JPH10150267A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ボンディングパッド間に電気的短絡が発生し、
配線基板としての機能が喪失してしまう。 【解決手段】基板１上に、有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体３とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜
配線導体３を有機樹脂絶縁層２に設けたスルーホール導
体６を介して電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂
絶縁層２ａ上面に、前記薄膜配線導体３と電気的に接続
し、外部の電子部品８が接続される複数のボンディング
パッド７を設けて成る多層配線基板であって、前記ボン
ディングパッド７はその表面に無電解めっき法により耐
蝕性金属膜９が被着されており、かつ最上層の有機樹脂
絶縁層２ａはその上面が中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．
０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面となっており、少なくと
もボンディングパッド７の周辺領域が樹脂膜１０で被覆
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。

【０００３】このＭｏ−Ｍｎ法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ック体とを焼結一体化させる方法である。

【０００４】なお、前記配線導体が形成されるセラミッ
ク体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。

【０００５】しかしながら、このＭｏ−Ｍｎ法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で、配線導体を高密度に形成することができない
という欠点を有していた。そこで、上記欠点を解消する
ために配線導体を従来周知の厚膜形成技術により形成す
るのに代えて微細化が可能な薄膜形成技術を用いて高密
度に形成した多層配線基板が使用されるようになってき
た。

【０００６】かかる配線導体を薄膜形成技術により形成
した多層配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体から成
るセラミックスやガラス繊維を織り込んだガラス布にエ
ポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエポキシ樹脂
等から成る基板の上面にスピンコート法及び熱硬化処理
によって形成されるエポキシ樹脂等の有機樹脂から成る
絶縁層と、銅やアルミニウム等の金属を無電解めっき法
や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技
術を採用することによって形成される薄膜配線導体とを
交互に積層させるとともに、上下に位置する薄膜配線導
体を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して
電気的に接続させた構造を有しており、最上層の有機樹
脂絶縁層の上面には前記薄膜配線導体と電気的に接続す
るボンディングパッドが形成されており、該ボンディン
グパッドに半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器
等の受動部品から成る電子部品の電極が熱圧着等により
接合され、これによって薄膜配線導体に半導体素子等が
電気的に接続されるようになっている。

【０００７】なお、前記多層配線基板においてはボンデ
ィングパッドが大気中に含まれ水分等によって酸化腐食
を受けるのを有効に防止するため、一般にボンディング
パッドの表面にはニッケルや金等から成る耐蝕性に優れ
た金属が無電解めっき法により被着されている。また前
記ボンディングパッドは半導体素子や容量素子等の電子
部品を熱圧着等により接合する際、熱圧着等の応力によ
って有機樹脂絶縁層より剥離するのを有効に防止するた
め最上層の有機樹脂絶縁層の表面には予めエッチング法
等により粗面加工が施されており、最上層の有機樹脂絶
縁層の表面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．１μｍ≦Ｒ
ａとし、最上層の有機樹脂絶縁層とボンディングパッド
の接合面積を広くしてボンディングパッドの接合強度を
強いものとしている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体を交互に積層して成る多層
配線基板は、最上層の有機樹脂絶縁層の表面粗さが中心
線平均粗さ（Ｒａ）で０．１μｍ≦Ｒａと粗いことから
ボンディングパッドの表面にニッケルや金等の耐蝕性に
優れた金属を無電解めっき法により被着させる際、耐蝕
性金属が最上層の有機樹脂絶縁層表面にも被着してしま
い、該有機樹脂絶縁層表面に被着した耐蝕性金属によっ
てボンディングパッド間が電気的に短絡し、多層配線基
板としての機能が喪失してしまうという欠点を誘発し
た。

【０００９】本発明は上述の欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は配線導体を薄膜形成技術により形成し、
配線導体を高密度に形成するのを可能とするとともに薄
膜配線導体と電気的に導通している各々のボンディング
パッド間の電気的絶縁を確実とし、各ボンディングパッ
ドに半導体素子や容量素子等の電極を確実、強固に接合
させ、半導体素子等の電子部品を薄膜配線導体に確実に
電気的接続することができる多層配線基板を提供するこ
とにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交互に積層するととも
に上下に位置する薄膜配線導体を有機樹脂絶縁層に設け
たスルーホール導体を介して電気的に接続してなり、最
上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体と電気
的に接続し、外部の電子部品が接続される複数のボンデ
ィングパッドを設けて成る多層配線基板であって、前記
ボンディングパッドはその表面に無電解めっき法により
耐蝕性金属膜が被着されており、かつ最上層の有機樹脂
絶縁層はその上面が中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５
μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面となっており、少なくともボ
ンディングパッドの周辺領域が樹脂膜で被覆されている
ことを特徴とするものである。

