JP4328007B2 - Manufacturing method of multilayer wiring board - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は多層配線基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、混成集積回路装置や半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配線基板としては、配線導体を高密度に形成することを目的として、基板上に薄膜の絶縁層と配線導体層とから成る多層配線部を形成した多層配線基板が採用されていた。
【0003】
かかる多層配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体等から成る基板の上面に、スピンコート法等によって形成されるポリイミド樹脂等から成る薄膜の絶縁層と、銅やアルミニウム等の主導体とその上下にクロムやニッケル等のバリア導体とで構成され、めっき法や蒸着法等の薄膜形成技術およびフォトリソグラフィー技術を採用することによって形成される多層膜の配線導体層とを交互に多層に積層させた構造を有している。
【0004】
しかしながら、スピンコート法によってポリイミド樹脂から成る絶縁層を形成した場合、所望の厚みに絶縁層を形成するには多数回に分けてポリイミド樹脂の前駆体を塗布し、このポリイミド樹脂の前駆体をポリイミド化させるキュア工程が必要となるため、製造工程が長くなるという問題点があった。
【0005】
そこでポリイミド樹脂等から成り、上面に配線導体層が形成された複数の絶縁フィルム層をビスマレイミド系樹脂等から成る絶縁性接着剤層で接着して多層に積層した多層配線基板が採用されてきている。
【0006】
かかる多層配線基板の形成は、まず絶縁フィルムに絶縁性接着剤をドクターブレード法等を用いて塗布し乾燥させたものを準備し、この絶縁フィルム層を上面に配線導体の形成された基板や下層の絶縁フィルム層の上面に絶縁性接着剤層が配されるように積み重ね、これを加熱プレス装置を用いて加熱加圧し接着することにより行なわれる。
【0007】
この多層配線基板によれば、ポリイミド樹脂の前駆体をポリイミド化させるキュア工程を削減することができ、製造工程の短い多層配線基板となる。
【0008】
しかしながら、この多層配線基板では配線導体層と絶縁フィルム層の接着強度を確保するために配線導体層や絶縁フィルム層の上面を処理液により化学的に粗化していた。
【0009】
このため配線導体層や絶縁フィルム層の上面は凹凸を有する粗面になり、細線の配線導体層においては、その凹凸の形成工程でオーバーエッチングを起こし消失することがあり配線導体層の細線化ができなくなるという問題点があった。
【0010】
そこで、有機樹脂から成り、上面に配線導体層が形成された複数の絶縁フィルム層をカップリング剤層を介して絶縁性接着剤層で接着して多層に積層した多層配線基板が採用されてきている。
【0011】
この多層配線基板によれば、配線導体層の上面を凹凸に粗化することなく配線導体層と絶縁フィルム層の接着強度が得られるため、配線導体層の細線化ができるようになった。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、カップリング剤層を用いた多層配線基板においては、配線導体層の形成時やチップ部品の実装時の加熱処理によりカップリング剤層の一部が蒸発し、絶縁フィルム層の膨れが発生するという問題点があった。
【0013】
本発明は上記従来技術における問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、加熱処理による絶縁フィルム層の膨れの発生しない、絶縁フィルム層の接着強度が強固な多層配線基板を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線基板の製造方法は、第1の絶縁フィルム層上に配線導体層を形成する工程と、浸漬法によって、前記配線導体層上にカップリング剤層を形成する工程と、溶剤を用いて前記カップリング剤層が5分子層厚み以下となるように前記カップリング剤層の表面を溶解、洗浄する工程と、前記表面が洗浄された前記カップリング剤層上に、絶縁性接着剤を介して第2の絶縁フィルム層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【0017】
本発明の多層配線基板によれば、配線導体層の上面にカップリング剤層が5分子層厚み以下に形成してあるため、カップリング剤層は分子の配列の乱れが小さく、配線導体層およびカップリング剤層の分子同士が効率良く結合して均一で強固な層を形成し、孤立したカップリング剤の分子が発生しない。その結果、カップリング剤層の耐熱性が向上し、加熱工程でのカップリング剤層の蒸発がなくなり、配線導体層と絶縁性接着剤層がカップリング剤層によって強固に接着される。
【0018】
これにより、絶縁フィルム層の膨れを生じることがない絶縁フィルム層の接着強度が強固な多層配線基板を形成することができる。
【0019】
