JPH07147483A - プリント配線板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 導体パターン（Ｃ２〜Ｃ６）を構成している
銅めっき層（Ｌ３）の上面と層間絶縁層（Ｉ１〜Ｉ５）
の下面との間の密着性に優れたプリント配線板を提供す
る。 【構成】 樹脂製の層間絶縁層（Ｉ１〜Ｉ５）と金属製
の導体パターン（Ｃ２〜Ｃ６）とを基板上に交互に積層
形成してなるプリント配線板において、前記導体パター
ン（Ｃ２〜Ｃ６）を構成している銅めっき層（Ｌ３）
と、その銅めっき層（Ｌ３）の上面に接している前記層
間絶縁層（Ｉ１〜Ｉ５）の下面との間に、金属からなる
密着層（Ｌ４）を形成し、その密着層（Ｌ４）を構成す
る金属は、ニッケル、クロム、モリブデン、チタン、タ
ングステンから選ばれる少なくとも一種の金属からな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板及びそ
の製造方法に関し、特には、導体パターンとその導体パ
ターンを被覆して形成される層間絶縁層との密着性に優
れたプリント配線板及びその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子工業の進歩に伴い、電子機器
の小型化や高速化が求められ、この要求に答えるために
プリント配線板に複数個のＩＣやＬＳＩ等を直接実装す
る技術（所謂ＭＣＭ技術）が注目されてきている。従っ
て、この様なプリント配線板に対して、導体パターンの
ファイン化等といった高密度化が要求されている。プリ
ント配線板を製造するときのファインな導体パターンの
形成方法の一つとしては、例えば以下に述べるようなセ
ミアディティブ法が知られている。このプロセスでは、
まずスパッタリング等によって、層間絶縁層上に下地層
としての極薄い導体層が形成される。次いでこの下地層
上にはめっきレジストが形成される。次いでこのめっき
レジストによってマスキングされていない部分には銅め
っきが施される。この後、めっきレジストの剥離及び下
地層のエッチングを経ることによって、所望のファイン
な導体パターンが形成されるのである。

【０００３】また、上記の層間絶縁層は、基板上に液状
の絶縁性樹脂を被覆することによって形成される。この
とき、層間絶縁層の各所にはバイアホールを形成するた
めの穴が、下層の導体パターンを露出するように設けら
れる。そして、前述したような層間絶縁層の形成と導体
パターンの形成とを必要に応じて繰り返し行うことによ
って、多層プリント配線板が得られるようになってい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前述の様な
従来の方法によって形成されるプリント配線板の場合、
導体パターン１１を構成している銅めっき層１２の上面
とその上側に位置している層間絶縁層１３の下面との間
の密着性が不充分であるという欠点があった。このよう
な密着性の不充分さに起因して、絶縁性樹脂を塗布した
後に露光・現像を行う際に、バイアホール形成用穴１４
を介して層間絶縁層１３の下面に現像液が入り込み、そ
こに空隙が形成されるのである。ゆえに、銅めっき層１
２−層間絶縁層１３間のプル強度も低くなり、図３に示
されるように層間に剥離が生じてしまうことがあった。
更には、この空隙には前述の現像液や導体パターンを形
成する際のめっき液などが残留し、絶縁信頼性を大きく
低下させる原因とも成るのである。

【０００５】この種の問題を解決する方策としては、例
えば通常のプリント配線板においてなされているよう
に、銅めっき層１２の機械的研磨またはエッチングや黒
化処理によって銅めっき層１２の表面を粗化しておくこ
となどが考えられる。しかし、導体パターン１１の肉薄
化や細線化が著しい近年のプリント配線板の場合、上記
のような機械的研磨やエッチング等を行うことが極めて
困難であるという問題があった。

【０００６】また、下地層１５と銅めっき層１２との厚
みの差が小さい場合、従来の方法であると、下地層１５
をエッチングする際に図４に示されるように銅めっき層
１２もエッチングされて銅めっき１２の上面が必要以上
に粗くなり、導体パターン１１の外観が損なわれるばか
りでなく、高速信号処理を要求される導体パターンとし
ての性能をも得られないという問題が生じていた。この
問題点は、前述した層間絶縁層に関してのみ発生するも
のではなく、導体パターン上に形成する最外層保護膜で
ある所謂ソルターレジストと導体パターンとの密着につ
いても同様であることは、言うまでもない。