【００１１】また本発明は、前記樹脂膜の表面が中心線
平均粗さ（Ｒａ）でＲａ＜５μｍであることを特徴とす
るものである。

【００１２】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基板
上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配線
の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成する
ことが可能となる。

【００１３】また本発明の多層配線基板よれば、最上層
の有機樹脂絶縁層の上面が中心線平均粗さ（Ｒａ）で
０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面となっていることか
らボンディングパッドと最上層の有機樹脂絶縁層との接
合強度が強く、ボンディンパッドに半導体素子や容量素
子等の電子部品を熱圧着等により接合させる際、ボンデ
ィングパッドに外力が印加されても該外力によってボン
ディングパッドが最上層の有機樹脂絶縁層より剥離する
ことはなく、これによって半導体素子や容量素子等の電
子部品をボンディングパッドを介して薄膜配線導体に確
実、強固に電気的接続させることが可能となる。

【００１４】更に本発明の多層配線基板によれば、最上
層の有機樹脂絶縁層の上面で、少なくともボンディング
パッドの周辺領域を樹脂膜で被覆したことから、ボンデ
ィングパッドの表面に耐蝕性の金属を無電解めっき法に
より被着させる際、最上層の有機樹脂絶縁層表面に耐蝕
性金属が被着することはなく、これによってボンディン
グパッド間が電気的に短絡するのを有効に防止し、各ボ
ンディングパッド間の電気的絶縁を確実として各ボンデ
ィングパッドに半導体素子や容量素子等の電極を確実、
強固に接合させ、半導体素子等の電子部品を薄膜配線導
体に確実に電気的接続することが可能となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１及び図２は、本発明の多層配線基
板の一実施例を示し、１は基板、２は有機樹脂絶縁層、
３は薄膜配線導体である。

【００１６】前記基板１はその上面に有機樹脂絶縁層２
と薄膜配線導体３とから成る多層配線部４が配設されて
おり、該多層配線部４を支持する支持部材として作用す
る。

【００１７】前記基板１は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化アルミニウムや酸化珪素等の酸化物膜を有する
窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体等の非酸
化物系セラミックス、更にはガラス繊維を織り込んだ布
にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂等の電
気絶縁材料で形成されており、例えば、酸化アルミニウ
ム質焼結体で形成されている場合には、アルミナ、シリ
カ、カルシア、マグネシア等の原料粉末に適当な有機溶
剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従
来周知のドクターブレード法やカンダーロール法等を採
用することによってセラミックグリーンシート（セラミ
ック生シート）を形成し、しかる後、前記セラミックグ
リーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状と
なすとともに高温（約１６００℃）で焼成することによ
って、或いはアルミナ等の原料粉末に適当な有機溶剤、
溶媒を添加混合して原料粉末を調整するとともに該原料
粉末をプレス成形機によって所定形状に成形し、最後に
前記成形体を約１６００℃の温度で焼成することによっ
て製作され、またガラスエポキシ樹脂から成る場合は、
例えばガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂の前駆
体を含浸させるとともに該エポキシ樹脂前駆体を所定の
温度で熱硬化させることによって製作される。

【００１８】また前記基板１はその上面に有機樹脂絶縁
層２と薄膜配線導体３とが交互に多層に積層されて形成
される多層配線部４が配設されており、該多層配線部４
を構成する有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄膜配線
導体３の電気的絶縁をはかる作用をなし、また薄膜配線
導体３は電気信号を伝達するための伝達路として作用す
る。

【００１９】前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２は、
エポキシ樹脂、ビスマレイミドポリアジド樹脂、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂から成
り、例えば、エポキシ樹脂からなる場合、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イ
ミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添
加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとと
もに該エポキシ樹脂前駆体を基板１の上部にスピンコー
ト法により被着させ、しかる後、これを８０〜２００℃
の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させることによ
って形成される。

【００２０】更に前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２
はその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚
みに対して約１．５倍程度のスルーホール５が形成され
ており、該スルーホール５は後述する有機樹脂絶縁層２
を介して上下に位置する薄膜配線導体３の各々を電気的
に接続するスルーホール導体６を形成するための形成孔
として作用する。