さらに、本発明の多層配線基板によれば、絶縁フィルム層の配線導体層が形成された部位以外の上面にもカップリング剤層が5分子層厚み以下に形成した場合には、そのカップリング剤層も分子の配列の乱れが小さく、絶縁フィルム層およびカップリング剤層の分子同士が効率良く結合して均一で強固な層を形成し、孤立したカップリング剤層の分子が発生しない。その結果、カップリング剤層の耐熱性が向上し、加熱工程でのカップリング剤層の蒸発がなくなり、配線導体層と絶縁性接着剤層がカップリング剤層によって強固に接着されるとともに絶縁フィルム層と絶縁性接着剤層もカップリング剤層によって強固に接着される。
【0020】
これにより、絶縁フィルム層の膨れを生じることがない絶縁フィルム層の接着強度がより強固な多層配線基板を形成することができる。
【0021】
さらに、本発明の多層配線基板によれば、配線導体層を銅、絶縁フィルム層をポリイミド樹脂、絶縁性接着剤層をポリイミドシロキサン樹脂、カップリング剤層をイソプロピルトリN−アミノエチルアミノエチルチタネートで形成した場合には、イソプロピルトリN−アミノエチルアミノエチルチタネートは銅、ポリイミド樹脂、ポリイミドシロキサン樹脂との濡れ性がよく強固に結合しやすく、また、分子構造的に耐熱性が高いため、それぞれの層間の接着強度が強固になるとともにより高温の加熱処理にも対応することができる。
【0022】
その結果、カップリング剤層の耐熱性が向上し、より高温の加熱工程でもカップリング剤層の蒸発がなくなり、配線導体層と絶縁性接着剤層がカップリング剤層によって強固に接着される
これにより、より高温の加熱処理によっても絶縁フィルム層の膨れを生じることがない絶縁フィルム層の接着強度がより一層強固な多層配線基板を形成することができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明を詳細に説明する。
【0024】
図1は本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、図2はその配線導体層の一部を示す要部拡大断面図である。
【0025】
これらの図において、1は基板、2は多層配線部、3は配線導体層、4は絶縁フィルム層、5は絶縁性接着剤層、6はカップリング剤層である。
【0026】
基板1は、その上面に配線導体層3が形成された複数の絶縁フィルム層4を絶縁性接着剤層5で接着して多層に積層した多層配線部2が配設されており、この多層配線部2を支持する支持部材として機能する。
【0027】
基板1は、酸化アルミニウム質焼結体やムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、あるいは表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、さらにはガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂やガラス繊維から成る基材にビスマレイミドトリアジン樹脂を含浸させたもの等の電気絶縁材料で形成されている。
【0028】
例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合には、アルミナ・シリカ・カルシア・マグネシア等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を形成し、しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温(約1600℃)で焼成することによって、あるいはアルミナ等の原料粉末に適当な有機溶剤・溶媒を添加混合して原料粉末を調整するとともにこの原料粉末をプレス成形機によって所定形状に成形し、最後にこの成形体を高温(約1600℃)で焼成することによって製作される。また、ガラスエポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂の前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって製作される。
【0029】
基板1の上面に配設されている多層配線部2の配線導体層3は電気信号を伝達するための伝達路として機能し、絶縁フィルム層4は上下に位置する配線導体層3を電気的に絶縁する機能を有している。さらに、絶縁フィルム層4・絶縁性接着剤層5・カップリング剤層6にはレーザ等で加工した貫通孔が形成されており、この貫通孔内にも上側の配線導体層3を延在させることにより絶縁フィルム層4を挟んで上下に位置する配線導体層3の各々を電気的に接続する接続路が形成される。
【0030】
各絶縁フィルム層4の上面および貫通孔内に配設される配線導体層3は、銅・金・銀・アルミニウム・ニッケル・クロム・モリブデン・チタン・タンタル・タングステン等の金属材料をスパッタリング法・蒸着法・めっき法等の薄膜形成技術およびエッチング加工技術を採用することによって形成される。
【0031】
例えば、その配線導体層3は、まず広面積に銅を主体とし銅層の下層に拡散防止層(バリア層)としてのクロム・モリブデン・チタン等を被着させて導体層を形成する。次にこの上に所望のパターンにフォトレジストを形成し、このフォトレジストをマスクにして導体層の不要部分をエッチングによって除去することで所望のパターンに加工される。
【0032】
配線導体層3の上面にはカップリング剤層6を形成する。このカップリング剤層6は絶縁性接着剤層5との接着強度を強固とし、加熱処理における接着強度の改良層として機能する。
【0033】
