JP6812103B2 - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。
配線回路基板は、絶縁層と、その上に配線パターンとを設けることにより得られることが知られている。
例えば、絶縁層に第１の厚みを有する第１の部分と第１の厚みよりも小さい第２の厚みを有する第２の部分とを形成する工程と、絶縁層の第１の部分上および第２の部分上に延びるように配線パターンを形成する工程とを備える回路付きサスペンション基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
詳しくは、特許文献１に記載される製造方法では、配線パターンを形成する工程において、第１の部分の上面と境界面との境界線が第１の方向に延び、配線パターンの側辺が第１の方向に交差する第２の方向に延び、第２の方向が第１の方向に対して６０度以上９０度以下の角度をなすように、絶縁層の上面に配線パターンを形成している。
そして、第１の部分の上面と第２の部分の上面との間に境界面が形成されるため、フォトリソグラフィ技術により絶縁層上に配線パターンを形成する工程において、境界面で露光光の反射が発生し、反射光が他の領域に間接的に照射される。しかし、特許文献１に記載の方法によれば、露光光は、境界面で配線パターンが延びる方向に近い方向に反射されるため、反射光が本来の露光光のパターンにほとんど影響を与えない。それにより、フォトリソグラフィ技術により形成される配線パターンに断線または短絡を防止している。
近年、配線回路基板を小型化する場合には、配線パターンを複雑なパターンで配置すること場合がある。そのような場合には、特許文献１のように、配線パターンを、第２の方向が第１の方向に対して６０度以上９０度以下の角度をなすように、形成することが困難な場合がある。そうすると、配線パターンの形成不良を防止することができないという不具合がある。
本発明は、導体パターンを高い自由度で設けながら、導体パターンの形成不良を抑制することのできる配線回路基板の製造方法を提供することにある。
本発明（１）は、絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられる導体パターンとを備える配線回路基板の製造方法であり、前記絶縁層を設ける工程（１）と、金属薄膜を、前記絶縁層の傾斜面の上に設ける工程（２）と、フォトレジストを前記金属薄膜の上に設ける工程（３）と、フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記導体パターンが設けられべき部分が遮光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程（４）と、前記フォトマスクに遮光された、前記フォトレジストの前記部分を除去して、前記部分に対応する前記金属薄膜を露出させる工程（５）と、前記導体パターンを、前記フォトレジストから露出する前記金属薄膜の上に設ける工程（６）とを備え、前記フォトレジストを露光するときに、前記傾斜面の上に位置する前記金属薄膜により反射して、前記部分に向かう光を低減する配線回路基板の製造方法を含んでいる。
この製造方法によれば、工程（４）において、フォトレジストを露光するときに、傾斜面の上に位置する金属薄膜により反射して、上記した部分に向かう光を低減するので、工程（５）において、フォトレジストの上記した部分を確実に除去して、工程（６）において、導体パターンを確実に形成することができる。つまり、特許文献１と異なり、導体パターンを高い自由度で設けながら、導体パターンの形状不良を抑制することができる。
その結果、接続信頼性に優れる配線回路基板を得ることができる。
本発明（２）は、前記絶縁層は、前記傾斜面と、平坦面とを有し、前記傾斜面と前記平坦面とのなす角度の補角ｙが、０度超過、２０度以下である（１）に記載の配線回路基板の製造方法を含んでいる。
この製造方法によれば、補角ｙが上記した上限値以下であるので、入射光と、傾斜面に対応する金属薄膜において反射する反射光とのなす角度を小さくすることができる。そのため、反射光を実質的に上方に向かうようにすることができ、その結果、上記した部分に向かう光を確実に低減することができる。
本発明（３）は、前記工程（１）の後で、前記工程（２）の前に、少なくとも前記傾斜面を粗化する工程（７）をさらに備える（１）または（２）に記載の配線回路基板の製造方法を含んでいる。
この製造方法は、工程（２）の前に、少なくとも傾斜面を粗化する工程（７）をさらに備えるので、粗化された傾斜面に対応する金属薄膜において光を散乱させることができる。そのため、上記した部分に向かう光を確実に低減することができる。
本発明（４）は、前記工程（２）の後で、前記工程（３）の前に、波長３６５ｎｍの光に対する、前記金属薄膜の反射率を、２５％以下にする工程（８）をさらに備える（１）〜（３）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含んでいる。
この製造方法は、工程（２）の後で、工程（３）の前に、波長３６５ｎｍの光に対する、金属薄膜の反射率を、２５％以下にする工程（８）をさらに備えるので、上記した部分に向かう光を確実に低減することができる。
本発明（５）は、前記絶縁層は、前記傾斜面と、平坦面とを有し、前記工程（３）において、前記傾斜面と前記平坦面とのなす角度の補角ｙ（度）と、前記フォトレジストの厚みｘ（μｍ）とが、下記式を満たす上記（１）〜（４）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含んでいる。
ｙ≦−３ｘ＋７０
この製造方法によれば、補角ｙ（度）と、フォトレジストの厚みｘ（μｍ）とが、上記式を満たすので、金属薄膜からの反射光を、上記した部分より上方に位置する部分に向かわせることができる。その結果、上記した部分に向かう光を確実に低減することができる。
この製造方法によれば、補角ｙ（度）と、フォトレジストの厚みｘ（μｍ）とが、上記式を満たすので、金属薄膜からの反射光を、上記した部分より上方に位置する部分に向かわせることができる。その結果、上記した部分に向かう光を確実に低減することができる。
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、接続信頼性に優れる配線回路基板を得ることができる。
図１において、紙面上下方向は、上下方向（第１方向、厚み方向）であり、紙面上側が上側（第１方向一方側、厚み方向一方側）、紙面下側を下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）である。紙面左右方向は、幅方向（面方向、第１方向に直交する第２方向）であり、紙面左側が幅方向一方側（第２方向一方側）、紙面右側が幅方向他方側（第２方向他方側）である。具体的には、方向は、各図に記載の方向矢印従う。
以下、本発明の配線回路基板の製造方法の第１実施形態である回路付サスペンションの製造方法を説明する。
１．第１実施形態