【００２１】前記各有機樹脂絶縁層２に設けるスルーホ
ール５は例えば、各有機樹脂絶縁層２にフォトリソグラ
フィー技術を採用することによって、具体的には各有機
樹脂絶縁層２上にレジスト材を塗布するとともにこれに
露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状の窓
部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチング液
を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁層を
除去して各有機樹脂絶縁層２に穴（スルーホール）を形
成し、最後に前記レジスト材を各有機樹脂絶縁層２上よ
り剥離させ除去することによって行われる。

【００２２】また前記各有機樹脂絶縁層２の上面には所
定パターンの薄膜配線導体３が、更に各有機樹脂絶縁層
２に設けたスルーホール５の内壁にはスルーホール導体
６が各々配設されており、スルーホール導体６によって
間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜配
線導体３の各々が電気的に接続されるようになってい
る。

【００２３】前記各有機樹脂絶縁層２の上面及びスルー
ホール５の内壁に配設される薄膜配線導体３及びスルー
ホール導体６は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金
属材料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法等
の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採用す
ることによって形成され、例えば、銅で形成されている
場合には、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール５
の内表面に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリ
ン０．３モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５モ
ル／リットル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／
リットルから成る無電解銅メッキ浴を用いて厚さ１μｍ
乃至４０μｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層を
フォトリソグラフィー技術により所定パターンに加工す
ることによって各有機樹脂絶縁層２間、及びスルーホー
ル５内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体２及び
スルーホール導体６は薄膜形成技術により形成されるこ
とから配線の微細化が可能であり、これによって薄膜配
線導体３を極めて高密度に形成することが可能となる。

【００２４】なお、前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体３とを交互に多層に配設して形成される多層配線部４
は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒａ）
で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと、有
機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体３との接合及び上下に位
置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすことが
できる。従って、前記多層配線部４の各有機樹脂絶縁層
２はその上面をエッチング加工等によって粗し、中心線
平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面
としておくことが好ましい。

【００２５】また前記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚
みが１００μｍを越えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフィー技術を採用することによってスルーホール
５を形成する際、エッチング加工時間が長くなって、ス
ルーホール５を所望する鮮明な形状に形成するのが困難
となり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上
面に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げ
るための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な
穴が形成され、上下に位置する薄膜配線導体３に不要な
電気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前
記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ〜１００
μｍの範囲としておくことが好ましい。

【００２６】更に前記多層配線部４の各薄膜配線導体３
はその厚みが１μｍ未満であると各薄膜配線導体３の電
気抵抗が大きなものとなって各薄膜配線導体３に所定の
電気信号を伝達させることが困難となり、また４０μｍ
を越えると薄膜配線導体３を有機樹脂絶縁層２に被着さ
せる際に薄膜配線導体３の内部に大きな応力が内在し、
該内在応力によって薄膜配線導体３が有機樹脂絶縁層２
から剥離し易いものとなる。従って、前記多層配線部４
の各薄膜配線導体３の厚みは１μｍ〜４０μｍの範囲と
しておくことが好ましい。

【００２７】前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体３と
を交互に多層に積層して形成される多層配線部４は更
に、最上層の有機樹脂絶縁層２ａの上面に薄膜配線導体
３と電気的に接続しているボンディングパッド７が配設
されている。

【００２８】前記ボンディングパッド７は、その上部に
半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部
品から成る電子部品８が熱圧着等により接合され、これ
によって半導体素子等の能動部品及び容量素子、抵抗器
等の受動部品が薄膜配線導体３に電気的に接続されるこ
ととなる。

【００２９】前記ボンディングパッド７は、薄膜配線導
体２と同じ金属材料、具体的には銅、ニッケル、金、ア
ルミニウム等の金属材料から成り、最上層の有機樹脂絶
縁層２ａ上に薄膜配線導体３を形成する際に同時に前記
薄膜配線導体３と電気的接続をもって形成される。

【００３０】また前記ボンディングパッド７の露出する
表面には図２に示す如くニッケルや金等から成る耐蝕性
金属膜９が無電解めっき法により被着されており、該耐
蝕性金属膜９によってボンディングパッド７が酸化腐食
を受けるのを有効に防止するとともにボンディングパッ
ド７に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の
受動部品が強固に接合されるようになっている。

