JPH10326966A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】薄膜配線導体層、スルーホール導体及びボンデ
ィングパッドと有機樹脂絶縁層との接合強度が弱い。 【解決手段】絶縁基板１と、該絶縁基板１上に形成さ
れ、有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３とを交互に積
層するとともに上下に位置する薄膜配線導体層３を有機
樹脂絶縁層２に設けたスルーホール導体６を介して電気
的に接続してなる多層配線部４と、最上層の有機樹脂絶
縁層２ａ上面に形成され、前記薄膜配線導体層３と電気
的に接続し、かつ外周縁が最上層の有機樹脂絶縁層２ａ
上面に被着させた絶縁樹脂膜８によって覆われているボ
ンディングパッド７とからなる多層配線基板であって、
前記薄膜配線導体層３、スルーホール導体６及びボンデ
ングパッド７は表面が厚さ０．０５μｍ乃至５μｍの第
１ニッケル層３ａで被覆された銅で形成されており、ボ
ンディングパッド７の露出する第１ニッケル層３ａ上に
厚さが１μｍ乃至１５μｍの第２ニッケル層７ａが被着
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。

【０００３】このＭｏ−Ｍｎ法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミツク体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ツク体とを焼結一体化させる方法である。

【０００４】なお、前記配線導体が形成されるセラミッ
ク体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。

【０００５】しかしながら、このＭｏ−Ｍｎ法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で、配線導体を高密度に形成することができない
という欠点を有していた。

【０００６】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来周知の厚膜形成技術により形成するのに変えて微
細化が可能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多
層配線基板が使用されるようになってきた。

【０００７】かかる配線導体を薄膜形成技術により形成
した多層配線基板は、一般に酸化アルミニウム質焼結体
から成るセラミックスやガラス繊維を織り込んだ布にエ
ポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエポキシ樹脂
等から成る基板の上面にスピンコート法及び熱硬化処理
によって形成されるエポキシ樹脂等の有機樹脂から成る
絶縁層と、銅を無電解めっき法や蒸着法等の薄膜形成技
術及びフォトリソグラフイー技術を採用することによっ
て形成される薄膜配線導体層とを交互に積層させるとと
もに、上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層
に設けたスルーホール導体を介して電気的に接続させた
構造を有しており、最上層の有機樹脂絶縁層上面に前記
薄膜配線導体層と電気的に接続するボンデイングパッド
を形成しておき、該ボンデイングパッドに半導体素子等
の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極をボ
ンディングワイヤを介して電気的に接続させるようにな
っている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この多
層配線基板は薄膜配線導体、スルーホール導体及びボン
ディングパッドがいずれも電気抵抗の小さな銅で形成さ
れており、該銅は有機樹脂との接合性が悪い。そのため
絶縁基板上に有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互
に積層し、多層配線部を形成した後、多層配線部に外力
が印加されると該外力によって有機樹脂絶縁層と薄膜配
線導体層及びスルーホール導体との間に剥離が発生し、
薄膜配線導体層やスルーホール導体に断線が生じて多層
配線基板として機能が喪失してしまうという欠点を有す
る。またボンディングパッドに半導体素子や容量素子等
の電極をボンディングワイヤを介して接続する際、ボン
ディングワイヤを接続させる際の熱及び圧接力によって
ボンディングパッドが最上層の有機樹脂絶縁層より剥離
してしまい、その結果、薄膜配線導体層と半導体素子や
容量素子等の電極との電気的接続が外れ、半導体素子や
容量素子等の薄膜配線導体層に対する電気的接続の信頼
性が低いものとなる欠点も有していた。

【０００９】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は薄膜配線導体層、スルーホール導体及び
ボンディングパッドと有機樹脂絶縁層との接合強度を強
固とし、薄膜配線導体層やスルーホール導体に断線を招
来することなく、かつボンディングパッドを介して外部
の半導体素子や容量素子等の電極を薄膜配線導体層に確
実、強固に電気的接続することができる多層配線基板を
提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板と、
該絶縁基板上に形成され、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導
体層とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配
線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を
介して電気的に接続してなる多層配線部と、最上層の有
機樹脂絶縁層上面に形成され、前記薄膜配線導体層と電
気的に接続し、且つ外周縁が最上層の有機樹脂絶縁層上
面に被着させた絶縁樹脂膜によって覆われているボンデ
ィングパッドとからなる多層配線基板であって、前記薄
膜配線導体層、スルーホール導体及びボンデングパッド
は表面が厚さ０．０５μｍ乃至５μｍの第１ニッケル層
で被覆された銅で形成されており、ボンディングパッド
の露出する第１ニッケル層上に厚さが１μｍ乃至１５μ
ｍの第２ニッケル層が被着されていることを特徴とする
ものである。

