JP2002252457A - Multilayer wiring board - Google Patents

Multilayer wiring board

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JP2002252457A
JP2002252457A JP2001046624A JP2001046624A JP2002252457A JP 2002252457 A JP2002252457 A JP 2002252457A JP 2001046624 A JP2001046624 A JP 2001046624A JP 2001046624 A JP2001046624 A JP 2001046624A JP 2002252457 A JP2002252457 A JP 2002252457A
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conductor layer
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毅 小山田
Takeshi Kubota
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem raised by a multilayer wiring board in which an insulating layer composed of a plurality of insulating film layers is formed on a substrate that the insulating film layers swell out when coupling agent layers evaporate and conductor layers formed in this wires are disconnected. SOLUTION: This multilayer wiring board is constituted by laminating the insulating film layers 4 composed of an organic resin and carrying the conductor layers 3 on their upper surfaces upon another, respectively, by sticking the layers 4 to each other by insulating adhesive layer 5. Each conductor layer 3 is composed of a base conductor layer 8 and a main conductor layer 7 carrying a coupling agent layer 6 having a thickness corresponding to that of five molecular layers or thinner on its upper surface. Consequently, the widths of the conductor layers 3 can be reduced and, at the same time, the evaporation of the coupling agent layers 6 between the insulating film layers 4 can be eliminated. Therefore, the insulating film layers 4 do not swell out.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board, and more particularly to a multilayer wiring board used for a hybrid integrated circuit device, a semiconductor element housing package for housing a semiconductor element, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板としては、
配線導体を高密度に形成することを目的として、基板上
に薄膜の絶縁層と導体層とから成る多層配線部を形成し
た多層配線基板が採用されていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a multilayer wiring board used for a hybrid integrated circuit device, a package for housing a semiconductor element, and the like,
For the purpose of forming wiring conductors at a high density, a multilayer wiring board in which a multilayer wiring portion composed of a thin insulating layer and a conductor layer is formed on a substrate has been employed.

【0003】かかる多層配線基板は、酸化アルミニウム
質焼結体等から成る基板の上面に、スピンコート法等に
よって形成されるポリイミド樹脂等から成る薄膜の絶縁
層と、銅等の主導体層とその上下にクロムやニッケル等
のバリア導体層とで構成され、めっき法や蒸着法等の薄
膜形成技術およびフォトリソグラフィー技術を採用する
ことによって形成される多層膜の主導体層とを交互に多
層に積層させた構造を有している。
In such a multilayer wiring board, an insulating layer of a thin film made of polyimide resin or the like formed by a spin coating method or the like, a main conductor layer of copper or the like, It consists of upper and lower barrier conductor layers such as chromium and nickel, and alternately laminates the main conductor layer of a multilayer film formed by adopting thin film forming technology such as plating method and vapor deposition method and photolithography technology. It has the structure made to be.

【0004】しかしながら、スピンコート法によってポ
リイミド樹脂から成る絶縁層を形成した場合、所望の厚
みに絶縁層を形成するには多数回に分けてポリイミド樹
脂の前駆体を塗布し、このポリイミド樹脂の前駆体をポ
リイミド化させるキュア工程が必要となるため、製造工
程が長くなるという問題点があった。
However, when an insulating layer made of a polyimide resin is formed by spin coating, a polyimide resin precursor is applied in a number of steps to form an insulating layer having a desired thickness. Since a curing step for converting the body into a polyimide is required, there has been a problem that the manufacturing process becomes longer.

【0005】また、ポリイミド樹脂の前駆体に含まれる
成分によって主導体層の銅が腐食されることを防止する
ため、さらにはポリイミド樹脂のキュア工程で300℃以
上の高温に長時間さらされ主導体層の銅が酸化すること
を防止するため、導体層の構成としては銅等の主導体層
とその上下にクロムやニッケルやチタン等のバリア導体
層とが必要になり、上下のバリア導体層を加工する製造
工程が長くなるという問題点があった。
Further, in order to prevent the copper contained in the main conductor layer from being corroded by components contained in the precursor of the polyimide resin, the main conductor layer is exposed to a high temperature of 300 ° C. or more for a long time in the curing step of the polyimide resin. In order to prevent the copper of the layer from being oxidized, the conductor layer needs to have a main conductor layer such as copper and a barrier conductor layer such as chromium, nickel and titanium above and below the main conductor layer. There is a problem that the manufacturing process for processing becomes long.

【0006】そこでポリイミド樹脂等から成り、上面に
導体層が形成された複数の絶縁フィルム層をビスマレイ
ミド系樹脂等から成る絶縁性接着剤層で接着して多層に
積層した多層配線基板が採用されてきている。
Therefore, a multilayer wiring board is employed in which a plurality of insulating film layers made of a polyimide resin or the like and having a conductor layer formed on the upper surface are adhered to each other with an insulating adhesive layer made of a bismaleimide-based resin or the like and laminated in multiple layers. Is coming.

【0007】かかる多層配線基板の形成は、まず絶縁フ
ィルムに絶縁性接着剤をドクターブレード法等を用いて
塗布し乾燥させたものを準備し、上面にめっき法や銅箔
転写法で導体層を形成した基板や下層の絶縁フィルム層
の上面に絶縁性接着剤層が配されるようにこの絶縁フィ
ルム層を積み重ね、これを加熱プレス装置を用いて加熱
加圧し接着することにより行なわれる。
In order to form such a multilayer wiring board, first, an insulating film is coated with an insulating adhesive by a doctor blade method or the like and dried, and a conductive layer is formed on the upper surface by plating or copper foil transfer. This is performed by stacking the insulating film layers such that the insulating adhesive layer is disposed on the upper surface of the formed substrate or the lower insulating film layer, and applying heat and pressure using a heating press device to bond the insulating film layers.