【００３１】前記ボンディングパッド７への耐蝕性金属
膜９の被着は、例えば、耐蝕性金属膜９がニッケルから
成る場合、硫酸ニッケル４０グラム／リットル、クエン
酸ナトリウム２４グラム／リットル、酢酸ナトリウム１
４グラム／リットル、次亜リン酸ナトリウム２０グラム
／リットル、塩化アンモニウム５グラム／リットルから
成るニッケルめっき浴にボンディングパッド７を浸漬
し、ボンディングパッド７表面にニッケルを析出させる
ことによって行われる。

【００３２】前記ボンディングパッド７の表面に被着さ
れる耐蝕性金属膜９はその厚みが０．１μｍ未満である
とボンディングパッド７の表面を耐蝕性金属膜９で完全
に被覆するのが困難となり、また１０μｍを越えるとボ
ンディングパッド７の表面に耐蝕性金属膜９を被着させ
る際に耐蝕性金属膜９の内部に大きな応力が内在し、該
内在応力によって耐蝕性金属膜９がボンディングパッド
７から剥離し易いものとなる。従って、前記耐蝕性金属
膜９の厚みは０．１μｍ〜１０μｍの範囲としておくこ
とが好ましい。

【００３３】更に前記ボンディングパッド７が形成され
ている最上層の有機樹脂絶縁層２ａはその上面が中心線
平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面
となっており、そのため最上層の有機樹脂絶縁層２ａと
ボンディングパッド７との接合面積が増大し、ボンディ
ングパッド７の最上層の有機樹脂絶縁層２ａに対する接
合強度が強いものとなってボンディングパッド７に半導
体素子や容量素子等から成る電子部品８の電極を熱圧着
等により接合させる際、ボンディングパッド７に外力が
印加されても該外力によってボンディングパッド７が最
上層の有機樹脂絶縁層２ａより剥離することはなく、こ
れによって半導体素子や容量素子等の電子部品８をボン
ディングパッド７を介して薄膜配線導体３に確実に電気
的接続することが可能となる。

【００３４】なお、前記最上層の有機樹脂絶縁層２ａは
ボンディングパッド７が形成される上面が中心線平均粗
さ（Ｒａ）でＲａ＜０．０５μｍとなると最上層の有機
樹脂絶縁層２ａに対するボンディングパッド７の接合強
度が低下し、ボンディングパッド７に半導体素子や容量
素子等の電子部品８を熱圧着等により接合する際、熱圧
着等の応力によってボンディングパッド７が最上層の有
機樹脂絶縁層２ａより剥離してしまい、またＲａ＞５μ
ｍとなると有機樹脂絶縁層２ａの表面平滑性が損なわ
れ、上面にボンディングパッド７を微細に形成すること
が困難となるとともに有機樹脂絶縁層２ａの強度が弱く
なってしまう。従って、前記最上層の有機樹脂絶縁層２
ａはその上面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ
≦Ｒａ≦５μｍの範囲の粗面とすることに特定される。

【００３５】前記最上層の有機樹脂絶縁層２ａの上面を
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ
の粗面とするには最上層の有機樹脂絶縁層２ａの上面に
過マンガン酸ナトリウム５０グラム／リットルのアルカ
リ溶液から成るエッチング液を吹きつけ、最上層の有機
樹脂絶縁層２ａの上面をエッチング加工することによっ
て行われる。

【００３６】更に前記最上層の有機樹脂絶縁層２ａは、
少なくともボンディングパッド７の周辺領域が樹脂膜１
０で被覆されており、該樹脂膜１０はボンディングパッ
ド７に耐蝕性金属膜９を無電解めっき法により被着させ
る際、耐蝕性の金属が最上層の有機樹脂絶縁層２ａ表面
に被着するのを有効に防止する作用をなし、これによっ
て最上層の有機樹脂絶縁層２ａ表面に不要に耐蝕性の金
属が付着しボンディングパッド７間が電気的に短絡する
ことはなく、半導体素子や容量素子等の電子部品８をボ
ンディングパッド７を介して所定の薄膜配線導体３に確
実、強固に電気的接続することが可能となる。

【００３７】前記樹脂膜１０は例えば、前記有機樹脂絶
縁層２と同じ材料、具体的にはエポキシ樹脂、ビスマレ
イミドポリアジド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、
ふっ素樹脂等の有機樹脂から成り、有機樹脂絶縁層２と
同様の方法、即ち、ペースト状の樹脂前駆体をスピンコ
ート法を採用することにより最上層の有機樹脂絶縁層２
ａ上に所定厚みにより被着させ、しかる後、これを８０
〜２００℃の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させ
ることによって形成される。

