆層を除去できなかった場合には、硫酸、塩酸、硝酸等を用いて被覆層を除去することが望ましい。
【００５３】
(9) 次に、層間樹脂絶縁層上に形成した薄膜導体層または薄膜導体層上の被覆層をめっきリードとして電気めっきを行い、導体回路を厚付けする。電気めっき膜の膜厚は、５〜３０μｍが好ましい。上記電気めっきとしては、銅めっきを用いることが望ましい。
この時、バイアホール用開口を電気めっきで充填してフィルドビア構造としてもよい。
【００５４】
(10)電気めっき膜を形成した後、めっきレジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた被覆層および薄膜導体層をエッチングにより除去し、独立した導体回路とする。
エッチング液としては、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅の水溶液、塩酸、硝酸、熱希硫酸等が挙げられる。また、前述した第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用いて、導体回路間のエッチングと同時に粗化面を形成してもよい。
【００５５】
(11)必要により、(3) 〜(9) の工程を繰り返し、さらに、必要により、最上層の導体回路に上記(3) の工程と同様の条件で無電解めっきやエッチング等を施し、最上層の導体回路上に粗化層または粗化面を形成する。
【００５６】
次に、最上層の導体回路を含む基板面にロールコータ法等によりソルダーレジスト樹脂組成物を塗布し、レーザ処理、露光、現像処理等による開口処理を行い、硬化処理等を行うことにより、ソルダーレジスト層を形成する。
そしてこの後、ソルダーレジスト層の開口部分に半田バンプを形成することによりプリント配線板の製造を終了する。
【００５７】
また、この工程で、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
以上の方法は、セミアディティブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用してもよい。
【００５８】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００５９】
（実施例１）
Ａ．ポリオレフィン系樹脂組成物からなる樹脂フィルムの作製
(i) ５００ｍｌのｎ−ヘプタン中に、スチレン１０４ｇおよびブチルリチウム１０．８ｇを溶解させ、７０℃で３時間加熱した。
(ii)上記処理を行った溶液中に、エチレン：ブタジエンの容量比が３：１の混合ガスを吹き込みながら、７０℃で５時間放置した。
【００６０】
(iii) この後、さらにＩ2 を添加し、１００℃で１時間放置することにより、ｎ−ヘプタンを除去した。
(iv) 残った生成物をアセトンにて洗浄し、未反応物およびＬｉＩを除去した。
その後、粒径が０．１μｍで球状のメラニンと粒径が０．０５μｍの球状のメラニンを２：１の割合で配合し、凝集せずに分散するように混合した。
【００６１】
(v) (iv)の工程で得られた混合物のうち、５０ｇを再度５００ｍｌのｎ−ヘプタンに溶解させ、さらに１ｇの過酸化ベンゾイルを溶かした後、この溶液をポリエチレンテレフタレートフィルム上に薄く広げ、このフィルム状物を５０℃まで加熱した後、さらに１℃／分でゆっくりと加熱し、１００℃に達した後、３０分放置することにより溶剤を除去した。
このようにして、４０μｍの厚さの半硬化状態のポリオレフィンオリゴマーからなる樹脂フィルムが得られた。
【００６２】
Ｂ．樹脂充填材の調製
(i) ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドマテックス社製、ＣＲＳ １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４０〜５０Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。
なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【００６３】
Ｃ．プリント配線板の製造方法
(1) 厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図２（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成した。
【００６４】
(2) スルーホール９および下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図２（ｂ）参照）。
【００６５】
(3) 上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内にスルホール９内、および、基板１の片面の導体回路非成形部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填材１０の層を形成した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押しこんだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて、凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材１０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図２（ｃ）参照）。
【００６６】
(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路外縁部に形成された樹脂充填材１０の層や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の層の上部を研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
なお、必要に応じて、研摩の前後にエッチングを行い、スルーホール９のランド９ａおよび下層導体回路４に形成された粗化面４ａを平坦化してもよい。
この後、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。
【００６７】
このようにして、スルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図２（ｄ）参照）。
【００６８】
(5) 次に、上記(4) の処理を終えた基板の両面に、上記(2) で用いたエッチング液と同じエッチング液をスプレーで吹きつけ、一旦平坦化された下層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図３（ａ）参照）。
【００６９】
(6) 次に、基板の両面に、上記Ａにおいて作製した厚さ４０μｍのポリオレフィン系樹脂組成物からなるフィルムを温度１６０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2 で圧着、積層し、上記ポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層２を形成した（図３（ｂ）参照）。形成された層間樹脂絶縁層の厚さは、３０μｍであった。
【００７０】
(7) 次に、波長０．２４８μｍのエキシマレーザにて、ポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層２に直径８０μｍのバイアホール用開口６を設けた（図３（ｃ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。
【００７１】
(8) 次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用い、Ｎｉをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ金属層１２ａを層間樹脂絶縁層２の表面に形成した（図３（ｄ）参照）。このとき、形成されたＮｉ金属層１２ａの厚さは０．１μｍであった。
【００７２】
(9) 次に、上記ＳＶ−４５４０を用いて、Ｃｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．８Ｐａ、温度８０℃、電力４５００Ｗ、時間２分間の条件で行い、Ｎｉ金属層１２ａの表面に厚さ０．２μｍのＣｕ金属層１２ｂを形成した。（図４（ａ）参照）。
【００７３】
（10) 続いて、Ｃｕ金属層１２ｂに以下の方法を用いて黒化−還元処理を施すことにより、Ｃｕ金属層１２ｂの表面に厚さ０．１μｍの酸化膜（図示せず）を形成した。すなわち、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、Ｃｕ金属層１２ｂの表面に酸化膜を形成した。
【００７４】
(11)市販の感光性ドライフィルムを酸化膜の表面に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理を行うことより、厚さ１５μｍのめっきレジスト３を設けた（図４（ｂ）参照）。また、この現像処理の後、１０体積％の硫酸溶液を用いた酸処理を行うことにより、上記（10) で形成した酸化膜のうちめっきレジスト非形成部の酸化膜を溶解除去した。
【００７５】
(12)ついで、レジスト非形成部に以下の条件で電気銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電気銅めっき膜１３を形成した（図４（ｃ）参照）。
