JP2002252462A - Multilayer wiring board - Google Patents

Multilayer wiring board

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JP2002252462A
JP2002252462A JP2001046625A JP2001046625A JP2002252462A JP 2002252462 A JP2002252462 A JP 2002252462A JP 2001046625 A JP2001046625 A JP 2001046625A JP 2001046625 A JP2001046625 A JP 2001046625A JP 2002252462 A JP2002252462 A JP 2002252462A
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JP
Japan
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layer
insulating film
layers
insulating
via hole
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Application number
JP2001046625A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Kubota
武志 窪田
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem raised by a multilayer wiring board in which an insulating layer composed of a plurality of insulating film layers is formed on a substrate that via-hole conductors are deformed and a disconnection occurs when the insulating film layers are heated and pressed for laminating the film layer by sticking the layer to each other. SOLUTION: The multilayer wiring board is constituted by alternately laminating a plurality of insulating film layers 4 and a plurality of wiring conductor layers 3 by sticking the layers 4 and 3 to each other via thermoplastic insulating adhesive layers 5 interposed between the film layers 4, and by electrically connecting upper and lower wiring conductor layers 3 to each other thorough via-hole conductors 7 provided in via holes 6 made through the film layers 4. The occupation ratio of the opening areas of the via-hole holes 6 to the areas of the film layers 4 are adjusted to >=0.1%. Consequently, the pressures applied to the via-hole conductors 7 can be lowered in a scattered state, and the disconnection of the conductors 7 caused by the deformation of the conductor 7 can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board, and more particularly to a multilayer wiring board used for a hybrid integrated circuit device, a semiconductor element housing package for housing a semiconductor element, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板としては、
配線導体を高密度に形成することを目的として、基板上
に薄膜の絶縁層と配線導体層とから成る多層配線部を形
成した多層配線基板が採用されていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a multilayer wiring board used for a hybrid integrated circuit device, a package for housing a semiconductor element, and the like,
For the purpose of forming wiring conductors at a high density, a multilayer wiring board having a multilayer wiring portion formed of a thin insulating layer and a wiring conductor layer formed on a substrate has been employed.

【0003】かかる多層配線基板は、酸化アルミニウム
質焼結体等から成る基板の上面に、スピンコート法等に
よって形成されるポリイミド樹脂等から成る薄膜の絶縁
層と、銅やアルミニウム等の金属から成り、スパッタリ
ング法・蒸着法・めっき法等の薄膜形成技術およびフォ
トリソグラフィー技術を採用することによって形成され
る配線導体層とを交互に多層に積層させた構造を有して
いる。
[0003] Such a multilayer wiring board is composed of a thin insulating layer made of a polyimide resin or the like formed by a spin coating method or the like and a metal made of a metal such as copper or aluminum on the upper surface of a substrate made of an aluminum oxide sintered body or the like. And a wiring conductor layer formed by employing a thin film forming technique such as a sputtering method, a vapor deposition method, and a plating method, and a photolithography technique.

【0004】しかしながら、スピンコート法によってポ
リイミド樹脂から成る絶縁層を形成した場合、所望の厚
みに絶縁層を形成するには多数回に分けてポリイミド樹
脂の前駆体を塗布し、ポリイミド樹脂の前駆体をポリイ
ミド化させるキュア工程が必要となるため、製造工程が
長くなるという問題点があった。
However, when an insulating layer made of a polyimide resin is formed by a spin coating method, a polyimide resin precursor is applied in a number of steps to form an insulating layer having a desired thickness. Since a curing step for polyimide is required, the production process becomes longer.

【0005】そこでポリイミド樹脂等から成る複数の絶
縁フィルム層を間にビスマレイミドトリアジン樹脂等か
ら成る絶縁性接着剤層を介して積層して成る絶縁層を用
いる多層配線基板が採用されてきている。
Therefore, a multilayer wiring board using an insulating layer formed by laminating a plurality of insulating film layers made of a polyimide resin or the like via an insulating adhesive layer made of a bismaleimide triazine resin or the like has been adopted.

