JPH0335238A - マスクパターン検証方法 - Google Patents
マスクパターン検証方法Info
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- JPH0335238A JPH0335238A JP1170157A JP17015789A JPH0335238A JP H0335238 A JPH0335238 A JP H0335238A JP 1170157 A JP1170157 A JP 1170157A JP 17015789 A JP17015789 A JP 17015789A JP H0335238 A JPH0335238 A JP H0335238A
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明ζ上 フォトマスクデータの検証法に関するもの
である。
である。
従来の技術
フォトリソグラフィを用いて、ＬＳＩ等の微細パターン
を形成するために（よ レジストが塗布される基板の凹
凸を考慮したフォトマスクの作成を行う必要があん 通
−、ＬＳＩの配線に（よ 光の反射率の高いアルミニウ
ム等の金属が用いられもそのたべ 多層配線等によって
アルミ配線を形成する場合、上層の配線のレジストパタ
ーンを形成するときに 下層の配線の段差からの反射光
によって目的のパターンが得られな八 しかし 従棗下
層の配線パターンの段差の影響による上層配線の不良箇
所をマスクデータで検証する方法が存在しなかったた一
奴 実際の製造工程中に不良箇所を発見してマスクを修
正するという作業が繰り返し行なわれていｔも 発明が解決しようとする課題 しかし この様な方法で（よ 配線工程がＬＳＩ製造工
程のほぼ最終工程であるた＆ ＬＳＩの開発コスト及
びスループットに対して、非常に損害が太きかつｔも 本発明ＧＥＬ 上述の問題点に鑑みて試されたもので
、凹凸を有する基板上に形成されるレジストパターンの
劣化場所を予測できるマスクパターン検証方法を提供す
ることを目的とすも 課題を解決するための手段 本発明は 上述の課題を解決するため基板上で凸あるい
は凹となる層を表わすフォトマスクの図形に対して前記
基板上で形成される段差斜面を表わす図形を作成する手
段と、前記段差斜面を有する基板上に形成すべきフォト
マスクの図形より、前記段差斜面を表わす図形のうち実
際に光が照射されて垂直方向以外に光が反射される反射
斜面を表わす図形を作成する手段と、前記反射斜面を表
わす図形の位置関係より反射光の重なり合う領域を表わ
す図形を作成する手段と、その檄 前記段差斜面を有す
る基板上に形成すべき層の特定寸法以下のパターン上に
前記反射光の重なり合う領域が存在するか否かを判断
する手段とを備えたものである。
を形成するために（よ レジストが塗布される基板の凹
凸を考慮したフォトマスクの作成を行う必要があん 通
−、ＬＳＩの配線に（よ 光の反射率の高いアルミニウ
ム等の金属が用いられもそのたべ 多層配線等によって
アルミ配線を形成する場合、上層の配線のレジストパタ
ーンを形成するときに 下層の配線の段差からの反射光
によって目的のパターンが得られな八 しかし 従棗下
層の配線パターンの段差の影響による上層配線の不良箇
所をマスクデータで検証する方法が存在しなかったた一
奴 実際の製造工程中に不良箇所を発見してマスクを修
正するという作業が繰り返し行なわれていｔも 発明が解決しようとする課題 しかし この様な方法で（よ 配線工程がＬＳＩ製造工
程のほぼ最終工程であるた＆ ＬＳＩの開発コスト及
びスループットに対して、非常に損害が太きかつｔも 本発明ＧＥＬ 上述の問題点に鑑みて試されたもので
、凹凸を有する基板上に形成されるレジストパターンの
劣化場所を予測できるマスクパターン検証方法を提供す
ることを目的とすも 課題を解決するための手段 本発明は 上述の課題を解決するため基板上で凸あるい
は凹となる層を表わすフォトマスクの図形に対して前記