〔電気めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電気めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ2
時間 ６５ 分
温度 ２２±２ ℃
【００７６】
(13)さらにめっきレジストを５％ＫＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の酸化膜および無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路５（バイアホール７を含む）とした（図４（ｄ）参照）。
【００７７】
(14)続いて、上記(5) 〜(13)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成した（図５（ａ）〜図６（ａ）参照）。さらに、上記した工程(5) で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いて、導体回路（バイアホール７を含む）５の表面をエッチングすることにより導体回路（バイアホール７を含む）５の表面に粗化面を形成した（図６（ｂ）参照）。
【００７８】
(15)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト樹脂組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００７９】
(16)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田パッド部分が開口した、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層（有機層間樹脂絶縁層）１４を形成した。
【００８０】
(17)次に、ソルダーレジスト層（有機層間樹脂絶縁層）１４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成した。
【００８１】
(18)この後、ソルダーレジスト層１４の開口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１７を有する多層配線プリント基板を製造した（図６（ｃ）参照）。
【００８２】
（実施例２）
Ａ．ポリオレフィン系樹脂組成物からなる樹脂フィルムの作製、および、樹脂充填材の調製を実施例１と同様に行った。
【００８３】
Ｂ．プリント配線板の製造方法
(1) 厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図７（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成した。
【００８４】
(2) スルーホール９および下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図７（ｂ）参照）。
【００８５】
(3) 上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内にスルホール９内、および、基板１の片面の導体回路非成形部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填材１０の層を形成した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押しこんだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて、凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材１０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図７（ｃ）参照）。
【００８６】
(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路外縁部に形成された樹脂充填材１０の層や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の層の上部を研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
なお、必要に応じて、研摩の前後にエッチングを行い、スルーホール９のランド９ａおよび下層導体回路４に形成された粗化面４ａを平坦化してもよい。
この後、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。
【００８７】
このようにして、スルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図７（ｄ）参照）。
【００８８】
(5) 次に、上記(4) の処理を終えた基板の両面に、上記(2) で用いたエッチング液と同じエッチング液をスプレーで吹きつけ、一旦平坦化された下層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図８（ａ）参照）。
【００８９】
(6) 次に、基板の両面に、上記Ａにおいて作製した厚さ４０μｍのポリオレフィン系樹脂組成物からなるフィルムを温度１６０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2 で圧着、積層し、上記ポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層２を形成した（図８（ｂ）参照）。形成された層間樹脂絶縁層の厚さは、３０μｍであった。
【００９０】
(7) 次に、波長０．２４８μｍのエキシマレーザにて、ポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層２に直径８０μｍのバイアホール用開口６を設けた（図８（ｃ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。
【００９１】
(8) 次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用い、Ｎｉをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ金属層１２ａを層間樹脂絶縁層２の表面に形成した（図８（ｄ）参照）。このとき、形成されたＮｉ金属層１２ａの厚さは０．１μｍであった。
【００９２】
(9) 次に、上記ＳＶ−４５４０を用いて、Ｃｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．８Ｐａ、温度８０℃、電力４５００Ｗ、時間２分間の条件で行い、Ｎｉ金属層１２ａの表面に厚さ０．２μｍのＣｕ金属層１２ｂを形成した。（図９（ａ）参照）。
【００９３】
（10) 続いて、Ｃｕ金属層１２ｂに以下の条件で無電解スズめっきを行うことにより、厚さ０．０１μｍのスズめっき膜（図示せず）を形成した。
〔無電解スズめっき水溶液〕
ホウフッ化スズ ０．５０ｍｏｌ／ｌ
チオ尿素 ０．３７ｍｏｌ／ｌ
ＰＥＧ １．００ ｇ／ｌ
次亜リン酸ナトリウム ２０．０ ｇ／ｌ
〔めっき条件〕
温度 ２５℃
時間 １分
【００９４】
(11)市販の感光性ドライフィルムをスズめっき膜の表面に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理を行うことより、厚さ２５μｍのめっきレジスト３を設けた（図９（ｂ）参照）。さらに、現像処理終了後、めっきレジスト非形成部のスズめっき膜を１０体積％の過酸化水素−硝酸水溶液で溶解除去した。
【００９５】
(12)ついで、レジスト非形成部に以下の条件で電気銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電気銅めっき膜１３を形成した（図９（ｃ）参照）。
〔電気めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電気めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ2
時間 ６５ 分
温度 ２２±２ ℃
【００９６】
(13)さらにめっきレジストを５％ＫＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の電気パラジウムめっき膜および無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路５（バイアホール７を含む）とした（図９（ｄ）参照）。
(14)続いて、上記(5) 〜(13)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成した（図１０（ａ）〜図１１（ａ）参照）。さらに、上記した工程(5) で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いて、導体回路（バイアホール７を含む）５の表面をエッチングすることにより導体回路（バイアホール７を含む）５の表面に粗化面を形成した（図１１（ｂ）参照）。
【００９７】
(15)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト樹脂組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００９８】
