JP2002252457A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上に絶縁フィルム層による絶縁層を形成
した多層配線基板において、カップリング剤層の蒸発に
より絶縁フィルム層の膨れが発生するという問題点と細
線な導体層が断線するという問題点を解消すること。 【解決手段】 基板１上に、有機樹脂から成り、上面に
導体層３が形成された複数の絶縁フィルム層４を、絶縁
性接着剤層５で接着して多層に積層した多層配線基板で
あって、導体層３が下地導体層８および主導体層７から
成るとともに主導体層７の上面に厚みが５分子層厚み以
下のカップリング剤層６を形成したものである。導体層
３の細線化が可能となるとともに、絶縁フィルム層４間
においてカップリング剤層６の蒸発をなくすことがで
き、絶縁フィルム層４の膨れが発生することがない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板としては、
配線導体を高密度に形成することを目的として、基板上
に薄膜の絶縁層と導体層とから成る多層配線部を形成し
た多層配線基板が採用されていた。

【０００３】かかる多層配線基板は、酸化アルミニウム
質焼結体等から成る基板の上面に、スピンコート法等に
よって形成されるポリイミド樹脂等から成る薄膜の絶縁
層と、銅等の主導体層とその上下にクロムやニッケル等
のバリア導体層とで構成され、めっき法や蒸着法等の薄
膜形成技術およびフォトリソグラフィー技術を採用する
ことによって形成される多層膜の主導体層とを交互に多
層に積層させた構造を有している。

【０００４】しかしながら、スピンコート法によってポ
リイミド樹脂から成る絶縁層を形成した場合、所望の厚
みに絶縁層を形成するには多数回に分けてポリイミド樹
脂の前駆体を塗布し、このポリイミド樹脂の前駆体をポ
リイミド化させるキュア工程が必要となるため、製造工
程が長くなるという問題点があった。

【０００５】また、ポリイミド樹脂の前駆体に含まれる
成分によって主導体層の銅が腐食されることを防止する
ため、さらにはポリイミド樹脂のキュア工程で300℃以
上の高温に長時間さらされ主導体層の銅が酸化すること
を防止するため、導体層の構成としては銅等の主導体層
とその上下にクロムやニッケルやチタン等のバリア導体
層とが必要になり、上下のバリア導体層を加工する製造
工程が長くなるという問題点があった。

【０００６】そこでポリイミド樹脂等から成り、上面に
導体層が形成された複数の絶縁フィルム層をビスマレイ
ミド系樹脂等から成る絶縁性接着剤層で接着して多層に
積層した多層配線基板が採用されてきている。

【０００７】かかる多層配線基板の形成は、まず絶縁フ
ィルムに絶縁性接着剤をドクターブレード法等を用いて
塗布し乾燥させたものを準備し、上面にめっき法や銅箔
転写法で導体層を形成した基板や下層の絶縁フィルム層
の上面に絶縁性接着剤層が配されるようにこの絶縁フィ
ルム層を積み重ね、これを加熱プレス装置を用いて加熱
加圧し接着することにより行なわれる。

【０００８】この多層配線基板によれば、ポリイミド樹
脂の前駆体をポリイミド化させるキュア工程を削減する
ことができ、さらに導体層のバリア導体層が不要になる
ため製造工程の短い多層配線基板となる。

【０００９】しかしながら、この多層配線基板では導体
層と絶縁フィルム層の接着強度を確保するために導体層
や絶縁フィルム層の上下面を処理液により化学的に粗化
していた。このため導体層や絶縁フィルム層の上下面は
凹凸を有する粗面になり、細線な配線を形成すべき導体
層においては、その凹凸の形成工程でオーバーエッチン
グを起こし消失することがあり導体層の細線化ができな
くなるという問題点があった。

【００１０】そこで、有機樹脂から成り、上面に導体層
が形成された複数の絶縁フィルム層を、カップリング剤
層を介して絶縁性接着剤層で接着して多層に積層した多
層配線基板が採用されてきている。