【0006】かかる多層配線基板の絶縁層の形成は、ま
ず絶縁フィルムに絶縁性接着剤をドクターブレード法等
を用いて塗布し乾燥させたものを準備し、この絶縁フィ
ルム層を基板や下層の絶縁フィルム層の上面に間に絶縁
性接着剤層が配されるように積み重ね、これを加熱プレ
ス装置を用いて加熱加圧し接着することにより行なわれ
る。
In order to form the insulating layer of such a multilayer wiring board, first, an insulating film is prepared by applying an insulating adhesive to the insulating film by using a doctor blade method or the like, and then drying the insulating film layer. This is performed by stacking an insulating adhesive layer on the upper surface of the film layer so as to be disposed therebetween, and by applying heat and pressure using a heating press device to bond the layers.

【0007】また、上下に位置する配線導体層の電気的
な接続は、レーザやドライエッチング等の手法により絶
縁フィルム層と絶縁性接着剤層にビアホールを形成し、
その後ビアホールの内壁にスパッタリング法・蒸着法・
めっき法等の薄膜形成技術およびフォトリソグラフィー
技術を採用することによって、ほぼ均一な厚みにビアホ
ール導体を形成することによって行なわれる。
In order to electrically connect the upper and lower wiring conductor layers, via holes are formed in the insulating film layer and the insulating adhesive layer by a technique such as laser or dry etching.
After that, sputtering method, evaporation method,
This is performed by forming a via-hole conductor with a substantially uniform thickness by employing a thin film forming technique such as a plating method and a photolithography technique.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような絶縁フィルム層を熱可塑性の絶縁性接着剤層を介
して加熱加圧し接着する多層配線基板においては、積層
接着時の加熱加圧は熱可塑性の絶縁性接着剤層が十分に
軟化するガラス転移温度以上で、絶縁性接着剤層の弾性
率より大きな圧力をかけるため、上層の絶縁フィルム層
を積層接着する際の加熱加圧により下層の絶縁層にある
熱可塑性の絶縁性接着剤層は軟化し流動するため、ビア
ホール導体にはより多くの圧力が集中し、ビアホールの
内壁に形成されていたビアホール導体が変形し破断する
ことがあった。そのため、これによりビアホール導体の
導通不良が発生するという問題点があった。
However, in a multilayer wiring board in which the above-described insulating film layer is heated and pressed through a thermoplastic insulating adhesive layer, the heating and pressing during laminating and bonding are performed by heat. Above the glass transition temperature at which the plastic insulating adhesive layer is sufficiently softened, a pressure greater than the elastic modulus of the insulating adhesive layer is applied. Because the thermoplastic insulating adhesive layer in the insulating layer softens and flows, more pressure is concentrated on the via hole conductor, and the via hole conductor formed on the inner wall of the via hole may be deformed and broken . Therefore, there is a problem that a conduction failure of the via-hole conductor occurs due to this.

【0009】本発明は上記従来技術における問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は絶縁フィルム層の
積層接着時に発生するビアホール導体の変形を抑制し電
気的な接続信頼性の優れた多層配線基板を提供すること
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the prior art, and has as its object to suppress the deformation of via-hole conductors generated when laminating and bonding insulating film layers, and to provide a multilayer having excellent electrical connection reliability. It is to provide a wiring board.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板
は、基板上に有機樹脂から成る複数の絶縁フィルム層と
複数の配線導体層とを前記絶縁フィルム層間に熱可塑性
の絶縁性接着剤層を介して多層に積層接着するととも
に、上下に位置する前記配線導体層同士を前記絶縁フィ
ルム層に設けたビアホールにビアホール導体を配して電
気的に接続して成る多層配線基板であって、前記絶縁フ
ィルム層の面積に対し前記ビアホールの開口面積の占有
率を0.1%以上としたことを特徴とするものである。
According to the present invention, there is provided a multilayer wiring board comprising a plurality of insulating film layers made of an organic resin and a plurality of wiring conductor layers on a substrate, and a thermoplastic insulating adhesive layer between the insulating film layers. A multi-layer wiring board comprising a plurality of wiring layers which are laminated and adhered through each other, and wherein the wiring conductor layers located above and below are electrically connected to each other by arranging via-hole conductors in via holes provided in the insulating film layer, The occupation ratio of the opening area of the via hole to the area of the insulating film layer is 0.1% or more.