【0008】この多層配線基板によれば、ポリイミド樹
脂の前駆体をポリイミド化させるキュア工程を削減する
ことができ、さらに導体層のバリア導体層が不要になる
ため製造工程の短い多層配線基板となる。
According to this multilayer wiring board, the curing step for converting the precursor of the polyimide resin into a polyimide can be reduced, and a multilayer wiring board having a short manufacturing process can be obtained because the barrier conductor layer of the conductor layer becomes unnecessary. .

【0009】しかしながら、この多層配線基板では導体
層と絶縁フィルム層の接着強度を確保するために導体層
や絶縁フィルム層の上下面を処理液により化学的に粗化
していた。このため導体層や絶縁フィルム層の上下面は
凹凸を有する粗面になり、細線な配線を形成すべき導体
層においては、その凹凸の形成工程でオーバーエッチン
グを起こし消失することがあり導体層の細線化ができな
くなるという問題点があった。
However, in this multilayer wiring board, the upper and lower surfaces of the conductor layer and the insulating film layer are chemically roughened with a processing liquid in order to secure the adhesive strength between the conductor layer and the insulating film layer. For this reason, the upper and lower surfaces of the conductor layer and the insulating film layer become rough surfaces having irregularities, and in the conductor layer where fine wires are to be formed, over-etching may occur in the process of forming the irregularities and disappear, and the conductor layer may be lost. There is a problem that thinning cannot be performed.

【0010】そこで、有機樹脂から成り、上面に導体層
が形成された複数の絶縁フィルム層を、カップリング剤
層を介して絶縁性接着剤層で接着して多層に積層した多
層配線基板が採用されてきている。
Therefore, a multilayer wiring board is adopted in which a plurality of insulating film layers made of an organic resin and having a conductor layer formed on the upper surface are laminated in multiple layers by bonding with an insulating adhesive layer via a coupling agent layer. Have been.

【0011】この多層配線基板によれば、導体層の上面
を凹凸に粗化することなく導体層と絶縁フィルム層の接
着強度が得られるため、導体層における配線の細線化が
できるようになった。
According to this multilayer wiring board, the adhesion strength between the conductor layer and the insulating film layer can be obtained without roughening the upper surface of the conductor layer to make the upper surface of the conductor layer uneven, so that the wiring in the conductor layer can be thinned. .

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、カップ
リング剤層を用いた多層配線基板においては、導体層の
形成時やチップ部品の実装時の加熱処理により絶縁フィ
ルム層間においてカップリング剤層の一部が蒸発し、絶
縁フィルム層の膨れが発生するという問題点があった。
However, in a multilayer wiring board using a coupling agent layer, a part of the coupling agent layer is formed between the insulating film layers by heat treatment at the time of forming a conductor layer or mounting chip components. Evaporates, and the insulating film layer swells.

【0013】また、絶縁フィルム層の上面はその上面に
形成される導体層との接着強度を強固とするために凹凸
を有する粗面にしている。このため、より一層の細線化
の要求に対しては、絶縁フィルム層の上面の凹凸によっ
て細線な導体層が断線することがあり十分に応えること
ができないという問題点があった。
Further, the upper surface of the insulating film layer is made to have a rough surface having irregularities in order to strengthen the adhesive strength with the conductor layer formed on the upper surface. For this reason, there has been a problem that the fine conductor layer may be disconnected due to the unevenness of the upper surface of the insulating film layer, and it cannot be sufficiently responded to the demand for further thinning.

【0014】本発明は上記従来技術における問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、加熱処理による
絶縁フィルム層の膨れが発生しない、絶縁フィルム層の
接着強度が強固で、高密度配線の可能な多層配線基板を
提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the prior art, and has as its object to prevent the insulating film layer from swelling due to heat treatment, to have a strong adhesive strength of the insulating film layer, and to provide a high-density wiring. It is to provide a multilayer wiring board which can be used.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板
は、基板上に、有機樹脂から成り、上面に導体層が形成
された複数の絶縁フィルム層を、絶縁性接着剤層で接着
して多層に積層した多層配線基板であって、導体層が下
地導体層および主導体層から成るとともに、この主導体
層の上面に厚みが5分子層厚み以下のカップリング剤層
を形成したことを特徴とするものである。
According to the present invention, there is provided a multilayer wiring board comprising a plurality of insulating film layers made of an organic resin and having a conductor layer formed on an upper surface thereof, which are bonded to each other with an insulating adhesive layer. A multilayer wiring board having a multi-layer structure, wherein a conductor layer comprises a base conductor layer and a main conductor layer, and a coupling agent layer having a thickness of 5 molecular layers or less is formed on an upper surface of the main conductor layer. It is assumed that.

【0016】また、本発明の多層配線基板は、上記の構
成において、前記下地導体層をクロムまたはクロムを主
成分とする合金で、前記主導体層を銅または銅を主成分
とする合金で、前記絶縁フィルム層をポリイミド樹脂
で、前記絶縁性接着剤層をポリイミドシロキサン樹脂
で、前記カップリング剤層をイソプロピルトリN−アミ
ノエチルアミノエチルチタネートで形成したことを特徴
とするものである。
Further, in the multilayer wiring board of the present invention, in the above structure, the base conductor layer is made of chromium or an alloy mainly containing chromium, and the main conductor layer is made of copper or an alloy mainly containing copper. The insulating film layer is formed of a polyimide resin, the insulating adhesive layer is formed of a polyimide siloxane resin, and the coupling agent layer is formed of isopropyl tri-N-aminoethylaminoethyl titanate.