【０００７】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、導体パターンを構成している銅め
っき層の上面と層間絶縁層の下面との間の密着性に優れ
たプリント配線板を提供することにある。また、本発明
のもう一つの目的は、導体パターンを構成している銅め
っき層の上面と層間絶縁層の下面との間の密着性を向上
させると共に、高速信号処理のために充分な性能をもっ
た、外観に優れたプリント配線板の製造方法を提供する
ことにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、樹脂製の層間絶縁層
と金属製の導体パターンとを基板上に交互に積層形成し
てなるプリント配線板において、前記導体パターンを構
成している銅めっき層と、その銅めっき層の上面に接し
ている前記層間絶縁層の下面との間に、金属からなる密
着層を形成すること、更に、その密着層を構成する金属
は、ニッケル、クロム、モリブデン、チタン、タングス
テンから選ばれる少なくとも一種の金属からなることを
その要旨としている。請求項２に記載の発明では、前記
請求項１に記載の発明において、前記層間絶縁層を形成
するための樹脂を感光性エポキシ樹脂とし、前記密着層
を形成するための金属をニッケルとしている。

【０００９】また、請求項３に記載の発明では、樹脂製
の層間絶縁層と金属製の導体パターンとを基板上に交互
に積層形成するプリント配線板の製造工程において、
（ａ）前記基板上に感光性樹脂を塗布した後に露光・現
像を行い層間接続用の凹部を形成する工程、（ｂ）前記
層間絶縁層上に銅めっき層用の密着向上層を形成する工
程、（ｃ）前記密着向上層の所定部分に銅めっき層を形
成する工程、（ｄ）前記銅めっき層上に、ニッケル、ク
ロム、モリブデン、チタン、タングステンから選ばれる
少なくとも一種の金属からなる密着層を形成する工程、
少なくとも以上（ａ）〜（ｄ）の工程を含んで成ること
をその要旨としたプリント配線板の製造方法である。更
に、請求項４に記載の発明では、前記請求項３における
層間絶縁層を形成するための樹脂を感光性エポキシ樹脂
とし、そして密着向上層がニッケル、クロム、モリブデ
ン、チタン、タングステンから選ばれる少なくとも一種
の金属をスパッタリングして形成されること、及び、密
着層はニッケルめっきであることその要旨としたプリン
ト配線板の製造方法である。

【００１０】

【作用】本発明のプリント配線板によれば、銅めっき層
の上面と層間絶縁層の下面との間に介在される密着層に
よって、銅めっき層と層間絶縁層とが強固に接合された
状態になる。このため、両者間の密着性に優れたプリン
ト配線板が得られることとなる。密着層を構成する金属
材料としては、ニッケル、クロム、モリブデン、チタ
ン、タングステンから選ばれる少なくとも一種の金属か
らなる事が好ましいのであるが、これは、上記の金属材
料が導体としても特性も持ち合わせていることはもちろ
ん、比較的硬度が高いために形成された微細な凹凸が破
壊されること無く層間絶縁層やソルダーレジストを被覆
形成できるからであると考えられる。また、層間絶縁層
やソルダーレジストがエポキシ樹脂である場合において
は、接着層はニッケルによって形成することが、密着性
向上のためには好ましいのである。

【００１１】本発明のプリント配線板の製造方法によれ
ば、銅めっき層の上面と層間絶縁層の下面との間に介在
される密着層によって、銅めっき層と層間絶縁層とが強
固に接合された状態となる。この密着層は、ニッケル、
クロム、モリブデン、チタン、タングステンから選ばれ
る少なくとも一種の金属からなる事が好ましいのである
が、これは、上記の金属材料が導体としても特性も持ち
合わせていることはもちろん、比較的硬度が高いために
形成された微細な凹凸が破壊されること無く層間絶縁層
やソルダーレジストを被覆形成できるからであると考え
られる。従って、両者間の密着性が向上する。しかも、
本発明によると密着層によって銅めっき層が保護される
ことになるため、金属薄層のエッチングを行ったとして
も、エッチャントによって銅めっき層が不規則なエッチ
ングによって粗くなることはない。よって、外観に優れ
た導体パターンを得ることができる。

【００１２】ここで本発明のプリント配線板の製造方法
を工程順に詳細に説明する。本発明では、セラミック
ス、金属あるいは樹脂を主材料とする基板が用いられ
る。セラミックス基板としては、例えば窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）基板、アルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）基板、窒化
ホウ素（ＢＮ）基板、窒化珪素（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）基板、ム
ライト（３Ａｌ₂ Ｏ₃ ・２ＳｉＯ₂ ）基板、炭化珪素
（ＳｉＣ）基板等がある。金属基板としては、例えばり
ん青銅基板、アルミニウム基板、アルマイト処理基板、
ほうろう基板等がある。樹脂基板としては、例えば紙フ
ェノール基板、ガラスエポキシ基板やガラスポリイミド
基板等がある。基板の表面には、従来公知の方法によっ
て導体パターンが形成され、かつその上には感光性樹脂
製の層間絶縁層が形成される。そして、これらは本発明
のプリント配線板において、第１層目の導体パターン及
び層間絶縁層（あるいは、最外層の導体パターン及びソ
ルダーレジスト層）となる。