【００１１】また本発明は、前記ボンデイングパッドの
絶縁樹脂膜で覆われている領域がボンデイングパッドの
外周縁より５μｍ乃至５０μｍの幅であることを特徴と
するものである。

【００１２】本発明の多層配線基板によれば、銅からな
る薄膜配線導体層、スルーホール導体及びボンディング
パッドの表面に有機樹脂と接合性のよいニッケルを０．
０５μｍ乃至５μｍの厚みに被着させたことから薄膜配
線導体層及びスルーホール導体と有機樹脂絶縁層との接
合強度を強固とし、外力が印加されても薄膜配線導体層
及びスルーホール導体と有機樹脂絶縁層との間に剥離が
発生するのを防止して薄膜配線導体層及びスルーホール
導体に断線等が生じるのを有効に防止することが可能と
なる。

【００１３】また本発明の多層配線基板によれば、表面
が厚さ０．０５μｍ乃至５μｍのニッケルで被覆された
銅からなるボンディングパッドの上面外周縁を最上層の
有機樹脂絶縁層に被着させた絶縁樹脂膜で被覆し、かつ
最上層の有機樹脂絶縁層と絶縁樹脂膜とでボンディング
パッドの外周縁を挟み込んだことから最上層の有機樹脂
絶縁層に対するボンディングパッドの接合強度がより強
固となり、ボンディングパッドに半導体素子や容量素子
等の電極をボンディングワイヤを介して接続する際、ボ
ンディングパッドにボンディングワイヤを接続させるた
めの熱及び圧接力が印加されたとしてもボンディングパ
ッドが最上層の有機樹脂絶縁層より剥離することはな
く、これによって半導体素子や容量素子等を薄膜配線導
体層に確実、強固に電気的接続することが可能となる。

【００１４】更に本発明の多層配線基板によれば、ボン
ディングパッドのボンディングワイヤが接続される領域
に、さらにニッケルを１μｍ乃至１５μｍ被着させ、全
体のニッケル厚みを厚くしたことからボンディングパッ
ドに対するボンディングワイヤの接合強度が強くなり、
これによっても半導体素子や容量素子等を薄膜配線導体
層に確実、強固に電気的接続することが可能となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実
施例を示し、１は絶縁基板、２は有機樹脂絶縁層、３は
薄膜配線導体層である。

【００１６】前記絶縁基板１はその上面に有機樹脂絶縁
層２と薄膜配線導体層３とから成る多層配線部４が配設
されており、該多層配線部４を支持する支持部材として
作用する。

【００１７】前記絶縁基板１は酸化アルミニウム質焼結
体やムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或い
は表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更には
ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させた
ガラスエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されてお
り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されてい
る場合には、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア
等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥
漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード
法やカレンダーロール法を採用することによってセラミ
ックグリーンシート（セラミツク生シート）を形成し、
しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち
抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６
００℃）で焼成することによって、或いはアルミナ等の
原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉
末を調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によっ
て所定形状に成形し、最後に前記成形体を約１６００℃
の温度で焼成することによって製作され、またガラスエ
ポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維を織り込
んだ布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該
エポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることに
よって製作される。

【００１８】また前記基板１はその上面に有機樹脂絶縁
層２と薄膜配線導体層３とが交互に多層に積層されて形
成される多層配線部４が被着されており、該多層配線部
４を構成する有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄膜配
線導体層３の電気的絶縁をはかる作用をなし、また薄膜
配線導体層３は電気信号を伝達するための伝達路として
作用する。

【００１９】前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２は、
エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂から成
り、例えば、エポキシ樹脂からなる場合、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イ
ミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添
加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとと
もに該エポキシ樹脂前駆体を絶縁基板１の上部にスピン
コート法により被着させ、しかる後、これを８０℃〜２
００℃の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させるこ
とによって形成される。

【００２０】前記有機樹脂絶縁層２はまたその各々の所
定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚みに対して約
１．５倍程度のスルーホール５が形成されており、該ス
ルーホール５は後述する有機樹脂絶縁層２を介して上下
に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気的に接続する
スルーホール導体６を形成するための形成孔として作用
する。