【0017】本発明の多層配線基板によれば、主導体層
の上面にカップリング剤層を5分子層厚み以下に形成し
てあるため、カップリング剤層は分子の配列の乱れが小
さく、主導体層およびカップリング剤層の分子同士が効
率良く結合して均一で強固な層を形成し、孤立したカッ
プリング剤の分子が発生しない。その結果、カップリン
グ剤層の耐熱性が向上し、加熱工程でのカップリング剤
層の蒸発がなくなり、主導体層と絶縁性接着剤層とがカ
ップリング剤層によって強固に接着される。
According to the multilayer wiring board of the present invention, since the coupling agent layer is formed on the upper surface of the main conductor layer to have a thickness of 5 molecular layers or less, the coupling agent layer has a small disorder in the arrangement of molecules, and the The molecules of the body layer and the coupling agent layer are efficiently bonded to each other to form a uniform and strong layer, and no isolated coupling agent molecules are generated. As a result, the heat resistance of the coupling agent layer is improved, the evaporation of the coupling agent layer in the heating step is eliminated, and the main conductor layer and the insulating adhesive layer are firmly bonded by the coupling agent layer.

【0018】また、導体層は下地導体層および主導体層
から構成されているため、主導体層は回路配線として良
好な電気伝導性のよいもの、また下地導体層は絶縁フィ
ルム層との接着強度が強固なものを必要とされる機能に
応じて採用することができる。このため絶縁フィルム層
と主導体層との接着強度を強固なものとすることができ
るとともに、絶縁フィルム層の上面を凹凸に粗化する必
要がなくなり、細線な導体層を形成しても断線が発生す
ることがなくなる。
Further, since the conductor layer is composed of a base conductor layer and a main conductor layer, the main conductor layer has good electric conductivity as a circuit wiring, and the base conductor layer has an adhesive strength with an insulating film layer. Can be adopted depending on the required function. Therefore, the adhesive strength between the insulating film layer and the main conductor layer can be strengthened, and it is not necessary to roughen the upper surface of the insulating film layer to have irregularities. Will not occur.

【0019】これにより、加熱処理により絶縁フィルム
層の膨れを生じることがない、絶縁フィルム層の接着強
度が強固な、高密度配線の可能な多層配線基板を得るこ
とができる。
Thus, it is possible to obtain a multilayer wiring board which does not cause swelling of the insulating film layer due to the heat treatment, has strong adhesive strength of the insulating film layer, and is capable of high-density wiring.

【0020】さらに、本発明の多層配線基板によれば、
下地導体層をクロムまたはクロムを主成分とする合金
で、主導体層を銅または銅を主成分とする合金で、絶縁
フィルム層をポリイミド樹脂で、絶縁性接着剤層をポリ
イミドシロキサン樹脂で、カップリング剤層をイソプロ
ピルトリN−アミノエチルアミノエチルチタネートで形
成した場合には、イソプロピルトリN−アミノエチルア
ミノエチルチタネートは銅・ポリイミド樹脂・ポリイミ
ドシロキサン樹脂との濡れ性がよく強固に結合しやす
く、また、分子構造的に耐熱性が高いため、それぞれの
層間の接着強度が強固になるとともにより高温の加熱処
理にも対応することができる。その結果、カップリング
剤層の耐熱性が向上し、より高温の加熱処理でも絶縁フ
ィルム層間におけるカップリング剤層の蒸発がなくな
り、主導体層と絶縁性接着剤層とがカップリング剤層に
よって強固に接着される。
Further, according to the multilayer wiring board of the present invention,
The base conductor layer is made of chromium or an alloy containing chromium as a main component, the main conductor layer is made of copper or an alloy containing copper as a main component, the insulating film layer is made of a polyimide resin, and the insulating adhesive layer is made of a polyimide siloxane resin. When the ring agent layer is formed of isopropyltri-N-aminoethylaminoethyl titanate, the isopropyltri-N-aminoethylaminoethyl titanate has good wettability with copper / polyimide resin / polyimide siloxane resin and easily bonds firmly, Further, since the heat resistance is high in the molecular structure, the adhesive strength between the respective layers is strengthened, and it is possible to cope with a higher temperature heat treatment. As a result, the heat resistance of the coupling agent layer is improved, the evaporation of the coupling agent layer between the insulating film layers is eliminated even at a higher temperature heat treatment, and the main conductor layer and the insulating adhesive layer are strengthened by the coupling agent layer. Adhered to.

【0021】また、クロムはポリイミド樹脂と化学的な
結合を作るため、絶縁フィルム層の上面が平滑であって
も接着強度が強固となる。このため絶縁フィルム層の上
面の凹凸が不要になり、細線な導体層を形成しても断線
が発生することがなくなるとともに、細線な主導体層を
絶縁フィルム層により強固に接着することができる。
Further, since chromium forms a chemical bond with the polyimide resin, the adhesive strength is strong even if the upper surface of the insulating film layer is smooth. For this reason, unevenness on the upper surface of the insulating film layer becomes unnecessary, and even if a thin conductor layer is formed, disconnection does not occur, and the thin main conductor layer can be more firmly bonded to the insulating film layer.

【0022】これにより、より高温の加熱処理によって
も絶縁フィルム層の膨れを生じることがない、絶縁フィ
ルム層および導体層の接着強度がより一層強固で高密度
配線が可能な多層配線基板を得ることができる。
According to this, it is possible to obtain a multilayer wiring board in which the insulating film layer and the conductor layer do not swell even by heat treatment at a higher temperature, the adhesive strength between the insulating film layer and the conductor layer is further increased, and high-density wiring is possible. Can be.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明を詳
細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0024】図1は本発明の多層配線基板の実施の形態
の一例を示す断面図であり、図2はその導体層の一部を
示す要部拡大断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of an embodiment of a multilayer wiring board according to the present invention, and FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part showing a part of the conductor layer.

【0025】これらの図において、1は基板、2は多層
配線部、3は導体層、4は絶縁フィルム層、5は絶縁性
接着剤層、6はカップリング剤層、7は主導体層、8は
下地導体層である。
In these figures, 1 is a substrate, 2 is a multilayer wiring portion, 3 is a conductor layer, 4 is an insulating film layer, 5 is an insulating adhesive layer, 6 is a coupling agent layer, 7 is a main conductor layer, 8 is a base conductor layer.