【００１３】層間絶縁層は、感光性樹脂を塗布した後に
その樹脂をプリベーク、露光・現像、ポストベークする
ことによって形成される。このとき、層間絶縁層の各所
にはバイアホールを形成するための穴が、下層の導体パ
ターンを露出するように設けられる。本発明において使
用される感光性樹脂としては、例えばポリイミド（Ｐ
Ｉ）、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）、ジビニル
シロキサンビスベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、エポキ
シ（ＥＰ）、変成ＰＩ、変成ＢＴ、変成ＥＰ等が挙げら
れる。なかでも感光性エポキシ樹脂を用いることは、プ
リント配線板のコストを下げるうえで好ましい。

【００１４】前記感光性樹脂の塗布厚は１０μｍ〜７０
μｍ程度であることが良い。この厚さを前記範囲内とし
ておくことは、塗布膜にピンホールを形成しない厚みで
あって、かつ、好適な諸電気特性（層間絶縁抵抗値、誘
電率など）を保持しつつプリント配線板全体の薄層化を
図るうえで好ましいからである。また、樹脂を薄くかつ
平滑に塗布したい場合には、スピンコータを用いること
が好ましい。このような層間絶縁層には、フォトリソグ
ラフィ技術またはエッチング法等の手段によって、各層
間の電気的導通を図るバイアホールを形成するための穴
が形成される。

【００１５】次に、第２層目以降の導体パターン及び層
間絶縁層を形成する手順について説明する。第１層目の
層間絶縁層上には、銅めっき層の下地層となる金属薄層
がスパッタリングによって形成される。成膜手段として
スパッタリングを採用する理由は、前記方法によると薄
くかつ密着性及び緻密性等に優れた皮膜を比較的容易に
形成することができるからである。また、前記下地層は
２種以上の異なる金属を順次スパッタリングすることに
よって、厚さ０．１μｍ〜０．７μｍ程度となるように
形成される。この厚さが上記の値未満であると、下地層
としての機能を充分に果たさなくなる虞れがある。一
方、この厚さが上記の値を越えると、スパッタリングに
時間やコストがかかってしまう。

【００１６】銅めっき層の下地層を形成する方法は、上
記の薄膜法に限るものではなく、第１層目の層間絶縁層
表面に無電解めっき用接着剤を形成し、その表面を酸に
よって粗化するか、或いは層間絶縁層表面を化学的手段
や機械的手段によって粗化し、次いで無電解めっき触媒
（パラジウムなど）を付加した後に、無電解めっき処理
を施す方法であってもかまわないが、無電解めっきの密
着性や緻密性を考慮するとスパッタリングが好ましい。

【００１７】金属薄層上の所定部分には、感光性樹脂よ
りなる厚さ２μｍ〜１０μｍ程度のめっきレジストが形
成される。そして、めっきレジスト非形成部分には、電
解銅めっきまたは無電解銅めっきによって、銅めっき層
が形成される。この場合、成膜速度が速くかつめっき設
備等も簡単なもので足りるという理由から、電解銅めっ
きを実施することが好ましい。この場合、銅めっき層は
前記金属薄層に比べて厚く（３μｍ〜１５μｍ程度）形
成される。

【００１８】前記銅めっき層の上面には、銅めっき層の
上面と層間絶縁層の下面との間の密着性を改善し得る金
属が電解めっきまたは無電解めっきされることによっ
て、密着層が形成される。このような金属としては、例
えばニッケルがある。ニッケルの介在による密着性の改
善には、ニッケルめっき層の表面に形成される硬くて薄
い酸化膜が何らかのかたちで関与しているものと推測さ
れている。なお、密着層となり得る金属としては、ニッ
ケルのほかにクロム、モリブデン、チタン、タングステ
ン等がある。なお、プリント配線板の低コスト化を図る
上からも、前記金属としてニッケルを選択することが望
ましい。