このカップリング剤層6はN−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン・N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン・γ−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン・ビニルトリエトキシシラン・ビニルトリス(βメトキシエトキシ)シラン・γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン・N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン・γ−クロロプロピルトリメトキシシラン・γ−アミノプロピルトリエトキシシラン・イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート・イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート・ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート・イソプロピルトリN−アミノエチルアミノエチルチタネート・イソプロピルトリオクタノイルチタネート・イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート・イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート・アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート等から成り、カップリング剤層6を形成する方法としてはスピンコート法・浸漬法等であってもよいが、膜の均一性を高めるためにはLB膜法を用いて形成するのがよい。
【0034】
LB膜法を用いてカップリング剤層6を形成する場合は、例えば、面圧を一定に保った状態で液面にカップリング剤を所望の厚みに分散させ、その膜面に対し垂直に配線導体層3の形成された基板1を浸漬し、そのままゆっくりと引き上げることで基板1の全面にカップリング剤層6が均一な厚みに形成される。
【0035】
このとき、カップリング剤層6の厚みが5分子層厚みより厚くなると、カップリング剤層は分子の配列の乱れが大きくなり、孤立するカップリング剤の分子が増加し、加熱処理によりカップリング剤層の一部が蒸発し絶縁フィルム層4の膨れを生じやすくなる傾向があるため、カップリング剤層6の厚みは5分子層厚み以下としておくのがよい。ちなみにカップリング剤の1分子の大きさは2nm程度であり、5分子層厚みでは10nm程度に形成されていることになる。また、このカップリング剤層6の厚みが均一に5分子層厚みとならない場合であっても、カップリング剤層6の中の特に1・3・5分子層厚みの部分の占有率が60%以上であれば接着強度の改善効果がある。
【0036】
さらに、絶縁フィルム層4の配線導体層3が形成された部位以外の上面にもカップリング剤層6を形成しておくと、下層の絶縁フィルム層4と絶縁性接着剤層5の接着強度もより強固になり、加熱処理での絶縁フィルム層4の膨れを生じなくなる。さらに、高温高湿バイアス試験等の耐環境試験においても同一面内の配線導体層3の間に生じるエレクトロマイグレーション等の発生が防止され耐環境信頼性が向上する。
【0037】
このとき、カップリング剤層6の厚みが5分子層厚みより厚くなると、カップリング剤層は分子の配列の乱れが大きくなり、孤立するカップリング剤の分子が増加し、加熱処理によりカップリング剤層の一部が蒸発し絶縁フィルム層4の膨れを生じやすくなる傾向があるため、カップリング剤層6の厚みは5分子層厚み以下としておくのがよい。
【0038】
また、絶縁フィルム層4の上に形成するカップリング剤層6は配線導体層3の上面に形成したものと同じものでもよいが、接着される材料の組み合わせにより異なる種類のカップリング剤に変更してもよい。
【0039】
さらに、配線導体層3、絶縁フィルム層4、絶縁性接着剤層5の材料の組合わせは多層配線基板に要求される仕様や特性に応じて適宜選択すればよいが、中でも配線導体層3を銅、絶縁フィルム層4をポリイミド樹脂、絶縁性接着剤層5をポリイミドシロキサン樹脂、カップリング剤層6をイソプロピルトリN−アミノエチルアミノエチルチタネートで形成しておくと、イソプロピルトリN−アミノエチルアミノエチルチタネートは銅、ポリイミド樹脂、ポリイミドシロキサン樹脂との濡れ性がよく強固に結合しやすく、また、イソプロピルトリN−アミノエチルアミノエチルチタネートは分子構造的に耐熱性が高いため、それぞれの層間の接着強度が強固になるとともにより高温の加熱処理にも対応することができる。
これにより、より高温の加熱処理によっても絶縁フィルム層の膨れを生じることがない絶縁フィルム層の接着強度がより一層強固なものとなる。
【0040】
絶縁フィルム層4の最上層の配線導体層3には、チップ部品の実装性および耐環境性の点から、配線導体層3用の銅層上にめっき法によりニッケル層や金層を形成するとよい。
【0041】
多層配線部2の絶縁層は、絶縁フィルム層4と絶縁性接着剤層5とから構成され、絶縁フィルム層4はポリイミド樹脂・エポキシ樹脂・ポリフェニレンサルファイド樹脂・ポリキノリン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等から成る。
【0042】
また、絶縁性接着剤層5はポリアミドイミド樹脂・ポリイミドシロキサン樹脂・ビスマレイミド系樹脂・エポキシ樹脂等から成る。
【0043】