【００２１】前記有機樹脂絶縁層２に設けるスルーホー
ル５は有機樹脂絶縁層２に従来周知のフォトリソグラフ
イー技術を採用することによって所定の径に形成され
る。

【００２２】更に前記各有機樹脂絶縁層２の上面には所
定パターンの薄膜配線導体層３が、更に各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール５の内壁にはスルーホール導
体６が各々配設されており、スルーホール導体６によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。

【００２３】前記各有機樹脂絶縁層２の上面及びスルー
ホール５の内壁に配設される薄膜配線導体層３及びスル
ーホール導体６は電気抵抗が小さく電気信号を減衰させ
ることなく良好に伝達させることが可能な銅から成り、
無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形
成技術及びフォトリソグラフイー技術を採用することに
よって形成され、例えば、無電解めっき法で形成される
場合には、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール５
の内表面に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリ
ン０．３モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５モ
ル／リットル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／
リットルからなる無電解銅めっき浴を用いて厚さ１μｍ
乃至４０μｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層を
フォトリソグラフイ一技術により所定パターンに加工す
ることによって各有機樹脂絶縁層２間、及びスルーホー
ル５内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体層３及
びスルーホール導体６は薄膜形成技術により形成される
ことから配線の微細化が可能であり、これによって薄膜
配線導体層３を極めて高密度に形成することが可能とな
る。

【００２４】また更に前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体層３とを交互に多層に積層して形成される多層配線
部４は、最上層の有機樹脂絶縁層２ａの上面にボンディ
ングパッド７と絶縁樹脂膜８が各々形成されており、ボ
ンディングパッド７は薄膜配線導体層３に電気的に接続
し、また絶縁樹脂膜８はボンデイングパッド７の外周縁
を被覆している。

【００２５】前記ボンデイングパッド７は、例えば、直
径２００μｍ〜５００μｍの円形状をなしており、該ボ
ンデイングパッド７に半導体素子等の能動部品や容量素
子、抵抗器等の受動部品の電極をボンディングワイヤを
介して電気的に接続させれば、半導体素子等の能動部品
及び容量素子、抵抗器等の受動部品は薄膜配線導体層３
に電気的に接続されることとなる。

【００２６】前記ボンデイングパッド７は、薄膜配線導
体層３と同様，銅からなり、最上層の有機樹脂絶縁層２
ａ上に薄膜配線導体層３を形成する際に同時に前記薄膜
配線導体層３と電気的接続をもって形成される。

【００２７】前記ボンデイングパッド７はまたその外周
縁が絶縁樹脂膜８によって被覆されており、絶縁樹脂膜
８と最上層の有機樹脂絶縁層２ａとでボンデイングパッ
ド７を挟みこむことによってボンディングパッド７の最
上層の有機樹脂絶縁層２ａに対する接合強度が改善さ
れ、ボンデイングパッド７に半導体素子等の能動部品や
容量素子、抵抗器等の受動部品の電極をボンディングワ
イヤを介して接続させる際、ボンディングパッド７にボ
ンディングワイヤを接続させるための熱及び圧接力が印
加されたとしてもボンディングパッド７が最上層の有機
樹脂絶縁層２ａより剥離することは防止され、半導体素
子や容量素子等はボンデイングパッド７に確実、強固に
接続されるとともに該ボンデイングパッド７を介して薄
膜配線導体層３に確実に電気的接続される。

【００２８】前記絶縁樹脂膜８は、例えば有機樹脂絶縁
層２を形成する材料、具体的にはエポキシ樹脂、ビスマ
レイミドトリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹
脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂から成り、有機樹脂絶縁層
２を形成する方法と同じ方法にって最上層の有機樹脂絶
縁層２ａの上面に一部がボンデイングパッド７を覆うよ
うにして形成される。

【００２９】また前記絶縁樹脂膜８によるボンディング
パッド７の被覆は、ボンディングパッド７の外周縁から
の距離が５μｍ未満であるとボンディングパッド７の有
機樹脂絶縁層２ａに対する接合強度が大きく改善され
ず、また５０μｍを超えるとボンディングパッド７の露
出面積が狭くなり、ボンデイングパッド７に半導体素子
等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品を強固に
電気的接続させるのが困難となる危険性を有する。従っ
て、前記絶縁樹脂膜８によるボンデイングパツド７の被
覆は、ボンデイングパッド７の外周縁から５μｍ〜５０
μｍの幅にわたって被覆するのが好ましい。

【００３０】なお、前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とを交互に多層に積層して形成される多層配線部
４は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと
有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下
に位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすこ
とができる。従って、前記多層配線部４の各有機樹脂絶
縁層２はその上面をエッチング加工技術等を採用するこ
とによって粗し、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μ
ｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくことが好ましい。