【００１９】密着層の厚さは０．５μｍ〜２．０μｍ程
度であることが良い。密着層が０．５μｍ未満である
と、銅めっき層の上面と層間絶縁層の下面との間の密着
性を充分に改善することができなくなる虞れがある。一
方、密着層が２．０μｍを越えると、銅との熱膨張差が
ある場合に剥離し易くなる虞れがあるからである。銅め
っき及び密着層（好ましくはニッケルめっき）の後に不
要となっためっきレジストは剥離される。そして、更に
その下に位置していた金属薄層も、エッチングによって
除去される。この処理の結果、複数種の金属からなる第
２層目の導体パターンが得られる。このような場合、上
述した密着層は、金属薄層を除去するためのエッチャン
トに不要または難溶であることが望ましい。その理由
は、密着層がエッチャントに可溶であると、銅めっき層
を充分に保護することができなくなる虞れがあるからで
ある。また、密着層がエッチャントに可溶である場合に
は、密着層の厚さを少なくとも下地層となる金属薄層の
厚さよりもいくぶん（５μｍ以上）厚くしておくことが
望ましい。

【００２０】

【実施例】

〔実施例１〕まず、実施例１のプリント配線板を製造方
法を図１（ａ）〜図１（ｆ）に基づき詳細に説明する。 工程（１）：本実施例では、図１（ａ）に示されるよう
に、第１層目の導体パターンＣ1 （厚さ１８μｍ）が形
成された厚さ１．０mmの銅張ガラスエポキシ基板１を出
発材料とした。そして、スピンコータを用いることによ
って、層間絶縁層Ｉ1 となる感光性エポキシ樹脂（イビ
デン株式会社製）を基板１に厚さが２６μｍになるよう
に塗布した。 工程（２）：前記感光性エポキシ樹脂を７５℃で３０分
間プリベークした後、露光・現像を行い、更に１５０℃
で６０分間の硬化処理を行った。以上の処理によって、
図１（ｂ）に示されるように、層間接続用の凹部である
直径３０μｍのバイアホール形成用穴２を備える第１層
目の層間絶縁層（厚さ２０μｍ）Ｉ1 を得た。

【００２１】工程（３）：真空スパッタ装置（徳田製作
所製：ＣＦＳ−８ＥＰ）を用い、層間絶縁層Ｉ1 に対す
るＣｒ，Ｃｕのスパッタリングを行った。このスパッタ
リングにより、図１（ｃ）に示されるように、第１層目
の金属薄層である０．１μｍのＣｒ薄層Ｌ1 と、第２層
目の金属薄層である０．２μｍのＣｕ薄層Ｌ2 とからな
る下地層ＵＬを形成した。また、本実施例において、第
１回目のＣｒのＲＦスパッタリングではアルゴンのガス
圧を０．８Ｐａとし、スパッタリング時間を１０分とし
た。ＣｕのＤＣスパッタリングでは前記ガス圧を０．８
Ｐａとし、スパッタリング時間を１０分とした。

【００２２】工程（４）：スピンコータによってＣｕ薄
層Ｌ2 上にネガ型の液状フォトレジスト（東京応化株式
会社製：ＯＭＲ８３）を塗布した後、その乾燥を行っ
た。この後、プリベーク、露光・現像及びポストベーク
を行うことによって、図１（ｄ）に示されるように、チ
ャンネル状のめっきレジスト（厚さ４μｍ，Ｌ／Ｓ＝２
０μｍ／２０μｍ）３を形成した。 工程（５）：光学顕微鏡下でめっきレジスト３の検査を
行った後、基板１を１０％硫酸水溶液に２分間浸漬する
ことによって、Ｃｕ薄層Ｌ2 の表面を活性化させた。

【００２３】工程（６）：基板１を水洗した後、下記の
硫酸銅電解めっき浴による電解銅めっきを実施した。そ
して、めっきレジスト３から部分的に露出しているＣｕ
薄層Ｌ2 上に、図１（ｅ）に示されるような厚さ３．０
μｍのＣｕめっき層Ｌ3 を析出させた。 硫酸：１６０g/l 〜２００g/l ， 硫酸銅：５０g/l 〜
７０g/l ，塩素イオン：３０mg/l〜６０mg/l， 光沢
剤：４ml/l〜１０ml/l，カソード電流密度：２．０A/dm
² ， 浴温：２４℃〜２６℃，めっき時間：６分間，
空気攪拌．

【００２４】工程（７）：基板１を水洗した後、下記の
硫酸ニッケル電解めっき浴による電解ニッケルめっきを
実施した。そして、Ｃｕめっき層Ｌ3 上に、密着層とし
ての厚さ１．０μｍのＮｉめっき層Ｌ4 を析出させた。 硫酸ニッケル：１３０g/l 〜１５０g/l ， ほう酸：３
０g/l ，塩化ニッケル２５g/l 〜４０g/l ， ｐＨ＝
４．０〜４．５/l，カソード電流密度：２．０A/dm² ，
浴温：３５℃〜４０℃，めっき時間：２．５分間，
空気攪拌．

