CN107484346B - 布线电路基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供布线电路基板的制造方法，该布线电路基板包括绝缘层和相互隔有间隔且相邻的第1布线及第2布线。包括：工序1，设置具有斜面的绝缘层；工序2，在绝缘层的表面设置金属薄膜；工序3，在金属薄膜的表面设置光致抗蚀剂层；工序4，将光掩模配置为，光致抗蚀剂层中的与第1布线相对应的第1曝光部分和与第2布线相对应的第2曝光部分能够被曝光，隔着光掩模对光致抗蚀剂层进行曝光；工序5，使金属薄膜的与第1曝光部分及第2曝光部分相对应的部分暴露出来；工序6，在金属薄膜的表面设置第1布线及第2布线。斜面具有俯视大致圆弧状。光致抗蚀剂层的第2曝光部分具有与斜面相对的相对部分。以满足条件A～C的方式配置光掩模。

Description

布线电路基板的制造方法

技术领域

本发明涉及布线电路基板的制造方法。

背景技术

作为布线电路基板的制造方法，公知有准备绝缘层，之后，在绝缘层之上设置布线图案的方法。

例如，提出有一种带电路的悬挂基板的制造方法，包括：在绝缘层形成具有第1厚度的第1部分和具有比第1厚度小的第2厚度的第2部分的工序、以在绝缘层的第1部分上以及第2部分上延伸的方式形成布线图案的工序(例如，参照日本特开2014－127216号公报)。

对于日本特开2014－127216号公报所述的制造方法，在形成布线图案的工序中，以第1部分的上表面与边界面之间的边界线沿第1方向延伸、布线图案的侧边沿与第1方向交叉的第2方向延伸、第2方向与第1方向成60度以上90度以下的角度的方式，在绝缘层的上表面形成了布线图案。

由于第1部分的上表面和第2部分的上表面之间形成有边界面，因此，在利用光刻技术在绝缘层上形成布线图案的工序中，在边界面产生曝光光的反射，反射光向其他区域间接地照射。但是，采用日本特开2014－127216号公报所述的方法，曝光光在边界面向接近布线图案所延伸的方向的方向反射，因此反射光对本来的曝光光的图案几乎没有影响。由此，防止了利用光刻技术形成的布线图案发生断路或者短路。

发明内容

近年来，在使布线电路基板小型化的情况下，存在以高密度配置布线图案的情况。在这样的情况下，存在无法像日本特开2014－127216号公报那样以第2方向与第1方向成60度以上90度以下的角度的方式形成布线图案的情况。在该情况下，存在无法防止布线图案间的短路这样的不良状况。

本发明提供一种能够一边高密度地设置第1布线以及第2布线，一边防止它们的短路的布线电路基板的制造方法。

本发明(1)包括一种布线电路基板的制造方法，该方法是包括绝缘层和相互隔有间隔而相邻的第1布线以及第2布线的布线电路基板的制造方法，该方法包括：工序(1)，设置具有斜面的所述绝缘层；工序(2)，在包含所述斜面的所述绝缘层的表面设置金属薄膜；工序(3)，在所述金属薄膜的表面设置光致抗蚀剂层；工序(4)，将光掩模配置为，所述光致抗蚀剂层中的与所述第1布线相对应的第1曝光部分和所述光致抗蚀剂层中的与所述第2布线相对应的第2曝光部分能够被曝光，隔着所述光掩模对所述光致抗蚀剂层进行曝光；工序(5)，除去所述光致抗蚀剂层的所述第1曝光部分以及所述第2曝光部分，使所述金属薄膜的与所述第1曝光部分以及所述第2曝光部分相对应的部分暴露出来；工序(6)，在所述金属薄膜的表面设置所述第1布线以及所述第2布线，所述斜面具有俯视大致圆弧状，在所述工序(4)中，所述光致抗蚀剂层的所述第2曝光部分具有与所述斜面相对的相对部分，在所述工序(4)中，在所述金属薄膜的与所述圆弧相对应的部分反射的反射光向所述光致抗蚀剂层的与沿着所述圆弧的假想圆的中心相对应的部分聚光，在所述工序(4)中，以满足下述条件A～C的方式配置所述光掩模。

条件A：所述第1曝光部分的至少一部分以及所述第2曝光部分的至少一部分在俯视时与所述假想圆重叠。

条件B：在假设1和假设2的任一假设中，所述光致抗蚀剂层都具有因工序(4)中所述反射光的聚光而在工序(5)时被除去的聚光部分，其中，所述假设1为，对所述第1曝光部分不进行曝光，而对所述第2曝光部分进行曝光；所述假设2为，对所述第1曝光部分进行曝光，而对所述第2曝光部分的所述相对部分以外的部分不进行曝光，对所述第2曝光部分的相对部分进行曝光。

