JPH0794865A

JPH0794865A - 多層配線板の製造方法

Info

Publication number: JPH0794865A
Application number: JP23511793A
Authority: JP
Inventors: Honchin En; 本鎮袁
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1993-09-21
Filing date: 1993-09-21
Publication date: 1995-04-07

Abstract

(57)【要約】【目的】導体パターンの形状及び密着性を向上させ、
パターンめっき前の検査を容易にかつ効率良く行える多
層配線板の製造方法を提供すること。【構成】感光性樹脂の塗布後に露光現像及び硬化処理
を行い、基板１上に層間絶縁層Ｉ1 を形成する。導体パ
ターンＣ2 の密着性を向上し得る金属をスパッタリング
し、層間絶縁層Ｉ1 上に第１層めの金属薄層であるＣｒ
薄層Ｌ1 を形成する。スパッタリングにより、Ｃｒ薄層
Ｌ1 上に第２層めの金属薄層であるＣｕ薄層Ｌ2 を形成
する。スパッタリングにより、Ｃｕ薄層Ｌ2 上に第３層
めの金属薄層であるＣｒ薄層Ｌ3 を形成する。Ｃｒ薄層
Ｌ3 上にめっきレジスト３を配置しかつＣｒ薄層Ｌ3 を
除去し、Ｃｕ薄層Ｌ2 を部分的に露出させる。露出した
Ｃｕ薄層Ｌ2 上に銅めっき層Ｌ4 を形成する。めっきレ
ジスト３及び各金属薄層Ｌ1〜Ｌ3 を除去する。以上の
工程を繰り返す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、多層配線板の製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】大規模かつ高速度のコンピュータシステ
ム等を実現する場合、通常、小型で高速・高集積のＬＳ
Ｉチップ等を使用し、それらを高速化に適した構造にし
て配線板に実装することが重要な課題となる。そして、
特に近年においては、多層化や導体パターンの細線化・
薄膜化を図ることなどによって、より高密度実装が可能
な配線板を作製することが盛んに試みられている。

【０００３】多層配線板は、例えば次のような手順を経
て作製される。まず、セラミックスや樹脂等からなる基
板に感光性樹脂を塗布し、露光・現像することによっ
て、絶縁層を形成する。Ｃｒ，Ｃｕを続けてスパッタリ
ングすることにより、絶縁層上にＣｒ薄層及びＣｕ薄層
を順次形成する。Ｃｕ薄層上に液状の感光性レジストを
塗布し、プリベーク、露光・現像及びポストベークを行
うことにより、チャンネル状のめっきレジストを形成す
る。Ｃｕめっきによって導体パターンを形成した後、不
要になっためっきレジストとＣｒ薄層及びＣｕ薄層とを
エッチングする。そして、以上の工程を必要に応じて繰
り返すことにより、絶縁層と導体パターンとが交互に積
層された構成を有する所望の多層配線板が作製される。

【０００４】このような構成の多層配線板において、Ｃ
ｒ薄層及びＣｕ薄層は、導体パターンと絶縁層との密着
性を向上させるための、いわゆる下地層として形成され
る。そして、多層配線板の低コスト化を図るためには、
スパッタリングによって形成される下地層をできるかぎ
り薄く（トータルで０．５μｍ以下に）することが良い
とされている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な多層配線板の製造方法には次のような問題があった。
通常のアディティブプロセスでは、めっきの析出不良等
を防止するために、めっきレジスト工程によって発生し
た有機分や異物等をめっき析出部分から除去した後にパ
ターンめっき工程を行っていた。このため、アディティ
ブプロセスでは、その除去手段として比較的弱い処理条
件でのエッチング（ソフトエッチング）を実施してい
た。

【０００６】しかし、上記の多層配線板の場合、下地層
（とりわけ第２層めのＣｕ薄層）が極めて薄いものであ
るため、エッチングの制御が難しく、オーバーエッチン
グになり易かった。このため、ソフトエッチングを実施
することができず、Ｃｕめっき層と下地層との密着性の
悪化や、めっき未析出の発生などといった不具合が生じ
ていた。