【0011】本発明の多層配線基板によれば、絶縁フィ
ルム層の面積に対しビアホールの開口面積の占有率を0.
1%以上にしてあるため、上層の絶縁フィルム層を積層
接着する際の加熱加圧により下層の絶縁層にある熱可塑
性の絶縁性接着剤層は軟化し流動するが、圧力は各ビア
ホール導体に分散保持されるため、下層の絶縁層にある
ビアホール導体の変形が抑制されビアホール導体が変形
し破断することがなくなり、ビアホール導体の導通不良
が発生することがなくなる。
According to the multilayer wiring board of the present invention, the occupation ratio of the opening area of the via hole to the area of the insulating film layer is 0.1%.
Since it is 1% or more, the thermoplastic insulating adhesive layer in the lower insulating layer softens and flows due to the heating and pressurization when laminating and bonding the upper insulating film layer, but the pressure is applied to each via hole conductor. Since the via hole conductor is dispersed and held, deformation of the via hole conductor in the lower insulating layer is suppressed, so that the via hole conductor is not deformed and broken, and no conduction failure of the via hole conductor occurs.

【0012】これにより、電気的な接続信頼性の優れた
多層配線基板となる。
Thus, a multilayer wiring board having excellent electrical connection reliability can be obtained.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明を詳
細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0014】図1は本発明の多層配線基板の実施の形態
の一例を示す断面図であり、図1において、1は基板、
2は多層配線部、3は配線導体層、4は絶縁フィルム
層、5は絶縁性接着剤層、6はビアホール、7はビアホ
ール導体である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a multilayer wiring board according to the present invention. In FIG.
2 is a multilayer wiring portion, 3 is a wiring conductor layer, 4 is an insulating film layer, 5 is an insulating adhesive layer, 6 is a via hole, and 7 is a via hole conductor.

【0015】基板1は、その上面に導体層3が形成され
た複数の絶縁フィルム層4を絶縁性接着剤層5で接着し
て多層に積層した多層配線部2が配設されており、この
多層配線部2を支持する支持部材として機能する。
The substrate 1 is provided with a multilayer wiring portion 2 in which a plurality of insulating film layers 4 each having a conductor layer 3 formed on the upper surface thereof are adhered to each other with an insulating adhesive layer 5 and laminated in multiple layers. It functions as a support member for supporting the multilayer wiring section 2.

【0016】基板1は、酸化アルミニウム質焼結体やム
ライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、あるいは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体や炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、さらにはガ
ラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂やガラス繊維から成る基材にビスマレイ
ミドトリアジン樹脂を含浸させたもの等の電気絶縁材料
で形成されている。
The substrate 1 is made of an oxide ceramic such as an aluminum oxide sintered body or a mullite sintered body, or a non-oxide ceramic such as an aluminum nitride sintered body or a silicon carbide sintered body having an oxide film on its surface. It is formed of an electrically insulating material such as an oxide ceramic, a glass epoxy resin in which a glass fiber base material is impregnated with an epoxy resin, or a glass fiber base material in which a bismaleimide triazine resin is impregnated. .