条件C：在所述假设1中，所述聚光部分在所述俯视时同所述第2曝光部分的与所述假想圆重叠的部分隔有间隔；在所述假设2中，所述聚光部分在所述俯视时同所述第1曝光部分的与所述假想圆重叠的部分隔有间隔。

采用该方法，在工序(4)中，满足条件A，因此在工序(6)设置的第1布线的至少一部分和第2布线的至少一部分在俯视时与斜面的假想圆重叠。因此，能够以高密度配置第1布线以及第2布线。

另一方面，在条件B中，若满足对第1曝光部分24不进行曝光、而对第2曝光部分25进行曝光的假设1，则如图6的假想线所示那样，生成起因于由斜面13产生的反射光B’的聚光部分16。在以高密度配置第1布线21以及第2布线22时，该聚光部分16容易与用假想线表示的第2曝光部分25连结。并且，在条件B中，若满足对第1曝光部分24进行曝光、而对第2曝光部分25中的斜面相对部48以外的部分不进行曝光、对第2曝光部分25中的斜面相对部48进行曝光的假设2，则如图13的假想线所示那样，生成聚光部分16。在以高密度配置第1布线21以及第2布线22时，该聚光部分16容易与用假想线表示的第1曝光部分24连结。于是，如图28C以及图29所示，在工序(6)中，产生下述不良状况：与聚光部分16相对应的短路部分55与第1布线21以及第2布线22相连接，而它们短路。

但是，本发明满足条件C的假设1，因此，如图6以及图7A所示，即使满足条件B的假设1，聚光部分16也会在俯视时同第2曝光部分25的与假想圆15重叠的部分隔开间隔。因此，在工序(6)中，如图7C以及图8所示，与聚光部分16相对应的孤立导体部17同与第2曝光部分25相对应的第2布线22隔有间隔。因此，能够防止因孤立导体部17引起的第2布线22的短路。

或者，本发明满足条件C的假设2，因此，如图13以及图14A所示，即使满足条件B的假设2，聚光部分16也会在俯视时同第1曝光部分24的与假想圆15重叠的部分隔开间隔。因此，在工序(6)中，如图14C以及图15所示，与聚光部分16相对应的孤立导体部17同与第1曝光部分24相对应的第1布线21隔有间隔。因此，能够防止因孤立导体部17引起的第1布线21的短路。

结果，能够得到能够一边以高密度设置第1布线以及第2布线、一边防止它们短路的布线电路基板。

本发明(2)包括一种布线电路基板的制造方法，该方法是包括绝缘层和相互隔有间隔而相邻的第1布线以及第2布线的布线电路基板的制造方法，该方法包括：工序(1)，设置具有斜面的所述绝缘层；工序(2)，在包含所述斜面的所述绝缘层的表面设置导体层；工序(3)，在所述导体层的表面设置光致抗蚀剂层；工序(4)，将光掩模配置为，所述光致抗蚀剂层中的与所述第1布线相对应的第1曝光部分和所述光致抗蚀剂层中的与所述第2布线相对应的第2曝光部分能够被曝光，隔着所述光掩模对所述光致抗蚀剂层进行曝光；工序(5)，除去所述光致抗蚀剂层中的除所述第1曝光部分以及所述第2曝光部分以外的部分，使所述导体层从所述部分暴露出来；工序(6)，除去所述导体层的从所述部分暴露出来的部分，形成所述第1布线以及所述第2布线，所述斜面具有俯视大致圆弧状，在所述工序(4)中，所述光致抗蚀剂层的所述第2曝光部分具有与所述斜面相对的相对部分，在所述工序(4)中，在所述导体层的与所述圆弧相对应的部分反射的反射光向所述光致抗蚀剂层的与沿着所述圆弧的假想圆的中心相对应的部分聚光，在所述工序(4)中，以满足下述条件A～C的方式配置所述光掩模。

条件A：所述第1曝光部分的至少一部分以及所述第2曝光部分的至少一部分在俯视时与所述假想圆重叠。

条件B：在假设1和假设2的任一假设中，所述光致抗蚀剂层都具有因工序(4)中所述反射光的聚光而在工序(5)被除去的聚光部分，其中，所述假设1为，对所述第1曝光部分不进行曝光，而对所述第2曝光部分进行曝光；所述假设2为，对所述第1曝光部分进行曝光，而对所述第2曝光部分的所述相对部分以外的部分不进行曝光，对所述第2曝光部分的相对部分进行曝光。