この回路付サスペンション基板１の製造方法は、金属支持基板２を用意する工程（ｉ）（図１Ａ参照）と、ベース絶縁層３を金属支持基板２の上に設ける工程（ｉｉ）（図１Ｂ参照）と、第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設ける工程（ｉｉｉ）（図１Ｃ参照）と、絶縁層の一例としての中間絶縁層５を、第１導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に設ける工程（１）（図１Ｄ参照）とを備える。また、回路付サスペンション基板１の製造方法は、金属薄膜６を中間絶縁層５の少なくとも傾斜面１７の上に設ける工程（２）（図２Ｅ参照）と、フォトレジスト１０を金属薄膜６の上に設ける工程（３）（図２Ｆ参照）と、フォトマスク１３を、フォトレジスト１０において導体パターンの一例としての第２導体パターン７が設けられべき部分の一例としての予定部分１２が遮光されるように配置して、フォトレジスト１０を、フォトマスク１３を介して露光する工程（４）（図２Ｇおよび図６Ａ参照）とを備える。また、回路付サスペンション基板１の製造方法は、フォトマスク１３に遮光された、フォトマスク１０の予定部分１２を除去して、予定部分１２に対応する金属薄膜６を露出させる工程（５）（図３Ｈおよび図６Ｂ参照）と、第２導体パターン７を、フォトレジスト１０から露出する金属薄膜６の上に設ける工程（６）（図３Ｉおよび図６Ｂの仮想線参照）とを備える。また、回路付サスペンション基板１の製造方法は、フォトレジスト１０を除去する工程（ｉｖ）（図３Ｊ参照）と、フォトレジスト１０に対応する金属薄膜６を除去する工程（ｖ）（図４Ｋ参照）と、カバー絶縁層９を、第２導体パターン７を被覆するように、中間絶縁層５の上に設ける工程（ｖｉ）（図４Ｌ参照）とを備える。
この回路付サスペンション基板１の製造方法は、金属支持基板２を用意する工程（ｉ）（図１Ａ参照）と、ベース絶縁層３を金属支持基板２の上に設ける工程（ｉｉ）（図１Ｂ参照）と、第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設ける工程（ｉｉｉ）（図１Ｃ参照）と、絶縁層の一例としての中間絶縁層５を、第１導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に設ける工程（１）（図１Ｄ参照）とを備える。また、回路付サスペンション基板１の製造方法は、金属薄膜６を中間絶縁層５の少なくとも傾斜面１７の上に設ける工程（２）（図２Ｅ参照）と、フォトレジスト１０を金属薄膜６の上に設ける工程（３）（図２Ｆ参照）と、フォトマスク１３を、フォトレジスト１０において導体パターンの一例としての第２導体パターン７が設けられべき部分の一例としての予定部分１２が遮光されるように配置して、フォトレジスト１０を、フォトマスク１３を介して露光する工程（４）（図２Ｇおよび図６Ａ参照）とを備える。また、回路付サスペンション基板１の製造方法は、フォトマスク１３に遮光された、フォトマスク１０の予定部分１２を除去して、予定部分１２に対応する金属薄膜６を露出させる工程（５）（図３Ｈおよび図６Ｂ参照）と、第２導体パターン７を、フォトレジスト１０から露出する金属薄膜６の上に設ける工程（６）（図３Ｉおよび図６Ｂの仮想線参照）とを備える。また、回路付サスペンション基板１の製造方法は、フォトレジスト１０を除去する工程（ｉｖ）（図３Ｊ参照）と、フォトレジスト１０に対応する金属薄膜６を除去する工程（ｖ）（図４Ｋ参照）と、カバー絶縁層９を、第２導体パターン７を被覆するように、中間絶縁層５の上に設ける工程（ｖｉ）（図４Ｌ参照）とを備える。
回路付サスペンション基板１の製造方法では、工程（ｉ）〜工程（ｉｉｉ）、工程（１）〜工程（６）、工程（ｉｖ）〜工程（ｖｉ）が順次実施される。以下、上記した各工程を詳述する。
１−１．工程（ｉ）
図１Ａに示すように、工程（ｉ）では、金属支持基板２を用意する。
図１Ａに示すように、工程（ｉ）では、金属支持基板２を用意する。
金属支持基板２は、前後方向に延びる略平板（シート）形状を有する。金属支持基板２は、金属材料からなる。金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが挙げられ、好ましくは、ステンレスが挙げられる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下である。
１−２．工程（ｉｉ）
図１Ｂに示すように、工程（ｉｉ）では、ベース絶縁層３を金属支持基板２の上に設ける。
図１Ｂに示すように、工程（ｉｉ）では、ベース絶縁層３を金属支持基板２の上に設ける。
ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上面全面に配置する。ベース絶縁層３は、前後方向に延びる略平板（シート）形状を有する。ベース絶縁層３は、絶縁材料からなる。絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテル樹脂、ニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が挙げられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上、例えば、２５μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。
ベース絶縁層３を金属支持基板２の上に設けるには、公知の方法が用いられる。
１−３．工程（ｉｉｉ）
図１Ｃに示すように、工程（ｉｉｉ）では、第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設ける。
図１Ｃに示すように、工程（ｉｉｉ）では、第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設ける。
第１導体パターン４を、ベース絶縁層３の上面に配置する。
第１導体パターン４は、図５が参照されるように、前後方向に延びる複数の第１配線２１（図１Ｃおよび図５においては単数のみ図示される）と、複数の第１配線２１のそれぞれの前後両端部に接続される第１端子（図示せず）とを一体的に備える。図１Ｃに示すように、第１配線２１は、例えば、断面視において、幅方向長さ（幅）が上下方向長さ（厚み）に比べて長い略矩形状を有する。第１配線２１は、上端部に２つの稜線部２３を有する。第１導体パターン４は、導体材料からなる。導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。
第１導体パターン４の寸法は適宜設定されている。第１導体パターン４の厚みＴ０は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下である。第１配線２１の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。また、隣接する第１配線２１間の間隔は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設けるには、公知の方法が用いられる。
１−４．工程（１）