【0026】基板1は、その上面に導体層3が形成され
た複数の絶縁フィルム層4を絶縁性接着剤層5で接着し
て多層に積層した多層配線部2が配設されており、この
多層配線部2を支持する支持部材として機能する。
The substrate 1 is provided with a multilayer wiring portion 2 in which a plurality of insulating film layers 4 each having a conductor layer 3 formed on the upper surface thereof are adhered to each other with an insulating adhesive layer 5 and laminated in multiple layers. It functions as a support member for supporting the multilayer wiring section 2.

【0027】基板1は、酸化アルミニウム質焼結体やム
ライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、あるいは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体や炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、さらにはガ
ラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂やガラス繊維から成る基材にビスマレイ
ミドトリアジン樹脂を含浸させたもの等の電気絶縁材料
で形成されている。
The substrate 1 is made of an oxide ceramic such as an aluminum oxide sintered body or a mullite sintered body, or a non-oxide ceramic such as an aluminum nitride sintered body or a silicon carbide sintered body having an oxide film on its surface. It is formed of an electrically insulating material such as an oxide ceramic, a glass epoxy resin in which a glass fiber base material is impregnated with an epoxy resin, and a glass fiber base material in which a bismaleimide triazine resin is impregnated. .

【0028】例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成
されている場合には、アルミナ・シリカ・カルシア・マ
グネシア等の原料粉末に適当な有機溶剤・溶媒を添加混
合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクター
ブレード法やカレンダーロール法を採用することによっ
てセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を
形成し、しかる後、このセラミックグリーンシートに適
当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温
(約1600℃)で焼成することによって、あるいはアルミ
ナ等の原料粉末に適当な有機溶剤・溶媒を添加混合して
原料粉末を調製するとともにこの原料粉末をプレス成形
機によって所定形状に成形し、最後にこの成形体を高温
(約1600℃)で焼成することによって製作される。ま
た、ガラスエポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス
繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、
このエポキシ樹脂の前駆体を所定の温度で熱硬化させる
ことによって製作される。
For example, in the case of being formed of an aluminum oxide-based sintered body, an appropriate organic solvent and a solvent are added to a raw material powder such as alumina, silica, calcia, and magnesia, and the mixture is mixed to form a slurry. A ceramic green sheet (ceramic green sheet) is formed by employing a conventionally known doctor blade method or calender roll method. Thereafter, the ceramic green sheet is subjected to an appropriate punching process to obtain a predetermined shape and a high temperature (approximately). 1600 ° C) or by mixing an appropriate organic solvent / solvent with the raw material powder such as alumina to prepare the raw material powder and forming the raw material powder into a predetermined shape by a press molding machine. It is manufactured by firing a molded body at a high temperature (about 1600 ° C.). In the case of a glass epoxy resin, for example, a substrate made of glass fiber is impregnated with an epoxy resin precursor,
The epoxy resin precursor is manufactured by thermosetting at a predetermined temperature.

【0029】基板1の上面に配設されている多層配線部
2の導体層3は電気信号を伝達するための伝達路として
機能し、絶縁フィルム層4は上下に位置する導体層3を
電気的に絶縁する機能を有している。さらに、絶縁フィ
ルム層4・絶縁性接着剤層5・カップリング剤層6には
レーザ等で加工した貫通孔が形成されており、この貫通
孔内にも上側の導体層3を延在させることにより、絶縁
フィルム層4を挟んで上下に位置する導体層3の各々を
電気的に接続する接続路が形成される。
The conductor layer 3 of the multilayer wiring portion 2 provided on the upper surface of the substrate 1 functions as a transmission path for transmitting electric signals, and the insulating film layer 4 electrically connects the upper and lower conductor layers 3 to each other. It has a function to insulate it. Further, a through hole processed by a laser or the like is formed in the insulating film layer 4, the insulating adhesive layer 5, and the coupling agent layer 6, and the upper conductor layer 3 is also extended in the through hole. Thereby, a connection path for electrically connecting each of the conductor layers 3 positioned above and below the insulating film layer 4 is formed.

【0030】多層配線部2の絶縁層は、絶縁フィルム層
4と絶縁性接着剤層5とから構成され、絶縁フィルム層
4はポリイミド樹脂・エポキシ樹脂・ポリフェニレンサ
ルファイド樹脂・ポリキノリン樹脂・ポリフェニレンエ
ーテル樹脂等から成る。また、絶縁性接着剤層5はポリ
アミドイミド樹脂・ポリイミドシロキサン樹脂・ビスマ
レイミド系樹脂・エポキシ樹脂等から成る。
The insulating layer of the multilayer wiring section 2 is composed of an insulating film layer 4 and an insulating adhesive layer 5, and the insulating film layer 4 is made of polyimide resin, epoxy resin, polyphenylene sulfide resin, polyquinoline resin, polyphenylene ether resin, etc. Consists of The insulating adhesive layer 5 is made of a polyamide imide resin, a polyimide siloxane resin, a bismaleimide resin, an epoxy resin, or the like.