例えば、絶縁フィルム層4がポリイミド樹脂で絶縁性接着剤層5がポリイミドシロキサン樹脂の場合には、以下のように形成する。
【0044】
絶縁層の形成方法は、まず12.5〜50μm程度の厚みの絶縁フィルムであるポリイミド樹脂に絶縁性接着剤であるポリイミドシロキサン樹脂をドクターブレード法等を用いて乾燥厚みで5〜20μm程度に塗布し乾燥させたものを準備し、この絶縁フィルム層4をカップリング剤層6の形成された配線導体層3や下層の絶縁フィルム層4の上面に間に絶縁性接着剤層5が配されるように積み重ね、これを加熱プレス装置を用いて加熱加圧し接着する。
【0045】
かくして、本発明の多層配線基板によれば、基板1の上面に配設させた多層配線部2の上に半導体素子や容量素子・抵抗器等の電子部品を搭載実装し、電子部品の各電極を配線導体層3に電気的に接続することによって半導体装置や混成集積回路装置等となる。
【0046】
なお、本発明は上記の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【0047】
例えば、上述の例においてはカップリング剤層6を形成する方法としてはLB膜法を用いた例を示したが、浸漬法を用いる場合は、配線導体層3の形成された基板1をカップリング剤溶液に浸漬した後さらに溶剤で洗浄することによって、所望の厚みのカップリング剤層6を形成することができる。
【0048】
【発明の効果】
以上のように、本発明の多層配線基板によれば、配線導体層の上面にカップリング剤層が5分子層厚み以下に形成してあるため、カップリング剤層は分子の配列の乱れが小さく、配線導体層およびカップリング剤層の分子同士が効率良く結合して均一で強固な層を形成し、孤立したカップリング剤の分子が発生しない。その結果、カップリング剤層の耐熱性が向上し、加熱工程でのカップリング剤層の蒸発がなくなり、配線導体層と絶縁性接着剤層がカップリング剤層によって強固に接着される。
【0049】
これにより、絶縁フィルム層の膨れを生じることがない絶縁フィルム層の接着強度が強固な多層配線基板を形成することができる。
【0050】
さらに、本発明の多層配線基板によれば、絶縁フィルム層の配線導体層が形成された部位以外の上面にもカップリング剤層が5分子層厚み以下に形成した場合には、そのカップリング剤層も分子の配列の乱れが小さく、絶縁フィルム層およびカップリング剤層の分子同士が効率良く結合して均一で強固な層を形成し、孤立したカップリング剤層の分子が発生しない。その結果、カップリング剤層の耐熱性が向上し、加熱工程でのカップリング剤層の蒸発がなくなり、配線導体層と絶縁性接着剤層がカップリング剤層によって強固に接着されるとともに絶縁フィルム層と絶縁性接着剤層もカップリング剤層によって強固に接着される。
【0051】
これにより、絶縁フィルム層の膨れを生じることがない絶縁フィルム層の接着強度がより強固な多層配線基板を形成することができる。
【0052】
さらに、本発明の多層配線基板によれば、配線導体層を銅、絶縁フィルム層をポリイミド樹脂、絶縁性接着剤層をポリイミドシロキサン樹脂、カップリング剤層をイソプロピルトリN−アミノエチルアミノエチルチタネートで形成した場合には、イソプロピルトリN−アミノエチルアミノエチルチタネートは銅、ポリイミド樹脂、ポリイミドシロキサン樹脂との濡れ性がよく強固に結合しやすく、また、分子構造的に耐熱性が高いため、それぞれの層間の接着強度が強固になるとともにより高温の加熱処理にも対応することができる。その結果、カップリング剤層の耐熱性が向上し、より高温の加熱工程でもカップリング剤層の蒸発がなくなり、配線導体層と絶縁性接着剤層がカップリング剤層によって強固に接着される
これにより、より高温の加熱処理によっても絶縁フィルム層の膨れを生じることがない絶縁フィルム層の接着強度がより一層強固な多層配線基板を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図2】本発明の配線導体層の一部を示す要部拡大断面図である。
【符号の説明】
1・・・・基板
2・・・・多層配線部
3・・・・配線導体層
4・・・・絶縁フィルム層
5・・・・絶縁性接着剤層
6・・・・カップリング剤層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The invention you about the method for manufacturing a multilayer wiring board.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a multilayer wiring board used for a hybrid integrated circuit device, a package for housing a semiconductor element, and the like includes a thin insulating layer and a wiring conductor layer on the substrate for the purpose of forming wiring conductors at a high density. A multilayer wiring board in which a multilayer wiring portion is formed has been adopted.