図１Ｄに示すように、工程（１）では、中間絶縁層５を、第１導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に設ける。
図１Ｄに示すように、工程（１）では、中間絶縁層５を、第１導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に設ける。
中間絶縁層５は、第１配線２１を被覆する一方、図示しない第１端子を露出するパターンを有する。中間絶縁層５は、ベース絶縁層３と同一の絶縁材料からなる。
中間絶縁層５は、図６Ａが参照されるように、平坦面１７と、傾斜面１８とを含む上面とを有する。平坦面１７は、面方向（ベース絶縁層３の表面に沿う方向）に平行する面であって、第１導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面と、厚み方向に対向する面である。
一方、傾斜面１８は、第１配線２１に対応しており、平坦面１７に連続する上面であって、面方向に対して傾斜する面である。具体的には、傾斜面１８は、第１配線２１の２つの稜線部２３に対応して、平坦面１７から上方に向かって傾斜（隆起）する面である。
傾斜面１８と平坦面１７とのなす角度αの補角ｙ、すなわち、傾斜面１８の平坦面１７に対する斜度は、０度超過、さらには、５度以上である。また、補角ｙは、例えば、２０度以下、好ましくは、２０度未満、より好ましくは、１５度以下、さらに好ましくは、１２度以下である。
なお、角度αは、傾斜面１８が湾曲している場合には、傾斜面１８において平坦面１７からの立ち上がり部分における面と、平坦面１７とのなす角度である。
補角ｙが上記した上限を下回れば、後述する工程（４）（図２Ｇおよび図６Ａ参照）において予定部分１２に向かう光を確実に低減することができる。
中間絶縁層５の厚みＴ１は、ベース絶縁層３の上面と中間絶縁層５の上面との距離であって、例えば、６μｍ超過、好ましくは、９μｍ以上、より好ましくは、１２μｍ以上であり、また、２０μｍ以下である。また、中間絶縁層５において、第１配線２１の上側部分の厚みＴ２は、第１配線２１の上面と中間絶縁層５の上面との距離であって、例えば、５μｍ超過、好ましくは、８μｍ以上、より好ましくは、１０μｍ以上であり、また、１５μｍ以下である。
中間絶縁層５の厚みＴ１の、第１導体パターン４の厚みＴ０に対する比（Ｔ１／Ｔ０）は、例えば、１．０以上、好ましくは、１．２以上、より好ましくは、１．５以上、さらに好ましくは、１．６以上であり、また、５以下である。
比（Ｔ１／Ｔ０）が上記した下限以上であれば、上記した補角ｙを上記した上限を確実に下回らせることができる。
中間絶縁層５をベース絶縁層３の上に設けるには、例えば、感光性の絶縁材料のワニスをベース絶縁層３の上面に塗布し、露光および現像し、その後、必要により加熱する。あるいは、図示しない第１端子を露出するパターンに予め形成された中間絶縁層５を、図示しない接着剤を介して、ベース絶縁層３の上に接着する。
１−５．工程（２）
図２Ｅに示すように、工程（２）では、金属薄膜６を中間絶縁層５の少なくとも傾斜面１７の上に設ける。
図２Ｅに示すように、工程（２）では、金属薄膜６を中間絶縁層５の少なくとも傾斜面１７の上に設ける。
金属薄膜６は、工程（６）（後述、図３Ｉ参照）におけるアディティブ法の種膜として役することができる。また、金属薄膜６は、アディティブ法で第２導体パターン７が得られたときには、第２導体パターン７と一体化することができる層である。
金属薄膜６は、例えば、中間絶縁層５の上面（平坦面１７および傾斜面１８を含む）全面に設けられている。金属薄膜６は、金属材料からなる。金属材料としては、例えば、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金が挙げられ、好ましくは、銅、クロムが挙げられる。金属薄膜６は、単層および複層（図２Ｅにおいて図示されず）のいずれの層からなっていてもよい。好ましくは、金属薄膜６は、第１薄膜（具体的には、クロム薄膜）と、その上に設けられる第２薄膜（銅薄膜）との２層からなる。
また、金属薄膜６は、中間絶縁層５の上面に追従している。そのため、金属薄膜６において、平坦面１７に対応する部分の上面が、中間絶縁層５の平坦面１７に平行し、つまり、面方向に沿っている。また、金属薄膜６において、傾斜面１８に対応する部分の上面が、中間絶縁層５の傾斜面１８に平行し、つまり、面方向に対して傾斜している。
金属薄膜６の厚みは、例えば、５０ｎｍ以上、好ましくは、１００ｎｍ以上であり、また、例えば、３００ｎｍｎｍ以下、好ましくは、２００ｎｍ以下である。また、金属薄膜６が、第１薄膜および第２薄膜の２層からなる場合には、第１薄膜の厚みが、例えば、１０以上、６０ｎｍ以下であり、第２薄膜の厚みが、例えば、５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である。
金属薄膜６を中間絶縁層５の上に設けるには、例えば、スパッタリング法、めっき法などが用いられ、好ましくは、スパッタリング法が用いられる。
１−６．工程（３）
図２Ｆに示すように、工程（３）では、フォトレジスト１０を金属薄膜６の上に設ける。
図２Ｆに示すように、工程（３）では、フォトレジスト１０を金属薄膜６の上に設ける。
フォトレジスト１０としては、例えば、ネガ型あるいはポジ型のフォトレジストなどが挙げられ、好ましくは、ネガ型のフォトレジストが挙げられる。また、フォトレジスト１０として、例えば、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を含んでいる。
また、フォトレジスト１０は、工程（４）（図２Ｇ参照）における光（例えば、紫外線など）を部分的に透過することができ、具体的には、フォトレジスト１０の紫外線に対する透過率が、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上であり、また、例えば、５０％以下、好ましくは、６０％以下である。
上記したフォトレジスト１０を、金属薄膜６の上に配置する。
その際、ドライフィルムレジストを、例えば、平板などを用いて、押圧する（押し付ける）。そのため、フォトレジスト１０の上面は、平坦面となる。
フォトレジスト１０の厚みｘは、特に限定されず、例えば、１０μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
１−７．工程（４）
図２Ｇおよび図６Ａに示すように、工程（４）では、フォトマスク１３を、フォトレジスト１０において予定部分１２が遮光されるように配置して、フォトレジスト１０を、フォトマスク１３を介して露光する。
図２Ｇおよび図６Ａに示すように、工程（４）では、フォトマスク１３を、フォトレジスト１０において予定部分１２が遮光されるように配置して、フォトレジスト１０を、フォトマスク１３を介して露光する。
予定部分１２は、工程（４）において、遮光されるべき部分である。また、予定部分１２は、図３Ｈおよび図６Ｂが参照されるように、工程（５）において、除去されるべき部分である。さらに、予定部分１２は、図３Ｉおよび図６Ｂの仮想線が参照されるように、工程（６）において、フォトレジスト１０の開口部１６（後述）において第２導体パターン７が設けられる（充填される）べき部分でもある。