(16)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田パッド部分が開口した、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層（有機層間樹脂絶縁層）１４を形成した。
【００９９】
(17)次に、ソルダーレジスト層（有機層間樹脂絶縁層）１４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成した。
【０１００】
(18)この後、ソルダーレジスト層１４の開口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１７を有する多層配線プリント基板を製造した（図１１（ｃ）参照）。
【０１０１】
（比較例１）
上記(10)の工程において、酸化膜を形成しなかった以外は実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
なお、感光性ドライフィルムを露光、現像処理した後、めっきレジスト３の設けられた基板の断面を顕微鏡で観察したところ、めっきレジストの形状は、裾引き形状であった。
【０１０２】
実施例１、２および比較例１で得られた多層プリント配線板について、該多層プリント配線板をカッターで切断し、その断面を顕微鏡で観察したところ、実施例１、２の多層プリント配線板では、断面がアンダーカット形状の導体回路はみられなかったのに対し、比較例１の多層プリント配線板では、一部に断面がアンダーカット形状の導体回路がみられた。
【０１０３】
さらに、実施例１、２および比較例１で得られた多層プリント配線板について、−５５℃で３０分間保持した後、１２５℃で３０分間保持するヒートサイクルを１０００回繰り返すヒートサイクル試験を実施した後、多層プリント配線板をカッターで切断し、その断面を顕微鏡で観察した。その結果、実施例１、２の多層プリント配線板では、導体回路の剥離はなく、層間樹脂絶縁層にクラックの発生もみられなかったの対し、比較例１の多層プリント配線板では、一部に剥離している導体回路が見られ、また、層間樹脂絶縁層の一部にクラックの発生がみられた。
【０１０４】
さらに、実施例１、２および比較例１で得られた多層プリント配線板について、ヒートサイクル試験を実施した後、導通試験を行ったところ、実施例１、２の多層プリント配線板では、導通不良が発生していなかったのに対し、比較例１の多層プリント配線板では、一部に導通不良が発生していた。
【０１０５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、アンダーカット形状や裾引き形状でなく、表面が平坦なめっきレジストを形成することができるため、隣接する導体回路間で短絡の発生するおそれがなく、信号遅延や信号エラーが発生せず、導体回路と層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層との密着性が充分であり、ヒートサイクル条件下や高温高湿下において、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層にクラックが発生しにくく、導体回路の剥離が発生しにくい接続信頼性に優れる多層プリント配線板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図５】 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１０】 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１２】 （ａ）〜（ｄ）は、従来の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１３】 （ａ）〜（ｄ）は、従来の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 基板
２、１０２ 層間樹脂絶縁層
３ めっきレジスト
４ 下層導体回路
４ａ 粗化面
５ 上層導体回路
６ バイアホール用開口
７ バイアホール
８ 銅箔
９ スルーホール
９ａ 粗化面
１０ 樹脂充填材
１２ａ Ｎｉ金属層
１２ｂ Ｃｕ金属層
１３、１１３ 電気めっき膜
１４ ソルダーレジスト層
１５ ニッケルめっき膜
１６ 金めっき膜
１７ はんだバンプ
１８ 感光性ドライフィルム
１９ めっきレジスト非形成部
２０ 感光性ドライフィルムの残留物
２１ マスク
２２ 光源
２３ 被覆層
１０５ 導体回路
１１２ 薄膜導体層
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等により製造されており、コアと呼ばれる０．１〜２．０ｍｍ程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより作製される。この多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホールにより行われている。
【０００３】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号公報等に開示された方法により製造されている。
すなわち、まず、銅箔が貼り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成する。続いて、基板の表面を導体パターン状にエッチング処理して導体回路を形成し、この導体回路の表面に無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、その粗化面を有する導体回路上に層間樹脂絶縁層を形成した後、露光、現像処理を行うか、レーザ処理によりバイアホール用開口を形成し、その後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。
【０００４】
さらに、層間樹脂絶縁層に粗化形成処理を施した後、形成された粗化面に薄い無電解めっき膜を形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成した後、電気めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイアホールにより接続された導体回路を形成する。
【０００５】
これを繰り返した後、最外層として導体回路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、ソルダーレジスト層に開口を形成し、開口部分の導体層にめっき等を施してパッドとした後、半田バンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント配線板を製造する。
【０００６】
このような多層プリント配線板の製造方法において、めっきレジストは、薄い無電解めっき膜等の薄膜導体層上に直接感光性ドライフィルムを貼り付け、該感光性ドライフィルムに露光、現像処理を施すことにより形成していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このように、表面に薄膜導体層を有する層間樹脂絶縁層上に直接感光性ドライフィルムを貼り付け、露光処理を施すと、図１２に示すように、光源２２から照射した光が、薄膜導体層１１２表面で乱反射するため、めっきレジスト非形成部の一部も露光され（図１２（ａ）参照）、続いて、現像処理を施すと、形成されるめっきレジスト１０３の形状が裾引き形状１０３ａとなってしまう（図１２（ｂ）参照）。そのため、次の工程で、電気めっきを行うことにより、めっきレジスト非形成部１９に電気めっき層１１３を形成した後（図１２（ｃ）参照）、めっきレジスト１０３の剥離と薄膜導体層１１２のエッチングを行うことより、電気めっき層１１３と薄膜導体層１１２とからなる導体回路１０５を形成すると、導体回路１０５の断面の形状が、アンダーカット形状となってしまう（図１２（ｄ）参照）。図１２中で、１８は感光性ドライフィルムであり、２１はマスクであり、１０２は層間樹脂絶縁層である。
【０００８】
そのため、導体回路と該導体回路を被覆する層間樹脂絶縁層との間で剥離が発生しやすかった。特に、この現象は、めっきレジスト同士の間隔の狭い部分、すなわち、幅の狭いめっきレジスト非成形部において、顕著にみられた。
【０００９】
また、図１３に示すように、露光処理時に薄膜導体層１１２表面で反射する光の量を減少させるために、光源２２から照射する光量を減らすと（図１３（ａ）参照）、めっきレジスト１０３の形状は裾引き形状にはならないものの、めっきレジスト１０３の形状がアンダーカット形状になる場合がある（図１３（ｂ）参照）。この場合、めっきレジスト非形成部１９に形成した電気めっき層１１３が底部の広がった台形状となり（図１３（ｃ）参照）、この後、めっきレジスト１０３の剥離と薄膜導体層１１２のエッチングを行うことより、電気めっき層１１３と薄膜導体層１１２とからなる導体回路１０５を形成すると、導体回路１０５の断面の形状が、底部の広がった台形状となってしまう（図１３（ｄ）参照）。そのため、隣接する導体回路同士の底部の間隔が狭くなり、隣接する導体回路間で短絡が発生しやすいという問題点があった。特に、Ｌ／Ｓ＝３５／３５のような幅の狭い導体回路間では、上記のような問題が起こり易かった。