基板上で形成される段差斜面を表わす図形を作成する手
段と、前記段差斜面を有する基板上に形成すべきフォト
マスクの図形より、前記段差斜面を表わす図形のうち実
際に光が照射されて垂直方向以外に光が反射される反射
斜面を表わす図形を作成する手段と、前記反射斜面を表
わす図形の位置関係より反射光の重なり合う領域を表わ
す図形を作成する手段と、その檄 前記段差斜面を有す
る基板上に形成すべき層の特定寸法以下のパターン上に
前記反射光の重なり合う領域が存在するか否かを判断
する手段とを備えたものである。
作用
本発明は上述の構成によって、基板上で凸あるいは凹と
なる層を表わすフォトマスクの図形より基板上での段差
斜面を表わす図形を作成した機先の反射が幾何学的に評
価出来ることを利用して、反射光の影響の及ぶ範囲を幾
何学的な図形の変形で求べ その図形が重なり合う部分
が反射光により強く影響を受けると判断することによっ
て、凹凸を有する基板上で基板からの反射によって、レ
ジストの劣化する部分の有無をマスクデータ上で簡単に
検証出来も 実施例 第１図は本発明の一実施例におけるマスクパターン検証
方法を示すフローチャートであも５ＴＥＰ（１）は多層
配線における下層の配線となる層のパターンを表わすフ
ォトマスクデータから段差斜面を表わす図形を作成する
処理であも５ＴＥＰ（２’）は５ＴＥＰ（１）で作成し
た段差斜面を表わす図形のうム 上層の配線パターンを
形成する時に反射斜面となる部分を表わす図形を作成す
る処理であも ５ＴＥＰ（３）は５ＴＥＰ（２）で作成した反射斜面を
表わす図形から反射光が影響を及ぼす領域を表わす図形
を作成する処理であも ５ＴＥＰ（４）は反射光が影響を及ぼす領域の中でも特
に 反射光の影響が強い領域を表わす図形を作成する処
理であも ５ＴＥＰ（５’）は５ＴＥＰ（４）で作成した反射の影
響を強く受ける領域が上層の配線パターンを劣化させる
か否かを判断する処理であも ５ＴＥＰ（６）は５ＴＥＰ（５）の判断に基づいて行う
処理であり、上層の配線パターンが劣化しないと判断し
た場合、目的の配線パターンが得られるマスクデータの
完成と判断すも また 上層の配線パターンが劣化する
と判断した場ム マスクを修正し再び５ＴＥＰ（１）〜
５ＴＥＰ（５）の各処理を繰り返し 上層の配線パター
ンが劣化しないと判断出来るまでこの処理を繰り返し行
う。以上 本発明の実施例における概略構成を説明した
力交 以下本実施例の各ステップを第２図に示す多層配
線における下層配線のマスクパターン１．２と上層配線
のマスクパターン３，４．５を用いて詳細に説明してい
く。ただし 本実施例ば ポジ形レジストを用いたフォ
トプロセスを仮定して説明を行う。第３図、第４図はそ
れぞれ第２図で示される多層配線のマスクパターン例に
おいて、本実施例の各５ＴＥＰで作成される図形を示す
図及び各５ＴＥＰで作成される図形が表わす実際の基板
上の領域における断面図であも５ＴＥＰ（１） 第３図（ａ）は第２図の多層配線の下層配線のマスクパ
ターンの図形１．２より作成した段差斜面を表わす図形
６．７を示す図面であも 第４図（ａ）は第３図（ａ）
に示される線分ＡＡ’におけるマスクパターン１．２に
相当する下層配線８，９を形成した徽層間絶縁膜１０を
堆積し 熱処理を行った徴 さらに上層配線となる金属
１１を堆積したときの断面図である。このとき、下層配
線８，９の段差によって形成される段差斜面１２．１３
は下層配線の段差上部の内側０．４〜０．５μｍ程度の
位置から段差上部の外側０．７〜０．９μｍ程度の位置
にかけて、形成されることが経験的に知られている。よ
って、下層配線のマスクパターンの図形１．２に対して
それぞれの図心が移動しないように ２通りのサイズ変
換を行った後、大きなサイズの図形から小さなサイズの
図形を引き去ることにより、上層配線形成時に発生する
段差斜面を表わす図形６．７が作成される。
なる層を表わすフォトマスクの図形より基板上での段差
斜面を表わす図形を作成した機先の反射が幾何学的に評
価出来ることを利用して、反射光の影響の及ぶ範囲を幾