予定部分１２は、厚み方向に投影したときに、平坦面１７に含まれる。一方、フォトレジスト１０において予定部分１２以外の部分は、厚み方向に投影したときに、傾斜面１８を含む。予定部分１２は、厚み方向に投影したときに、第１導体パターン４とずれている部分を有し、その部分と第１導体パターン４とのずれ（左右方向の間隔）は、例えば、1μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
フォトマスク１３は、上側からの光を下方に透光できる透光部分１４と、上側からの光を下方に対して遮光できる遮光部分１５とを有する。
工程（４）では、フォトマスク１３を、遮光部分１５が予定部分１２と対向し、透光部分１４がフォトレジスト１０において予定部分１２以外の部分と対向するように、配置する。遮光部分１５は、厚み方向に投影したときに、平坦面１７に含まれている。透光部分１４は、厚み方向に投影したときに、傾斜面１８を含んでいる。
なお、フォトマスク１３を、フォトレジスト１０の上側に間隔を隔てて対向配置する。あるいは、図２Ｇおよび図６Ａには図示しないが、フォトマスク１３を、フォトマスク１３の上面に接触させることもできる。
これにより、フォトマスク１３を、フォトレジスト１０における予定部分１２が遮光されるように配置する。また、フォトマスク１３を、フォトレジスト１０における予定部分１２以外の部分が透光されるように配置する。
次いで、工程（４）では、フォトレジスト１０を、フォトマスク１３を介して露光する。
フォトレジスト１０を露光するには、フォトマスク１３の上方に配置された光源からフォトマスク１３に対して光を照射する。光の波長は、例えば、１００ｎｍ以上、好ましくは、好ましくは、３５０ｎｍ以上であり、また、例えば、８００ｎｍ以下、好ましくは、４５０ｎｍ以下である。照射（露光）量は、例えば、例えば、１００ｍＪ／ｃｍ２以上、８００ｍＪ／ｃｍ２以下である。
［１］ すると、遮光部分１５に対して照射された光Ａは、遮光部分１５によって遮光され、予定部分１２に到達しない。
［２］ 一方、厚み方向において平坦面１７に対向する透光部分１４に対して照射された光Ｂは、透光部分１４を下方に向かって透過して、フォトレジスト１０の上面に到達し、続いて、フォトレジスト１０内に進入する。続いて、光Ｂの一部は、フォトレジスト１０を下方に向かって透過し、金属薄膜６の上面で反射する。つまり、反射光Ｂ’を生成する。この際、反射光Ｂ’は、上方に向かうので、フォトレジスト１０を上方に向かって透過する。
［３］ 他方、厚み方向において傾斜面１８に対向する透光部分１４に対して照射された光Ｃは、透光部分１４を下方に向かって透過して、フォトレジスト１０の上面に到達し、続いて、フォトレジスト１０内に進入する。続いて、光Ｃの一部は、フォトレジスト１０を下方に向かって透過し、金属薄膜６の上面で反射する。つまり、反射光Ｃ’を生成する。この際、反射光Ｃ’は、上方斜め幅方向一方側に向かう。反射光Ｃ’の角度は、上記した補角ｙに対応するため、入射光Ｃと、反射光Ｃ’とのなす角θ１を小さくすることができる。そのため、反射光Ｃ’は、予定部分１２に向かうことが抑制されて、反射光Ｃ’のほとんどは実質的に上方に向かう。従って、反射光Ｃ’は、フォトレジスト１０における予定部分１２以外の部分を上方に向かって透過する。
［４］ これによって、工程（４）では、フォトレジスト１０を露光するときに、傾斜面１８の上に位置する金属薄膜６により反射して、予定部分１２に向かう光を低減する。
１−８．工程（５）
図３Ｈおよび図６Ｂに示すように、工程（５）では、フォトマスク１３に遮光された、フォトマスク１０の予定部分１２を除去する。
図３Ｈおよび図６Ｂに示すように、工程（５）では、フォトマスク１３に遮光された、フォトマスク１０の予定部分１２を除去する。
具体的には、まず、必要により、露光後のフォトレジスト１０を加熱する（露光後加熱）。
続いて、フォトレジスト１０を現像液によって現像する。これによって、フォトレジスト１０において予定部分１２以外の部分を存置させつつ、予定部分１２のみを除去する。つまり、フォトレジスト１０において、予定部分１２に対応する開口部１６を形成する。開口部１６は、フォトレジスト１０を厚み方向に貫通する。
これによって、予定部分１２に対応する金属薄膜６、つまり、開口部１６に臨む金属薄膜６を露出させる。
その後、必要により、フォトレジスト１０を加熱により硬化させる。
１−９．工程（６）
図３Ｉおよび図６Ｂの仮想線に示すように、工程（６）では、第２導体パターン７を、フォトレジスト１０から露出する金属薄膜６の上に設ける。
図３Ｉおよび図６Ｂの仮想線に示すように、工程（６）では、第２導体パターン７を、フォトレジスト１０から露出する金属薄膜６の上に設ける。
第２導体パターン７は、前後方向に延びる複数の第２配線２６（図３Ｉにおいては単数のみ図示される）と、複数の第２配線２６のそれぞれの前後両端部に接続される第２端子（図示せず）とを一体的に備える。第２配線２６は、例えば、断面視において、左右方向長さ（幅）が上下方向長さ（厚み）に比べて長い略矩形状を有する。
第２導体パターン７は、厚み方向に投影したときに、第１導体パターン４とずれている部分を有し、その部分のずれ量（左右方向の間隔）は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
第２導体パターン７は、第１導体パターン４と同一の導体材料からなる。
第２導体パターン７の寸法は適宜設定されている。第２導体パターン７の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下である。第２配線２６の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。また、隣接する第２配線２６間の間隔は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
第２導体パターン７を金属薄膜６の上に設けるには、金属薄膜６から給電する電解めっきが用いられる。
第２導体パターン７は、その下に位置する金属薄膜６と一体化することができる。
１−１０．工程（ｉｖ）
図３Ｊに示すように、工程（ｉｖ）では、フォトレジスト１０を除去する。
図３Ｊに示すように、工程（ｉｖ）では、フォトレジスト１０を除去する。
具体的には、フォトレジスト１０を、例えば、ウェットエッチングにより除去する。
１−１１．工程（ｖ）
図４Ｋに示すように、工程（ｖ）では、フォトレジスト１０に対応する金属薄膜６を除去する。
図４Ｋに示すように、工程（ｖ）では、フォトレジスト１０に対応する金属薄膜６を除去する。
具体的には、フォトレジスト１０の下に位置していた金属薄膜６を、例えば、剥離により除去する。
１−１２．工程（ｖｉ）
図４Ｌに示すように、工程（ｖｉ）では、カバー絶縁層９を、第２導体パターン７の第２配線２６を被覆し、第２端子（図示せず）を露出するパターンで、設ける。
図４Ｌに示すように、工程（ｖｉ）では、カバー絶縁層９を、第２導体パターン７の第２配線２６を被覆し、第２端子（図示せず）を露出するパターンで、設ける。