【００２５】工程（８）：専用のレジスト剥離液（東京
応化株式会社製）を用いて、基板１からめっきレジスト
３を剥離した。この後、Ｃｕを溶解し得るエッチャント
としてＮＨ₃ （４．５Ｎ）＋ＣｕＣｌ₂ （１５０ｇ／
ｌ）を用いて、Ｃｕ薄層Ｌ2 をエッチングした。処理時
における温度は２５℃とし、時間は１５秒とした。更
に、Ｃｒを溶解し得るエッチャントとして５０％のＨＣ
ｌ水溶液を用いて、Ｃｒ薄層Ｌ1 をエッチングした。処
理時における温度は２５℃とし、時間は２５秒とした。
その結果、図１（ｆ）に示されるように、Ｃｒ薄層Ｌ1
，Ｃｕ薄層Ｌ2 ，Ｃｕめっき層Ｌ3 及Ｎｉめっき層Ｌ4
の合計４層からなる導体パターンＣ2 を得た。 工程（９）：前記工程（２）から工程（８）を繰り返し
行い、最終的に図２に示されるような、基板１上に６層
の導体パターンＣ1 〜Ｃ6 と５層の層間絶縁層Ｉ1 〜Ｉ
5 とを持つ多層構造のプリント配線板４を得た。

【００２６】上記の一連の工程によって得られたプリン
ト配線板４に対して各種の調査を行った結果を表２に示
す。調査項目は、感光性エポキシ樹脂を現像したとき
の剥がれの発生状況、導体パターンとその導体パター
ンの上面に位置している層間絶縁層との間のプル強度
（kg/mm²）、導体パターン表面の外観の良否（即ち、
表面の粗れの有無）、導体パターンの形状の良否、
導体パターンの断線及び短絡の発生状況の５項目とし
た。なお、のプル強度については、島津製作所製「オ
ートグラフＡＧＳ−５０Ａ型」によって測定した。

【００２７】その結果、感光性エポキシ樹脂を現像した
ときでも層間絶縁層Ｉ2 〜Ｉ5 が剥がれるというような
ことはなかった。また、導体パターンＣ2 〜Ｃ6 表面の
外観も、導体パターンＣ2 〜Ｃ6 の形状もともに良好で
あった。更に、導体パターンＣ2 〜Ｃ6 には断線も短絡
も全く発生していなかった。そして、プル強度を測定し
たところ１．３kg／mm² という好適な値が得られた。

【００２８】以上のように、実施例１によれば、導体パ
ターンＣ2 〜Ｃ6 を構成しているＣｕめっき層Ｌ3 の上
面と層間絶縁層Ｉ2 〜Ｉ5 の下面との間の密着性を確実
に向上させることができるという結論に達する。また、
実施例１によれば、外観や形状に優れたファインな導体
パターンＣ2 〜Ｃ6 を得ることができるという結論にも
達する。しかも、実施例１では、感光性エポキシ樹脂、
電解銅めっき及び電解ニッケルめっき等のような比較的
安価な材料が用いられているため、プリント配線板４の
低コスト化を図ることが可能であった。

【００２９】〔実施例２〕次に、実施例２のプリント配
線板の製造方法について詳細に説明する。なお、本実施
例のプリント配線板も基本的には前記実施例１とほぼ同
様の手順を経て作製されるものであるため、前図１を流
用して説明する。

【００３０】工程（１）：本実施例では、図１（ａ）に
示されるように、第１層めの導体パターンＣ1 が形成さ
れたＡｌＮ基板１を出発材料とした。そして、スピンコ
ータを用いることによって、層間絶縁層Ｉ1 となる感光
性エポキシ樹脂（イビデン株式会社製）を基板１に厚さ
が４０μｍになるように塗布した。 工程（２）：前記感光性エポキシ樹脂を７５℃で３０分
間プリベークした後、露光・現像を行い、更に１８０℃
で３０分間の硬化処理を行った。以上の処理によって、
図１（ｂ）に示されるように、層間接続用の凹部である
直径５０μｍのバイアホール形成用穴２を備える第１層
目の層間絶縁層（厚さ２５μｍ）Ｉ1 を得た。