[0003]
Such a multilayer wiring board has a thin film insulating layer made of a polyimide resin or the like formed by a spin coating method on the upper surface of a substrate made of an aluminum oxide sintered body, a main conductor such as copper or aluminum, and the upper and lower sides thereof. A structure composed of barrier conductors such as chrome and nickel, and multilayer wiring conductor layers that are formed by adopting thin film formation technology such as plating and vapor deposition and photolithography technology. have.
[0004]
However, when an insulating layer made of polyimide resin is formed by a spin coating method, a polyimide resin precursor is applied in multiple steps to form an insulating layer with a desired thickness, and the polyimide resin precursor is applied to polyimide. Therefore, there is a problem that the manufacturing process becomes long.
[0005]
Therefore, a multilayer wiring board in which a plurality of insulating film layers made of polyimide resin or the like and having a wiring conductor layer formed on the upper surface are bonded with an insulating adhesive layer made of bismaleimide resin or the like has been adopted in multiple layers. Yes.
[0006]
In order to form such a multilayer wiring board, first, an insulating film is prepared by applying an insulating adhesive using a doctor blade method or the like and dried, and the insulating film layer is formed on a substrate or a lower layer on which a wiring conductor is formed. The insulating film layer is stacked so that an insulating adhesive layer is disposed on the upper surface of the insulating film layer, and this is heated and pressed using a heating press device and bonded.
[0007]
According to this multilayer wiring board, the curing process for converting the polyimide resin precursor into a polyimide can be reduced, and the multilayer wiring board has a short manufacturing process.
[0008]
However, in this multilayer wiring board, the upper surfaces of the wiring conductor layer and the insulating film layer are chemically roughened with a processing solution in order to ensure the adhesive strength between the wiring conductor layer and the insulating film layer.
[0009]
For this reason, the upper surface of the wiring conductor layer or the insulating film layer becomes a rough surface having irregularities, and in the thin wiring conductor layer, over-etching may occur in the irregularity forming process, and the wiring conductor layer may be thinned. There was a problem that it was impossible.
[0010]
Therefore, a multilayer wiring board in which a plurality of insulating film layers made of an organic resin and having a wiring conductor layer formed on the upper surface are bonded with an insulating adhesive layer through a coupling agent layer and laminated in multiple layers has been adopted. Yes.
[0011]
According to this multilayer wiring board, since the adhesive strength between the wiring conductor layer and the insulating film layer can be obtained without roughening the upper surface of the wiring conductor layer, the wiring conductor layer can be thinned.
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
However, in a multilayer wiring board using a coupling agent layer, a part of the coupling agent layer evaporates due to heat treatment at the time of forming a wiring conductor layer or mounting a chip component, and the insulating film layer swells. There was a problem.
[0013]
The present invention has been made in view of the above problems in the prior art, and an object of the present invention is to provide a multilayer wiring board in which the insulating film layer does not swell due to heat treatment and the insulating film layer has a strong adhesive strength. It is in.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The method for producing a multilayer wiring board of the present invention includes a step of forming a wiring conductor layer on the first insulating film layer, a step of forming a coupling agent layer on the wiring conductor layer by an immersion method, and a solvent. A step of dissolving and washing the surface of the coupling agent layer so that the coupling agent layer has a thickness of 5 molecular layers or less ; and an insulating adhesive on the coupling agent layer from which the surface has been washed. And a step of forming a second insulating film layer through the step.
[0017]
According to the multilayer wiring board of the present invention, since the coupling agent layer is formed on the upper surface of the wiring conductor layer to have a thickness of 5 molecular layers or less, the coupling agent layer has a small molecular disorder, and the wiring conductor layer and The molecules of the coupling agent layer are efficiently bonded to form a uniform and strong layer, and no isolated coupling agent molecules are generated. As a result, the heat resistance of the coupling agent layer is improved, the evaporation of the coupling agent layer in the heating process is eliminated, and the wiring conductor layer and the insulating adhesive layer are firmly bonded by the coupling agent layer.
