JP6795323B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
L≦−2×W+35 (1)。
前記ダミー配線は、平面視において、前記配線と重複していることを特徴とする、配線回路基板を含む
L≦−2×W+35 (1)。
L≦−2×W+35 (1)。
本発明の配線回路基板は、導体パターンを単数層あるいは複数層有しており、その層構成は、特に限定されない。また、配線回路基板は、金属支持基板を備える回路付サスペンション基板や、金属支持基板を備えないフレキシブル配線回路基板を含む。
図1および図2に示すように、この配線回路基板1は、ベース絶縁層3と、ベース絶縁層3の上に設けられる第1導体パターン4と、ベース絶縁層3の上に設けられ、第1導体パターン4を被覆する絶縁層の一例としての中間絶縁層5と、中間絶縁層5の上に配置される導体パターンの一例としての第2導体パターン6と、中間絶縁層5の上に設けられ、第2導体パターン6を被覆するカバー絶縁層7とを備える。
次に、配線回路基板1の製造方法を、図3A〜図6Kを参照して説明する。
図3Aに示すように、工程(i)では、ベース絶縁層3を用意する。
図3Bに示すように、工程(ii)では、第1導体パターン4をベース絶縁層3の上に設ける。
図3Cに示すように、工程(1)では、中間絶縁層5を、第1導体パターン4を被覆するように、ベース絶縁層3の上に設ける。
図4Dに示すように、工程(2)では、金属薄膜33を中間絶縁層5の少なくとも斜面15の上に設ける。
図4Eに示すように、工程(3)では、フォトレジスト25を金属薄膜33の上に設ける。
図4Fに示すように、工程(4)では、フォトマスク24を、フォトレジスト25における第1部分23と、フォトレジスト25において第2部分28に対応する第3部分29とが遮光されるように配置して、フォトレジスト25を、フォトマスク24を介して露光する。
図5Gに示すように、工程(5)では、フォトレジスト25における第1部分23(図4F参照)を除去する。これとともに、フォトレジスト25における第3部分29(図4F参照)を除去する。
図5Hの仮想線に示すように、工程(6)では、まず、第2導体パターン6を、フォトレジスト25から露出する金属薄膜33の上に設ける。
図5Iに示すように、工程(iii)では、フォトレジスト25を除去する。
図6Jに示すように、工程(iv)では、フォトレジスト25(図5H)に対応する金属薄膜33を除去する。
図6Kに示すように、工程(v)では、カバー絶縁層7を、第2導体パターン6の第2配線20およびダミー配線21を被覆し、第2端子(図示せず)を露出するパターンで、設ける。
しかるに、図7に示す、ダミー配線21(図1参照)を有さない配線回路基板1を製造しようとする場合でも、図8Aおよび図8Bに示すように、工程(4)および工程(5)が実施される。
第1実施形態では、曲り部の一例として湾曲部17を挙げている。しかし、例えば、曲り部は、湾曲部17に限定されない。
第2実施形態において、第1実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第2実施形態の配線回路基板1の製造方法は、第1実施形態のベース絶縁層3を用意する工程(i)(図3A参照)と、第1導体パターン4を設ける工程(ii)(図3B参照)と、中間絶縁層5を設ける工程(1)(図3C参照)とを備える。
第2実施形態では、図9Aおよび図9Bに示すように、工程(1)および工程(2)を順次実施する。あるいは、工程(1)および工程(2)を、例えば、同時に実施する。その場合には、中間絶縁層5および導体層34が積層された2層基材を、ベース絶縁層3の上に、第1導体パターン4を被覆するように、設ける。
図9Bに示すように、工程(4)において、フォトマスク24を、フォトレジスト25において第1部分23および第3部分29が遮光されるように配置する。
図9Cに示すように、工程(5)では、露光後のフォトレジスト25を、例えば、現像液によって現像して、第1部分23および第3部分29を残すように、第1部分23および第3部分29以外のフォトレジスト25を除去する。
図10Dに示すように、工程(6)では、フォトレジスト25から露出する導体層34を除去する。
図10Eに示すように、工程(iii)では、フォトレジスト25を、例えば、剥離などによって、除去する。
上記した製造方法により得られた配線回路基板1は、ベース絶縁層3と、第1導体パターン4と、中間絶縁層5と、第2導体パターン6と、第2導体パターン6を被覆するカバー絶縁層7とを備える。また、第2実施形態の配線回路基板1は、第1実施形態と異なり、金属薄膜33(図2参照)を備えない。
第2実施形態の製造方法によれば、図9Bに示すように、工程(4)において、フォトマスク24を、第2部分28に対向するフォトレジスト25である第3部分29が遮光されるように、配置する。そのため、たとえ、斜面15が、導体層34において反射した反射光B’が第1部分23に至るような第3部分29を有していても、工程(4)において、第3部分29が遮光されるので、反射光B’が第1部分23に至ることを防止することができる。つまり、反射光B’自体の発生を防止することができる。
第3実施形態において、第1および第2実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図1および図2に示すように、第1実施形態の配線回路基板1は、第2配線20と独立するダミー配線21を備える。