【００１１】この多層配線基板によれば、導体層の上面
を凹凸に粗化することなく導体層と絶縁フィルム層の接
着強度が得られるため、導体層における配線の細線化が
できるようになった。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、カップ
リング剤層を用いた多層配線基板においては、導体層の
形成時やチップ部品の実装時の加熱処理により絶縁フィ
ルム層間においてカップリング剤層の一部が蒸発し、絶
縁フィルム層の膨れが発生するという問題点があった。

【００１３】また、絶縁フィルム層の上面はその上面に
形成される導体層との接着強度を強固とするために凹凸
を有する粗面にしている。このため、より一層の細線化
の要求に対しては、絶縁フィルム層の上面の凹凸によっ
て細線な導体層が断線することがあり十分に応えること
ができないという問題点があった。

【００１４】本発明は上記従来技術における問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、加熱処理による
絶縁フィルム層の膨れが発生しない、絶縁フィルム層の
接着強度が強固で、高密度配線の可能な多層配線基板を
提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板
は、基板上に、有機樹脂から成り、上面に導体層が形成
された複数の絶縁フィルム層を、絶縁性接着剤層で接着
して多層に積層した多層配線基板であって、導体層が下
地導体層および主導体層から成るとともに、この主導体
層の上面に厚みが５分子層厚み以下のカップリング剤層
を形成したことを特徴とするものである。

【００１６】また、本発明の多層配線基板は、上記の構
成において、前記下地導体層をクロムまたはクロムを主
成分とする合金で、前記主導体層を銅または銅を主成分
とする合金で、前記絶縁フィルム層をポリイミド樹脂
で、前記絶縁性接着剤層をポリイミドシロキサン樹脂
で、前記カップリング剤層をイソプロピルトリＮ−アミ
ノエチルアミノエチルチタネートで形成したことを特徴
とするものである。

【００１７】本発明の多層配線基板によれば、主導体層
の上面にカップリング剤層を５分子層厚み以下に形成し
てあるため、カップリング剤層は分子の配列の乱れが小
さく、主導体層およびカップリング剤層の分子同士が効
率良く結合して均一で強固な層を形成し、孤立したカッ
プリング剤の分子が発生しない。その結果、カップリン
グ剤層の耐熱性が向上し、加熱工程でのカップリング剤
層の蒸発がなくなり、主導体層と絶縁性接着剤層とがカ
ップリング剤層によって強固に接着される。

【００１８】また、導体層は下地導体層および主導体層
から構成されているため、主導体層は回路配線として良
好な電気伝導性のよいもの、また下地導体層は絶縁フィ
ルム層との接着強度が強固なものを必要とされる機能に
応じて採用することができる。このため絶縁フィルム層
と主導体層との接着強度を強固なものとすることができ
るとともに、絶縁フィルム層の上面を凹凸に粗化する必
要がなくなり、細線な導体層を形成しても断線が発生す
ることがなくなる。

【００１９】これにより、加熱処理により絶縁フィルム
層の膨れを生じることがない、絶縁フィルム層の接着強
度が強固な、高密度配線の可能な多層配線基板を得るこ
とができる。

【００２０】さらに、本発明の多層配線基板によれば、
下地導体層をクロムまたはクロムを主成分とする合金
で、主導体層を銅または銅を主成分とする合金で、絶縁
フィルム層をポリイミド樹脂で、絶縁性接着剤層をポリ
イミドシロキサン樹脂で、カップリング剤層をイソプロ
ピルトリＮ−アミノエチルアミノエチルチタネートで形
成した場合には、イソプロピルトリＮ−アミノエチルア
ミノエチルチタネートは銅・ポリイミド樹脂・ポリイミ
ドシロキサン樹脂との濡れ性がよく強固に結合しやす
く、また、分子構造的に耐熱性が高いため、それぞれの
層間の接着強度が強固になるとともにより高温の加熱処
理にも対応することができる。その結果、カップリング
剤層の耐熱性が向上し、より高温の加熱処理でも絶縁フ
ィルム層間におけるカップリング剤層の蒸発がなくな
り、主導体層と絶縁性接着剤層とがカップリング剤層に
よって強固に接着される。