【０００７】図３（ａ）には、絶縁層１０上に設けられ
た下地層（Ｃｒ薄層１１＋Ｃｕ薄層１２）１３にめっき
レジスト１４を塗布し、プリベーク及び露光・現像を行
った直後の状態が示されている。しかしながら、このよ
うに形成されためっきレジスト１４をポストベークする
と、図３（ｂ）に示されるようにめっきレジスト１４が
型崩れしてしまう。また、めっきレジスト１４とＣｕ薄
層１１との密着性が低いため、図３（ｃ）に示されるよ
うにＣｕ薄層１１がオーバーエッチングされ易くなり、
結果として形状の良い導体パターンを得ることが困難で
あった。

【０００８】また、パターンめっき前に検査を行う場
合、めっきレジスト１４の厚さが薄くなるほど、Ｃｕ薄
層１１上におけるめっきレジスト１４の残留の有無を識
別することが難しくなるという問題があった。つまり、
めっきレジスト１４が薄くなると、透けてその下のＣｕ
薄層１１が見えてしまうからである。そのため、検査に
時間がかかり、効率が非常に悪かった。

【０００９】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、導体パターンの形状及び密着性を
向上させることができ、かつパターンめっき前の検査を
容易にかつ効率良く行うことができる多層配線板の製造
方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明では、樹脂製の層間絶縁層と金属製の導体
パターンとを基板上に交互に積層形成する多層配線板の
製造方法において、少なくとも下記(a) 〜(g) の工程、
即ち、(a) 感光性樹脂を塗布した後、露光現像及び硬化
処理を行うことにより、基板上に層間絶縁層を形成する
工程、(b) 導体パターンの密着性を向上し得る金属をス
パッタリングすることにより、前記層間絶縁層上に第１
層めの金属薄層を形成する工程、(c) スパッタリングに
より前記第１層めの金属薄層上に第２層めの金属薄層を
形成する工程、(d) スパッタリングにより前記第２層め
の金属薄層上に第３層めの金属薄層を形成する工程、
(e) 前記第３層めの金属薄層上の所定部分にレジストを
配置してから前記第３の金属薄層を除去することによ
り、前記第２層めの金属薄層を部分的に露出させる工
程、(f) 露出した第２層めの金属薄層上に銅めっき層を
形成する工程、(g) 前記レジスト及びそのレジスト下に
位置している各金属薄層を除去する工程を順次行うこと
を特徴とする多層配線板の製造方法をその要旨としてい
る。

【００１１】この場合、前記層間絶縁層が透明または半
透明であるとき、前記第３層めの金属薄層として、前記
第２層めの金属薄層の色彩と識別し得る程度に異なる色
彩を有するものを選択しても良い。

【００１２】

【作用】この方法によると、まず第１層めから第３層め
の金属薄層が形成された後、最外層にレジストが形成さ
れる。そして、この状態で例えばソフトエッチングが行
われると、レジスト非形成部分にあたる第３層めの金属
薄層のみが除去されることになる。このため、オーバー
エッチングになることによって第２層め以下の金属薄層
も同時に除去されてしまうというような心配がない。よ
って、パターンめっき工程前のソフトエッチングが可能
になり、かつその制御も容易なものとなる。そして、レ
ジストの残渣が確実に除去され、銅めっき層の密着性が
向上しかつめっき未析出が発生しなくなる。

【００１３】また、第２層めの金属薄層と第３層めの金
属薄層とでは異なる金属が使用されることから、両者の
反射率等の違い等によって容易に識別することができ
る。ゆえに、従来方法とは異なり、パターンめっき前の
検査を容易にかつ効率良く行うことができる。

【００１４】本発明の多層配線板の製造方法を工程順に
詳細に説明する。本発明では、セラミックス、金属及び
樹脂を主材料とする基板が用いられる。セラミックス基
板としては、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板、
アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）基板、窒化ホウ素（ＢＮ）基
板、窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）基板、ムライト（３Ａｌ₂
Ｏ₃・２ＳｉＯ₂）基板等がある。金属基板としては、
例えばりん青銅基板、アルミニウム基板、アルマイト基
板等がある。樹脂基板としては、例えばガラスエポキシ
基板やガラスポリイミド基板等がある。