ダミー部35は、第2導体パターン6に備えられる。ダミー部35は、第2直線部22の幅方向他端部から幅方向他方側に突出する突出部である。ダミー部35は、1つの頂点が湾曲状の略三角形状を有している。ダミー部35(右辺、突出片)は、第1配線10の第1円弧部11に相似する形状を有する。ダミー部35は、第2直線部22と幅方向に連続している。
配線回路基板1の製造方法において、図13Aに示すように、工程(4)では、幅方向に連続する第1遮光部分31および第2遮光部分32を有する遮光部分27を有するフォトマスク24を配置する。
図13Bに示すように、第1部分23および第3部分29をまとめて除去する。
図13Cに示すように、第2導体パターン6を、フォトレジスト25の開口部30から露出する金属薄膜33の上に設ける。
図14Dに示すように、工程(iii)では、フォトレジスト25を除去する。
図14Eに示すように、工程(iv)では、フォトレジスト25(図13C)に対応する金属薄膜33を除去する。
図14Fに示すように、工程(v)では、カバー絶縁層7を、第2導体パターン6の第2配線20およびダミー部35を被覆し、第2端子(図示せず)を露出するパターンで、設ける。
この第3実施形態の製造方法では、図13Aに示すように、工程(4)では、フォトレジスト25においてダミー部35が設けられるべき第3部分29が、平面視において、第2部分28と重複している。従って、工程(4)において、第3部分29を確実に遮光できる。そのため、第3部分29と重複する第2部分28における反射光B’(図8A参照)の発生を防止することができる。その結果、第2部分28における反射光B’に起因する第1部分23の露光を確実に防止して、第2配線20を確実に設けることができる。
第3実施形態の配線回路基板1は、ネガ型のフォトレジスト25を用いて製造しているが、変形例では、図示しないが、ポジ型のフォトレジスト25を用いて製造することもできる。
第4実施形態において、第1〜第3実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第1導体パターン4において、第1配線10は、平面視において、第2導体パターン6の第2直線部22に対して相対的に遠い2つの第1直線部12と、第2直線部22に比べて近い第3直線部36と、それらを連結する第2連結部37とを一体的に備える。
なお、W2は、第2導体パターン6の第2直線部22の幅であって、配線の幅Wの一例であり、単位は、μmである。
図16Cおよび図17Cに示すように、中間絶縁層5は、第1配線10(第3直線部36を含む)の幅方向一方側の稜線部13に対応する斜面15を有する。
つまり、距離L2は、第2直線部22の幅W2が小さくなればなるほど、長くなることが許容される。図25に示されるグラフにおいて、距離L2および幅W2が、「L1=−2×W2+35」の直線を含み、かつ、それより左下の領域にあればよい。
3−1.第2直線部
第2直線部22の幅W2は、15μm以下、好ましくは、12.5μm以下、より好ましくは、10μm以下であり、また、例えば、1μm以上、好ましくは、5μm以上である。
ダミー配線21は、第3直線部36に対応して設けられており、具体的には、ダミー配線21は、第3直線部36における幅方向一方側の稜線部13に対応して設けられている。ダミー配線21は、幅方向一方側の稜線部13の直線形状に相似する略直線形状を有する。さらに、ダミー配線21は、平面視において、斜面15と重複している。ダミー配線21は、平面視において、第2直線部22の幅方向他方側に間隔を隔てて隣接配置されている。ダミー配線21は、第2直線部22に比べて、前後方向に短い。
第4実施形態の配線回路基板1の製造方法は、第1実施形態の製造方法と同様の製造方法である。
第4実施形態では、上記した距離L2および幅W2が上記した範囲に設定され、上記した関係式(1)を満足すれば、フォトマスク24が第2遮光部分32を有さず、工程(4)を実施すると、図8Aが参照されるように、斜面15における反射光B’を生成し、その反射光B’に起因して、第1部分23が露光されてしまう。つまり、斜面15に対応する意図しない反射光B’に起因して、第1部分23に生じ、第2配線20の信頼性が低下する。
図15に示すように、第4実施形態では、第1導体パターン4に第3直線部36を設け、厚み方向に投影したときに、第3直線部36と重複するダミー配線21を設けた。
第5実施形態において、第1〜第4実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図20および図21に示すように、第5実施形態では、第2配線20と連続するダミー部35を備える。
第5実施形態の配線回路基板1は、第3実施形態(図13A〜図13C参照)と同一の製造方法によって、得られる。
第5実施形態によれば、第4実施形態と同一の作用効果を奏することができる。
図20および図21に示すように、第5実施形態では、第1導体パターン4に第3直線部36を設け、厚み方向に投影したときに、第3直線部36と重複するダミー部35を設けている。
第1〜第5実施形態の中間絶縁層5の斜面15は、第1導体パターン4の稜線部13に対応している。
図3Aに示すように、まず、厚み10μmのポリイミドからなるベース絶縁層3を用意した(工程(i))。