【００２１】また、クロムはポリイミド樹脂と化学的な
結合を作るため、絶縁フィルム層の上面が平滑であって
も接着強度が強固となる。このため絶縁フィルム層の上
面の凹凸が不要になり、細線な導体層を形成しても断線
が発生することがなくなるとともに、細線な主導体層を
絶縁フィルム層により強固に接着することができる。

【００２２】これにより、より高温の加熱処理によって
も絶縁フィルム層の膨れを生じることがない、絶縁フィ
ルム層および導体層の接着強度がより一層強固で高密度
配線が可能な多層配線基板を得ることができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明を詳
細に説明する。

【００２４】図１は本発明の多層配線基板の実施の形態
の一例を示す断面図であり、図２はその導体層の一部を
示す要部拡大断面図である。

【００２５】これらの図において、１は基板、２は多層
配線部、３は導体層、４は絶縁フィルム層、５は絶縁性
接着剤層、６はカップリング剤層、７は主導体層、８は
下地導体層である。

【００２６】基板１は、その上面に導体層３が形成され
た複数の絶縁フィルム層４を絶縁性接着剤層５で接着し
て多層に積層した多層配線部２が配設されており、この
多層配線部２を支持する支持部材として機能する。

【００２７】基板１は、酸化アルミニウム質焼結体やム
ライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、あるいは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体や炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、さらにはガ
ラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂やガラス繊維から成る基材にビスマレイ
ミドトリアジン樹脂を含浸させたもの等の電気絶縁材料
で形成されている。

【００２８】例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成
されている場合には、アルミナ・シリカ・カルシア・マ
グネシア等の原料粉末に適当な有機溶剤・溶媒を添加混
合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクター
ブレード法やカレンダーロール法を採用することによっ
てセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を
形成し、しかる後、このセラミックグリーンシートに適
当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温
（約1600℃）で焼成することによって、あるいはアルミ
ナ等の原料粉末に適当な有機溶剤・溶媒を添加混合して
原料粉末を調製するとともにこの原料粉末をプレス成形
機によって所定形状に成形し、最後にこの成形体を高温
（約1600℃）で焼成することによって製作される。ま
た、ガラスエポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス
繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、
このエポキシ樹脂の前駆体を所定の温度で熱硬化させる
ことによって製作される。

【００２９】基板１の上面に配設されている多層配線部
２の導体層３は電気信号を伝達するための伝達路として
機能し、絶縁フィルム層４は上下に位置する導体層３を
電気的に絶縁する機能を有している。さらに、絶縁フィ
ルム層４・絶縁性接着剤層５・カップリング剤層６には
レーザ等で加工した貫通孔が形成されており、この貫通
孔内にも上側の導体層３を延在させることにより、絶縁
フィルム層４を挟んで上下に位置する導体層３の各々を
電気的に接続する接続路が形成される。

【００３０】多層配線部２の絶縁層は、絶縁フィルム層
４と絶縁性接着剤層５とから構成され、絶縁フィルム層
４はポリイミド樹脂・エポキシ樹脂・ポリフェニレンサ
ルファイド樹脂・ポリキノリン樹脂・ポリフェニレンエ
ーテル樹脂等から成る。また、絶縁性接着剤層５はポリ
アミドイミド樹脂・ポリイミドシロキサン樹脂・ビスマ
レイミド系樹脂・エポキシ樹脂等から成る。

【００３１】多層配線部２の絶縁層は、例えば、絶縁フ
ィルム層４がポリイミド樹脂で絶縁性接着剤層５がポリ
イミドシロキサン樹脂の場合には、以下のように形成す
る。まず12.5〜50μｍ程度の厚みの絶縁フィルムである
ポリイミド樹脂に絶縁性接着剤であるポリイミドシロキ
サン樹脂をドクターブレード法等を用いて乾燥厚みで５
〜20μｍ程度に塗布し乾燥させたものを準備する。次
に、この絶縁フィルム層４をカップリング剤層６の形成
された主導体層７や下層の絶縁フィルム層４の上面に間
に絶縁性接着剤層５が配されるように積み重ねる。そし
て、これを加熱プレス装置を用いて加熱加圧し接着す
る。