【００１５】基板の表面には、従来公知の方法によって
導体パターンが形成され、かつその上には感光性樹脂製
の層間絶縁層が形成される。そして、これらは本発明の
多層配線板において、第１層めの導体パターン及び層間
絶縁層となる。

【００１６】層間絶縁層は、感光性樹脂を塗布した後に
その樹脂をプリベーク、露光・現像、ポストベークする
ことによって形成される。本発明において使用される感
光性樹脂としては、例えばポリイミド、ビスマレイミド
−トリアジン（ＢＴ）、ジビニルシロキサンビスベンゾ
シクロブテン（ＢＣＢ）、エポキシ、変成ポリイミド、
変成ＢＴ、変成エポキシ等がある。また、前記感光性樹
脂の塗布厚は１０μｍ〜７０μｍ程度であることが良
い。この厚さを前記範囲内としておくことは、好適な諸
電気特性を保持しつつ多層配線板全体の薄層化を図るう
えで好ましいからである。また、樹脂を薄くかつ平滑に
塗布したい場合には、スピンコータを用いることが好ま
しい。そして、層間絶縁層には、フォトリソグラフィ技
術またはエッチング法等の手段によって、各層間の電気
的導通を図るバイアホールが形成される。

【００１７】次に、第２層め以降の導体パターン及び層
間絶縁層の形成手順を述べる。第１層めの層間絶縁層上
には、スパッタリングによって第１層めの金属薄層及び
第２層めの金属薄層が順次形成される。成膜にスパッタ
リングを採用する理由は、前記方法によると薄くかつ密
着性及び緻密性等に優れた皮膜を比較的容易に形成する
ことができるからである。

【００１８】第１層めの金属薄層を形成するための金属
材料としては、例えばＣｒ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ等が
挙げられる。ここに列挙した金属は、銅めっき層−層間
絶縁層間の密着性を向上させる役割や、層間絶縁層への
銅の拡散を防止する役割等を果たすものである。

【００１９】第１層めの金属薄層の厚さは０．０５μｍ
〜０．１μｍであることが好ましい。この厚さが０．０
５μｍ未満であると、拡散防止作用等を充分に得ること
ができなくなる虞れがある。一方、この厚さが０．１μ
ｍを越えると、スパッタリングに時間やコストがかかる
ことになり、好適ではない。

【００２０】第２層めの金属薄層は、第１層めの金属薄
層−銅めっき層間の密着性を向上させる役割を果たすも
のである。第２層めの金属薄層を形成するための金属材
料としては、例えばＣｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐ
ｔ，Ｐｄ等が挙げられる。この場合、貴金属でないＣ
ｕ，Ｎｉ，Ｆｅを選択すると、貴金属を使用したときに
比べてコスト的に安くすることができ、かつエッチング
も比較的容易になる。なかでも特にＣｕを選択すること
が好ましい。

【００２１】第２層めの金属薄層の厚さは０．０５μｍ
〜０．２μｍであることが望ましい。この厚さが０．０
５μｍ未満であると、銅めっき層の密着性を充分に向上
させることができなくなる虞れがある。一方、この厚さ
が０．２μｍを越えると、スパッタリングに時間やコス
トがかかることになり、好適ではない。

【００２２】第２層めの金属薄層上には、第３層めの金
属薄層が形成される。第３層めの金属薄層を形成するた
めの金属材料としては、例えばＣｒ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｆ
ｅ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｓｎ等が挙げられる。なお、こ
れらの金属のうちＣｒを選択した場合の利点は、レジス
トとの密着性が良いことである。また、Ｆｅ，Ｓｎを選
択した場合の利点は、エッチングし易いことである。ま
た、Ｃｕ以外の金属を選択した場合の利点は、レジスト
との密着性が良くなることに起因してパターン形成精度
が向上することである。

【００２３】第３層めの金属薄層は、スパッタリング等
によって０．１μｍ〜０．３μｍ程度の厚さに形成され
ることが望ましい。この厚さが０．１μｍ未満である
と、エッチングによる残渣の除去効果が充分に得られな
くなる虞れがある。一方、この厚さが０．３μｍを越え
ると、特にスパッタリングの場合には時間やコストがか
かることになってしまう。また、第３層めの金属薄層
は、めっきなどの湿式法によって０．５μｍ〜３．０μ
ｍ程度の厚さに形成することもできる。湿式法による形
成が可能な金属の例としては、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｓｎ
がある。なお、湿式法によるとコスト的に安くなるとい
う利点がある。