【００３１】工程（３）：真空スパッタ装置（徳田製作
所製：ＣＦＳ−８ＥＰ）を用い、層間絶縁層Ｉ1 に対す
るＣｒ，Ｃｕのスパッタリングを行った。このスパッタ
リングにより、図１（ｃ）に示されるように、第１層目
の金属薄層である０．１μｍのＣｒ薄層Ｌ1 と、第２層
目の金属薄層である０．５μｍのＣｕ薄層Ｌ2 とからな
る下地層ＵＬを形成した。また、本実施例において、第
１回目のＣｒのＲＦスパッタリングではアルゴンのガス
圧を０．８Ｐａとし、スパッタリング時間を１０分とし
た。ＣｕのＤＣスパッタリングでは前記ガス圧を０．８
Ｐａとし、スパッタリング時間を２５分とした。

【００３２】工程（４）：スピンコータによってＣｕ薄
層Ｌ2 上にポジ型の液状フォトレジスト（ヘキストジャ
パン株式会社製：ＡＺ４４００）を塗布した後、その乾
燥を行った。この後、プリベーク、露光・現像及びポス
トベークを行うことによって、図１（ｄ）に示されるよ
うに、チャンネル状のめっきレジスト（厚さ６μｍ，Ｌ
／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ）３を形成した。 工程（５）：光学顕微鏡下でめっきレジスト３の検査を
行った後、基板１を１０％硫酸水溶液に２分間浸漬する
ことによって、Ｃｕ薄層Ｌ2 の表面を活性化させた。

【００３３】工程（６）：基板１を水洗した後、下記の
硫酸銅電解めっき浴による電解銅めっきを実施した。そ
して、めっきレジスト３から部分的に露出しているＣｕ
薄層Ｌ2 上に、図１（ｅ）に示されるような厚さ５．０
μｍのＣｕめっき層Ｌ3 を析出させた。 硫酸：１６０g/l 〜２００g/l ， 硫酸銅：５０g/l 〜
７０g/l ，塩素イオン：３０mg/l〜６０mg/l， 光沢
剤：４ml/l〜１０ml/l，カソード電流密度：２．０A/dm
² ， 浴温：２４℃〜２６℃，めっき時間：１１分間，
空気攪拌．

【００３４】工程（７）：基板１を水洗した後、下記の
硫酸ニッケル電解めっき浴による電解ニッケルめっきを
実施した。そして、Ｃｕめっき層Ｌ3 上に、密着層とし
ての厚さ１．０μｍのＮｉめっき層Ｌ4 を析出させた。 硫酸ニッケル：１３０g/l 〜１５０g/l ， ほう酸：３
０g/l ，塩化ニッケル２５g/l 〜４０g/l ， ｐＨ＝
４．０〜４．５/l，カソード電流密度：２．０A/dm² ，
浴温：３５℃〜４０℃，めっき時間：２．５分間，
空気攪拌．

【００３５】工程（８）：基板１をアセトンに浸漬する
ことによって、基板１からめっきレジスト３を剥離し
た。この後、Ｃｕを溶解し得るエッチャントとしてＮＨ
₃ （４．５Ｎ）＋ＣｕＣｌ₂ （１５０ｇ／ｌ）を用い
て、Ｃｕ薄層Ｌ2 をエッチングした。処理時における温
度は２５℃とし、時間は２５秒とした。更に、Ｃｒを溶
解し得るエッチャントとして５０％のＨＣｌ水溶液を用
いて、Ｃｒ薄層Ｌ1 をエッチングした。処理時における
温度は２５℃とし、時間は２５秒とした。その結果、図
１（ｆ）に示されるように、Ｃｒ薄層Ｌ1 ，Ｃｕ薄層Ｌ
2 ，Ｃｕめっき層Ｌ3 及Ｎｉめっき層Ｌ4 の合計４層か
らなる導体パターンＣ2 を得た。 工程（９）：前記工程（２）から工程（８）を繰り返し
行い、基板１上に４層の導体パターンＣ1 〜Ｃ6 と３層
の層間絶縁層Ｉ1 〜Ｉ5 とを持つプリント配線板を得
た。

【００３６】得られたプリント配線板に対して調査を行
ったところ、表２に示されるように、感光性エポキシ樹
脂を現像したときでも層間絶縁層Ｉ2 〜Ｉ5 が剥がれる
というようなことはなかった。また、導体パターンＣ2
〜Ｃ6 表面の外観も、導体パターンＣ2 〜Ｃ6 の形状も
ともに良好であった。更に、導体パターンＣ2 〜Ｃ6に
は断線も短絡も全く発生していなかった。プル強度を測
定したところ、前記実施例１よりも更に優れた１．４kg
／mm² という値が得られた。