条件C：在所述假设1中，所述聚光部分在所述俯视时同所述第2曝光部分的与所述假想圆重叠的部分隔有间隔；在所述假设2中，所述聚光部分在所述俯视时同所述第1曝光部分的与所述假想圆重叠的部分隔有间隔。

采用该方法，在工序(4)中，满足条件A，因此在工序(6)中设置的第1布线的至少一部分以及第2布线的至少一部分在俯视时与斜面的假想圆重叠。因此，能够以高密度配置第1布线以及第2布线。

另一方面，在条件B中，若满足对第1曝光部分24不进行曝光、而对第2曝光部分25进行曝光的假设1时，则如图6的假想线所示那样，生成起因于由斜面13产生的反射光B’的聚光部分16。在以高密度配置第1布线21以及第2布线22时，该聚光部分16容易与用假想线表示的第2曝光部分25连结。并且，在条件B中，若满足对第1曝光部分24进行曝光、而对第2曝光部分25的斜面相对部48以外的部分不进行曝光、对第2曝光部分25的斜面相对部48进行曝光的假设2时，则如图13的假想线所示那样，生成聚光部分16。在以高密度配置第1布线21以及第2布线22时，该聚光部分16容易与用假想线表示的第1曝光部分24连结。于是，如图28C以及图29所示，在工序(6)中，产生下述不良状况：与聚光部分16相对应的短路部分55与第1布线21以及第2布线22相连接，而它们短路。

但是，本发明满足条件C的假设1，因此，如图6以及图7A所示，即使满足条件B的假设1，聚光部分16也会在俯视时同第2曝光部分25的与假想圆15重叠的部分隔开间隔。因此，在工序(6)中，如图7C以及图8所示，与聚光部分16相对应的孤立导体部17同与第2曝光部分25相对应的第2布线22隔有间隔。因此，能够防止因孤立导体部17引起的第2布线22的短路。

或者，本发明满足条件C的假设2，因此，如图13以及图14A所示，即使满足条件B的假设2，聚光部分16也会在俯视时同第1曝光部分24的与假想圆15重叠的部分隔开间隔。因此，在工序(6)中，如图14C以及图15所示，与聚光部分16相对应的孤立导体部17同与第1曝光部分24相对应的第1布线21隔有间隔。因此，能够防止因孤立导体部17引起的第1布线21的短路。

结果，能够得到能够一边以高密度设置第1布线以及第2布线、一边防止它们短路的布线电路基板。

本发明(3)为，在所述工序(4)中，所述第1曝光部分以及所述第2曝光部分中的任一者包含整个所述聚光部分。

采用本发明，第1曝光部分以及第2曝光部分中的任一者包含在假设中设置的整个聚光部分，因此，能够防止在工序(6)中因聚光部分而形成导体部。因此，能够更可靠地防止因该导体部分而第1布线以及第2布线间短路。

采用本发明，能够获得一种能够一边高密度地设置第1布线以及第2布线，一边防止它们的短路的布线电路基板。

附图说明

图1表示由本发明的布线电路基板的制造方法的第1实施方式得到的布线电路基板的下线部的圆弧部的放大俯视图。另外，在图1中，还以用括号括起来的方式示出了在工序(4)中配置的光掩模的透光部分。并且，在图1中，还以用括号括起来的方式示出了在工序(4)中在光致抗蚀剂层生成的第1曝光部分以及第2曝光部分。

图2表示沿图1所示的下布线的宽度方向(A－A线)的横穿圆弧部的剖视图。

图3A～图3D表示图2所示的布线电路基板的制造方法的制造工序图的一部分，其中，图3A表示准备基底绝缘层的工序(i)，图3B表示设置下侧导体图案的工序(ii)，图3C表示设置中间绝缘层的工序(1)，图3D表示设置金属薄膜的工序(2)。

图4A～图4C接着图3D继续表示图2所示的布线电路基板的制造方法的工序图的一部分，其中，图4A表示设置光致抗蚀剂层的工序(3)，图4B表示对光致抗蚀剂层进行曝光的工序(4)，图4C表示将第1曝光部分以及第2曝光部分除去的工序(5)。

图5A～图5D接着图4C继续表示图2所示的布线电路基板的制造方法的工序图的一部分，其中，图5A表示设置上侧导体图案的工序(6)，图5B表示将光致抗蚀剂层除去的工序(iii)，图5C表示将金属薄膜的与光致抗蚀剂层相应的部分除去的工序(iv)，图5D表示设置覆盖绝缘层的工序(v)。