【００３１】また前記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚
みが１００μｍを超えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフイー技術を採用することによってスルーホール
５を形成する際、エッチング加工時間が長くなってスル
ーホール５を所望する鮮明な形状に形成するのが困難と
なり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上面
に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げる
ための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴
が形成され上下に位置する薄膜配線導体層３に不要な電
気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記
有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ〜１００μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。

【００３２】更に前記多層配線部４の各薄膜配線導体層
３はその厚みが１μｍ未満であると各薄膜配線導体層３
の電気抵抗が大きなものとなって各薄膜配線導体層３に
所定の電気信号を伝達させることが困難なものとなり、
また４０μｍを超えると薄膜配線導体層３を有機樹脂絶
縁層２に被着させる際に薄膜配線導体層３の内部に大き
な応力が内在し、該大きな内在応力によって薄膜配線導
体層３が有機樹脂絶縁層２から剥離し易いものとなる。
従って、前記多層配線部４の各薄膜配線導体層３の厚み
は１μｍ〜４０μｍの範囲としておくことが好ましい。

【００３３】前記多層配線部４の薄膜配線導体層３、ス
ルーホール導体６及びボンディングパッド７は更にその
表面に厚さが０．０５μｍ乃至５μｍの有機樹脂と接合
性の良い第１ニッケル層３ａが被着されており、該第１
ニッケル層３ａによって薄膜配線導体層３及びスルーホ
ール導体６と有機樹脂絶縁層２、ボンディングパッド７
と絶縁樹脂膜８とは強固に接合し、これによって多層配
線部４に外力が印加されても該外力によって薄膜配線導
体層３及びスルーホール導体６と有機樹脂絶縁層２との
間及びボンディングパッド７と絶縁樹脂膜８との間に剥
離が発生するのが防止され、薄膜配線導体層３及びスル
ーホール導体６に断線等を生じたり、ボンディングパッ
ド７と薄膜配線導体層３との接続が破れたりすることは
なくなる。

【００３４】前記第１ニッケル層３ａは薄膜形成技術に
より形成した銅層をフォトリソグラフィー技術により所
定パターンに加工して銅からなる薄膜配線導体層３、ス
ルーホール導体６及びボンディングパッド７を形成する
際、銅層の上面に予めニッケルを無電解めっき法や蒸着
法等により所定厚みに被着させておくことによって薄膜
配線導体層３、スルーホール導体６及びボンディングパ
ッド７の表面に形成される。

【００３５】また前記第１ニッケル層３ａはその厚みが
０．０５μｍ未満であると薄膜配線導体層３及びスルー
ホール導体６と有機樹脂絶縁層２との接合強度、ボンデ
ィングパッド７と絶縁樹脂膜８との接合強度が大きく改
善されず、また５μｍを超えると第１ニッケル層３ａを
形成する際に第１ニッケル層３ａの内部に応力が発生す
るととも内在し、これがボンディングパッド７の領域に
おいて後述する第２ニッケル層７ａを形成する際に発生
する応力と相俟って大きな力となり、該大きな力によっ
て第１ニッケル層３ａとボンディングパッド７との間に
剥離が発生してしまう。従って、前記第１ニッケル層３
ａはその厚みが０．０５μｍ乃至５μｍの範囲に特定さ
れる。

【００３６】更に前記第１ニッケル層３ａで被覆された
ボンディングパッド７はその露出する領域、即ち、ボン
ディングワイヤが接続される領域に、厚さが１μｍ乃至
１５μｍの第２ニッケル層７ａが被着されており、ボン
ディングワイヤが接続される領域のニッケル層の厚み
（第１ニッケル層と第２ニッケル層の合計厚み）を１．
０５μｍ乃至２０μｍと厚くしたことからボンディング
パッドに対するボンディングワイヤの接合強度が強くな
り、これによって半導体素子や容量素子等を薄膜配線導
体層に確実、強固に電気的接続することが可能となる。

【００３７】前記第２ニッケル層７ａはボンディングパ
ッド７のボンディングワイヤが接続される領域に、めっ
き法や蒸着法、スパッタリング法等によりニッケルを厚
く被着させることによって形成される。