【００３２】各絶縁フィルム層４の上面および貫通孔内
に配設される主導体層７は、銅・金・銀・アルミニウム
およびそれらを主成分とする合金等の低抵抗金属材料を
用い、スパッタリング法・蒸着法・めっき法等の薄膜形
成技術およびエッチング加工技術を採用することによっ
て形成される。また、下地導体層８はクロム・ニッケル
・モリブデン・チタン・タンタル・タングステンおよび
それらを主成分とする合金等の金属材料を用い、スパッ
タリング法・蒸着法等の薄膜形成技術およびエッチング
加工技術を採用することによって形成される。

【００３３】例えば、その主導体層７と下地導体層８
は、まず広面積に主導体層７として銅を、銅層の下層に
下地導体層８（密着金属層）としてクロムを被着させて
導体層を形成する。次にこの上に所望のパターンにフォ
トレジストを形成し、このフォトレジストをマスクにし
て主導体層７および下地導体層８の不要部分をエッチン
グによって除去することで所望のパターンに加工され
る。

【００３４】主導体層７の上面にはカップリング剤層６
を形成する。このカップリング剤層６は主導体層７と絶
縁性接着剤層５との接着強度を強固とし、加熱処理にお
ける接着強度の改良層として機能する。

【００３５】このカップリング剤層６はＮ−β（アミノ
エチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン・Ｎ−
フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン・γ
−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン・ビニルトリエトキシシラン・ビニルトリス（β
メトキシエトキシ）シラン・γ−メタクリロキシプロピ
ルトリメトキシシラン・Ｎ−β（アミノエチル）γ−ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン・γ−クロロプロ
ピルトリメトキシシラン・γ−アミノプロピルトリエト
キシシラン・イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホ
ニルチタネート・イソプロピルトリス（ジオクチルパイ
ロホスフェート）チタネート・ジクミルフェニルオキシ
アセテートチタネート・イソプロピルトリＮ−アミノエ
チルアミノエチルチタネート・イソプロピルトリオクタ
ノイルチタネート・イソプロピルジメタクリルイソステ
アロイルチタネート・イソプロピルイソステアロイルジ
アクリルチタネート・アセトアルコキシアルミニウムジ
イソプロピレート等から成る。カップリング剤層６を形
成する方法としてはスピンコート法・浸漬法等であって
もよいが、膜の均一性を高めるためにはＬＢ膜法を用い
て形成するのがよい。

【００３６】ＬＢ膜法を用いてカップリング剤層６を形
成する場合は、例えば、面圧を一定に保った状態で液面
にカップリング剤を所望の厚みに分散させ、その膜面に
対し垂直に主導体層７の形成された基板１を浸漬し、そ
のままゆっくりと引き上げることで基板１の全面にカッ
プリング剤層６が均一な厚みに形成される。

【００３７】このとき、カップリング剤層６の厚みが５
分子層厚みより厚くなると、カップリング剤層６は分子
の配列の乱れが大きくなり、孤立するカップリング剤の
分子が増加し、加熱処理により絶縁フィルム層４間でカ
ップリング剤層６の一部が蒸発し絶縁フィルム層４の膨
れを生じやすくなる傾向があるため、カップリング剤層
６の厚みは５分子層厚み以下としておくのがよい。

【００３８】ちなみにカップリング剤の１分子の大きさ
は２ｎｍ程度であり、５分子層厚みでは10ｎｍ程度に形
成されていることになる。また、このカップリング剤層
６の厚みが均一に５分子層厚みとならない場合であって
も、カップリング剤層６の中の特に１・３・５分子層厚
みの部分の占有率が60％以上であれば接着強度の改善効
果がある。