图6是与第1实施方式相对应的假设1，表示工序(4)的光掩模的第2透光部分的放大俯视图。

图7A～图7C是假设1的制造工序图的一部分，其中，图7A表示以不对第1曝光部分曝光的方式对第2曝光部分曝光的工序(4)，图7B表示使光致抗蚀剂层显影的工序(5)，图7C表示进行电解镀的工序(6)。

图8表示由假设1得到的布线电路基板的放大俯视图。

图9表示图1所示的第1实施方式的布线电路基板的变形例(第1布线以及第2布线具有俯视大致直线形状的形态)的放大俯视图。

图10表示由本发明的布线电路基板的制造方法的第2实施方式得到的布线电路基板的下线部的圆弧部的放大俯视图。另外，在图10中，还以用括号括起来的方式示出了在工序(4)中配置的光掩模的透光部分。并且，在图10中，还以用括号括起来的方式示出了在工序(4)中在光致抗蚀剂层生成的第1曝光部分以及第2曝光部分。

图11表示沿图10所示的下布线的宽度方向(A－A线)、横穿圆弧部的剖视图。

图12A～图12C表示图11所示的布线电路基板1的制造方法的制造工序图的一部分，其中，图12A表示对光致抗蚀剂层进行曝光的工序(4)，图12B表示将第1曝光部分以及第2曝光部分除去的工序(5)，图12C表示设置第1布线以及第2布线的工序(6)。

图13是与第2实施方式相对应的假设1，表示工序(4)的光掩模的第1透光部分、以及与斜面相对部相对应的第2透光部分的放大俯视图。

图14A～图14C是假设2的制造工序图的一部分，图14A表示以不对斜面相对部以外的第2曝光部分曝光的方式对斜面相对部以及第1曝光部分曝光的工序(4)，图14B表示使光致抗蚀剂层显影的工序(5)，图14C表示进行电解镀的工序(6)。

图15表示由假设2得到的布线电路基板的放大俯视图。

图16表示图10所示的第2实施方式的布线电路基板的变形例(第1布线以及第2布线具有俯视大致直线形状的形态)的放大俯视图。

图17表示由本发明的布线电路基板的制造方法的第3实施方式得到的布线电路基板的下线部的圆弧部的放大俯视图。另外，在图17中，还以用括号括起来的方式示出了在工序(4)中配置的光掩模的透光部分。并且，在图17中，还以用括号括起来的方式示出了在工序(4)中在光致抗蚀剂层生成的第1曝光部分以及第2曝光部分。

图18表示沿图17所示的下布线的宽度方向(A－A线)、横穿圆弧部的剖视图。

图19A～图19C表示图18所示的布线电路基板的制造方法的制造工序图的一部分，其中，图19A表示对光致抗蚀剂层进行曝光的工序(4)，图19B表示将第2聚光部分、第1曝光部分以及第2曝光部分除去的工序(5)，图19C表示设置第2孤立导体部、第1布线以及第2布线的工序(6)。

图20表示图17所示的第3实施方式的布线电路基板的变形例(第1布线以及第2布线具有俯视大致直线形状的形态)的放大俯视图。

图21表示由本发明的布线电路基板的制造方法的第4实施方式得到的布线电路基板的下线部的圆弧部的放大俯视图。另外，在图21中，还以用括号括起来的方式示出了在工序(4)中配置的光掩模的透光部分。并且，在图21中，还以用括号括起来的方式示出了在工序(4)中在光致抗蚀剂层生成的第1曝光部分以及第2曝光部分。

图22表示由本发明的布线电路基板的制造方法的第5实施方式得到的布线电路基板的下线部的圆弧部的放大俯视图。另外，在图22中，还以用括号括起来的方式示出了在工序(4)中配置的光掩模的透光部分。并且，在图22中，还以用括号括起来的方式示出了在工序(4)中在光致抗蚀剂层生成的第1曝光部分以及第2曝光部分。

图23A～图23D表示本发明的布线电路基板的制造方法的第6实施方式的工序图的一部分，其中，图23A表示准备基底绝缘层的工序(i)，图23B表示设置下侧导体图案的工序(ii)，图23C表示设置中间绝缘层的工序(1)，图23D表示设置导体层的工序(2)。

图24A～图24C接着图23D继续表示本发明的布线电路基板的制造方法的第6实施方式的工序图的一部分，其中，图24A表示设置光致抗蚀剂层的工序(3)，图24B表示对光致抗蚀剂层进行曝光的工序(4)，图24C表示使导体层从第1曝光部分以及第2曝光部分暴露出来的工序(5)。