なお、上記Ｌ／Ｓとは、導体配線の幅と導体配線間の距離との比のことであり、これを本明細書においては、以下、単にＬ／Ｓという。
【００１０】
さらに、上記薄膜導体層は、その表面の一部が酸化されている等により変性している場合があり、この場合、薄膜導体層表面の物性は均一ではなく、そのため、薄膜導体層上に直接感光性ドライフィルムを貼り付けた際に、該感光性ドライフィルムに膨れ等が発生し易かった。そのため、めっきレジストを形成した際に、この膨れに起因して該めっきレジストの表面が波状となって、その底部に空隙が形成される場合があり、この後、電気めっき等を施すことにより形成する導体回路は、この空隙部分にも形成されてしまうため、底部が広がった形状となることがあった。このような形状の導体回路では、多層プリント配線板のインピーダンスの整合が図りにくく、信号遅延や信号エラーが発生することがあった。
【００１１】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、アンダーカットがなく、表面が平坦なめっきレジストを形成することができるため、隣接する導体回路間で短絡の発生するおそれがなく、信号遅延や信号エラーが発生せず、導体回路と層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層との密着性が充分であり、ヒートサイクル条件下や高温高湿下において、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層にクラックが発生しにくく、導体回路の剥離が発生しにくい接続信頼性に優れる多層プリント配線板を製造する方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的の実現に向け鋭意研究した結果、薄膜導体層上に被覆層を形成することにより、露光時に発生する薄膜導体層の表面での光の反射を防止することができ、膨れ等のないめっきレジストを形成できることを見いだし、以下に示す内容を要旨構成とする本発明に想到した。
【００１３】
すなわち、本発明の多層プリント配線板の製造方法は、1)薄膜導体層が形成された層間樹脂絶縁層上に感光性ドライフィルムを貼り付ける工程、2)上記感光性ドライフィルムに露光、現像処理を施すことによりめっきレジストを形成する工程、および、3)めっきレジスト非形成部に導体回路を形成する工程を含む多層プリント配線板の製造方法であって、
上記1)の工程において、上記薄膜導体層上に、Ｐｄからなる金属による被覆層を形成するか、または、艶消し用コーティング剤からなる薬剤を用いた被覆層を形成した後、感光性ドライフィルムを貼り付け、
上記2)の工程において、上記めっきレジストを形成した後、前記被覆層を除去することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、1)薄膜導体層が形成された層間樹脂絶縁層上に感光性ドライフィルムを貼り付ける工程、2)上記感光性ドライフィルムに露光、現像処理を施すことによりめっきレジストを形成する工程、および、3)めっきレジスト非形成部に導体回路を形成する工程を含む多層プリント配線板の製造方法であって、
上記1)の工程において、上記薄膜導体層上に、Ｐｄからなる金属による被覆層を形成するか、または、艶消し用コーティング剤からなる薬剤を用いた被覆層を形成した後、感光性ドライフィルムを貼り付け、
上記2)の工程において、上記めっきレジストを形成した後、前記被覆層を除去することを特徴とする。
【００１６】
このような本発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、薄膜導体層上に被覆層を形成した後、感光性ドライフィルムを貼り付け、露光、現像処理を施すため、めっきレジストの形状がアンダーカット形状にならない充分な光量で露光処理を施しても、薄膜導体層の表面で光が反射せず、めっきレジストの形状が裾引き形状になることがなく、所望の形状のめっきレジストを形成することができる。
【００１７】
そのため、めっきレジストを形成した後、めっきレジスト非形成部に導体回路を形成すると、その断面が矩形状の導体回路を形成することができ、導体回路と層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層との密着性を充分に確保することができ、ヒートサイクル条件下や高温高湿下において、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層にクラックが発生しにくく、導体回路の剥離が発生しにくい接続信頼性に優れる多層プリント配線板を製造することができる。
【００１８】
また、薄膜導体層の表面の一部が酸化されていること等により、該薄膜導体層表面の物性が均一でない場合であっても、薄膜導体層表面に均一な物性を有する被覆層が形成されているため、薄膜導体層上に感光性ドライフィルムを貼り付けた際に、該感光性ドライフィルムに膨れ等が発生することがない。そのため、めっきレジストを形成した際に、該めっきレジストの表面が平坦となり、電気めっき等を施すことにより形成する導体回路の断面が矩形状となり、信号遅延や信号エラーの発生を防止することができる。
【００１９】
本発明の製造方法では、薄膜導体層が形成された層間樹脂絶縁層上に感光性ドライフィルムを貼り付ける工程において、上記薄膜導体層上に被覆層を形成した後、感光性ドライフィルムを貼り付ける。
【００２０】
上記被覆層としては、薄膜導体層表面の光沢度を低下させ、露光処理時に光の乱反射を防止することができるものであれば特に限定されず、例えば、金属、薬剤、フィルム等からなるものが挙げられる。また、薄膜導体層表面に黒化−還元処理を施すことにより形成される酸化膜等の化学処理を施すことにより形成されるものでもよい。
【００２１】
上記金属としては、Ｓｎ、Ｐｄが望ましい。これらの金属は、電気めっき時に用いる前処理液や、薄膜導体層を除去する際に用いるエッチング液により、除去することができるからである。
これらの金属からなる被覆層を形成する方法としては、例えば、めっき、蒸着等の方法が挙げられる。
【００２２】
上記薬剤としては、例えば、シリコーン樹脂塗料、艶消し用コーティング剤、トリチオール系防錆剤等が挙げられる。
上記フィルムとしては、例えば、上記艶消し用コーティング剤を硬化させフィルム状に成形したもの等が挙げられる。
【００２３】
これらのなかでは、酸やアルカリにより溶解除去できるものが望ましく、めっきレジスト形成時に用いる現像液や硫酸により溶解除去することができるものがより望ましい。具体的には、黒化−還元処理を施すことにより形成される酸化膜が望ましい。これは、現像液や硫酸により溶解除去することができるうえ、簡単に、物性の均一な被覆層を形成できるからである。
【００２４】
上記被覆層は電気めっき等を行うことにより導体回路を形成する前に除去しておくことが望ましい。これは、被覆層を除去することにより、薄膜導体層と被覆層と電気めっき層との電気特性の違いに起因する接続信頼性の低下を回避することができ、特に、ヒートサイクル条件下における接続信頼性の低下を回避することができるからである。
また、電気めっきにより導体回路を形成する場合には、めっきリードが必要であるため、上記被覆層を絶縁性材料で形成した場合には、電気めっきを行う前に、被覆層を除去しておく必要がある。
【００２５】
上記被覆層を除去する方法としては、例えば、上述した現像液や硫酸による除去以外に、例えば、塩酸、硝酸等を用いて除去する方法等が挙げられる。
これらのなかでは、現像液や硫酸による除去が望ましい。これは、銅からなる薄膜導体層の上に形成されている被覆層を溶解除去する場合に、銅のスマットが発生するおそれがないからである。
【００２６】
上記被覆層の厚さとしては特に限定されず、露光処理時に薄膜導体層表面での光の乱反射が起こらず、現像処理時または現像処理終了後に溶解除去し易い厚さを適宜選択すれば良い。通常、０．０１〜０．５μｍが望ましい。
【００２７】
図１（ａ）〜（ｂ）は、本発明の製造方法に用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
このような本発明の多層プリント配線板の製造方法では、図１に示すように、薄膜導体層１１２上に、被覆層２３を形成し、さらにその上に感光性ドライフィルム１８を貼り付けているため、露光処理を施す際に、光源２２からめっきレジスト１０３の形状がアンダーカット形状にならない充分な光量の光を照射しても、照射した光は、薄膜導体層１１２表面で反射しない（図１（ａ）参照）。そのため、続いて、現像処理を施すことにより、アンダーカット形状でも、裾引き形状でもないめっきレジスト１０３を形成することができる（図１（ｂ）参照）。従って、この後、電気めっきを施すと、薄膜導体層との密着性に優れ、断面が矩形状の電気めっき層１１３を形成することができ（図１（ｃ）参照）、さらに、めっきレジスト１０３を剥離し、エッチング処理により薄膜導体層を除去することにより、隣接する導体回路間で短絡の発生するおそれがなく、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層との密着性に優れる導体回路１０５を形成することができる（図１（ｄ）参照）。
【００２８】
また、図１に示すように、現像処理時にめっきレジスト非形成部１９に存在する被覆層を除去した場合には、より接続信頼性に優れる導体回路１０５を形成することができる。
【００２９】