何学的な図形の変形で求べ その図形が重なり合う部分
が反射光により強く影響を受けると判断することによっ
て、凹凸を有する基板上で基板からの反射によって、レ
ジストの劣化する部分の有無をマスクデータ上で簡単に
検証出来も 実施例 第１図は本発明の一実施例におけるマスクパターン検証
方法を示すフローチャートであも５ＴＥＰ（１）は多層
配線における下層の配線となる層のパターンを表わすフ
ォトマスクデータから段差斜面を表わす図形を作成する
処理であも５ＴＥＰ（２’）は５ＴＥＰ（１）で作成し
た段差斜面を表わす図形のうム 上層の配線パターンを
形成する時に反射斜面となる部分を表わす図形を作成す
る処理であも ５ＴＥＰ（３）は５ＴＥＰ（２）で作成した反射斜面を
表わす図形から反射光が影響を及ぼす領域を表わす図形
を作成する処理であも ５ＴＥＰ（４）は反射光が影響を及ぼす領域の中でも特
に 反射光の影響が強い領域を表わす図形を作成する処
理であも ５ＴＥＰ（５’）は５ＴＥＰ（４）で作成した反射の影
響を強く受ける領域が上層の配線パターンを劣化させる
か否かを判断する処理であも ５ＴＥＰ（６）は５ＴＥＰ（５）の判断に基づいて行う
処理であり、上層の配線パターンが劣化しないと判断し
た場合、目的の配線パターンが得られるマスクデータの
完成と判断すも また 上層の配線パターンが劣化する
と判断した場ム マスクを修正し再び５ＴＥＰ（１）〜
５ＴＥＰ（５）の各処理を繰り返し 上層の配線パター
ンが劣化しないと判断出来るまでこの処理を繰り返し行
う。以上 本発明の実施例における概略構成を説明した
力交 以下本実施例の各ステップを第２図に示す多層配
線における下層配線のマスクパターン１．２と上層配線
のマスクパターン３，４．５を用いて詳細に説明してい
く。ただし 本実施例ば ポジ形レジストを用いたフォ
トプロセスを仮定して説明を行う。第３図、第４図はそ
れぞれ第２図で示される多層配線のマスクパターン例に
おいて、本実施例の各５ＴＥＰで作成される図形を示す
図及び各５ＴＥＰで作成される図形が表わす実際の基板
上の領域における断面図であも５ＴＥＰ（１） 第３図（ａ）は第２図の多層配線の下層配線のマスクパ
ターンの図形１．２より作成した段差斜面を表わす図形
６．７を示す図面であも 第４図（ａ）は第３図（ａ）
に示される線分ＡＡ’におけるマスクパターン１．２に
相当する下層配線８，９を形成した徽層間絶縁膜１０を
堆積し 熱処理を行った徴 さらに上層配線となる金属
１１を堆積したときの断面図である。このとき、下層配
線８，９の段差によって形成される段差斜面１２．１３
は下層配線の段差上部の内側０．４〜０．５μｍ程度の
位置から段差上部の外側０．７〜０．９μｍ程度の位置
にかけて、形成されることが経験的に知られている。よ
って、下層配線のマスクパターンの図形１．２に対して
それぞれの図心が移動しないように ２通りのサイズ変
換を行った後、大きなサイズの図形から小さなサイズの
図形を引き去ることにより、上層配線形成時に発生する
段差斜面を表わす図形６．７が作成される。
５ＴＥＰ（２）
第３図（ｂ）ｌ；Ｌ ５ＴＥＰ（１）で作成された段
差斜面を表わす図形６，７のうちで実際のフォトプロセ
スで光を照射されて、反射斜面となる部分１４．１５．
１６を示す図面である。第４図（ｂ）は第４図（ａ）に
示される基板に レジスト１７を塗布し レチクル（フ
ォトマスク） １８を用いて露光を行ったときの断面図
と、 レチクル１８の光の透過部１９及び非透過部２０
を示した図面である。ポジ形レジストを用いた場合、上
層の配線パターン３，４．５がレチクル１８の光の非透
過部１９に対応すん よって、反射斜面を表わす図形１
４．１５．１６ζ上 段差斜面を表わす図形６，７から
上層の配線パターンを表わす図形３．４．５を引き去る
ことにより作成される。
差斜面を表わす図形６，７のうちで実際のフォトプロセ
スで光を照射されて、反射斜面となる部分１４．１５．
１６を示す図面である。第４図（ｂ）は第４図（ａ）に