第2導体パターン6にダミー配線21を設けなかった以外は、実施例1と同様に処理して、回路付サスペンション基板1を得た(図7、図8A〜図8C)。つまり、工程(4)では、図8Aに示すように、フォトマスク24において、遮光部分27は、第3部分29に対応する第2遮光部分32(図4F参照)を有さず、第1部分23に対応する第1遮光部分31のみを有する。
図3Aに示すように、まず、厚み10μmのポリイミドからなるベース絶縁層3を用意した(工程(i))。
第2導体パターン6にダミー配線21を設けなかった以外は、実施例2と同様に処理して、配線回路基板1を得た。
上記したW2およびL2(ならびにL1)を、表1〜表4の記載に従って、変更した以外は、実施例2と同様に処理して、配線回路基板1を得た。
実施例3〜9では、第2配線20には、断線などの形状不良が観察されなかった。
上記したW2およびL2(ならびにL1)を、表1〜表4の記載に従って、変更し、さらに、第2導体パターン6にダミー配線21を設けなかった以外は、実施例2と同様に処理して、配線回路基板1を得た。
3 ベース絶縁層
5 中間絶縁層
6 第2導体パターン
15 斜面
17 湾曲部
20 第2配線
21 ダミー配線
23 第1部分
24 フォトマスク
25 フォトレジスト
28 第2部分
29 第3部分
33 金属薄膜
34 導体層
35 ダミー部
Claims (6)
- 絶縁層と、導体パターンとを備える配線回路基板の製造方法であり、
斜面を有する前記絶縁層を設ける工程(1)と、
金属薄膜を、少なくとも前記絶縁層の表面に設ける工程(2)と、
フォトレジストを前記金属薄膜の表面に設ける工程(3)と、
フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記導体パターンが設けられるべき第1部分が遮光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程(4)と、
前記第1部分を除去して、前記第1部分に対応する前記金属薄膜を露出させる工程(5)と、
前記導体パターンを、前記フォトレジストから露出する前記金属薄膜の表面に設ける工程(6)とを備え、
前記斜面は、前記金属薄膜において反射した反射光が前記第1部分に至るような第2部分を有し、
前記工程(4)において、前記フォトマスクを、前記第2部分に対向する前記フォトレジストが遮光されるように、配置し、
前記第2部分は、平面視において、一方向に向かって連続的に曲がる円弧部であり、
前記円弧部は、それに対応する前記反射光が前記第1部分に集光するように構成されていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。 - 絶縁層と、導体パターンとを備える配線回路基板の製造方法であり、
斜面を有する前記絶縁層を設ける工程(1)と、
導体層を、少なくとも前記絶縁層の表面に設ける工程(2)と、
フォトレジストを前記導体層の表面に設ける工程(3)と、
フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記導体パターンが設けられるべき第1部分が遮光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程(4)と、
前記第1部分を残すように、前記第1部分以外の前記フォトレジストを除去する工程(5)と、
前記第1部分から露出する前記導体層を除去して、前記導体パターンを形成する工程(6)とを備え、
前記斜面は、前記導体層において反射した反射光が前記第1部分に至るような第2部分を有し、
前記工程(4)において、前記フォトマスクを、前記第2部分に対向する前記フォトレジストが遮光されるように、配置し、
前記第2部分は、平面視において、一方向に向かって連続的に曲がる円弧部であり、
前記円弧部は、それに対応する前記反射光が前記第1部分に集光するように構成されていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。 - 前記導体パターンは、配線と、前記配線と独立して設けられるダミー配線とを有し、
前記工程(4)では、前記フォトレジストにおいて前記ダミー配線が設けられるべき第3部分が、平面視において、前記第2部分と重複していることを特徴とする、請求項1または2に記載の配線回路基板の製造方法。 - 前記導体パターンは、配線と、前記配線と連続して設けられるダミー部とを有し、
前記工程(4)では、前記フォトレジストにおいて前記ダミー部が設けられるべき第3部分が、平面視において、前記第2部分と重複していることを特徴とする、請求項1または2に記載の配線回路基板の製造方法。 - 斜面を有する絶縁層と、
配線、および、前記配線と独立して設けられるダミー配線を有する導体パターンとを備え、
前記斜面は、平面視において、一方向に曲がる曲り部を有し、
前記ダミー配線は、平面視において、前記曲り部と重複し、
前記曲り部は、平面視において、一方向に向かって連続的に曲がる円弧部であることを特徴とする、配線回路基板。 - 斜面を有する絶縁層と、
配線、および、前記配線と連続して設けられるダミー部を有する導体パターンとを備え、
前記斜面は、平面視において、一方向に曲がる曲り部を有し、
前記ダミー部は、平面視において、前記曲り部と重複し、
前記曲り部は、平面視において、一方向に向かって連続的に曲がる円弧部であることを特徴とする、配線回路基板。
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