次に、このような本発明の多層プリント配線板の製造方法について、工程順に簡単に説明する。
【００３０】
(1) まず、樹脂基板の表面に下層導体回路を有する配線基板を作製する。
樹脂基板としては、無機繊維を有する樹脂基板が望ましく、具体的には、例えば、ガラス布エポキシ基板、ガラス布ポリイミド基板、ガラス布ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、ガラス布フッ素樹脂基板等が挙げられる。
また、上記樹脂基板の両面に銅箔を貼った銅張積層板を用いてもよい。
【００３１】
通常、この樹脂基板にドリルで貫通孔を設け、該貫通孔の壁面および銅箔表面に無電解めっきを施してスルーホールを形成する。無電解めっきとしては銅めっきが好ましい。さらに、銅箔の厚付けのために電気めっきを行ってもよい。この電気めっきとしては銅めっきが好ましい。
この後、スルーホール内壁等に粗化処理を施し、スルーホールを樹脂ペースト等で充填し、その表面を覆う導電層を無電解めっきもしくは電気めっきにて形成してもよい。
【００３２】
上記粗化処理の方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等が挙げられる。
上記工程を経て、基板上の全面に形成された銅のベタパターン上にフォトリソグラフィーの手法を用いてエッチングレジストを形成し、続いて、エッチングを行うことにより、下層導体回路を形成する。この後、必要に応じて、導体回路の形成により、エッチングされ、凹部となった部分に樹脂等を充填してもよい。
【００３３】
(2) 次に、形成された下層導体回路に、必要により粗化処理を施す。粗化処理の方法としては、上記した方法、すなわち、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等が挙げられる。
また、下層導体回路に粗化処理を施さず、下層導体回路が形成された基板を樹脂成分を溶解した溶液に浸漬することにより、下層導体回路の表面に樹脂からなる層を形成し、その上に形成する層間樹脂絶縁層との密着性を確保してもよい。
【００３４】
(3) 次に、上記(2) で作製した下層導体回路を有する配線基板の両面に、層間樹脂絶縁層を形成する。
上記層間樹脂絶縁層の材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の一部を感光化した樹脂またはこれらの複合樹脂を使用することができる。
層間樹脂絶縁層は、未硬化の樹脂を塗布して形成してもよく、また、未硬化の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔などの金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。このような樹脂フィルムを使用する場合は、バイアホール形成部分の金属層をエッチングした後、レーザ光を照射して開口を設ける。金属層が形成された樹脂フィルムとしては、樹脂付き銅箔などを使用することができる。
【００３５】
これらの層間樹脂絶縁層を形成する材料の具体例としては、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレン系樹脂（ＰＰＥ、ＰＰＯ等）、フッ素系樹脂等が挙げられる。
上記ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、上記ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、これらの樹脂の共重合体等が挙げられ、上記フッ素系樹脂としては、例えば、エチル／テトラフルオロエチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）等が挙げられる。
【００３６】
また、上記材料以外に、例えば、無電解めっき用接着剤層も使用することができる。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できるからである。
【００３７】
上記無電解めっき用接着剤において、特に硬化処理された上記耐熱性樹脂粒子としては、(a) 平均粒径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、(b) 平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、(c) 平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、(d) 平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、(e) 平均粒径が０．１〜０．８μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が０．８μｍを超え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、(f) 平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成することができるからである。
【００３８】
上記酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」または「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」などが望ましい。前者については耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからである。
【００３９】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用することができる。また、感光化した樹脂としては、メタクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反応させたものが挙げられる。特にエポキシ樹脂をアクリレート化したものが最適である。
エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用することができる。
【００４０】
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フッ素樹脂などを使用することができる。
熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０が望ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保できるからである。
【００４１】
上記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して５〜５０重量％が望ましく、１０〜４０重量％がさらに望ましい。
耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹脂などが望ましい。
【００４２】
(4) 次に、層間樹脂絶縁層を硬化する一方で、その層間樹脂絶縁層に露光および現像処理、もしくは、レーザ処理を行うことによりバイアホール用開口を形成する。
層間樹脂絶縁層の開口は、無電解めっき用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化樹脂、ポリオレフィン系樹脂、シクロオレフィン系樹脂等の場合は、レーザー光や酸素プラズマ等を用いて行い、感光性樹脂である場合には、露光現像処理にて行う。なお、露光現像処理は、バイアホール用開口形成のための円パターンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）を、円パターン側を感光性の層間樹脂絶縁層の上に密着させて載置した後、露光し、現像処理液に浸漬するか、現像処理液をスプレーすることにより行う。
充分な凹凸形状の粗化面を有する導体回路上に形成された層間樹脂絶縁層を硬化させることにより、導体回路との密着性に優れた層間樹脂絶縁層を形成することができる。
【００４３】
上記レーザ光を用いて、バイアホール用開口を設ける場合、使用するレーザ光としては、例えば、炭酸ガス（ＣＯ2 ）レーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられる。これらのなかでは、エキシマレーザや短パルスの炭酸ガスレーザが好ましい。
【００４４】
エキシマレーザは、後述するように、バイヤホール用開口を形成する部分に貫通光が形成されたマスク等を用いることにより、一度に多数のバイヤホール用開口を形成することができ、また、短パルスの炭酸ガスレーザは、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対するダメージが小さいからである。
【００４５】
また、エキシマレーザのなかでも、ホログラム方式のエキシマレーザを用いることが望ましい。ホログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レンズ、レーザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射する方式であり、この方式を用いることにより、一度の照射で層間樹脂絶縁層に多数の開口を効率的に形成することができる。
【００４６】
また、炭酸ガスレーザを用いる場合、そのパルス間隔は、１０-3〜１０-10 秒であることが望ましい。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。