示される基板に レジスト１７を塗布し レチクル（フ
ォトマスク） １８を用いて露光を行ったときの断面図
と、 レチクル１８の光の透過部１９及び非透過部２０
を示した図面である。ポジ形レジストを用いた場合、上
層の配線パターン３，４．５がレチクル１８の光の非透
過部１９に対応すん よって、反射斜面を表わす図形１
４．１５．１６ζ上 段差斜面を表わす図形６，７から
上層の配線パターンを表わす図形３．４．５を引き去る
ことにより作成される。
５ＴＥＰ（３’）
第３図（ｃ）は５ＴＥＰ（２）で作成された反射斜面に
より反射された光の影響の及ぶ領域を表わす図形２１を
示すものである。第４図（Ｃ）は第４図（ｂ）に示され
る露光を行った時の断面図と、反射斜面からの反射光２
２．２３．２４と反射光の影響の及ぶ領域２５．２６を
示したものである。反射光は反射斜面から段差の外側に
向って広ろがへ よって、反射斜面を表わす図形１４．
１５．１６を図心が移動しないように 反射斜面から段
差の外側に向って広がる広がり寸法だけサイズ変換によ
り拡大された図形（図示せず）から段差の内側を表わす
図豚 すなわ−＆ ５ＴＥＰ（１）で作成した下層配
線のパターンを表わす図形を縮少して作成した図形を引
き去ることにより反射光の影響の及ぶ領域を表わす図形
２１が作成される。
より反射された光の影響の及ぶ領域を表わす図形２１を
示すものである。第４図（Ｃ）は第４図（ｂ）に示され
る露光を行った時の断面図と、反射斜面からの反射光２
２．２３．２４と反射光の影響の及ぶ領域２５．２６を
示したものである。反射光は反射斜面から段差の外側に
向って広ろがへ よって、反射斜面を表わす図形１４．
１５．１６を図心が移動しないように 反射斜面から段
差の外側に向って広がる広がり寸法だけサイズ変換によ
り拡大された図形（図示せず）から段差の内側を表わす
図豚 すなわ−＆ ５ＴＥＰ（１）で作成した下層配
線のパターンを表わす図形を縮少して作成した図形を引
き去ることにより反射光の影響の及ぶ領域を表わす図形
２１が作成される。
５ＴＥＰ（４）
第３図（ｄ）は５ＴＥＰ（３）で作成されｔ４ 反射
光の影響の及ぶ領域を表わす図形のうち、 反射光の影
響の強い部分２５を示す図面である。第４図（ｃ）の反
射光の影響を受ける領域２６は複数の反射斜面からの反
射光２３．２４によって、その領域が広くなっていもよ
って、反射光の影響を受ける領域の広い部分の中央付近
力文 反射光の影響を強く受けることより、反射光の影
響の及ぶ領域を表わす図形２１を縮少して、反射光の影
響を強く受ける領域を表わす図形２５が求められも ５ＴＥＰ（５） 第３図（ｅ）１．ｔ 上層の配線パターン３，４．５
と、反射光の影響を強く受ける領域を表わす図形２５を
示したものである。本５ＴＥＰでは所定の寸法以下の配
線上に 反射光の影響を強く受ける部分があるか否かを
判断する。すなわち上層の配線パターンを表わす図形と
、反射光の影響を強く受ける領域を表わす図形が重なり
合うか否かを判断ずん 本実施例において（友 上層配
線の所定寸法以下の配線パターンの図形上に反射光の影
響を強く受ける図形が存在することにより、上層配線４
に不良箇所２５が発見出来も ５ＴＥＰ（６） 本５ＴＥＰにおいてにｌ、 ５ＴＥＰ（５）で所定寸
法以下の上層の配線パターンの図形と、反射光の影響を
強く受ける領域を表わす図形が重さなり合わないと判断
した場合は 本発明における処理を終了する。
光の影響の及ぶ領域を表わす図形のうち、 反射光の影
響の強い部分２５を示す図面である。第４図（ｃ）の反
射光の影響を受ける領域２６は複数の反射斜面からの反
射光２３．２４によって、その領域が広くなっていもよ
って、反射光の影響を受ける領域の広い部分の中央付近
力文 反射光の影響を強く受けることより、反射光の影
響の及ぶ領域を表わす図形２１を縮少して、反射光の影
響を強く受ける領域を表わす図形２５が求められも ５ＴＥＰ（５） 第３図（ｅ）１．ｔ 上層の配線パターン３，４．５