[0018]
Thereby, the multilayer wiring board with strong adhesive strength of the insulating film layer which does not produce the swelling of an insulating film layer can be formed.
[0019]
Furthermore, according to the multilayer wiring board of the present invention, when the coupling agent layer is formed to have a thickness of five molecular layers or less on the upper surface other than the portion where the wiring conductor layer of the insulating film layer is formed, the coupling agent The layers are also less disturbed in the arrangement of molecules, and the molecules of the insulating film layer and the coupling agent layer are efficiently combined to form a uniform and strong layer, and no molecules of the isolated coupling agent layer are generated. As a result, the heat resistance of the coupling agent layer is improved, the evaporation of the coupling agent layer in the heating process is eliminated, and the wiring conductor layer and the insulating adhesive layer are firmly bonded by the coupling agent layer and the insulating film The layer and the insulating adhesive layer are also firmly bonded by the coupling agent layer.
[0020]
Thereby, the multilayer wiring board with stronger adhesive strength of the insulating film layer which does not cause the swelling of the insulating film layer can be formed.
[0021]
Furthermore, according to the multilayer wiring board of the present invention, the wiring conductor layer is made of copper, the insulating film layer is made of polyimide resin, the insulating adhesive layer is made of polyimide siloxane resin, and the coupling agent layer is made of isopropyltri-N-aminoethylaminoethyl titanate. When formed, isopropyltri-N-aminoethylaminoethyl titanate has good wettability with copper, polyimide resin, and polyimidesiloxane resin and is easy to bond firmly, and has a high heat resistance in terms of molecular structure. The adhesive strength between the layers is strengthened, and it is possible to cope with higher temperature heat treatment.
[0022]
As a result, the heat resistance of the coupling agent layer is improved, the evaporation of the coupling agent layer is eliminated even in a higher heating step, and the wiring conductor layer and the insulating adhesive layer are firmly bonded by the coupling agent layer. Thus, it is possible to form a multilayer wiring board having a much stronger adhesive strength of the insulating film layer that does not cause swelling of the insulating film layer even by a higher temperature heat treatment.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0024]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of a multilayer wiring board according to the present invention, and FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing a part of the wiring conductor layer.
[0025]
In these drawings, 1 is a substrate, 2 is a multilayer wiring portion, 3 is a wiring conductor layer, 4 is an insulating film layer, 5 is an insulating adhesive layer, and 6 is a coupling agent layer.
[0026]
The substrate 1 is provided with a
[0027]
The substrate 1 is made of an oxide ceramic such as an aluminum oxide sintered body or a mullite sintered body, or a non-oxide type such as an aluminum nitride sintered body or a silicon carbide sintered body having an oxide film on the surface. It is formed of an electrically insulating material such as ceramics, a glass epoxy resin obtained by impregnating a glass fiber base material with an epoxy resin, or a glass fiber base material impregnated with a bismaleimide triazine resin.
[0028]
For example, when it is formed of an aluminum oxide sintered body, an appropriate organic solvent and solvent are added to and mixed with raw material powders such as alumina, silica, calcia, and magnesia to form a slurry, and this is conventionally known. A ceramic green sheet (green ceramic sheet) is formed by adopting the doctor blade method or the calender roll method, and then the ceramic green sheet is appropriately punched into a predetermined shape and at a high temperature (about 1600 ° C). Or by adding an appropriate organic solvent / solvent to the raw material powder such as alumina to adjust the raw material powder, and forming this raw material powder into a predetermined shape by a press molding machine. Manufactured by firing at high temperature (about 1600 ° C). In the case of glass epoxy resin, for example, it is manufactured by impregnating a base material made of glass fiber with an epoxy resin precursor and thermally curing the epoxy resin precursor at a predetermined temperature.
[0029]
The
[0030]
The
[0031]
For example, the
[0032]
A
[0033]
This
[0034]
When the
[0035]
At this time, when the thickness of the
[0036]
Furthermore, if the
[0037]
At this time, when the thickness of the
[0038]
Further, the
[0039]
Further, the combination of materials of the
Thereby, the adhesive strength of the insulating film layer which does not cause the swelling of the insulating film layer even by a higher temperature heat treatment becomes even stronger.