【００３７】以上のように、実施例２によれば、導体パ
ターンＣ2 〜Ｃ6 を構成しているＣｕめっき層Ｌ3 の上
面と層間絶縁層Ｉ2 〜Ｉ5 の下面との間の密着性を確実
に向上させることができるという結論に達する。また、
実施例２によれば、外観や形状に優れたファインな導体
パターンＣ2 〜Ｃ6 を得ることができるという結論にも
達する。加えて、実施例２も実施例１と同じく感光性エ
ポキシ樹脂、電解銅めっき及び電解ニッケルめっき等が
用いられているため、プリント配線板の低コスト化を図
ることができるという利点があった。

【００３８】〔実施例３〜実施例６〕表１に示されるよ
うに、金属薄層Ｌ1 ，Ｌ2 の種類及び厚さ、層間絶縁層
Ｉ1〜Ｉ5 形成用の感光性樹脂の種類、密着層Ｌ4 の種
類及び厚さ、並びに基板１の種類等を変更して、実施例
１，２と同様のプリント配線板を作製した。そして、こ
れらを実施例３〜実施例６とした。

【００３９】ここで、実施例４については、その基板が
導電材料であることから、その製造方法初期において導
体パターン形成面側を予め絶縁加工する必要があり、他
の実施例と異なることから、その異なる部分のみの説明
を追加する。即ち、第１層目の導体パターンを形成する
以前において、その基板であるりん青銅（Ｃｕ９５％，
Ｓｎ５％，りん０．２％）に対して、多層プリント配線
板製造技術として周知である黒化処理を少なくとも導体
パターン形成面側に施し、次いでその黒化面上にスピン
コート（ミカサ製 １Ｈ−ＤＸ）法によって熱硬化型エ
ポキシ樹脂を塗布・熱硬化させて、りん青銅表面（特に
は、導体パターン形成予定面側）を絶縁加工するのであ
る。この方法は、他の導電性基板（アルミ、Ｃｕ／Ｗ、
純Ｃｕなど）をベースの基板として用いる場合にも、略
同様に実施することが出来る。但し、アルミを基板とし
て用いる場合には、黒化処理ではなくアルマイト処理と
なる点が異なる。

【００４０】これらのプリント配線板に対して上記の５
項目についての調査を行った。その結果、表２より明ら
かなように、実施例３〜実施例６についても実施例１，
２と同程度の好結果が得られることがわかった。

【００４１】〔比較例〕次に、比較例のプリント配線板
の製造方法について説明する。 工程（１）：比較例では、第１層めの導体パターンが形
成された銅張ガラスエポキシ基板を出発材料とした。そ
して、スピンコータを用いることによって、層間絶縁層
となる感光性エポキシ樹脂を基板に厚さが４０μｍにな
るように塗布した。

【００４２】工程（２）：前記感光性エポキシ樹脂をプ
リベークした後、露光・現像を行い、更に１８０℃で３
０分間のポストベークを行った。以上の処理によって、
層間接続用の凹部である直径５０μｍのバイアホール形
成用穴を備える第１層目の層間絶縁層（厚さ２５μｍ）
を得た。 工程（３）：実施例１の工程（３）に準拠し、０．１μ
ｍのＣｒ薄層と０．２μｍのＣｕ薄層とからなる下地層
を形成した。 工程（４）：実施例２の工程（４）に準拠し、チャンネ
ル状のめっきレジスト（厚さ６μｍ，Ｌ／Ｓ＝３０μｍ
／３０μｍ）を形成した。

【００４３】工程（５）：実施例２の工程（５），
（６）に準拠し、検査、表面活性化及び電解銅めっきを
行った。その結果、Ｃｕ薄層上に厚さ６．０μｍのＣｕ
めっき層を析出させた。 工程（６）：実施例１の工程（８）に準拠して、めっき
レジストの剥離と、Ｃｕ薄層及びＣｒ薄層のエッチング
とを行った。その結果、Ｃｒ薄層，Ｃｕ薄層及びＣｕめ
っき層の合計３層からなる導体パターンを得た。 工程（７）：前記工程（２）から工程（６）を繰り返し
行い、最終的に基板上に４層の導体パターンと３層の層
間絶縁層とを持つプリント配線板を得た。

【００４４】得られた比較例のプリント配線板に対して
調査を行ったところ、表２に示されるように、感光性エ
ポキシ樹脂の現像によって層間絶縁層に剥がれが生じた
部分がいくつか認められた。このため、比較例のプリン
ト配線板は、導体パターンを構成している銅めっき層の
上面と層間絶縁層の下面との間の密着性に劣るものであ
ることが示唆された。そこで、層間絶縁層の未剥がれ部
においてプル強度を測定したところ、プル強度の測定値
は各実施例１〜６の値よりもかなり低い０．５kg／mm²
という値に留まった。