と、反射光の影響を強く受ける領域を表わす図形２５を
示したものである。本５ＴＥＰでは所定の寸法以下の配
線上に 反射光の影響を強く受ける部分があるか否かを
判断する。すなわち上層の配線パターンを表わす図形と
、反射光の影響を強く受ける領域を表わす図形が重なり
合うか否かを判断ずん 本実施例において（友 上層配
線の所定寸法以下の配線パターンの図形上に反射光の影
響を強く受ける図形が存在することにより、上層配線４
に不良箇所２５が発見出来も ５ＴＥＰ（６） 本５ＴＥＰにおいてにｌ、 ５ＴＥＰ（５）で所定寸
法以下の上層の配線パターンの図形と、反射光の影響を
強く受ける領域を表わす図形が重さなり合わないと判断
した場合は 本発明における処理を終了する。
しかし 重なり合うと判断した場合（上 その重さなり
合う部分の上層の配線パターンを所定寸法以上に太くす
る力＼ あるいは下層の配線パターンを反射光の影響を
強く受ける領域が表われないように変形して再び５ＴＥ
Ｐ（１）〜５ＴＥＰ（６）の操作を繰り返す。以上 本
実施例においては 基板上で凸となる層のフォトマスク
の図形１，２より、基板上での段差斜面を表わす図形６
．７を作成した徽 光の反射光が幾何学的に評価出来る
ことを利用して、反射光の影響の及ぶ範囲２１を図形変
形で求△ その中でも反射光の影響を強く受ける領域２
５が作成出来ることにより、上層配線のパターン４に不
良となる箇所２５が発見出来瓜 な抵 本実施例におい
てはフォトマスクにより基板上で凸となる場合について
説明したパ 同一フォトマスクを用いても基板上で凹と
なる場合があり、その時でも同様な効果が得られも ま
た本実施例はポジ形レジストを用いて説明した戟 ネガ
形レジストを用いても同様な効果が得られることは言う
までもな賎発明の効果 以上の説明から明らかなように 本発明によれば 段差
斜面を表わす領域反訳 その斜面から反射光の影響が及
ぶ領域が幾何学的な図形演算で求められることを利用し
て段差を形成する層のフォトマスクデータと、その段差
上に形成される配線パターンのフォトマスクデータより
配線の不良箇所が簡単に検証出来も
合う部分の上層の配線パターンを所定寸法以上に太くす
る力＼ あるいは下層の配線パターンを反射光の影響を
強く受ける領域が表われないように変形して再び５ＴＥ
Ｐ（１）〜５ＴＥＰ（６）の操作を繰り返す。以上 本
実施例においては 基板上で凸となる層のフォトマスク
の図形１，２より、基板上での段差斜面を表わす図形６
．７を作成した徽 光の反射光が幾何学的に評価出来る
ことを利用して、反射光の影響の及ぶ範囲２１を図形変
形で求△ その中でも反射光の影響を強く受ける領域２
５が作成出来ることにより、上層配線のパターン４に不
良となる箇所２５が発見出来瓜 な抵 本実施例におい
てはフォトマスクにより基板上で凸となる場合について
説明したパ 同一フォトマスクを用いても基板上で凹と
なる場合があり、その時でも同様な効果が得られも ま
た本実施例はポジ形レジストを用いて説明した戟 ネガ
形レジストを用いても同様な効果が得られることは言う
までもな賎発明の効果 以上の説明から明らかなように 本発明によれば 段差
斜面を表わす領域反訳 その斜面から反射光の影響が及
ぶ領域が幾何学的な図形演算で求められることを利用し
て段差を形成する層のフォトマスクデータと、その段差
上に形成される配線パターンのフォトマスクデータより
配線の不良箇所が簡単に検証出来も
第１図は本発明の一実施例におけるマスクパターン検証
方法を示すフローチャートは 第２図は本発明の一実施
例における多層配線のフォトマスク図形を示す諷 第３
図は第２図に示す多層配線のフォトマスク図形に対して
実施例の各５ＴＥＰで作成される図形を示す飄 第４図
は第２図に示すフォトマスクを用いた多層配線における
実際の基板上での断面図であも
方法を示すフローチャートは 第２図は本発明の一実施
例における多層配線のフォトマスク図形を示す諷 第３
図は第２図に示す多層配線のフォトマスク図形に対して