バイアホール用開孔を形成する部分に貫通孔が形成されたマスクの貫通孔は、レーザ光のスポット形状を真円にするために、真円である必要があり、上記貫通孔の径は、０．０５〜０．４ｍｍ程度が望ましい。
【００４７】
レーザ光にて開口を形成した場合、特に炭酸ガスレーザを用いた場合には、デスミア処理を行うことが望ましい。上記デスミア処理は、クロム酸、過マンガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使用して行うことができる。また、酸素プラズマ、ＣＦ4 と酸素の混合プラズマやコロナ放電等で処理してもよい。また、低圧水銀ランプを用いて紫外線を照射することにより、表面改質することもできる。
【００４８】
(5) 次に、必要により、バイアホール用開口を設けた層間樹脂絶縁層の表面を粗化する。無電解めっき用接着剤を用いて層間樹脂絶縁層を形成した場合、層間樹脂絶縁層の粗化は、無電解めっき用接着剤層の表面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸または酸化剤で溶解除去することにより行う。
酸処理等により形成する粗化面の高さは、Ｒｍａｘ＝０．０１〜２０μｍが望ましい。導体回路との密着性を確保するためである。特にセミアディティブ法では、０．１〜５μｍが望ましい。密着性を確保しつつ、金属層を除去することができるからである。
【００４９】
上記酸処理を行う際には、リン酸、塩酸、硫酸、または、蟻酸や酢酸などの有機酸を用いることができ、特に有機酸を用いるのが望ましい。粗化形成処理した場合に、バイアホールから露出する金属導体層を腐食させにくいからである。
上記酸化処理は、クロム酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）を用いることが望ましい。
【００５０】
(6) 次に、層間樹脂絶縁層およびバイアホールの開口部の表面にＣｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、ＣｏおよびＷ等の金属からなる薄膜導体層を形成する。上記薄膜導体層は単独の金属からなるものであってもよいし、２種以上の金属からなるものであってもよい。また、上記薄膜導体層は、１層であってもよいし、２層以上であってもよい。
この薄膜導体層の厚さは、０．１〜５μｍが望ましく、０．５〜２μｍがより望ましい。また、上記薄膜導体層は、スパッタリング、めっき、もしくは、スパッタリングおよびめっきを行うことにより形成することが望ましい。特に、スパッタリングにより薄膜導体層を形成する場合は、その膜厚は０．５〜２μｍであることが望ましい。
【００５１】
(7) 次に、上記薄膜導体層上に、被覆層を形成する。上記被覆層は、Ｓｎ、Ｐｄ等の金属をめっきやスパッタリングしたり、黒化−還元処理により酸化膜を形成することにより形成する。
【００５２】
(8) 続いて、上記(7) で形成した被覆層上にめっきレジストを形成する。
このめっきレジストは、感光性ドライフィルムを薄膜導体層上にラミネートした後、露光、現像処理を施すことにより形成される。
上記現像処理時に用いる現像液によって、現像処理と同時に被覆層を除去することが最も望ましいが、現像液により被覆層を除去できなかった場合には、硫酸、塩酸、硝酸等を用いて被覆層を除去することが望ましい。
【００５３】
(9) 次に、層間樹脂絶縁層上に形成した薄膜導体層または薄膜導体層上の被覆層をめっきリードとして電気めっきを行い、導体回路を厚付けする。電気めっき膜の膜厚は、５〜３０μｍが好ましい。上記電気めっきとしては、銅めっきを用いることが望ましい。
この時、バイアホール用開口を電気めっきで充填してフィルドビア構造としてもよい。
【００５４】
(10)電気めっき膜を形成した後、めっきレジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた被覆層および薄膜導体層をエッチングにより除去し、独立した導体回路とする。
エッチング液としては、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅の水溶液、塩酸、硝酸、熱希硫酸等が挙げられる。また、前述した第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用いて、導体回路間のエッチングと同時に粗化面を形成してもよい。
【００５５】
(11)必要により、(3) 〜(9) の工程を繰り返し、さらに、必要により、最上層の導体回路に上記(3) の工程と同様の条件で無電解めっきやエッチング等を施し、最上層の導体回路上に粗化層または粗化面を形成する。
【００５６】
次に、最上層の導体回路を含む基板面にロールコータ法等によりソルダーレジスト樹脂組成物を塗布し、レーザ処理、露光、現像処理等による開口処理を行い、硬化処理等を行うことにより、ソルダーレジスト層を形成する。
そしてこの後、ソルダーレジスト層の開口部分に半田バンプを形成することによりプリント配線板の製造を終了する。
【００５７】
また、この工程で、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
以上の方法は、セミアディティブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用してもよい。
【００５８】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００５９】
（実施例１）
Ａ．ポリオレフィン系樹脂組成物からなる樹脂フィルムの作製
(i) ５００ｍｌのｎ−ヘプタン中に、スチレン１０４ｇおよびブチルリチウム１０．８ｇを溶解させ、７０℃で３時間加熱した。
(ii)上記処理を行った溶液中に、エチレン：ブタジエンの容量比が３：１の混合ガスを吹き込みながら、７０℃で５時間放置した。
【００６０】
(iii) この後、さらにＩ2 を添加し、１００℃で１時間放置することにより、ｎ−ヘプタンを除去した。
(iv) 残った生成物をアセトンにて洗浄し、未反応物およびＬｉＩを除去した。
その後、粒径が０．１μｍで球状のメラニンと粒径が０．０５μｍの球状のメラニンを２：１の割合で配合し、凝集せずに分散するように混合した。
【００６１】
(v) (iv)の工程で得られた混合物のうち、５０ｇを再度５００ｍｌのｎ−ヘプタンに溶解させ、さらに１ｇの過酸化ベンゾイルを溶かした後、この溶液をポリエチレンテレフタレートフィルム上に薄く広げ、このフィルム状物を５０℃まで加熱した後、さらに１℃／分でゆっくりと加熱し、１００℃に達した後、３０分放置することにより溶剤を除去した。
このようにして、４０μｍの厚さの半硬化状態のポリオレフィンオリゴマーからなる樹脂フィルムが得られた。
【００６２】
Ｂ．樹脂充填材の調製
(i) ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドマテックス社製、ＣＲＳ １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４０〜５０Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。
なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【００６３】
Ｃ．プリント配線板の製造方法
(1) 厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図２（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成した。
【００６４】
(2) スルーホール９および下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図２（ｂ）参照）。
【００６５】
(3) 上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内にスルホール９内、および、基板１の片面の導体回路非成形部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填材１０の層を形成した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押しこんだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて、凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材１０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図２（ｃ）参照）。
【００６６】
(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路外縁部に形成された樹脂充填材１０の層や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の層の上部を研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
なお、必要に応じて、研摩の前後にエッチングを行い、スルーホール９のランド９ａおよび下層導体回路４に形成された粗化面４ａを平坦化してもよい。