【００３９】さらに、絶縁フィルム層４の主導体層７が
形成された部位以外の上面にもカップリング剤層６を形
成しておくと、下層の絶縁フィルム層４と絶縁性接着剤
層５との接着強度もより強固になり、加熱処理での絶縁
フィルム層４の膨れを生じなくなる。さらに、高温高湿
バイアス試験等の耐環境試験においても同一面内の導体
層３の間に生じるマイグレーション等の発生が防止され
耐環境信頼性が向上する。

【００４０】このとき、カップリング剤層６の厚みが５
分子層厚みより厚くなると、カップリング剤層６は分子
の配列の乱れが大きくなり、孤立するカップリング剤の
分子が増加し、加熱処理により絶縁フィルム層４間にお
いてカップリング剤層の一部が蒸発し絶縁フィルム層４
の膨れを生じやすくなる傾向があるため、カップリング
剤層６の厚みは５分子層厚み以下としておくのがよい。

【００４１】また、絶縁フィルム層４の上に形成するカ
ップリング剤層６は、主導体層７の上面に形成したもの
と同じものでもよいが、接着される材料の組み合わせに
より異なる種類のカップリング剤に変更してもよい。

【００４２】さらに、主導体層７・下地導体層８・絶縁
フィルム層４・絶縁性接着剤層５の材料の組合せは多層
配線基板に要求される仕様や特性に応じて適宜選択すれ
ばよいが、中でも主導体層７を銅で下地導体層８をクロ
ムで絶縁フィルム層４をポリイミド樹脂で絶縁性接着剤
層５をポリイミドシロキサン樹脂でカップリング剤層６
をイソプロピルトリＮ−アミノエチルアミノエチルチタ
ネートで形成しておくと、イソプロピルトリＮ−アミノ
エチルアミノエチルチタネートは銅・ポリイミド樹脂・
ポリイミドシロキサン樹脂との濡れ性がよく強固に結合
しやすく、また、イソプロピルトリＮ−アミノエチルア
ミノエチルチタネートは分子構造的に耐熱性が高いた
め、それぞれの層間の接着強度が強固になるとともによ
り高温の加熱処理にも対応することができる。

【００４３】これにより、より高温の加熱処理によって
も絶縁フィルム層４の膨れを生じることがない、絶縁フ
ィルム層４の接着強度がより一層強固な多層配線基板と
なる。

【００４４】なお、絶縁フィルム層４の最上層の主導体
層７には、チップ部品の実装性および耐環境性の点か
ら、主導体層７が銅層からなる場合にはその上にめっき
法によりニッケル層や金層を形成するとよい。

【００４５】かくして、本発明の多層配線基板によれ
ば、混成集積回路装置や半導体素子を収容する半導体素
子収納用パッケージ等に使用され、基板１の上面に配設
させた多層配線部２の上に半導体素子や容量素子・抵抗
器等の電子部品を搭載実装し、電子部品の各電極を導体
層３に電気的に接続することによって半導体装置や電子
装置等として利用されることとなる。

【００４６】なお、本発明は上記の実施の形態の例に限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
であれば種々の変更は可能である。

【００４７】例えば、上述の例においてはカップリング
剤層６を形成する方法としてはＬＢ膜法を用いた例を示
したが、浸漬法を用いる場合であれば、導体層３の形成
された基板１をカップリング剤溶液に浸漬した後さらに
溶剤で洗浄することによって、所望の厚みのカップリン
グ剤層６を形成することができる。

【００４８】

【発明の効果】以上のように、本発明の多層配線基板に
よれば、主導体層の上面にカップリング剤層を５分子層
厚み以下に形成してあるため、カップリング剤層は分子
の配列の乱れが小さく、主導体層およびカップリング剤
層の分子同士が効率良く結合して均一で強固な層を形成
し、孤立したカップリング剤の分子が発生しない。その
結果、カップリング剤層の耐熱性が向上し、加熱工程で
のカップリング剤層の蒸発がなくなり、主導体層と絶縁
性接着剤層とがカップリング剤層によって強固に接着さ
れる。