【0017】例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成
されている場合には、アルミナ・シリカ・カルシア・マ
グネシア等の原料粉末に適当な有機溶剤・溶媒を添加混
合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクター
ブレード法やカレンダーロール法を採用することによっ
てセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を
形成し、しかる後、このセラミックグリーンシートに適
当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温
(約1600℃)で焼成することによって、あるいはアルミ
ナ等の原料粉末に適当な有機溶剤・溶媒を添加混合して
原料粉末を調製するとともにこの原料粉末をプレス成形
機によって所定形状に成形し、最後にこの成形体を高温
(約1600℃)で焼成することによって製作される。ま
た、ガラスエポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス
繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、
このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させるこ
とによって製作される。
For example, in the case of being formed of an aluminum oxide sintered body, an appropriate organic solvent / solvent is added to a raw material powder such as alumina / silica / calcia / magnesia and mixed to form a slurry. A ceramic green sheet (ceramic green sheet) is formed by employing a conventionally known doctor blade method or calender roll method. Thereafter, the ceramic green sheet is subjected to an appropriate punching process to obtain a predetermined shape and a high temperature (approximately). 1600 ° C) or by mixing an appropriate organic solvent / solvent with the raw material powder such as alumina to prepare the raw material powder and forming the raw material powder into a predetermined shape by a press molding machine. It is manufactured by firing a molded body at a high temperature (about 1600 ° C.). In the case of a glass epoxy resin, for example, a substrate made of glass fiber is impregnated with an epoxy resin precursor,
The epoxy resin precursor is manufactured by thermosetting at a predetermined temperature.

【0018】基板1の上面に配設されている多層配線部
2の導体層3は電気信号を伝達するための伝達路として
機能し、絶縁フィルム層4は上下に位置する配線導体層
3を電気的に絶縁する機能を有している。
The conductor layer 3 of the multilayer wiring section 2 provided on the upper surface of the substrate 1 functions as a transmission path for transmitting electric signals, and the insulating film layer 4 electrically connects the wiring conductor layers 3 positioned above and below. It has the function of electrically insulating.

【0019】多層配線部2の絶縁層は絶縁フィルム層4
と絶縁性接着剤層5とから構成され、絶縁フィルム層4
はポリイミド樹脂・ポリフェニレンサルファイド樹脂・
全芳香族ポリエステル樹脂・フッ素樹脂等から成る。ま
た、絶縁性接着剤層5はポリフェニレンエーテル樹脂・
ポリイミドシロキサン樹脂・フッ素樹脂等の熱可塑性樹
脂から成る。
The insulating layer of the multilayer wiring section 2 is an insulating film layer 4
And an insulating adhesive layer 5, the insulating film layer 4
Is polyimide resin, polyphenylene sulfide resin,
Consists of wholly aromatic polyester resin, fluororesin, etc. The insulating adhesive layer 5 is made of polyphenylene ether resin.
It is made of a thermoplastic resin such as polyimide siloxane resin and fluorine resin.

【0020】絶縁層の形成方法は、まず12.5〜50μm程
度の絶縁フィルムに絶縁性接着剤をドクターブレード法
等を用いて乾燥厚みで5〜20μm程度に塗布し乾燥させ
たものを準備し、この絶縁フィルム層4を基板1や下層
の絶縁フィルム層4の上面に絶縁性接着剤層5が配され
るように積み重ね、これを加熱プレス装置を用いて加熱
加圧し接着する。
The insulating layer is formed by first applying an insulating adhesive to an insulating film of about 12.5 to 50 μm to a dry thickness of about 5 to 20 μm using a doctor blade method or the like and preparing a dried one. The insulating film layer 4 is stacked on the upper surface of the substrate 1 or the lower insulating film layer 4 so that the insulating adhesive layer 5 is arranged, and the insulating adhesive layer 5 is heated and pressed using a heating press device to be bonded.

【0021】絶縁層にはビアホール6が形成されてお
り、このビアホール6の内壁にはビアホール導体7が形
成されることにより絶縁フィルム層4を挟んで上下に位
置する配線導体層3の各々を電気的に接続する接続路が
形成される。
A via hole 6 is formed in the insulating layer, and a via hole conductor 7 is formed on the inner wall of the via hole 6 to electrically connect each of the wiring conductor layers 3 positioned above and below the insulating film layer 4. A connection path is formed for the connection.