【００３８】前記第２ニッケル層７ａはその厚みが１μ
ｍ未満となるとボンディングパッド７に対するボンディ
ングワイヤの接続強度を大きく改善することができず、
また１５μｍを超えると第２ニッケル層７ａを形成する
際に第２ニッケル層７ａの内部に大きな応力が発生し、
これが前述の第１ニッケル層３ａに内在する応力と相俟
って大きな力となり、第１ニッケル層３ａとボンディン
グパッド７との間に剥離を発生させてしまう。従って、
前記第２ニッケル層７ａはその厚みが１μｍ乃至１５μ
ｍの範囲に特定される。

【００３９】かくして本発明の多層配線基板によれば、
最上層の有機樹脂絶縁層２ａ表面に設けたボンデイング
パッド７に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器
等の受動部品を接続させることによって半導体装置や混
成集積回路装置となり、薄膜配線導体層３の一部を外部
電気回路に接続させれば前記半導体素子や容量素子等は
外部電気回路に電気的に接続される。

【００４０】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例におい
ては絶縁基板１の上面のみに複数の有機樹脂絶縁層２と
複数の薄膜配線導体層３とを交互に積層して形成される
多層配線部４を被着させたが、該多層配線部４を絶縁基
板１の下面側のみに設けても、上下の両主面に設けても
よい。

【００４１】

【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、銅から
なる薄膜配線導体層、スルーホール導体及びボンディン
グパッドの表面に有機樹脂と接合性のよいニッケルを
０．０５μｍ乃至５μｍの厚みに被着させたことから薄
膜配線導体層及びスルーホール導体と有機樹脂絶縁層と
の接合強度を強固とし、外力が印加されても薄膜配線導
体層及びスルーホール導体と有機樹脂絶縁層との間に剥
離が発生することはなく、薄膜配線導体層及びスルーホ
ール導体に断線等が生じるのを有効に防止することが可
能となる。

【００４２】また本発明の多層配線基板によれば、表面
が厚さ０．０５μｍ乃至５μｍのニッケルで被覆された
銅からなるボンディングパッドの上面外周縁を最上層の
有機樹脂絶縁層に被着させた絶縁樹脂膜で被覆し、かつ
最上層の有機樹脂絶縁層と絶縁樹脂膜とでボンディング
パッドの外周縁を挟み込んだことから最上層の有機樹脂
絶縁層に対するボンディングパッドの接合強度がより強
固となり、ボンディングパッドに半導体素子や容量素子
等の電極をボンディングワイヤを介して接続する際、ボ
ンディングパッドにボンディングワイヤを接続させるた
めの熱及び圧接力が印加されたとしてもボンディングパ
ッドが最上層の有機樹脂絶縁層より剥離することはな
く、これによって半導体素子や容量素子等を薄膜配線導
体層に確実、強固に電気的接続することが可能となる。

【００４３】更に本発明の多層配線基板によれば、ボン
ディングパッドのボンディングワイヤが接続される領域
にさらにニッケルを１μｍ乃至１５μｍ被着させ、全体
のニッケル厚みを厚くしたことからボンディングパッド
に対するボンディングワイヤの接合強度が強くなり、こ
れによっても半導体素子や容量素子等を薄膜配線導体層
に確実、強固に電気的接続することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。

【符号の説明】

１・・・絶縁基板 ２・・・有機樹脂絶縁層 ２ａ・・最上層の有機樹脂絶縁層 ３・・・薄膜配線導体層 ３ａ・・第１ニッケル層 ４・・・多層配線部 ６・・・スルーホール導体 ７・・・ボンディングパッド ７ａ・・第２ニッケル層 ８・・・絶縁樹脂膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｑ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基板と、該絶縁基板上に形成され、有
   機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層するとと
   もに上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に
   設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してなる
   多層配線部と、最上層の有機樹脂絶縁層上面に形成さ
   れ、前記薄膜配線導体層と電気的に接続し、且つ外周縁
   が最上層の有機樹脂絶縁層上面に被着させた絶縁樹脂膜
   によって覆われているボンディングパッドとからなる多
   層配線基板であって、前記薄膜配線導体層、スルーホー
   ル導体及びボンデングパッドは表面が厚さ０．０５μｍ
   乃至５μｍの第１ニッケル層で被覆された銅で形成され
   ており、ボンディングパッドの露出する第１ニッケル層
   上に厚さが１μｍ乃至１５μｍの第２ニッケル層が被着
   されていることを特徴とする多層配線基板。
2. 【請求項２】前記ボンデイングパッドの絶縁樹脂膜で覆
   われている領域がボンデイングパッドの外周縁より５μ
   ｍ乃至５０μｍの幅であることを特徴とする請求項１記
   載の多層配線基板。