この後、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。
【００６７】
このようにして、スルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図２（ｄ）参照）。
【００６８】
(5) 次に、上記(4) の処理を終えた基板の両面に、上記(2) で用いたエッチング液と同じエッチング液をスプレーで吹きつけ、一旦平坦化された下層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図３（ａ）参照）。
【００６９】
(6) 次に、基板の両面に、上記Ａにおいて作製した厚さ４０μｍのポリオレフィン系樹脂組成物からなるフィルムを温度１６０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2 で圧着、積層し、上記ポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層２を形成した（図３（ｂ）参照）。形成された層間樹脂絶縁層の厚さは、３０μｍであった。
【００７０】
(7) 次に、波長０．２４８μｍのエキシマレーザにて、ポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層２に直径８０μｍのバイアホール用開口６を設けた（図３（ｃ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。
【００７１】
(8) 次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用い、Ｎｉをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ金属層１２ａを層間樹脂絶縁層２の表面に形成した（図３（ｄ）参照）。このとき、形成されたＮｉ金属層１２ａの厚さは０．１μｍであった。
【００７２】
(9) 次に、上記ＳＶ−４５４０を用いて、Ｃｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．８Ｐａ、温度８０℃、電力４５００Ｗ、時間２分間の条件で行い、Ｎｉ金属層１２ａの表面に厚さ０．２μｍのＣｕ金属層１２ｂを形成した。（図４（ａ）参照）。
【００７３】
（10) 続いて、Ｃｕ金属層１２ｂに以下の方法を用いて黒化−還元処理を施すことにより、Ｃｕ金属層１２ｂの表面に厚さ０．１μｍの酸化膜（図示せず）を形成した。すなわち、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、Ｃｕ金属層１２ｂの表面に酸化膜を形成した。
【００７４】
(11)市販の感光性ドライフィルムを酸化膜の表面に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理を行うことより、厚さ１５μｍのめっきレジスト３を設けた（図４（ｂ）参照）。また、この現像処理の後、１０体積％の硫酸溶液を用いた酸処理を行うことにより、上記（10) で形成した酸化膜のうちめっきレジスト非形成部の酸化膜を溶解除去した。
【００７５】
(12)ついで、レジスト非形成部に以下の条件で電気銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電気銅めっき膜１３を形成した（図４（ｃ）参照）。
〔電気めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電気めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ2
時間 ６５ 分
温度 ２２±２ ℃
【００７６】
(13)さらにめっきレジストを５％ＫＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の酸化膜および無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路５（バイアホール７を含む）とした（図４（ｄ）参照）。
【００７７】
(14)続いて、上記(5) 〜(13)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成した（図５（ａ）〜図６（ａ）参照）。さらに、上記した工程(5) で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いて、導体回路（バイアホール７を含む）５の表面をエッチングすることにより導体回路（バイアホール７を含む）５の表面に粗化面を形成した（図６（ｂ）参照）。
【００７８】
(15)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト樹脂組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００７９】
(16)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田パッド部分が開口した、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層（有機層間樹脂絶縁層）１４を形成した。
【００８０】
(17)次に、ソルダーレジスト層（有機層間樹脂絶縁層）１４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成した。
【００８１】
(18)この後、ソルダーレジスト層１４の開口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１７を有する多層配線プリント基板を製造した（図６（ｃ）参照）。
【００８２】
（実施例２）
Ａ．ポリオレフィン系樹脂組成物からなる樹脂フィルムの作製、および、樹脂充填材の調製を実施例１と同様に行った。
【００８３】
Ｂ．プリント配線板の製造方法
(1) 厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図７（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成した。
【００８４】
(2) スルーホール９および下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図７（ｂ）参照）。
【００８５】
(3) 上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内にスルホール９内、および、基板１の片面の導体回路非成形部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填材１０の層を形成した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押しこんだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて、凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材１０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図７（ｃ）参照）。
【００８６】
(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路外縁部に形成された樹脂充填材１０の層や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の層の上部を研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
なお、必要に応じて、研摩の前後にエッチングを行い、スルーホール９のランド９ａおよび下層導体回路４に形成された粗化面４ａを平坦化してもよい。
この後、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。
【００８７】
このようにして、スルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図７（ｄ）参照）。
【００８８】
(5) 次に、上記(4) の処理を終えた基板の両面に、上記(2) で用いたエッチング液と同じエッチング液をスプレーで吹きつけ、一旦平坦化された下層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図８（ａ）参照）。
【００８９】
(6) 次に、基板の両面に、上記Ａにおいて作製した厚さ４０μｍのポリオレフィン系樹脂組成物からなるフィルムを温度１６０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2 で圧着、積層し、上記ポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層２を形成した（図８（ｂ）参照）。形成された層間樹脂絶縁層の厚さは、３０μｍであった。
【００９０】
(7) 次に、波長０．２４８μｍのエキシマレーザにて、ポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層２に直径８０μｍのバイアホール用開口６を設けた（図８（ｃ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。