【0022】ビアホール6は、例えばレーザ等を使い絶
縁フィルム層4および絶縁性接着剤層5の一部を除去す
ることにより形成される。特にビアホール6の開口径が
小さな場合は、ビアホール6の形状のコントロールが容
易でビアホール6の内壁面が滑らかに加工される紫外線
レーザで形成することが望ましい。
The via hole 6 is formed by removing a part of the insulating film layer 4 and the insulating adhesive layer 5 using, for example, a laser. In particular, when the opening diameter of the via hole 6 is small, it is desirable to form the via hole 6 with an ultraviolet laser that facilitates control of the shape of the via hole 6 and smoothly processes the inner wall surface of the via hole 6.

【0023】本発明者は、絶縁フィルム層4を積層接着
する際の加熱加圧により下層の絶縁層にある熱可塑性の
絶縁性接着剤層5が軟化し、下層の絶縁層にあるビアホ
ール導体7が変形することと、絶縁フィルム層4の面積
に対するビアホール6の開口面積の占有率との関係につ
いて種々の検討・実験を重ねた結果、絶縁フィルム層4
の面積に対しビアホール6の開口面積の占有率が0.1%
より小さくなると、上層の絶縁フィルム層4を積層接着
する際の加熱加圧により下層の絶縁層にある熱可塑性の
絶縁性接着剤層5は軟化して流動し、その状態でビアホ
ール導体7にはより多くの圧力が集中するため、ビアホ
ール6の内壁に形成されていたビアホール導体7が変形
し破断しやすくなる傾向があることを見出した。その結
果、絶縁フィルム層4の面積に対しビアホール6の開口
面積の占有率を0.1%以上としておくことにより、絶縁
フィルム層4の積層接着時に発生するビアホール導体7
の変形を抑制し、電気的な接続信頼性の優れた多層配線
基板を完成するに至った。
The present inventor believes that the thermoplastic insulating adhesive layer 5 in the lower insulating layer is softened by heating and pressing when the insulating film layer 4 is laminated and bonded, and the via-hole conductor 7 in the lower insulating layer is softened. As a result of repeating various studies and experiments on the relationship between the deformation of the insulating film layer and the occupation ratio of the opening area of the via hole 6 to the area of the insulating film layer 4,
Occupation ratio of opening area of via hole 6 is 0.1%
When the thickness is smaller, the thermoplastic insulating adhesive layer 5 in the lower insulating layer is softened and flows due to the heating and pressurizing when the upper insulating film layer 4 is laminated and bonded. Since more pressure is concentrated, it has been found that the via hole conductor 7 formed on the inner wall of the via hole 6 tends to be deformed and easily broken. As a result, by setting the occupation ratio of the opening area of the via hole 6 to the area of the insulating film layer 4 to 0.1% or more, the via hole conductor 7 generated at the time of laminating and bonding the insulating film layer 4 is formed.
And a multilayer wiring board having excellent electrical connection reliability has been completed.