【0031】多層配線部2の絶縁層は、例えば、絶縁フ
ィルム層4がポリイミド樹脂で絶縁性接着剤層5がポリ
イミドシロキサン樹脂の場合には、以下のように形成す
る。まず12.5〜50μm程度の厚みの絶縁フィルムである
ポリイミド樹脂に絶縁性接着剤であるポリイミドシロキ
サン樹脂をドクターブレード法等を用いて乾燥厚みで5
〜20μm程度に塗布し乾燥させたものを準備する。次
に、この絶縁フィルム層4をカップリング剤層6の形成
された主導体層7や下層の絶縁フィルム層4の上面に間
に絶縁性接着剤層5が配されるように積み重ねる。そし
て、これを加熱プレス装置を用いて加熱加圧し接着す
る。
For example, when the insulating film layer 4 is a polyimide resin and the insulating adhesive layer 5 is a polyimide siloxane resin, the insulating layer of the multilayer wiring section 2 is formed as follows. First, a polyimide siloxane resin as an insulating adhesive is applied to a polyimide resin as an insulating film having a thickness of about 12.5 to 50 μm by a doctor blade method or the like to a dry thickness of 5 μm.
Prepare a material that has been applied and dried to about 20 μm. Next, the insulating film layer 4 is stacked so that the insulating adhesive layer 5 is arranged between the main conductor layer 7 on which the coupling agent layer 6 is formed and the upper surface of the lower insulating film layer 4. Then, this is heated and pressurized by using a heating press device and bonded.

【0032】各絶縁フィルム層4の上面および貫通孔内
に配設される主導体層7は、銅・金・銀・アルミニウム
およびそれらを主成分とする合金等の低抵抗金属材料を
用い、スパッタリング法・蒸着法・めっき法等の薄膜形
成技術およびエッチング加工技術を採用することによっ
て形成される。また、下地導体層8はクロム・ニッケル
・モリブデン・チタン・タンタル・タングステンおよび
それらを主成分とする合金等の金属材料を用い、スパッ
タリング法・蒸着法等の薄膜形成技術およびエッチング
加工技術を採用することによって形成される。
The main conductor layer 7 disposed on the upper surface of each of the insulating film layers 4 and in the through holes is made of a low-resistance metal material such as copper, gold, silver, aluminum or an alloy containing these as a main component. It is formed by adopting a thin film forming technique such as a deposition method, a vapor deposition method, and a plating method and an etching processing technique. The underlying conductor layer 8 is made of a metal material such as chromium, nickel, molybdenum, titanium, tantalum, tungsten, or an alloy containing these as a main component, and adopts a thin film forming technique such as a sputtering method or a vapor deposition method and an etching technique. Formed by

【0033】例えば、その主導体層7と下地導体層8
は、まず広面積に主導体層7として銅を、銅層の下層に
下地導体層8(密着金属層)としてクロムを被着させて
導体層を形成する。次にこの上に所望のパターンにフォ
トレジストを形成し、このフォトレジストをマスクにし
て主導体層7および下地導体層8の不要部分をエッチン
グによって除去することで所望のパターンに加工され
る。
For example, the main conductor layer 7 and the underlying conductor layer 8
First, copper is applied as a main conductor layer 7 over a wide area, and chromium is applied as a base conductor layer 8 (adhesion metal layer) below the copper layer to form a conductor layer. Next, a photoresist is formed in a desired pattern thereon, and unnecessary portions of the main conductor layer 7 and the underlying conductor layer 8 are removed by etching using the photoresist as a mask, whereby the photoresist is processed into a desired pattern.

【0034】主導体層7の上面にはカップリング剤層6
を形成する。このカップリング剤層6は主導体層7と絶
縁性接着剤層5との接着強度を強固とし、加熱処理にお
ける接着強度の改良層として機能する。
The coupling agent layer 6 is provided on the upper surface of the main conductor layer 7.
To form The coupling agent layer 6 strengthens the adhesive strength between the main conductor layer 7 and the insulating adhesive layer 5 and functions as a layer for improving the adhesive strength in the heat treatment.

【0035】このカップリング剤層6はN−β(アミノ
エチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン・N−
フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン・γ
−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン・ビニルトリエトキシシラン・ビニルトリス(β
メトキシエトキシ)シラン・γ−メタクリロキシプロピ
ルトリメトキシシラン・N−β(アミノエチル)γ−ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン・γ−クロロプロ
ピルトリメトキシシラン・γ−アミノプロピルトリエト
キシシラン・イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホ
ニルチタネート・イソプロピルトリス(ジオクチルパイ
ロホスフェート)チタネート・ジクミルフェニルオキシ
アセテートチタネート・イソプロピルトリN−アミノエ
チルアミノエチルチタネート・イソプロピルトリオクタ
ノイルチタネート・イソプロピルジメタクリルイソステ
アロイルチタネート・イソプロピルイソステアロイルジ
アクリルチタネート・アセトアルコキシアルミニウムジ
イソプロピレート等から成る。カップリング剤層6を形
成する方法としてはスピンコート法・浸漬法等であって
もよいが、膜の均一性を高めるためにはLB膜法を用い
て形成するのがよい。
The coupling agent layer 6 is made of N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane.
Phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane ・ γ
-Β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane / vinyltriethoxysilane / vinyltris (β
Methoxyethoxy) silane / γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane / N-β (aminoethyl) γ-aminopropylmethyldimethoxysilane / γ-chloropropyltrimethoxysilane / γ-aminopropyltriethoxysilane / isopropyltridodecylbenzenesulfonyl Titanate / isopropyl tris (dioctyl pyrophosphate) titanate / dicumylphenyloxyacetate titanate / isopropyltri N-aminoethylaminoethyl titanate / isopropyltrioctanoyl titanate / isopropyl dimethacryl isostearyl titanate / isopropyl isostearyl diacryl titanate / acetoalkoxy It is made of aluminum diisopropylate or the like. The method of forming the coupling agent layer 6 may be a spin coating method, a dipping method, or the like, but it is preferable to form the coupling agent layer 6 by using an LB film method in order to improve the uniformity of the film.

【0036】LB膜法を用いてカップリング剤層6を形
成する場合は、例えば、面圧を一定に保った状態で液面
にカップリング剤を所望の厚みに分散させ、その膜面に
対し垂直に主導体層7の形成された基板1を浸漬し、そ
のままゆっくりと引き上げることで基板1の全面にカッ
プリング剤層6が均一な厚みに形成される。
When the coupling agent layer 6 is formed by using the LB film method, for example, the coupling agent is dispersed to a desired thickness on the liquid surface while the surface pressure is kept constant, and the film surface is The coupling agent layer 6 is formed in a uniform thickness over the entire surface of the substrate 1 by vertically immersing the substrate 1 on which the main conductor layer 7 is formed and slowly lifting the substrate 1 as it is.