【００４５】また、下地層を持たない比較例のプリント
配線板の場合、銅めっき層がエッチャントによる浸食を
受け易く、それに伴い導体パターン表面が粗くなること
がわかった。更に、導体パターン形状の悪化や、断線及
び短絡の発生も認められた。

【００４６】

【表１】

【００４７】

【表２】

【００４８】なお、本発明は上記実施例１〜６のみに限
定されることはなく、次のように変更することが可能で
ある。例えば、 （ａ）導体パターンＩ2 〜Ｉ6 を構成する銅めっき層Ｌ
3 の上面ばかりでなく、銅めっき層Ｌ3 の側面にも密着
層Ｌ4 を形成することが良い。このような構成である
と、導体パターンＩ2 〜Ｉ6 とその導体パターンＩ2 〜
Ｉ6 の上側に位置する層間絶縁層Ｃ2 〜Ｃ5 との間の密
着性をより一層高めることが可能になる。 （ｂ）層間接続用の凹部は、必ずしも実施例１〜６のよ
うなバイアホール形成用穴２でなくても良い。 （ｃ）実施例１〜６のプリント配線板よりもビルドアッ
プ層を増設することにより、プリント配線板の更なる多
層化を図っても良い。

【００４９】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明のプリント
配線板によれば、導体パターンが細線化され、かつ、薄
肉化されているにも係わらず、その導体パターンを構成
している銅めっき層の上面と層間絶縁層の下面との間の
密着性を向上させることができるという優れた効果を奏
する。また、本発明のプリント配線板の製造方法によれ
ば、導体パターンが細線化され、かつ、薄肉化されてい
るにも係わらず、導体パターンの導電特性を損ねること
無く、導体パターンを構成している銅めっき層の上面と
層間絶縁層の下面との間の密着性を向上させることがで
きる、外観に優れた導体パターンを有するプリント配線
板を得ることができるという優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明のプリント配線板の製
造工程を説明するための部分概略断面図である。

【図２】図１の製造工程により作製されたプリント配線
板を示す部分概略断面図である。

【図３】従来の問題点（現像時の剥がれ）を説明するた
めの要部拡大断面図である。

【図４】従来の問題点（銅めっき層の表面の粗れ）を説
明するための要部拡大断面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 層間接続用の凹部としてのバイアホール形
成用穴 ３ めっきレジスト ４ プリント配線板 Ｉ1 〜Ｉ5 層間絶縁層 Ｃ1 〜Ｃ6 導体パターン Ｌ1 （第１層めの）金属薄層 Ｌ2 （第２層めの）金属薄層 Ｌ3 銅めっき層 Ｌ4 密着層 ＵＬ 下地層

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｅ 6921−4Ｅ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】樹脂製の層間絶縁層と金属製の導体パター
   ンとを基板上に交互に積層形成してなるプリント配線板
   において、 前記導体パターンを構成している銅めっき層と、その銅
   めっき層の上面に接している前記層間絶縁層の下面との
   間に、ニッケル、クロム、モリブデン、チタン、タング
   ステンから選ばれる少なくとも一種の金属からなる密着
   層を設けたことを特徴とするプリント配線板。
2. 【請求項２】前記層間絶縁層を感光性エポキシ樹脂と
   し、前記密着層をニッケルとしたことを特徴とする請求
   項１に記載のプリント配線板。
3. 【請求項３】樹脂製の層間絶縁層と金属製の導体パター
   ンとを基板上に交互に積層形成するプリント配線板の製
   造方法において、少なくとも下記（ａ）〜（ｄ）の工程
   を含んで成ることを特徴とするプリント配線板の製造方
   法；（ａ）前記基板上に感光性樹脂を塗布した後に露光
   ・現像を行い層間接続用の凹部を形成する工程、（ｂ）
   前記層間絶縁層上に銅めっき層用の密着向上層を形成す
   る工程、（ｃ）前記密着向上層の所定部分に銅めっき層
   を形成する工程、（ｄ）前記銅めっき層上に、ニッケ
   ル、クロム、モリブデン、チタン、タングステンから選
   ばれる少なくとも一種の金属からなる密着層を形成する
   工程。
4. 【請求項４】前記密着向上層はニッケル、クロム、モリ
   ブデン、チタン、タングステンから選ばれる少なくとも
   一種の金属をスパッタリングして形成し、かつ、前記密
   着層はニッケルめっきであることを特徴とする請求項３
   に記載のプリント配線板の製造方法。