【0024】一方、絶縁フィルム層4の面積に対するビ
アホール6の開口面積の占有率が高くなれば、上層の絶
縁フィルム層4を積層接着する際の加熱加圧により下層
の絶縁層にある熱可塑性の絶縁性接着剤層5は軟化し流
動するが、圧力は各ビアホール導体7に効率よく分散さ
れ十分に保持できるようになる。このため、圧力による
ビアホール導体7の変形はよりよく抑制される。しか
し、絶縁フィルム層4の面積に対するビアホール6の開
口面積の占有率が高くなり過ぎると隣接するビアホール
導体7同士の距離が極端に接近することとなるため、ビ
アホール導体7が少し変形しただけでも隣接するビアホ
ール導体7同士が短絡することとなる。例えば、絶縁フ
ィルム層4の面積に対するビアホール6の開口面積の占
有率が50%でビアホール6の直径が20μmの場合、ビア
ホール6が均等に配置されていても隣接するビアホール
6間の距離は5μm程度となり、ビアホール導体7が3
μm程度屈曲変形しただけでも隣接するビアホール導体
7同士が短絡することとなる。このため、隣接するビア
ホール導体7の短絡を抑える点からは絶縁フィルム層4
の面積に対しビアホール6の開口面積の占有率は50%よ
り低くしておくのが好ましい。
On the other hand, if the occupation ratio of the opening area of the via hole 6 to the area of the insulating film layer 4 is increased, the thermoplastic resin existing in the lower insulating layer is heated and pressed when the upper insulating film layer 4 is laminated and bonded. The insulating adhesive layer 5 softens and flows, but the pressure is efficiently dispersed in the via-hole conductors 7 and can be sufficiently maintained. For this reason, the deformation of the via-hole conductor 7 due to the pressure is better suppressed. However, if the occupation ratio of the opening area of the via hole 6 to the area of the insulating film layer 4 becomes too high, the distance between the adjacent via hole conductors 7 becomes extremely close. The via-hole conductors 7 to be short-circuited. For example, when the occupation ratio of the opening area of the via hole 6 to the area of the insulating film layer 4 is 50% and the diameter of the via hole 6 is 20 μm, the distance between the adjacent via holes 6 is about 5 μm even if the via holes 6 are evenly arranged. And the via-hole conductor 7 is 3
Even if it is bent and deformed by about μm, adjacent via-hole conductors 7 are short-circuited. Therefore, from the viewpoint of suppressing the short circuit of the adjacent via-hole conductor 7, the insulating film layer 4
It is preferable that the occupation ratio of the opening area of the via hole 6 is lower than 50% of the area.

【0025】特に、絶縁フィルム層4の面積に対しビア
ホール6の開口面積の占有率を20%以下にしておくと、
隣接するビアホール6間の距離はビアホール6の直径と
同等になるため、上層の絶縁フィルム層4を積層接着す
る際の加熱加圧によりビアホール導体7の変形が多少あ
ったとしても隣接するビアホール導体7同士が短絡する
ことがなくなる。このため、絶縁フィルム層4の面積に
対しビアホール6の開口面積の占有率は20%以下として
おくのが好適である。
In particular, if the occupation ratio of the opening area of the via hole 6 to the area of the insulating film layer 4 is set to 20% or less,
Since the distance between the adjacent via holes 6 is equal to the diameter of the via hole 6, even if the via hole conductor 7 is slightly deformed by heating and pressing when the upper insulating film layer 4 is laminated and bonded, the adjacent via hole conductor 7 No short circuit occurs between them. For this reason, the occupation ratio of the opening area of the via hole 6 to the area of the insulating film layer 4 is preferably set to 20% or less.

【0026】また、ビアホール6は一部に偏在させて配
置するのではなく、上層の絶縁フィルム層4を積層接着
する際の圧力を効率よくビアホール導体7に分散させる
ために、例えば、略一定間隔の格子交点上に略均等にな
るように配置させておくのが好ましい。ただし、ビアホ
ール6を略均等に配置させた上で必要とされる箇所にビ
アホール6を部分的に集中配置するのは何ら問題ない。
In order to efficiently disperse the pressure at the time of laminating and bonding the upper insulating film layer 4 to the via-hole conductors 7, for example, the via holes 6 are not arranged so as to be unevenly distributed in a part. It is preferable to arrange them so as to be substantially even on the grid intersections. However, there is no problem in arranging the via holes 6 approximately uniformly and then partially arranging the via holes 6 in a required location.

【0027】配線導体層3およびビアホール導体7は銅
・金・アルミニウム・ニッケル・クロム・モリブデン・
チタンおよびそれらの合金等の金属材料をスパッタリン
グ法・蒸着法・めっき法等の薄膜形成技術およびフォト
リソグラフィー技術を採用することによって形成され
る。
The wiring conductor layer 3 and the via hole conductor 7 are made of copper, gold, aluminum, nickel, chromium, molybdenum,
A metal material such as titanium or an alloy thereof is formed by employing a thin film forming technique such as a sputtering method, a vapor deposition method, or a plating method and a photolithography technique.