【００３８】また前記樹脂膜１０はその表面の粗さを中
心線平均粗さ（Ｒａ）でＲａ＜５μｍとしておくとボン
ディングパッド７に耐蝕性金属膜９を無電解めっき法に
より被着させる際、耐蝕性の金属が最上層の有機樹脂絶
縁層２ａ表面に不要に被着するのをより有効に防止する
ことができる。従って、前記樹脂膜１０はその表面の粗
さを中心線平均粗さ（Ｒａ）でＲａ＜５μｍとしておく
ことが好ましい。

【００３９】更に前記樹脂膜１０はその厚みが２μｍ未
満となると樹脂膜１０で最上層の有機樹脂絶縁層２ａ表
面を完全に被覆することができず、最上層の有機樹脂絶
縁層２ａ表面に耐蝕性の金属が被着する危険性がある。
従って、前記樹脂膜１０はその厚みを２μｍ以上として
おくことが好ましい。

【００４０】かくして本発明の多層配線基板によれば、
最上層の有機樹脂絶縁層２ａ表面に設けたボンディング
パッド７に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器
等の受動部品から成る電子部品８を熱圧着等により接合
させ、薄膜配線導体３に電子部品を電気的に接続させる
ことによって半導体装置や混成集積回路装置となり、薄
膜配線導体３の一部を外部電気回路に接続させれば前記
半導体素子や容量素子等は外部電気回路に電気的に接続
されることとなる。

【００４１】なお、本発明は上述の実施例に限定される
もではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例において
は基板１の上面のみに複数の有機樹脂絶縁層２と薄膜配
線導体３とを交互に多層に積層して形成される多層配線
部４を配設したが、該多層配線部４を基板１の下側のみ
に設けても、上下の両面に設けてもよい。

【００４２】

【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。

【００４３】また本発明の多層配線基板よれば、最上層
の有機樹脂絶縁層の上面が中心線平均粗さ（Ｒａ）で
０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面となっていることか
らボンディングパッドと最上層の有機樹脂絶縁層との接
合強度が強く、ボンディンパッドに半導体素子や容量素
子等の電子部品を熱圧着等により接合させる際、ボンデ
ィングパッドに外力が印加されても該外力によってボン
ディングパッドが最上層の有機樹脂絶縁層より剥離する
ことはなく、これによって半導体素子や容量素子等の電
子部品をボンディングパッドを介して薄膜配線導体に確
実、強固に電気的接続させることが可能となる。

【００４４】更に本発明の多層配線基板よれば、最上層
の有機樹脂絶縁層の上面で、少なくともボンディングパ
ッドの周辺領域を樹脂膜で被覆したことから、ボンディ
ングパッドの表面に耐蝕性の金属を無電解めっき法によ
り被着させる際、最上層の有機樹脂絶縁層表面に耐蝕性
金属が被着することはなく、これによってボンディング
パッド間が電気的に短絡するのを有効に防止し、各ボン
ディングパッド間の電気的絶縁を確実として各ボンディ
ングパッドに半導体素子や容量素子等の電極を確実、強
固に接合させ、半導体素子等の電子部品を薄膜配線導体
に確実に電気的接続することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。

【図２】図１の要部拡大断面図である。

【符号の説明】

１・・・基板 ２・・・有機樹脂絶縁層 ２ａ・・最上層の有機樹脂絶縁層 ３・・・薄膜配線導体 ４・・・多層配線部 ６・・・スルーホール導体 ７・・・ボンディングパッド ８・・・電子部品 ９・・・耐蝕性金属膜 １０・・樹脂膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体
   とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導
   体を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して
   電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層上面
   に、前記薄膜配線導体と電気的に接続し、外部の電子部
   品が接続される複数のボンディングパッドを設けて成る
   多層配線基板であって、前記ボンディングパッドはその
   表面に無電解めっき法により耐蝕性金属膜が被着されて
   おり、かつ最上層の有機樹脂絶縁層はその上面が中心線
   平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面
   となっており、少なくともボンディングパッドの周辺領
   域が樹脂膜で被覆されていることを特徴とする多層配線
   基板。
2. 【請求項２】前記樹脂膜の表面が中心線平均粗さ（Ｒ
   ａ）でＲａ＜５μｍであることを特徴とする請求項１に
   記載の多層配線基板。