これにより、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に設けられるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に設けられる第１導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に設けられ、第１導体パターン４を被覆する中間絶縁層５と、中間絶縁層５の上に配置される金属薄膜６および第２導体パターン７と、中間絶縁層５の上に設けられ、金属薄膜６および第２導体パターン７を被覆するカバー絶縁層９とを備える回路付サスペンション基板１を得る。この回路付サスペンション基板１では、金属薄膜６が第２導体パターン７と一体化、具体的には、金属薄膜６が第２導体パターン７の一部として取り込まれていてもよい。
１−１３．第１実施形態の作用効果
図７Ａが参照される比較例１の、回路付サスペンション基板１の製造方法では、工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１の、第１導体パターン４の厚みＴ０に対する比（Ｔ１／Ｔ０）が上記した下限未満に設定されていれば、補角ｙ’が上記した範囲を上回ってしまう。そのため、工程（４）において、図７Ａに示すように、厚み方向において傾斜面１８に対向する透光部分１４に対して照射された光Ｃ（入射光Ｃ）と、そこで生成された反射光Ｃ’とのなす角度θ２が比較的大きくなる。そのため、反射光Ｃ’が、上方斜め幅方向一方側に向かい、予定部分１２に向かうことが抑制されず、予定部分１２を照射（露光）してしまう。その場合には、図７Ｂに示すように、工程（５）において、予定部分１２を除去することができず、そのため、金属薄膜６を露出させることができない。そうすると、工程（６）の電解めっきにおいて、第２導体パターン７を確実に設けることができず、そのため、第２導体パターン７の断線などの形状不良を生ずる。
図７Ａが参照される比較例１の、回路付サスペンション基板１の製造方法では、工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１の、第１導体パターン４の厚みＴ０に対する比（Ｔ１／Ｔ０）が上記した下限未満に設定されていれば、補角ｙ’が上記した範囲を上回ってしまう。そのため、工程（４）において、図７Ａに示すように、厚み方向において傾斜面１８に対向する透光部分１４に対して照射された光Ｃ（入射光Ｃ）と、そこで生成された反射光Ｃ’とのなす角度θ２が比較的大きくなる。そのため、反射光Ｃ’が、上方斜め幅方向一方側に向かい、予定部分１２に向かうことが抑制されず、予定部分１２を照射（露光）してしまう。その場合には、図７Ｂに示すように、工程（５）において、予定部分１２を除去することができず、そのため、金属薄膜６を露出させることができない。そうすると、工程（６）の電解めっきにおいて、第２導体パターン７を確実に設けることができず、そのため、第２導体パターン７の断線などの形状不良を生ずる。
一方、この回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、工程（４）において、図２Ｇおよび図６Ａに示すように、フォトレジスト１０を露光するときに、傾斜面１８の上に位置する金属薄膜６により反射して、予定部分１２に向かう光を低減するので、工程（５）において、図３Ｈおよび図６Ｂに示すように、フォトレジスト１０の予定部分１２を確実に除去して、工程（６）において、図３Ｉおよび図６Ｂの仮想線に示すように、第２導体パターン７を確実に形成することができる。つまり、特許文献１と異なり、第２導体パターン７を高い自由度で設けながら、第２導体パターン７の形成不良を抑制することができる。
その結果、接続信頼性に優れる回路付サスペンション基板１を得ることができる。
また、この回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、比（Ｔ１／Ｔ０）が上記した下限以上である場合には、上記した補角ｙが上記した上限値以下であるので、入射光Ｃと、傾斜面１８に対応する金属薄膜６において反射する反射光Ｃ’とのなす角度θ１を小さくすることができる。そのため、反射光Ｃ’を実質的に上方に向かうようにすることができ、その結果、工程（４）において、図２Ｇおよび図６Ａに示すように、予定部分１２に向かう反射光Ｃ’を確実に低減することができる。
１−１４．変形例
中間絶縁層５の傾斜面１８は、第１導体パターン４の稜線部２３に対応しているが、図８Ａに示すように、傾斜面１８が、第１導体パターン４に対応せず、単に、絶縁層の一例としてのベース絶縁層３が複数の厚みＴ３およびＴ４を有することによって、ベース絶縁層３が傾斜面１８を形成することもできる。
中間絶縁層５の傾斜面１８は、第１導体パターン４の稜線部２３に対応しているが、図８Ａに示すように、傾斜面１８が、第１導体パターン４に対応せず、単に、絶縁層の一例としてのベース絶縁層３が複数の厚みＴ３およびＴ４を有することによって、ベース絶縁層３が傾斜面１８を形成することもできる。
つまり、この回路付サスペンション基板１は、図８Ｂに示すように、金属支持基板２と、ベース絶縁層３と、金属薄膜６および第２導体パターン７と、カバー絶縁層９（図４Ｋ参照）とを順次備え、第１導体パターン４および中間絶縁層５を備えない。
この変形例によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
また、本発明の配線回路基板の第１実施形態として回路付サスペンション基板１を挙げて説明しているが、例えば、金属支持基板２を備えないフレキシブル配線回路基板とすることもできる。その場合には、フレキシブル配線回路基板は、図示しないが、金属支持基板２と、ベース絶縁層３と、第１導体パターン４と、中間絶縁層５と、金属薄膜６と、第２導体パターン７と、カバー絶縁層９とを備える。
２．第２実施形態
第２実施形態において、第１実施形態と同じの部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第２実施形態において、第１実施形態と同じの部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第２実施形態の製造方法は、第１実施形態の製造方法の各工程に加え、図９Ａおよび図９Ｂが参照されるように、少なくとも傾斜面１８を粗化する工程（７）をさらに備える。
工程（７）は、中間絶縁層５を設ける工程（１）の後であって、金属薄膜６を設ける工程（２）の前に、実施される。つまり、第２実施形態では、工程（ｉ）〜工程（１）、工程（７）、工程（２）〜工程（ｖｉ）が順次実施される。
つまり、この方法では、工程（ｉ）〜工程（１）のそれぞれによって、金属支持基板２、ベース絶縁層３、第１導体パターン４および中間絶縁層５のそれぞれを設ける。
一方、第２実施形態では、工程（１）において、中間絶縁層５の補角ｙについては、第１実施形態と異なり、限定されない。また、中間絶縁層５の厚みＴ１および厚みＴ２も、第１実施形態のそれらに限定されない。具体的には、中間絶縁層５の厚みＴ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下であってもよい。