【００２４】なお、第２層めの金属薄層と第３層めの金
属薄層との組み合わせ例を表１に示す。本発明では、表
中において○で示される組合せにする必要がある。

【００２５】

【表１】

【００２６】次いで、第３層めの金属薄層上には、感光
性レジストにより厚さ２μｍ〜１０μｍ程度のチャンネ
ル状の配線パターンが形成される。そして、エッチング
によりレジストパターンから露出している第３層めの金
属薄層を除去すると、第２層めの金属薄層が部分的に露
出した状態となる。

【００２７】この場合、第３層めの金属薄層を溶解し得
るエッチャントとして、例えばＨ₂ＳＯ₄＋Ｈ₂Ｏ₂，
Ｈ₂ＳＯ₄，ＨＣｌ，ＨＦ，ＣｕＣｌ₂＋ＮＨ₃，Ｆｅ
Ｃｌ ₃＋ＨＣｌ，ＮａＯＨ等が使用される。前述の表１
には、特定の組合せにした場合において使用可能なエッ
チャントが例示されている。即ち、第２層めの金属薄層
を溶解させることなく、第３層めの金属薄層を溶解させ
るものをエッチャントとして選択する必要があるという
ことである。

【００２８】ところで、層間絶縁層が透明または半透明
であるとき、第３層めの金属薄層として第２層めの金属
薄層の色彩と識別し得る程度に異なる色彩を有するもの
を選択することが望ましい。その理由は、色彩が異なる
金属同士を組み合わせると、例えば反射率のみが異なり
色彩がほぼ同じ金属同士を組み合わせた場合に比べて、
パターンめっき工程前の検査が容易になるからである。
なお、上記のような組合せの例としては、Ｃｕ（銅色）
とＣｒ（銀色）、Ｃｕ（銅色）とＳｎ（銀色）、Ａｇ
（銀色）とＣｕ（銅色）、Ａｕ（金色）とＣｒ（銀色）
等がある。

【００２９】レジスト非形成部分には、電解銅めっきま
たは無電解銅めっきによって銅めっき層が形成される。
この場合、成膜速度が速く、めっき設備等も簡単なもの
で足りるという理由から、電解銅めっきを実施すること
が好ましい。なお、銅めっき層は、導体パターンにおい
て実質的な導体層として機能する金属層であることか
ら、各金属薄層に比べて厚めに（３μｍ〜１５μｍ程
度）形成される。

【００３０】次いで、レジストは剥離され、更にその下
に位置していた各金属薄層も前述のエッチャントによっ
て除去される。この処理によって、金属層において不要
な部分が除去され、その結果として複数種の金属からな
る第２層めの導体パターンが得られる。

【００３１】以上のようなプロセスを必要に応じて繰り
返し行い、第３層め以降の導体パターン及び層間絶縁層
を形成することにより、所望の多層配線板が製造され
る。

【００３２】

【実施例】〔実施例１〕まず、実施例１の多層配線板を
製造方法を図１（ａ）〜図１（ｇ）に基づき詳細に説明
する。

【００３３】工程（１）：本実施例では、図１（ａ）に
示されるように、第１層めの導体パターンＣ1 が形成さ
れた厚さ０．５mmの銅張ガラスエポキシ基板１を出発材
料とした。そして、スピンコータを用いることによっ
て、層間絶縁層Ｉ1 となる感光性エポキシ樹脂（イビデ
ン株式会社製）を基板１に厚さが３２μｍになるように
塗布した。

【００３４】工程（２）：前記感光性エポキシ樹脂を７
５℃で３０分間プリベークした後、露光・現像を行い、
更に１５０℃で６０分間の硬化処理を行った。以上の処
理によって、図１（ｂ）に示されるように、直径３０μ
ｍのバイアホール２を備える厚さ２０μｍの第１層めの
層間絶縁層Ｉ1 を得た。