実施例の各５ＴＥＰで作成される図形を示す飄 第４図
は第２図に示すフォトマスクを用いた多層配線における
実際の基板上での断面図であも
Claims (1)
- 基板上で凸あるいは凹となる層を表わすフォトマスク
の図形に対して前記基板上で形成される段差斜面を表わ
す図形を作成する手段と、前記段差斜面を有する基板上
に形成すべき層を表わすフォトマスクの図形より、前記
段差斜面を表わす図形のうち、実際にフォトプロセスに
より光が照射されて垂直方向以外に光が反射される反射
斜面を表わす図形を作成する手段と、前記反射斜面を表
わす図形の位置関係より反射光の重なり合う領域を表わ
す図形を作成する手段と、その後、前記段差斜面を有す
る基板上に形成すべき層の特定寸法以下のパターン上に
、前記反射光の重なり合う領域が存在するか否かを判断
する手段とを備えたマスクパターン検証方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1170157A JPH0335238A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | マスクパターン検証方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1170157A JPH0335238A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | マスクパターン検証方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0335238A true JPH0335238A (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15899741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1170157A Pending JPH0335238A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | マスクパターン検証方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0335238A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006276260A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Toshiba Corp | 光強度分布シミュレーションシステム、光強度分布シミュレーション方法、マスクパターン補正方法、及び光強度分布シミュレーションプログラム |
| JP2010079063A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | パターン形成不良領域算出方法およびパターンレイアウト評価方法 |
| JP2011215627A (ja) * | 2011-06-07 | 2011-10-27 | Toshiba Corp | パターンレイアウト評価方法および半導体デバイス製造方法 |
| CN107484346A (zh) * | 2016-06-07 | 2017-12-15 | 日东电工株式会社 | 布线电路基板的制造方法 |
| US10687427B2 (en) | 2016-04-07 | 2020-06-16 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit board including a conductive pattern having a wire and a dummy portion |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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