【0037】このとき、カップリング剤層6の厚みが5
分子層厚みより厚くなると、カップリング剤層6は分子
の配列の乱れが大きくなり、孤立するカップリング剤の
分子が増加し、加熱処理により絶縁フィルム層4間でカ
ップリング剤層6の一部が蒸発し絶縁フィルム層4の膨
れを生じやすくなる傾向があるため、カップリング剤層
6の厚みは5分子層厚み以下としておくのがよい。
At this time, when the thickness of the coupling agent layer 6 is 5
When the thickness of the coupling agent layer 6 is larger than the thickness of the molecular layer, the arrangement of the molecules in the coupling agent layer 6 becomes more disordered, the number of molecules of the isolated coupling agent increases, and part of the coupling agent layer 6 between the insulating film layers 4 due to heat treatment. It is preferable that the thickness of the coupling agent layer 6 be equal to or less than the thickness of five molecular layers because the insulating film layer 4 tends to swell due to evaporation.

【0038】ちなみにカップリング剤の1分子の大きさ
は2nm程度であり、5分子層厚みでは10nm程度に形
成されていることになる。また、このカップリング剤層
6の厚みが均一に5分子層厚みとならない場合であって
も、カップリング剤層6の中の特に1・3・5分子層厚
みの部分の占有率が60%以上であれば接着強度の改善効
果がある。
Incidentally, the size of one molecule of the coupling agent is about 2 nm, which means that the thickness is about 10 nm in the case of a five-molecule layer. Even when the thickness of the coupling agent layer 6 does not become uniform, the occupancy of the portion of the coupling agent layer 6 having a thickness of 1.3.5 molecular layer is particularly 60%. Above is an effect of improving the adhesive strength.

【0039】さらに、絶縁フィルム層4の主導体層7が
形成された部位以外の上面にもカップリング剤層6を形
成しておくと、下層の絶縁フィルム層4と絶縁性接着剤
層5との接着強度もより強固になり、加熱処理での絶縁
フィルム層4の膨れを生じなくなる。さらに、高温高湿
バイアス試験等の耐環境試験においても同一面内の導体
層3の間に生じるマイグレーション等の発生が防止され
耐環境信頼性が向上する。
Further, if the coupling agent layer 6 is formed on the upper surface of the insulating film layer 4 other than the portion where the main conductor layer 7 is formed, the lower insulating film layer 4 and the insulating adhesive layer 5 Of the insulating film layer 4 during the heat treatment does not occur. Furthermore, even in an environmental resistance test such as a high temperature / humidity bias test, the occurrence of migration or the like occurring between the conductor layers 3 in the same plane is prevented, and the environmental reliability is improved.

【0040】このとき、カップリング剤層6の厚みが5
分子層厚みより厚くなると、カップリング剤層6は分子
の配列の乱れが大きくなり、孤立するカップリング剤の
分子が増加し、加熱処理により絶縁フィルム層4間にお
いてカップリング剤層の一部が蒸発し絶縁フィルム層4
の膨れを生じやすくなる傾向があるため、カップリング
剤層6の厚みは5分子層厚み以下としておくのがよい。
At this time, when the thickness of the coupling agent layer 6 is 5
When the thickness is larger than the molecular layer thickness, the arrangement of the molecules of the coupling agent layer 6 becomes more disordered, the number of molecules of the isolated coupling agent increases, and part of the coupling agent layer between the insulating film layers 4 due to heat treatment. Evaporated insulating film layer 4
It is preferable that the thickness of the coupling agent layer 6 be equal to or less than the thickness of five molecular layers because the swelling tends to occur easily.

【0041】また、絶縁フィルム層4の上に形成するカ
ップリング剤層6は、主導体層7の上面に形成したもの
と同じものでもよいが、接着される材料の組み合わせに
より異なる種類のカップリング剤に変更してもよい。
The coupling agent layer 6 formed on the insulating film layer 4 may be the same as that formed on the upper surface of the main conductor layer 7, but different types of coupling may be used depending on the combination of materials to be bonded. The agent may be changed.

【0042】さらに、主導体層7・下地導体層8・絶縁
フィルム層4・絶縁性接着剤層5の材料の組合せは多層
配線基板に要求される仕様や特性に応じて適宜選択すれ
ばよいが、中でも主導体層7を銅で下地導体層8をクロ
ムで絶縁フィルム層4をポリイミド樹脂で絶縁性接着剤
層5をポリイミドシロキサン樹脂でカップリング剤層6
をイソプロピルトリN−アミノエチルアミノエチルチタ
ネートで形成しておくと、イソプロピルトリN−アミノ
エチルアミノエチルチタネートは銅・ポリイミド樹脂・
ポリイミドシロキサン樹脂との濡れ性がよく強固に結合
しやすく、また、イソプロピルトリN−アミノエチルア
ミノエチルチタネートは分子構造的に耐熱性が高いた
め、それぞれの層間の接着強度が強固になるとともによ
り高温の加熱処理にも対応することができる。
Further, the combination of the materials of the main conductor layer 7, the base conductor layer 8, the insulating film layer 4, and the insulating adhesive layer 5 may be appropriately selected according to the specifications and characteristics required for the multilayer wiring board. In particular, the main conductor layer 7 is made of copper, the base conductor layer 8 is made of chromium, the insulating film layer 4 is made of polyimide resin, the insulating adhesive layer 5 is made of polyimide siloxane resin, and the coupling agent layer 6 is made of polyimide siloxane resin.
Is formed with isopropyl tri-N-aminoethylaminoethyl titanate, isopropyl tri-N-aminoethylaminoethyl titanate is converted to copper / polyimide resin /
It has good wettability with the polyimide siloxane resin and is easily bonded firmly.Because isopropyl tri-N-aminoethylaminoethyl titanate has high molecular structure and high heat resistance, the adhesive strength between each layer becomes strong and the temperature becomes higher. Can also be applied.