【００３５】工程（３）：真空スパッタ装置（徳田製作
所製：ＣＦＳ−８ＥＰ）を用い、絶縁層Ｉ1 上に対して
Ｃｒ，Ｃｕ，Ｃｒの順にスパッタリングを行った。この
スパッタリングにより、図１（ｃ）に示されるように、
第１層めの金属薄層である０．１μｍのＣｒ薄層Ｌ1 、
第２層めの金属薄層である０．２μｍのＣｕ薄層Ｌ2 、
第３層めの金属薄層である０．２μｍのＣｒ薄層Ｌ3 を
形成した。

【００３６】また、本実施例において、第１回めのＣｒ
のＲＦスパッタリングではアルゴンのガス圧を０．８Ｐ
ａとし、スパッタリング時間を１０分とした。ＣｕのＤ
Ｃスパッタリングでは前記ガス圧を０．８Ｐａとし、ス
パッタリング時間を１０分とした。第２回めのＣｒのス
パッタリングでは前記ガス圧を０．８Ｐａとし、スパッ
タリング時間を２０分とした。

【００３７】工程（４）：図１（ｄ）に示されるよう
に、スピンコータによってＣｒ薄層Ｌ3 上に液状フォト
レジスト（ヘキストジャパン株式会社製：ＡＺ４２１
０）３ａを厚さが１０μｍになるように塗布した。

【００３８】液状フォトレジスト３ａを乾燥した後、プ
リベーク、露光・現像及びポストベークを行うことによ
って、図１（ｅ）に示されるように、Ｌ／Ｓ＝３０μｍ
／３０μｍのチャンネル状のめっきレジスト３とした。

【００３９】工程（５）：Ｃｒを溶解し得るエッチャン
トとして５０％のＨＣｌ水溶液を用い、その水溶液中に
前記基板１を２０分間浸漬した。その結果、Ｃｒ薄層Ｌ
3 を除去し、図１（ｅ）に示されるように第２層めの金
属薄層であるＣｕ薄層Ｌ2 を部分的に露出させた。

【００４０】ここで光学顕微鏡下でＣｕ薄層Ｌ2 の表面
を観察することにより、エッチング状況、つまりＣｕ薄
層Ｌ2 上からＣｒ薄層Ｌ3 が完全に除去されているか否
かを検査した。そして、エッチング状況が良好でないも
のについては、必要に応じて修正作業を行った後に次の
工程を行うこととした。エッチング状況が良好であるも
のについてはそのまま次の工程を行うこととした。

【００４１】工程（６）：基板１を水洗した後、下記の
硫酸銅電解めっき浴による電解銅めっきを実施した。そ
して、めっきレジスト３から部分的に露出しているＣｕ
薄層Ｌ2 上に、図１（ｆ）に示されるような厚さ８．０
μｍのＣｕめっき層Ｌ4 を析出させた。

【００４２】硫酸：１６０g/l 〜２００g/l ，硫酸銅
５０g/l 〜７０g/l ，塩素イオン：３０mg/l〜６０mg/
l，光沢剤：４ml/l〜１０ml/l，カソード電流密度：
１．０A/dm²〜４．０A/dm²，浴温：２４℃〜２６℃，
めっき時間：１６分間．工程（７）：基板１をアセトンに浸漬することによっ
て、基板１からめっきレジスト３を剥離した。

【００４３】この後、Ｃｕを溶解し得るエッチャントと
してＨ₂ＳＯ₄＋Ｈ₂Ｏ₂水溶液を用い、かつＣｒを溶
解し得るエッチャントとして５０％のＨＣｌ水溶液を用
いて、Ｃｒ薄層Ｌ3 ，Ｌ1 及びＣｕ薄層Ｌ2 を除去し
た。そして、図１（ｇ）に示されるように、Ｃｒ薄層Ｌ
1 ，Ｃｕ薄層Ｌ2 ，Ｃｕめっき層Ｌ4 の合計３層からな
る導体パターンＣ2 を得た。

【００４４】工程（８）：前記工程（２）から工程
（７）を繰り返し行い、最終的に図２に示されるよう
な、基板１上に６層の導体パターンＣ1 〜Ｃ6 と５層の
絶縁層Ｉ1〜Ｉ5 とを持つ多層配線板を得た。

【００４５】上記の一連の工程によって得られた多層配
線板の諸特性（導体パターンの形状の良否、プル強
度（kg/mm²）、導体パターンの断線及び短絡の発生）
を調査した。それらの結果を表２に示す。