工程（１）の後の工程（７）において、図９Ａが参照されるように、傾斜面１８を含む中間絶縁層５の上面全面、あるいは、傾斜面１８のみを粗化する。
少なくとも傾斜面１８を粗化するには、例えば、プラズマ処理、例えば、アルカリ性溶液を用いたケミカルエッチング処理、例えば、サンドブラスト、ウェットブラスト、ブラシ研磨、バフ研磨などの研磨処理、例えば、エンボス加工などの凹凸処理などが用いられる。好ましくは、プラズマ処理が用いられる。
傾斜面１８の算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４）は、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、１μｍ以下、好ましくは、０．６μｍ以下である。傾斜面１８の算術平均粗さＲａは、例えば、レーザー顕微鏡を用いた表面観察から算出される。
傾斜面１８の算術平均粗さＲａが、上記した下限以上であれば、傾斜面１８に対応する金属薄膜６において反射した反射光Ｃ’が、予定部分１２に向かう光量を低減することができる。一方、傾斜面１８の算術平均粗さＲａが、上限以下であれば安定しためっき形成を実施することができる。
工程（７）の後の工程（２）において、図９Ａが参照されるように、金属薄膜６を、中間絶縁層５において粗化された傾斜面１８を含む上面に、設ける。
傾斜面１８に対向する金属薄膜６において、下面が、傾斜面１８の粗化面（凹凸面）に対応し、また、上面が、傾斜面１８の粗化面（凹凸面）と同様の粗化面（凹凸面）に対応する。つまり、傾斜面１８に対向する金属薄膜６は、その厚みが上記したように極めて薄いことから、傾斜面１８と同様の粗化面（凹凸面）、具体的には、傾斜面１８と同様の算術平均粗さＲａを有する。
図９Ｂが参照されるように、工程（２）の後、工程（３）〜工程（６）および工程（ｉｖ）〜工程（ｖｉ）のそれぞれによって、フォトレジスト１０を設け、次いで、フォトレジスト１０をフォトマスク１３を介して露光し、次いで、予定部分１２を露出させ、次いで、第２導体パターン７を設け、フォトレジスト１０およびフォトレジスト１０に対応する金属薄膜６を除去し、その後、カバー絶縁層９を設ける。
そして、工程（４）では、図９Ａが参照されるように、光Ｃは、金属薄膜６において、乱反射（散乱）するので、予定部分１２に反射光Ｃ’の光量が相対的に低減する。そのため、予定部分１２に向かう光量を低減することとなる。
なお、この回路付サスペンション基板１では、図９Ｂおよび図４Ｌが参照されるように、金属支持基板２、ベース絶縁層３、第１導体パターン４、中間絶縁層５、金属薄膜６、第２導体パターン７およびカバー絶縁層９を備えており、中間絶縁層５における少なくとも傾斜面１８は、粗化面（凹凸面）を有している。
そして、この第２実施形態は、工程（１）の後であって、工程（２）の前に、少なくとも傾斜面を粗化する工程（７）をさらに備えるので、粗化された傾斜面１８に対応する金属薄膜６において光を散乱させることができる。そのため、図９Ａに示すように、予定部分１２に向かう光を確実に低減することができる。
３．第３実施形態
第３実施形態において、第１実施形態および第２実施形態と同じの部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第３実施形態において、第１実施形態および第２実施形態と同じの部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第３実施形態の製造方法は、第１実施形態の製造方法の各工程に加え、波長３６５ｎｍの光に対する、金属薄膜６の反射率を、２５％以下にする工程（８）をさらに備える。
工程（８）は、工程（２）の後であって、工程（３）の前に実施される。つまり、第３実施形態では、工程（ｉ）〜工程（２）、工程（８）、工程（３）〜工程（ｖｉ）が順次実施される。
つまり、この方法では、工程（ｉ）〜工程（２）のそれぞれによって、金属支持基板２、ベース絶縁層３、第１導体パターン４、中間絶縁層５および金属薄膜６のそれぞれを設ける。
一方、第３実施形態では、工程（１）において、中間絶縁層５の補角ｙについては、第１実施形態と異なり、限定されない。また、中間絶縁層５の厚みＴ１および厚みＴ２も、第１実施形態のそれらに限定されない。具体的には、中間絶縁層５の厚みＴ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下であってもよい。
工程（２）の後の工程（８）において、金属薄膜６の反射率を、２５％以下にするには、金属薄膜６を加熱により酸化させる。これにより、図１０Ａが参照されるように、酸化金属層１９が金属薄膜６の表面に形成される。金属薄膜６が銅からなる場合には、金属薄膜６を加熱することにより、酸化銅からなる酸化金属層１９が金属薄膜６（酸化銅薄膜）の表面に形成される。すると、酸化金属層１９は黒色を有するので、金属薄膜６の反射率を、２５％以下にすることができる。
金属薄膜６の加熱温度は、例えば、１５０℃以上、好ましくは、１７０℃以上であり、また、例えば、３００℃以下、好ましくは、１９０℃以下である。
酸化金属層１９の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上であり、また、例えば、１００ｎｍ以下、好ましくは、３０ｎｍ以下である。
また、金属薄膜６の反射率は、図１１が参照されるように、金属薄膜６の厚みの増加に伴い低減し、厚み１０ｎｍの辺りで極小となり、その後、厚みが増加すると、反射率も増加する。さらに、金属薄膜６の反射率は、厚み５０ｎｍの辺りで極大となり、その後、厚みが増加すると、反射率も漸次低減する。
図１０Ａが参照されるように、工程（８）の後、工程（３）において、フォトレジスト１０を、酸化金属層１９の上面に設ける。
その後、工程（４）において、図１０Ａに示すように、フォトマスク１３を、フォトレジスト１０において予定部分１２が遮光されるように配置して、フォトレジスト１０を、フォトマスク１３を介して露光する。
その際、透光部分１４およびフォトレジスト１０を順次透過した光は、金属薄膜６の反射率が上記した上限以下であることから、相対的に少ない光量を有する反射光となる（反射光の生成が少なくなる）。そのため、予定部分１２に向かう光を確実に低減することができる。
図１０Ｂが参照されるように、その後、工程（５）では、酸化金属層１９を露出させる。
その後、酸化金属層１９を除去する。酸化金属層１９を除去するには、例えば、酸性水溶液で金属薄膜６の表面を洗浄する。これによって、酸化金属層１９のみを除去する。つまり、金属薄膜６の表面抵抗値を小さくする。
その後、工程（６）〜工程（ｖｉ）のそれぞれによって、第２導体パターン７を設け、フォトレジスト１０およびフォトレジスト１０に対応する金属薄膜６を除去し、その後、カバー絶縁層９を設ける。
なお、この回路付サスペンション基板１では、酸化金属層１９が残存していない。