【0028】ビアホール導体7は配線導体層3と別々に
形成してもよいが、これらは同時に形成した方が工程数
を少なくできるとともに両者の電気的な接続信頼性の点
でも良好である。
The via-hole conductor 7 may be formed separately from the wiring conductor layer 3. However, when these are formed at the same time, the number of steps can be reduced and the electrical connection reliability between the two is good.

【0029】また、ビアホール導体7は銅または銅を主
成分とする合金で形成しておく方が電気伝導性および弾
性率の点で好ましい。特に、ビアホール導体7に銅を主
成分としクロムを微量添加した合金を適用すると銅の弾
性率が高温まで高く維持されるため上層の絶縁フィルム
層4を積層接着する際の加熱加圧によるビアホール導体
7の変形がよりよく抑制される。
It is preferable that the via-hole conductor 7 is formed of copper or an alloy containing copper as a main component in terms of electric conductivity and elastic modulus. In particular, when an alloy containing copper as a main component and a small amount of chromium is added to the via-hole conductor 7, the elastic modulus of copper is kept high up to a high temperature. 7 is better suppressed.

【0030】配線導体層3およびビアホール導体7の形
成方法は、例えば、まず広面積に銅を主体とし銅層の少
なくとも一方の主面に拡散防止層(バリア層)としての
クロム、モリブデン、チタン等を被着させて導体層を形
成する。次にこの上に所望のパターンにフォトレジスト
を形成し、このフォトレジストをマスクにして導体層の
不要部分をエッチングによって除去することで所望のパ
ターンに加工される。なお、絶縁フィルム層4の最上層
の配線導体層3には、チップ部品の実装性および耐環境
性の点から、配線導体層3用の銅層上にめっき法により
ニッケル層、金層を形成するとよい。
The method of forming the wiring conductor layer 3 and the via-hole conductor 7 is, for example, a method in which chromium, molybdenum, titanium or the like as a diffusion prevention layer (barrier layer) is formed on a large area mainly composed of copper and on at least one main surface of the copper layer. To form a conductor layer. Next, a photoresist is formed in a desired pattern thereon, and unnecessary portions of the conductor layer are removed by etching using the photoresist as a mask, whereby the conductor layer is processed into a desired pattern. The uppermost wiring conductor layer 3 of the insulating film layer 4 has a nickel layer and a gold layer formed by plating on the copper layer for the wiring conductor layer 3 from the viewpoint of chip component mounting and environmental resistance. Good to do.

【0031】かくして、本発明の多層配線基板によれ
ば、混成集積回路装置や半導体素子を収容する半導体素
子収納用パッケージ等に使用され、基板1の上面に被着
させた多層配線部2上に半導体素子や容量素子、抵抗器
等の電子部品を搭載実装し、電子部品の各電極を配線導
体層3に電気的に接続することによって半導体装置や電
子装置として利用されることとなる。
Thus, according to the multi-layer wiring board of the present invention, the multi-layer wiring board is used for a hybrid integrated circuit device, a semiconductor element housing package for housing a semiconductor element, and the like. Electronic components such as semiconductor elements, capacitance elements, and resistors are mounted and mounted, and each electrode of the electronic components is electrically connected to the wiring conductor layer 3 to be used as a semiconductor device or an electronic device.

【0032】なお、本発明は上記の例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々
の変更は可能である。
The present invention is not limited to the above-described example, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