【００４６】顕微鏡下で観察を行ったところ、各層の導
体パターンＣ2 〜Ｃ6 に断線及び短絡等といった不具合
は全く認められなかった。また、層間絶縁層Ｉ1 〜Ｉ5
形成用の樹脂としてＣｕとの密着性の良い感光性エポキ
シ樹脂が使用されているため、導体パターンＣ2 〜Ｃ6
の断面形状も極めて良好であった。そして、プル強度を
測定したところ１．９kg／mm²という好適な値が得ら
れ、導体パターンＣ2 〜Ｃ6 に優れた密着性が確保され
ていることがわかった。

【００４７】以上のように、実施例１の方法に従えば、
導体パターンＣ2 〜Ｃ6 の形状及び密着性を確実に向上
させることができ、もって優れた多層配線板を得ること
ができるという結論に達する。

【００４８】また、実施例１の場合、スパッタリングに
よって形成される各金属薄層Ｌ1 〜Ｌ3 の厚さは、トー
タルで０．５μｍと極めて薄い。しかも、この実施例１
の場合、スパッタリングに必要なターゲット材はＣｒ，
Ｃｕの２種類で良い。以上のようなことから実施例１の
製造方法に従えば、多層配線板を比較的低コストに形成
できるということがわかる。

【００４９】更に、実施例１の多層配線板の場合、Ｃｕ
薄層Ｌ2 とＣｒ薄層Ｌ3 とでは反射率及び色彩が異なる
ため、顕微鏡下でのパターンめっき工程前の検査が極め
て容易であった。また、実施例１の場合、めっきレジス
ト３及びＣｒ薄層Ｌ3 を一旦剥離してから再度、Ｃｒ薄
層Ｌ3 を形成する工程以降の工程を行えば良いことにな
る。よって、修正が極めて容易であるという利点があっ
た。〔実施例２〕次に、実施例２の多層配線板の製造方法に
ついて詳細に説明する。なお、本実施例の多層配線板も
基本的には前記実施例１とほぼ同様の手順を経て作製さ
れるものであるため、前図１を流用して説明する。

【００５０】工程（１）：実施例２ではＡｌ₂Ｏ₃基板
（Ａｌ₂Ｏ₃＝９３％）１を選択し、図１（ａ）に示さ
れるように、その基板１上にスパッタリング及びめっき
によって第１層めの導体パターンＣ1 を形成した。そし
て、スピンコータを用いることによって、層間絶縁層Ｉ
1 となる感光性ポリイミド樹脂（東レ製：ＵＲ−３１４
０）を厚さが３２μｍになるように塗布した。

【００５１】工程（２）：前記感光性ポリイミド樹脂を
８０℃で９０分間プリベークした後、露光・現像を行
い、更に３８０℃で３０分間の硬化処理を行った。以上
の処理によって、図１（ｂ）に示されるように、直径２
０μｍのバイアホール２を備える厚さ１６μｍの第１層
めの層間絶縁層Ｉ1 を得た。

【００５２】工程（３）：上述の真空スパッタ装置を用
い、絶縁層Ｉ1 上に対してＴｉ，Ｃｕ，Ｓｎの順にスパ
ッタリングを行った。このスパッタリングにより、図１
（ｃ）に示されるように、第１層めの金属薄層である
０．１μｍのＴｉ薄層Ｌ1 、第２層めの金属薄層である
０．２μｍのＣｕ薄層Ｌ2 、第３層めの金属薄層である
０．２μｍのＳｎ薄層Ｌ3 を形成した。第３層めの金属
薄層を形成するＳｎは、第２層めの金属薄層を形成する
Ｃｕよりも卑な電位を有する金属である。

【００５３】また、本実施例において、Ｔｉのスパッタ
リングではアルゴンのガス圧を０．７Ｐａとし、スパッ
タリング時間を７分とした。Ｃｕのスパッタリングでは
前記ガス圧を０．８Ｐａとし、スパッタリング時間を１
０分とした。Ｓｎのスパッタリングでは前記ガス圧を
０．８Ｐａとし、スパッタリング時間を１０分とした。