【0043】これにより、より高温の加熱処理によって
も絶縁フィルム層4の膨れを生じることがない、絶縁フ
ィルム層4の接着強度がより一層強固な多層配線基板と
なる。
As a result, the insulating film layer 4 does not swell even when subjected to a higher temperature heat treatment, and a multilayer wiring board having a stronger adhesive strength of the insulating film layer 4 can be obtained.

【0044】なお、絶縁フィルム層4の最上層の主導体
層7には、チップ部品の実装性および耐環境性の点か
ら、主導体層7が銅層からなる場合にはその上にめっき
法によりニッケル層や金層を形成するとよい。
In the case where the main conductor layer 7 is made of a copper layer, the uppermost main conductor layer 7 of the insulating film layer 4 is formed of a copper layer from the viewpoint of chip component mounting and environmental resistance. To form a nickel layer or a gold layer.

【0045】かくして、本発明の多層配線基板によれ
ば、混成集積回路装置や半導体素子を収容する半導体素
子収納用パッケージ等に使用され、基板1の上面に配設
させた多層配線部2の上に半導体素子や容量素子・抵抗
器等の電子部品を搭載実装し、電子部品の各電極を導体
層3に電気的に接続することによって半導体装置や電子
装置等として利用されることとなる。
Thus, according to the multilayer wiring board of the present invention, the multilayer wiring board 2 is used for a hybrid integrated circuit device or a semiconductor element housing package for housing a semiconductor element, and is provided on the upper surface of the substrate 1. An electronic component such as a semiconductor element, a capacitor and a resistor is mounted and mounted thereon, and each electrode of the electronic component is electrically connected to the conductor layer 3 to be used as a semiconductor device or an electronic device.

【0046】なお、本発明は上記の実施の形態の例に限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
であれば種々の変更は可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes can be made without departing from the gist of the present invention.

【0047】例えば、上述の例においてはカップリング
剤層6を形成する方法としてはLB膜法を用いた例を示
したが、浸漬法を用いる場合であれば、導体層3の形成
された基板1をカップリング剤溶液に浸漬した後さらに
溶剤で洗浄することによって、所望の厚みのカップリン
グ剤層6を形成することができる。
For example, in the above-described example, an example in which the LB film method is used as the method of forming the coupling agent layer 6 has been described. However, if the immersion method is used, the substrate on which the conductor layer 3 is formed is used. By dipping 1 in a coupling agent solution and further washing with a solvent, a coupling agent layer 6 having a desired thickness can be formed.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上のように、本発明の多層配線基板に
よれば、主導体層の上面にカップリング剤層を5分子層
厚み以下に形成してあるため、カップリング剤層は分子
の配列の乱れが小さく、主導体層およびカップリング剤
層の分子同士が効率良く結合して均一で強固な層を形成
し、孤立したカップリング剤の分子が発生しない。その
結果、カップリング剤層の耐熱性が向上し、加熱工程で
のカップリング剤層の蒸発がなくなり、主導体層と絶縁
性接着剤層とがカップリング剤層によって強固に接着さ
れる。
As described above, according to the multilayer wiring board of the present invention, the coupling agent layer is formed on the upper surface of the main conductor layer to a thickness of 5 molecular layers or less. The arrangement is small, molecules of the main conductor layer and the coupling agent layer are efficiently bonded to each other to form a uniform and strong layer, and isolated coupling agent molecules are not generated. As a result, the heat resistance of the coupling agent layer is improved, the evaporation of the coupling agent layer in the heating step is eliminated, and the main conductor layer and the insulating adhesive layer are firmly bonded by the coupling agent layer.

【0049】また、導体層は下地導体層および主導体層
から構成されているため、主導体層は回路配線として良
好な電気伝導性のよいもの、また下地導体層は絶縁フィ
ルム層との接着強度が強固なものを必要とされる機能に
応じて採用することができる。このため絶縁フィルム層
と主導体層との接着強度を強固なものとすることができ
るとともに、絶縁フィルム層の上面を凹凸に粗化する必
要がなくなり、細線な導体層を形成しても断線が発生す
ることがなくなる。
Further, since the conductor layer is composed of a base conductor layer and a main conductor layer, the main conductor layer has good electric conductivity as a circuit wiring, and the base conductor layer has an adhesive strength with an insulating film layer. Can be adopted depending on the required function. Therefore, the adhesive strength between the insulating film layer and the main conductor layer can be strengthened, and it is not necessary to roughen the upper surface of the insulating film layer to have irregularities. Will not occur.

【0050】これにより、加熱処理により絶縁フィルム
層の膨れを生じることがない、絶縁フィルム層の接着強
度が強固な、高密度配線の可能な多層配線基板を得るこ
とができる。
Thus, it is possible to obtain a multilayer wiring board which does not cause swelling of the insulating film layer due to the heat treatment, has strong adhesive strength of the insulating film layer, and is capable of high-density wiring.