【0033】例えば、ビアホール導体7は全てのものが
上下に位置する配線導体層3の各々を必ずしも電気的に
接続する必要はなく、上層の絶縁フィルム層4を積層接
着する際の圧力を分散させるためだけの支え部材として
形成するものがあってもよい。
For example, all of the via-hole conductors 7 do not necessarily have to electrically connect each of the wiring conductor layers 3 located above and below, and disperse the pressure at the time of laminating and bonding the upper insulating film layer 4. Some may be formed as support members only for the purpose.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上のように、本発明の多層配線基板に
よれば、絶縁フィルム層の面積に対しビアホールの開口
面積の占有率を0.1%以上にしてあるため、上層の絶縁
フィルム層を積層接着する際の加熱加圧により下層の絶
縁層にある熱可塑性の絶縁性接着剤層は軟化し流動する
が、圧力は各ビアホール導体に分散保持されるため、下
層の絶縁層にあるビアホール導体の変形が抑制されビア
ホール導体が変形し破断することがなくなり、ビアホー
ル導体の導通不良が発生することがなくなる。
As described above, according to the multilayer wiring board of the present invention, since the occupation ratio of the opening area of the via hole to the area of the insulating film layer is set to 0.1% or more, the upper insulating film layer is laminated. The thermoplastic insulating adhesive layer in the lower insulating layer softens and flows due to the heating and pressing at the time of bonding, but since the pressure is dispersed and held in each via hole conductor, the pressure of the via hole conductor in the lower insulating layer is reduced. Deformation is suppressed, so that the via-hole conductor is not deformed and broken, and the conduction failure of the via-hole conductor does not occur.

【0035】これにより、電気的な接続信頼性の優れた
多層配線基板となる。
As a result, a multilayer wiring board having excellent electrical connection reliability can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示
す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of an embodiment of a multilayer wiring board of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・・基板 2・・・・多層配線部 3・・・・配線導体層 4・・・・絶縁フィルム層 5・・・・絶縁性接着剤層 6・・・・ビアホール 7・・・・ビアホール導体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Multilayer wiring part 3 ... Wiring conductor layer 4 ... Insulating film layer 5 ... Insulating adhesive layer 6 ... Via hole 7 ...・ Via hole conductor

フロントページの続き Fターム(参考) 5E317 AA24 BB01 BB02 BB03 BB04 BB11 BB12 BB13 BB14 BB15 BB16 CC13 CC25 CC31 CC51 CD25 CD27 CD32 GG05 GG09 5E346 AA43 CC04 CC08 CC09 CC10 CC14 CC16 CC17 CC19 CC31 CC32 CC34 CC36 CC37 CC41 DD02 DD16 DD17 DD22 EE08 EE12 EE33 EE35 FF05 FF07 FF09 FF10 FF17 GG15 GG28 HH07 HH11 Continued on the front page F-term (reference) 5E317 AA24 BB01 BB02 BB03 BB04 BB11 BB12 BB13 BB14 BB15 BB16 CC13 CC25 CC31 CC51 CD25 CD27 CD32 GG05 GG09 5E346 AA43 CC04 CC08 CC09 CC10 CC14 CC16 CC17 CC19 CC16 EE08 EE12 EE33 EE35 FF05 FF07 FF09 FF10 FF17 GG15 GG28 HH07 HH11

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に有機樹脂から成る複数の絶縁フ
ィルム層と複数の配線導体層とを前記絶縁フィルム層間
に熱可塑性の絶縁性接着剤層を介して多層に積層接着す
るとともに、上下に位置する前記配線導体層同士を前記
絶縁フィルム層に設けたビアホールにビアホール導体を
配して電気的に接続して成る多層配線基板であって、前
記絶縁フィルム層の面積に対し前記ビアホールの開口面
積の占有率を0.1%以上としたことを特徴とする多層配
線基板。
1. A plurality of insulating film layers made of an organic resin and a plurality of wiring conductor layers are laminated and adhered in layers on a substrate via a thermoplastic insulating adhesive layer between the insulating film layers. What is claimed is: 1. A multilayer wiring board comprising a via hole conductor disposed in a via hole provided in said insulating film layer and electrically connecting said wiring conductor layers to each other, wherein an opening area of said via hole with respect to an area of said insulating film layer Characterized by having an occupancy of 0.1% or more.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006203115A (en) * 2005-01-24 2006-08-03 Mitsubishi Plastics Ind Ltd Multilayer printed wiring board

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006203115A (en) * 2005-01-24 2006-08-03 Mitsubishi Plastics Ind Ltd Multilayer printed wiring board

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