【００５４】工程（４）：図１（ｄ）に示されるよう
に、スピンコータによってＳｎ薄層Ｌ3 上に液状フォト
レジスト（東京応化株式会社製：ＯＭＲ−８３）３ａを
厚さが１０μｍになるように塗布した。

【００５５】液状フォトレジスト３ａを乾燥した後、プ
リベーク、露光・現像及びポストベークを行うことによ
って、図１（ｅ）に示されるように、Ｌ／Ｓ＝３０μｍ
／３０μｍのチャンネル状のめっきレジスト３とした。

【００５６】工程（５）：Ｓｎを溶解し得るエッチャン
トとして２０％のＨＣｌ水溶液を用い、その水溶液中に
前記基板１を４０秒間浸漬した。その結果、Ｓｎ薄層Ｌ
3 を除去し、図１（ｅ）に示されるように第２層めの金
属薄層であるＣｕ薄層Ｌ2 を部分的に露出させた。この
後、光学顕微鏡によるＣｕ薄層Ｌ2 の表面検査を行っ
た。

【００５７】工程（６）：基板１を水洗した後、実施例
１にて使用した硫酸銅電解めっき浴による電解銅めっき
を実施した。そして、めっきレジスト３から部分的に露
出しているＣｕ薄層Ｌ2 上に、図１（ｆ）に示されるよ
うな厚さ４．０μｍのＣｕめっき層Ｌ4 を析出させた。

【００５８】工程（７）：基板１を専用の剥離液（ＯＭ
Ｒ剥離液）に浸漬することによって、基板１からめっき
レジスト３を剥離した。次いで、エッチングによってＳ
ｎ薄層Ｌ3 ，Ｃｕ薄層Ｌ2 及びＴｉ薄層Ｌ1 を順に除去
した。その際、Ｃｕを溶解し得るエッチャントとしてＨ
₂ＳＯ₄＋Ｈ₂Ｏ₂水溶液を用い、Ｔｉを溶解し得るエ
ッチャントとしてＨＦ水溶液を用いた。また、Ｓｎを溶
解し得るエッチャントとしてＨＣｌ水溶液を用いた。

【００５９】そして、図１（ｇ）に示されるように、Ｔ
ｉ薄層Ｌ1 ，Ｃｕ薄層Ｌ2 ，Ｃｕめっき層Ｌ4 の合計３
層からなる導体パターンＣ2 を得た。工程（８）：前記工程（２）から工程（７）を繰り返し
行い、基板１上に４層の導体パターンＣ1 〜Ｃ4 と３層
の絶縁層Ｉ1 〜Ｉ3 とを持つ多層配線板を得た。上記の
一連の工程によって得られた多層配線板を調査した結果
を表２に示す。

【００６０】顕微鏡下で多層配線板を観察したところ、
各層の導体パターンＣ2 〜Ｃ4 に断線及び短絡等といっ
た不具合は全く認められなかった。また、導体パターン
Ｃ2〜Ｃ4 の断面形状も良好であった。そして、プル強
度を測定したところ、２．５kg／mm²という実施例１よ
りも更に好適な値が得られた。よって、導体パターンＣ
2 〜Ｃ4 に優れた密着性が確保されていることがわかっ
た。

【００６１】以上のように実施例２の方法に従えば、実
施例１のときと同じく導体パターンＣ2 〜Ｃ4 の形状及
び密着性を確実に向上させることができ、もって優れた
多層配線板を得ることができるという結論に達する。

【００６２】また、実施例２の多層配線板の場合、Ｃｕ
薄層Ｌ2 とＳｎ薄層Ｌ3 とでは反射率及び色彩が異なる
ため、顕微鏡下でのパターンめっき工程前の検査が極め
て容易であった。更に、実施例２の場合、めっきレジス
ト３及びＳｎ薄層Ｌ3 を一旦剥離してから再度、Ｓｎ薄
層Ｌ3 を形成する工程以降の工程を行えば良いことにな
る。よって、実施例１の場合と同様に、修正が極めて容
易であるという利点があった。〔実施例３〜実施例８，比較例〕表２に示されるよう
に、第１〜第３層めの金属薄層Ｌ1 〜Ｌ3 の種類、層間
絶縁層Ｉ1 〜Ｉ5 形成用の感光性樹脂の種類及び基板１
の種類を変更して、実施例１，２と同様の多層配線板を
作製した（実施例３〜実施例８）。また、従来の製造方
法に準じて多層配線板を作製したものを比較例とした。