【0051】さらに、本発明の多層配線基板によれば、
下地導体層をクロムまたはクロムを主成分とする合金
で、主導体層を銅または銅を主成分とする合金で、絶縁
フィルム層をポリイミド樹脂で、絶縁性接着剤層をポリ
イミドシロキサン樹脂で、カップリング剤層をイソプロ
ピルトリN−アミノエチルアミノエチルチタネートで形
成した場合には、イソプロピルトリN−アミノエチルア
ミノエチルチタネートは銅・ポリイミド樹脂・ポリイミ
ドシロキサン樹脂との濡れ性がよく強固に結合しやす
く、また、分子構造的に耐熱性が高いため、それぞれの
層間の接着強度が強固になるとともにより高温の加熱処
理にも対応することができる。その結果、カップリング
剤層の耐熱性が向上し、より高温の加熱処理でも絶縁フ
ィルム層間におけるカップリング剤層の蒸発がなくな
り、主導体層と絶縁性接着剤層とがカップリング剤層に
よって強固に接着される。
Further, according to the multilayer wiring board of the present invention,
The base conductor layer is made of chromium or an alloy containing chromium as a main component, the main conductor layer is made of copper or an alloy containing copper as a main component, the insulating film layer is made of a polyimide resin, and the insulating adhesive layer is made of a polyimide siloxane resin. When the ring agent layer is formed of isopropyltri-N-aminoethylaminoethyl titanate, the isopropyltri-N-aminoethylaminoethyl titanate has good wettability with copper / polyimide resin / polyimide siloxane resin and easily bonds firmly, Further, since the heat resistance is high in the molecular structure, the adhesive strength between the respective layers is strengthened, and it is possible to cope with a higher temperature heat treatment. As a result, the heat resistance of the coupling agent layer is improved, the evaporation of the coupling agent layer between the insulating film layers is eliminated even at a higher temperature heat treatment, and the main conductor layer and the insulating adhesive layer are strengthened by the coupling agent layer. Adhered to.

【0052】また、クロムはポリイミド樹脂と化学的な
結合を作るため、絶縁フィルム層の上面が平滑であって
も接着強度が強固となる。このため絶縁フィルム層の上
面の凹凸が不要になり、細線な導体層を形成しても断線
が発生することがなくなるとともに、細線な主導体層を
絶縁フィルム層により強固に接着することができる。
Further, since chromium forms a chemical bond with the polyimide resin, the bonding strength is strong even if the upper surface of the insulating film layer is smooth. For this reason, unevenness on the upper surface of the insulating film layer becomes unnecessary, and even if a thin conductor layer is formed, disconnection does not occur, and the thin main conductor layer can be more firmly bonded to the insulating film layer.

【0053】これにより、より高温の加熱処理によって
も絶縁フィルム層の膨れを生じることがない、絶縁フィ
ルム層および導体層の接着強度がより一層強固で高密度
配線が可能な多層配線基板を得ることができる。
Thus, a multilayer wiring board which does not cause swelling of the insulating film layer even by heat treatment at a higher temperature, has stronger adhesive strength between the insulating film layer and the conductor layer, and is capable of high-density wiring. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示
す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of an embodiment of a multilayer wiring board of the present invention.

【図2】本発明の多層配線基板における導体層の一部を
示す要部拡大断面図である。
FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part showing a part of a conductor layer in the multilayer wiring board of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・・基板 2・・・・多層配線部 3・・・・導体層 4・・・・絶縁フィルム層 5・・・・絶縁性接着剤層 6・・・・カップリング剤層 7・・・・主導体層 8・・・・下地導体層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Multilayer wiring part 3 ... Conductor layer 4 ... Insulating film layer 5 ... Insulating adhesive layer 6 ... Coupling agent layer 7 ... ... Main conductor layer 8 ... Under conductor layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4E351 AA02 AA03 AA04 AA07 AA09 AA11 BB01 BB38 DD04 DD17 GG02 5E343 AA16 AA18 AA24 BB16 BB23 BB24 BB25 BB28 BB38 CC04 CC22 DD23 DD25 DD32 DD76 EE56 GG02 5E346 AA15 AA17 AA32 CC05 CC09 CC10 CC16 CC17 CC19 CC31 CC32 CC34 CC38 CC39 CC41 DD16 DD17 DD22 DD32 DD33 HH11  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page F term (reference) 4E351 AA02 AA03 AA04 AA07 AA09 AA11 BB01 BB38 DD04 DD17 GG02 5E343 AA16 AA18 AA24 BB16 BB23 BB24 BB25 BB28 BB38 CC04 CC22 DD23 DD25 DD32 DD76 EE56 A10 CC05 CCA CC17 CC19 CC31 CC32 CC34 CC38 CC39 CC41 DD16 DD17 DD22 DD32 DD33 HH11

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に、有機樹脂から成り、上面に導
体層が形成された複数の絶縁フィルム層を、絶縁性接着
剤層で接着して多層に積層した多層配線基板であって、
前記導体層が下地導体層および主導体層から成るととも
に、該主導体層の上面に厚みが5分子層厚み以下のカッ
プリング剤層を形成したことを特徴とする多層配線基
板。
1. A multilayer wiring board comprising a plurality of insulating film layers made of an organic resin and having a conductor layer formed on an upper surface thereof, the plurality of insulating film layers being adhered with an insulating adhesive layer and laminated on the substrate.
A multilayer wiring board, wherein the conductor layer comprises a base conductor layer and a main conductor layer, and a coupling agent layer having a thickness of 5 molecular layers or less is formed on an upper surface of the main conductor layer.
【請求項2】 前記下地導体層をクロムまたはクロムを
主成分とする合金で、前記主導体層を銅または銅を主成
分とする合金で、前記絶縁フィルム層をポリイミド樹脂
で、前記絶縁性接着剤層をポリイミドシロキサン樹脂
で、前記カップリング剤層をイソプロピルトリN−アミ
ノエチルアミノエチルチタネートで形成したことを特徴
とする請求項1記載の多層配線基板。
2. The insulating adhesive layer according to claim 1, wherein said base conductor layer is made of chromium or an alloy mainly containing chromium, said main conductor layer is made of copper or an alloy mainly containing copper, and said insulating film layer is made of a polyimide resin. 2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the agent layer is formed of a polyimide siloxane resin, and the coupling agent layer is formed of isopropyl tri-N-aminoethylaminoethyl titanate.
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