【００４９】また、導体層は下地導体層および主導体層
から構成されているため、主導体層は回路配線として良
好な電気伝導性のよいもの、また下地導体層は絶縁フィ
ルム層との接着強度が強固なものを必要とされる機能に
応じて採用することができる。このため絶縁フィルム層
と主導体層との接着強度を強固なものとすることができ
るとともに、絶縁フィルム層の上面を凹凸に粗化する必
要がなくなり、細線な導体層を形成しても断線が発生す
ることがなくなる。

【００５０】これにより、加熱処理により絶縁フィルム
層の膨れを生じることがない、絶縁フィルム層の接着強
度が強固な、高密度配線の可能な多層配線基板を得るこ
とができる。

【００５１】さらに、本発明の多層配線基板によれば、
下地導体層をクロムまたはクロムを主成分とする合金
で、主導体層を銅または銅を主成分とする合金で、絶縁
フィルム層をポリイミド樹脂で、絶縁性接着剤層をポリ
イミドシロキサン樹脂で、カップリング剤層をイソプロ
ピルトリＮ−アミノエチルアミノエチルチタネートで形
成した場合には、イソプロピルトリＮ−アミノエチルア
ミノエチルチタネートは銅・ポリイミド樹脂・ポリイミ
ドシロキサン樹脂との濡れ性がよく強固に結合しやす
く、また、分子構造的に耐熱性が高いため、それぞれの
層間の接着強度が強固になるとともにより高温の加熱処
理にも対応することができる。その結果、カップリング
剤層の耐熱性が向上し、より高温の加熱処理でも絶縁フ
ィルム層間におけるカップリング剤層の蒸発がなくな
り、主導体層と絶縁性接着剤層とがカップリング剤層に
よって強固に接着される。

【００５２】また、クロムはポリイミド樹脂と化学的な
結合を作るため、絶縁フィルム層の上面が平滑であって
も接着強度が強固となる。このため絶縁フィルム層の上
面の凹凸が不要になり、細線な導体層を形成しても断線
が発生することがなくなるとともに、細線な主導体層を
絶縁フィルム層により強固に接着することができる。

【００５３】これにより、より高温の加熱処理によって
も絶縁フィルム層の膨れを生じることがない、絶縁フィ
ルム層および導体層の接着強度がより一層強固で高密度
配線が可能な多層配線基板を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示
す断面図である。

【図２】本発明の多層配線基板における導体層の一部を
示す要部拡大断面図である。

【符号の説明】

１・・・・基板 ２・・・・多層配線部 ３・・・・導体層 ４・・・・絶縁フィルム層 ５・・・・絶縁性接着剤層 ６・・・・カップリング剤層 ７・・・・主導体層 ８・・・・下地導体層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA02 AA03 AA04 AA07 AA09 AA11 BB01 BB38 DD04 DD17 GG02 5E343 AA16 AA18 AA24 BB16 BB23 BB24 BB25 BB28 BB38 CC04 CC22 DD23 DD25 DD32 DD76 EE56 GG02 5E346 AA15 AA17 AA32 CC05 CC09 CC10 CC16 CC17 CC19 CC31 CC32 CC34 CC38 CC39 CC41 DD16 DD17 DD22 DD32 DD33 HH11

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、有機樹脂から成り、上面に導
   体層が形成された複数の絶縁フィルム層を、絶縁性接着
   剤層で接着して多層に積層した多層配線基板であって、
   前記導体層が下地導体層および主導体層から成るととも
   に、該主導体層の上面に厚みが５分子層厚み以下のカッ
   プリング剤層を形成したことを特徴とする多層配線基
   板。
2. 【請求項２】 前記下地導体層をクロムまたはクロムを
   主成分とする合金で、前記主導体層を銅または銅を主成
   分とする合金で、前記絶縁フィルム層をポリイミド樹脂
   で、前記絶縁性接着剤層をポリイミドシロキサン樹脂
   で、前記カップリング剤層をイソプロピルトリＮ−アミ
   ノエチルアミノエチルチタネートで形成したことを特徴
   とする請求項１記載の多層配線基板。