【００６３】これらの多層配線板を調査したところ、実
施例３〜実施例８についても実施例１，２と同程度の好
ましい結果が得られることがわかった。逆に、比較例に
ついては、パターン形状及び断線・短絡の発生に関して
実施例１〜実施例８の多層配線板に劣っていた。

【００６４】

【表２】

【００６５】なお、本発明は上記実施例１〜８のみに限
定されることはなく、次のように変更することが可能で
ある。例えば、（ａ）第１層めの金属薄層Ｌ1 をＮｉ薄層とし、かつ第
２層めの金属薄層をＣｕ薄層とすると、一種類のエッチ
ャント（例えばＨＮＯ₃＋Ｈ₂Ｏ₂）によって両者を同
時に剥離することが可能になる。ゆえに、以上のような
金属を組合せれば、製造工程をより簡略化することがで
きる。なお、Ｎｉ−Ｃｕのような組合せのほか、例えば
Ｃｕ−Ｆｅ，Ｆｅ−Ｎｉ，Ｎｉ−Ａｇ等の組合せがあ
る。

【００６６】（ｂ）層間絶縁層Ｉ1 〜Ｉ5 形成用に感光
性ポリイミド樹脂を用いるときには、めっき等によって
Ｃｕめっき層Ｌ3 上にＮｉなど金属層を設けることが良
い。その理由は、Ｃｕめっき層Ｌ3 の拡散が前記金属層
によって防止されるからである。

【００６７】（ｃ）実施例の多層配線板よりもビルドア
ップ層を増設することにより、多層配線板の更なる多層
化を図っても良い。

【００６８】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の多層配線
板の製造方法によれば、導体パターンの形状及び密着性
を向上させることができ、かつパターンめっき前の検査
を容易にかつ効率良く行うことができるという優れた効
果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｇ）は実施例１の多層配線板を製造
する手順を説明するための部分概略断面図である。

【図２】実施例１の多層配線板を示す部分概略断面図で
ある。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は従来の多層配線板の製造方法
における問題点を説明するための要部拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

Ｉ1 〜Ｉ5 …層間絶縁層、Ｃ1 〜Ｃ6 …導体パターン、
１…基板、Ｌ1 …第１層めの金属薄層としてのＣｒ薄層
またはＴｉ薄層、Ｌ2 …第２層めの金属薄層としてのＣ
ｕ薄層、Ｌ3 …第３層めの金属薄層としてのＣｒ薄層ま
たはＳｎ薄層、３…めっきレジスト、Ｌ4 …銅めっき
層。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｂ 7011−4Ｅ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂製の層間絶縁層と金属製の導体パター
ンとを基板上に交互に積層形成する多層配線板の製造方
法において、少なくとも下記(a) 〜(g) の工程を順次行
うことを特徴とした多層配線板の製造方法： (a) 感光性樹脂を塗布した後、露光現像及び硬化処理を
行うことにより、基板上に層間絶縁層を形成する工程、 (b) 導体パターンの密着性を向上し得る金属をスパッタ
リングすることにより、前記層間絶縁層上に第１層めの
金属薄層を形成する工程、 (c) スパッタリングにより前記第１層めの金属薄層上に
第２層めの金属薄層を形成する工程、 (d) スパッタリングにより前記第２層めの金属薄層上に
第３層めの金属薄層を形成する工程、 (e) 前記第３層めの金属薄層上の所定部分にレジストを
配置してから前記第３の金属薄層を除去することによ
り、前記第２層めの金属薄層を部分的に露出させる工
程、 (f) 露出した第２層めの金属薄層上に銅めっき層を形成
する工程、 (g) 前記レジスト及びそのレジスト下に位置している各
金属薄層を除去する工程。
【請求項２】前記層間絶縁層が透明または半透明である
とき、前記第３層めの金属薄層として、前記第２層めの
金属薄層の色彩と識別し得る程度に異なる色彩を有する
ものを選択することを特徴とした請求項１に記載の多層
配線板の製造方法。