【００９１】
(8) 次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用い、Ｎｉをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ金属層１２ａを層間樹脂絶縁層２の表面に形成した（図８（ｄ）参照）。このとき、形成されたＮｉ金属層１２ａの厚さは０．１μｍであった。
【００９２】
(9) 次に、上記ＳＶ−４５４０を用いて、Ｃｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．８Ｐａ、温度８０℃、電力４５００Ｗ、時間２分間の条件で行い、Ｎｉ金属層１２ａの表面に厚さ０．２μｍのＣｕ金属層１２ｂを形成した。（図９（ａ）参照）。
【００９３】
（10) 続いて、Ｃｕ金属層１２ｂに以下の条件で無電解スズめっきを行うことにより、厚さ０．０１μｍのスズめっき膜（図示せず）を形成した。
〔無電解スズめっき水溶液〕
ホウフッ化スズ ０．５０ｍｏｌ／ｌ
チオ尿素 ０．３７ｍｏｌ／ｌ
ＰＥＧ １．００ ｇ／ｌ
次亜リン酸ナトリウム ２０．０ ｇ／ｌ
〔めっき条件〕
温度 ２５℃
時間 １分
【００９４】
(11)市販の感光性ドライフィルムをスズめっき膜の表面に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理を行うことより、厚さ２５μｍのめっきレジスト３を設けた（図９（ｂ）参照）。さらに、現像処理終了後、めっきレジスト非形成部のスズめっき膜を１０体積％の過酸化水素−硝酸水溶液で溶解除去した。
【００９５】
(12)ついで、レジスト非形成部に以下の条件で電気銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電気銅めっき膜１３を形成した（図９（ｃ）参照）。
〔電気めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電気めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ2
時間 ６５ 分
温度 ２２±２ ℃
【００９６】
(13)さらにめっきレジストを５％ＫＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の電気パラジウムめっき膜および無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路５（バイアホール７を含む）とした（図９（ｄ）参照）。
(14)続いて、上記(5) 〜(13)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成した（図１０（ａ）〜図１１（ａ）参照）。さらに、上記した工程(5) で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いて、導体回路（バイアホール７を含む）５の表面をエッチングすることにより導体回路（バイアホール７を含む）５の表面に粗化面を形成した（図１１（ｂ）参照）。
【００９７】
(15)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト樹脂組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００９８】
(16)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田パッド部分が開口した、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層（有機層間樹脂絶縁層）１４を形成した。
【００９９】
(17)次に、ソルダーレジスト層（有機層間樹脂絶縁層）１４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成した。
【０１００】
(18)この後、ソルダーレジスト層１４の開口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１７を有する多層配線プリント基板を製造した（図１１（ｃ）参照）。
【０１０１】
（比較例１）
上記(10)の工程において、酸化膜を形成しなかった以外は実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
なお、感光性ドライフィルムを露光、現像処理した後、めっきレジスト３の設けられた基板の断面を顕微鏡で観察したところ、めっきレジストの形状は、裾引き形状であった。
【０１０２】
実施例１、２および比較例１で得られた多層プリント配線板について、該多層プリント配線板をカッターで切断し、その断面を顕微鏡で観察したところ、実施例１、２の多層プリント配線板では、断面がアンダーカット形状の導体回路はみられなかったのに対し、比較例１の多層プリント配線板では、一部に断面がアンダーカット形状の導体回路がみられた。
【０１０３】
さらに、実施例１、２および比較例１で得られた多層プリント配線板について、−５５℃で３０分間保持した後、１２５℃で３０分間保持するヒートサイクルを１０００回繰り返すヒートサイクル試験を実施した後、多層プリント配線板をカッターで切断し、その断面を顕微鏡で観察した。その結果、実施例１、２の多層プリント配線板では、導体回路の剥離はなく、層間樹脂絶縁層にクラックの発生もみられなかったの対し、比較例１の多層プリント配線板では、一部に剥離している導体回路が見られ、また、層間樹脂絶縁層の一部にクラックの発生がみられた。
【０１０４】
さらに、実施例１、２および比較例１で得られた多層プリント配線板について、ヒートサイクル試験を実施した後、導通試験を行ったところ、実施例１、２の多層プリント配線板では、導通不良が発生していなかったのに対し、比較例１の多層プリント配線板では、一部に導通不良が発生していた。
【０１０５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、アンダーカット形状や裾引き形状でなく、表面が平坦なめっきレジストを形成することができるため、隣接する導体回路間で短絡の発生するおそれがなく、信号遅延や信号エラーが発生せず、導体回路と層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層との密着性が充分であり、ヒートサイクル条件下や高温高湿下において、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層にクラックが発生しにくく、導体回路の剥離が発生しにくい接続信頼性に優れる多層プリント配線板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図５】 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１０】 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の製造方法を用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１２】 （ａ）〜（ｄ）は、従来の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１３】 （ａ）〜（ｄ）は、従来の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 基板
２、１０２ 層間樹脂絶縁層
３ めっきレジスト
４ 下層導体回路
４ａ 粗化面
５ 上層導体回路
６ バイアホール用開口
７ バイアホール
８ 銅箔
９ スルーホール
９ａ 粗化面
１０ 樹脂充填材
１２ａ Ｎｉ金属層
１２ｂ Ｃｕ金属層
１３、１１３ 電気めっき膜
１４ ソルダーレジスト層
１５ ニッケルめっき膜
１６ 金めっき膜
１７ はんだバンプ
１８ 感光性ドライフィルム
１９ めっきレジスト非形成部
２０ 感光性ドライフィルムの残留物
２１ マスク
２２ 光源
２３ 被覆層
１０５ 導体回路
１１２ 薄膜導体層
Claims (1)
1)薄膜導体層が形成された層間樹脂絶縁層上に感光性ドライフィルムを貼り付ける工程、2)前記感光性ドライフィルムに露光、現像処理を施すことによりめっきレジストを形成する工程、および、3)めっきレジスト非形成部に導体回路を形成する工程を含む多層プリント配線板の製造方法であって、
前記1)の工程において、前記薄膜導体層上に、Ｐｄからなる金属による被覆層を形成するか、または、艶消し用コーティング剤からなる薬剤を用いた被覆層を形成した後、感光性ドライフィルムを貼り付け、
前記2)の工程において、前記めっきレジストを形成した後、前記被覆層を除去することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
前記1)の工程において、前記薄膜導体層上に、Ｐｄからなる金属による被覆層を形成するか、または、艶消し用コーティング剤からなる薬剤を用いた被覆層を形成した後、感光性ドライフィルムを貼り付け、
前記2)の工程において、前記めっきレジストを形成した後、前記被覆層を除去することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
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