[0040]
In the uppermost
[0041]
The insulating layer of the
[0042]
The insulating
[0043]
For example, when the insulating
[0044]
The insulating layer is formed by first applying a polyimide siloxane resin, which is an insulating adhesive, to a polyimide resin, which is an insulating film having a thickness of about 12.5 to 50 μm, using a doctor blade method or the like to a dry thickness of about 5 to 20 μm. The insulating
[0045]
Thus, according to the multilayer wiring board of the present invention, an electronic component such as a semiconductor element, a capacitive element, or a resistor is mounted and mounted on the
[0046]
In addition, this invention is not limited to the example of said embodiment, A various change is possible if it is the range which does not deviate from the summary of this invention.
[0047]
For example, in the above-described example, the LB film method is used as the method for forming the
[0048]
【The invention's effect】
As described above, according to the multilayer wiring board of the present invention, the coupling agent layer is formed on the upper surface of the wiring conductor layer to have a thickness of 5 molecular layers or less. The molecules of the wiring conductor layer and the coupling agent layer are efficiently bonded to form a uniform and strong layer, and no isolated coupling agent molecules are generated. As a result, the heat resistance of the coupling agent layer is improved, the evaporation of the coupling agent layer in the heating process is eliminated, and the wiring conductor layer and the insulating adhesive layer are firmly bonded by the coupling agent layer.
[0049]
Thereby, the multilayer wiring board with strong adhesive strength of the insulating film layer which does not produce the swelling of an insulating film layer can be formed.
[0050]
Furthermore, according to the multilayer wiring board of the present invention, when the coupling agent layer is formed to have a thickness of five molecular layers or less on the upper surface other than the portion where the wiring conductor layer of the insulating film layer is formed, the coupling agent The layers are also less disturbed in the arrangement of molecules, and the molecules of the insulating film layer and the coupling agent layer are efficiently combined to form a uniform and strong layer, and no molecules of the isolated coupling agent layer are generated. As a result, the heat resistance of the coupling agent layer is improved, the evaporation of the coupling agent layer in the heating process is eliminated, and the wiring conductor layer and the insulating adhesive layer are firmly bonded by the coupling agent layer and the insulating film The layer and the insulating adhesive layer are also firmly bonded by the coupling agent layer.
[0051]
Thereby, the multilayer wiring board with stronger adhesive strength of the insulating film layer which does not cause the swelling of the insulating film layer can be formed.
[0052]
Furthermore, according to the multilayer wiring board of the present invention, the wiring conductor layer is made of copper, the insulating film layer is made of polyimide resin, the insulating adhesive layer is made of polyimide siloxane resin, and the coupling agent layer is made of isopropyltri-N-aminoethylaminoethyl titanate. When formed, isopropyltri-N-aminoethylaminoethyl titanate has good wettability with copper, polyimide resin, and polyimidesiloxane resin and is easy to bond firmly, and also has high heat resistance in terms of molecular structure. The adhesive strength between the layers is strengthened, and it is possible to cope with higher temperature heat treatment. As a result, the heat resistance of the coupling agent layer is improved, the evaporation of the coupling agent layer is eliminated even at a higher heating step, and the wiring conductor layer and the insulating adhesive layer are firmly bonded by the coupling agent layer. Thus, it is possible to form a multilayer wiring board having a stronger adhesive strength of the insulating film layer that does not cause swelling of the insulating film layer even by a higher temperature heat treatment.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of a multilayer wiring board according to the present invention.
FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part showing a part of a wiring conductor layer of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
Claims (1)
浸漬法によって、前記配線導体層上にカップリング剤層を形成する工程と、
溶剤を用いて前記カップリング剤層が5分子層厚み以下となるように前記カップリング剤層の表面を溶解、洗浄する工程と、
前記表面が洗浄された前記カップリング剤層上に、絶縁性接着剤を介して第2の絶縁フィルム層を形成する工程と、を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。Forming a wiring conductor layer on the first insulating film layer;
A step of forming a coupling agent layer on the wiring conductor layer by an immersion method;
Dissolving and washing the surface of the coupling agent layer using a solvent so that the coupling agent layer has a thickness of 5 molecular layers or less ;
Forming a second insulating film layer on the coupling agent layer, the surface of which has been cleaned, with an insulating adhesive interposed therebetween, and a method for producing a multilayer wiring board.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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