そして、第３実施形態によれば、工程（２）の後で、工程（３）の前に、波長３６５ｎｍの光に対する、金属薄膜の反射率を、２５％以下にする工程（８）をさらに備えるので、予定部分１２に向かう反射光を確実に低減することができる。
４．第４実施形態
第４実施形態において、第１実施形態〜第３実施形態と同じの部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第４実施形態において、第１実施形態〜第３実施形態と同じの部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第４実施形態では、図１２Ａが参照されるように、工程（３）において、傾斜面１８と平坦面１７とのなす角度αの補角ｙ（度）と、フォトレジスト１０の厚みｘ（μｍ）とが、下記式を満たす。
ｙ≦−３ｘ＋７０
上記した式を満たす補角ｙおよび厚みｘの範囲を、図１３に示す。
上記した式を満たす補角ｙおよび厚みｘの範囲を、図１３に示す。
フォトレジスト１０の厚みｘは、中間絶縁層５の平坦面１７に対向する金属薄膜６の上面とフォトレジスト１０の上面との間の距離である。
フォトレジスト１０の厚みｘが比較的厚い場合には、第１実施形態と同様に、補角ｙが比較的小さくなるように、設定される。一方、フォトレジスト１０の厚みｘが比較的薄い場合には、第１実施形態と異なり、補角ｙが比較的大きくなることが許容される。
具体的には、フォトレジスト１０の厚みｘが、１５μｍの場合には、補角ｙが、例えば、３０度以下、好ましくは、２８度以下、より好ましくは、２５度以下である。フォトレジスト１０の厚みｘが、１０μｍの場合には、補角ｙが、例えば、４０度以下、好ましくは、３８度以下、より好ましくは、３５度以下である。フォトレジスト１０の厚みｘが、５μｍの場合には、補角ｙが、例えば、６０度以下、好ましくは、５７度以下、より好ましくは、５５度以下である。
そうすると、図１２Ａが参照されるように、工程（４）において、例えば、傾斜面１８に対応する金属薄膜６において、上方斜め幅方向一方側に向かう反射光Ｃ’が生成しても、反射光Ｃ’は、フォトレジスト１０の予定部分１２の上方に位置する上方部分（空間）Ｚに向かうのみであり、フォトレジスト１０の予定部分１２に向かうことが抑制される。
そのため、図１２Ｂに示すように、工程（５）において、予定部分１２を確実に除去することができる。
そして、この第４実施形態では、補角ｙ（度）と、フォトレジストの厚みｘ（μｍ）とが、上記式を満たすので、金属薄膜６からの反射光Ｃ’を、予定部分１２より上方に位置する上方部分（空間）Ｚに向かわせることができる。その結果、予定部分１２に向かう反射光Ｃ’を確実に低減することができる。
なお、中間絶縁層５の厚みＴ１および厚みＴ２は、第１実施形態のそれらに限定されない。具体的には、中間絶縁層５の厚みＴ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下であってもよい。
５．変形例
上記した第１〜第４実施形態を適宜組み合わせることができる。
上記した第１〜第４実施形態を適宜組み合わせることができる。
以下に、実験例、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実験例、実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
実施例１（第１実施形態に対応する実施例）
図１Ａに示すように、まず、厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板２を用意した（工程（ｉ））。
図１Ａに示すように、まず、厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板２を用意した（工程（ｉ））。
図１Ｂに示すように、次いで、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層３を金属支持基板２の上に設けた（工程（ｉｉ））。
図１Ｃに示すように、次いで、銅からなる第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設けた（工程（ｉｉｉ））。第１導体パターン４の厚みは、９μｍであった。第１配線２１の幅は、２０μｍであった。
図１Ｄに示すように、次いで、ポリイミドからなる中間絶縁層５を、第１導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に設けた（工程（１））。厚みＴ１は、１５μｍであり、厚みＴ２は、１２μｍであった。傾斜面１８と平坦面１７とのなす角度αが、１６８度であり、補角ｙが、１２度であった。
図２Ｅに示すように、次いで、厚み３０ｎｍのクロム薄膜と、厚み７０μｍの銅薄膜とからなる金属薄膜６を、スパッタリング法で、中間絶縁層５の上に設けた（工程（２））。
図２Ｆに示すように、次いで、フォトレジスト１０を金属薄膜６の上に設けた（工程（３））。フォトレジスト１０の厚みは、２０μｍであった。
図２Ｇおよび図６Ａに示すように、次いで、フォトマスク１３を、フォトレジスト１０における予定部分１２が遮光されるように配置した（工程（４））。具体的には、フォトマスク１３を、遮光部分１５が予定部分１２と対向し、透光部分１４がフォトレジスト１０において予定部分１２以外の部分と対向するように、配置した。
続いて、フォトレジスト１０を、フォトマスク１３を介して露光した（工程（４））。
図３Ｈおよび図６Ｂに示すように、次いで、現像により、フォトマスク１０の予定部分１２を除去して、予定部分１２に対応する金属薄膜６を露出させた工程（５）。
図３Ｉおよび図６Ｂの仮想線に示すように、次いで、金属薄膜６から給電する電解銅めっきにより、第２導体パターン７を、フォトレジスト１０から露出する金属薄膜６の上に設けた（６）。第２導体パターン７の厚みは、９μｍであった。第２配線２６の幅は、２０μｍであった。
図３Ｊに示すように、次いで、エッチングにより、フォトレジスト１０を除去した工程（ｉｖ）。
図４Ｋに示すように、次いで、剥離により、フォトレジスト１０に対応する金属薄膜６を除去した（工程（ｖ））。
図４Ｌに示すように、次いで、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層９を、第２導体パターン７を被覆するように、中間絶縁層５の上に設けた（工程（ｖｉ））。
これにより、回路付サスペンション基板１を得た。
第２導体パターン７には、断線などの形成不良が観察されなかった。
実施例２（第１実施形態に対応する実施例）
図１Ｄに示す工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１を１２μｍに変更し、厚みＴ２を８μｍに変更し、さらに、角度αを１６０度に変更し、補角ｙを２０度に変更した以外は、実施例１と同様に処理した。
図１Ｄに示す工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１を１２μｍに変更し、厚みＴ２を８μｍに変更し、さらに、角度αを１６０度に変更し、補角ｙを２０度に変更した以外は、実施例１と同様に処理した。
第２導体パターン７には、形成不良がわずかに観察された。
比較例１
図１Ｄに示す工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１を６μｍに変更し、厚みＴ２を５μｍに変更し、さらに、角度αを１５０度に変更し、補角ｙを３０度に変更した以外は、実施例１と同様に処理した。
図１Ｄに示す工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１を６μｍに変更し、厚みＴ２を５μｍに変更し、さらに、角度αを１５０度に変更し、補角ｙを３０度に変更した以外は、実施例１と同様に処理した。
第２導体パターン７は、形成不良であって、完全な断線箇所が観察された。
実験例１（第３実施形態に対応する実施例）
実施例１において、工程（２）後の金属薄膜６を加熱して、厚み１０ｎｍの酸化銅を形成した。
実施例１において、工程（２）後の金属薄膜６を加熱して、厚み１０ｎｍの酸化銅を形成した。
また、酸化銅の厚みを変更したサンプルを用意した。
さらに、加熱せず、酸化銅が形成されていない金属薄膜６（ブランク）の波長３６５ｎｍの反射率に対する、上記した各サンプルの反射率の割合（サンプルの反射率／ブランクの反射率）を算出した。
その結果を、図１１に示す。
実施例３（第４実施形態に対応する実施例）
図１Ｄに示す工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１を８μｍに変更し、厚みＴ２を６μｍに変更し、さらに、角度αを１５２度に変更し、補角ｙを２８度に変更した。また、図２Ｆに示す工程（２）において、フォトレジスト１０の厚みを１５μｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様に処理した。
図１Ｄに示す工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１を８μｍに変更し、厚みＴ２を６μｍに変更し、さらに、角度αを１５２度に変更し、補角ｙを２８度に変更した。また、図２Ｆに示す工程（２）において、フォトレジスト１０の厚みを１５μｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様に処理した。
第２導体パターン７には、断線などの形成不良が観察されなかった。
実施例４（第４実施形態に対応する実施例）
図１Ｄに示す工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１を５μｍに変更し、厚みＴ２を３μｍに変更し、さらに、角度αを１４２度に変更し、補角ｙを３８度に変更した。また、図２Ｆに示す工程（２）において、フォトレジスト１０の厚みを１０μｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様に処理した。
図１Ｄに示す工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１を５μｍに変更し、厚みＴ２を３μｍに変更し、さらに、角度αを１４２度に変更し、補角ｙを３８度に変更した。また、図２Ｆに示す工程（２）において、フォトレジスト１０の厚みを１０μｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様に処理した。
第２導体パターン７には、断線などの形成不良が観察されなかった。
実施例５（第４実施形態に対応する実施例）
図１Ｄに示す工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１を３μｍに変更し、厚みＴ２を１μｍに変更し、さらに、角度αを１２３度に変更し、補角ｙを５７度に変更した。また、図２Ｆに示す工程（２）において、フォトレジスト１０の厚みを５μｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様に処理した。
図１Ｄに示す工程（１）において、中間絶縁層５の厚みＴ１を３μｍに変更し、厚みＴ２を１μｍに変更し、さらに、角度αを１２３度に変更し、補角ｙを５７度に変更した。また、図２Ｆに示す工程（２）において、フォトレジスト１０の厚みを５μｍに変更した。それら以外は、実施例１と同様に処理した。
第２導体パターン７には、断線などの形成不良が観察されなかった。
実施例１〜５および比較例１の中間絶縁層５の厚みおよび角度と、フォトレジスト１０の厚みと、評価とを表１に記載する。
１ 回路付サスペンション基板１
３ ベース絶縁層３
５ 中間絶縁層５
６ 金属薄膜６
７ 第２導体パターン７
１０ フォトレジスト１０
１２ 予定部分１２
１３ フォトマスク１３
１７ 平坦面
１８ 傾斜面１８
α 角度
ｙ 補角
３ ベース絶縁層３
５ 中間絶縁層５
６ 金属薄膜６
７ 第２導体パターン７
１０ フォトレジスト１０
１２ 予定部分１２
１３ フォトマスク１３
１７ 平坦面
１８ 傾斜面１８
α 角度
ｙ 補角
Claims (3)
- 傾斜面を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に、厚み方向に投影したときに前記傾斜面と重複しないように設けられる導体パターンとを備える配線回路基板の製造方法であり、
前記傾斜面は、前記導体パターンが延びる方向に直交する直交断面において傾斜し、
前記絶縁層を設ける工程（１）と、
金属薄膜を、前記絶縁層における前記傾斜面を含む全面の上に設ける工程（２）と、
フォトレジストを前記金属薄膜の上に設ける工程（３）と、
フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記導体パターンが設けられるべき部分が遮光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程（４）と、
前記フォトマスクに遮光された、前記フォトレジストの前記部分を除去して、前記部分に対応する前記金属薄膜を露出させる工程（５）と、
前記導体パターンを、前記フォトレジストから露出する前記金属薄膜の上に設ける工程（６）とを備え、
さらに、前記フォトレジストを露光するときに、前記傾斜面の上に位置する前記金属薄膜により反射して、前記部分に向かう光を低減するための工程を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。 - 前記部分に向かう光を低減するための工程として、前記工程（１）の後で、前記工程（２）の前に、少なくとも前記傾斜面を粗化する工程（７）
をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。 - 前記部分に向かう光を低減するための工程として、前記工程（２）の後で、前記工程（３）の前に、波長３６５ｎｍの光に対する、前記金属薄膜の反射率を、２５％以下にする工程（８）
をさらに備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
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