图25A～图25C接着图24C继续表示本发明的布线电路基板的制造方法的第6实施方式的工序图的一部分，其中，图25A表示将导体层的从第1曝光部分以及第2曝光部分暴露出来的部分除去的工序(6)，图25B表示将第1曝光部分以及第2曝光部分除去的工序(iii)，图25C表示设置覆盖绝缘层的工序(v)。

图26表示由第1～6实施方式得到的布线电路基板的变形例(不设置下侧导体图案以及中间绝缘层的形态)的剖视图。

图27表示比较例1或2中的工序(4)的光掩模的透光部分的放大俯视图。

图28A～图28C是利用正型的光致抗蚀剂层、以及电解镀来设置上侧导体图案的比较例1的部分工序图，其中，图28A表示对第1曝光部分以及第2曝光部分进行曝光的工序(4)，图28B表示将聚光部分、第1曝光部分以及第2曝光部分除去的工序(5)，图28C表示设置短路部分、第1布线以及第2布线的工序(6)。

图29表示由比较例1或者比较例2得到的布线电路基板的放大俯视图。

图30A～图30C是利用负型的光致抗蚀剂层、以及蚀刻来设置上侧导体图案的比较例2的部分工序图，其中，图30A表示对第1曝光部分以及第2曝光部分进行曝光的工序(4)，图30B表示使聚光部分、第1曝光部分以及第2曝光部分残留下来的工序(5)，图30C表示设置短路部分、第1布线以及第2布线的工序(6)。

具体实施方式

由本发明的布线电路基板的制造方法得到的布线电路基板具有一层或者多层导体图案，其层结构并不特别限定。另外，布线电路基板包括具有金属支承基板的带电路的悬挂基板、不具有金属支承基板的挠性布线电路基板。

＜第1实施方式＞

以下，参照图1～图8对本发明的第1实施方式的布线电路基板的制造方法以及由该方法得到的布线电路基板进行说明。

在图1中，以下布线延伸的方向为长度方向(第1方向)。以朝向纸面下侧的一侧为长度方向一侧(第1方向一侧)，以朝向纸面上侧的一侧为长度方向另一侧(第1方向另一侧)。

在图1中，以与长度方向正交的方向为下布线的宽度方向(与第1方向正交的第2方向)。以朝向纸面左侧的一侧为宽度方向一侧(第2方向一侧)，以朝向纸面右侧的一侧为宽度方向另一侧(第2方向另一侧)。

在图1中，以纸面纸厚方向为上下方向(与第1方向以及第2方向正交的第3方向、厚度方向)。以纸面跟前侧为上侧(第3方向一侧、厚度方向一侧)，以纸面进深侧为下侧(第3方向另一侧、厚度方向另一侧)。

方向以图1所示的方向为基准，具体而言，遵照各图中图示出的方向箭头。

另外，在图1以及图8中，为了明确示出后述的下侧导体图案3以及上侧导体图案5的相对位置，而省略了后述的基底绝缘层2、中间绝缘层4以及覆盖绝缘层6。其中，仅将中间绝缘层4的宽度方向一侧的斜面12利用点阴影图示出来。

并且，在图1以及图8中，为了明确示出后述的下布线9以及第2布线22的相对位置，将下布线9的外形线用粗线图示出来。

1.布线电路基板

布线电路基板1具有沿长度方向延伸的大致平板(片)形状。如图2所示，该布线电路基板1包括：基底绝缘层2、配置于基底绝缘层2之上的下侧导体图案3、配置于基底绝缘层2之上且覆盖下侧导体图案3的作为绝缘层的一例的中间绝缘层4、配置于中间绝缘层4之上的上侧导体图案5以及配置于中间绝缘层4之上且覆盖上侧导体图案5的覆盖绝缘层6。

1－1.基底绝缘层

基底绝缘层2是布线电路基板1的最下层。基底绝缘层2具有沿长度方向延伸的大致平板(片)形状。基底绝缘层2由绝缘材料形成。作为绝缘材料，例如能够列举出聚酰亚胺树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚醚树脂、腈树脂、聚醚砜树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂、聚氯乙烯树脂等合成树脂，优选聚酰亚胺树脂。基底绝缘层2的厚度例如为1μm以上，优选为3μm以上，例如为25μm以下，优选为15μm以下。

1－2.下侧导体图案

下侧导体图案3是下侧导体图案3和上侧导体图案5中的位于下侧的导体图案。下侧导体图案3是位于中间绝缘层4的下侧的导体图案。并且，下侧导体图案3位于基底绝缘层2的上表面。下侧导体图案3一体地具有下布线9和与下布线9的长度方向两端连续的第1端子(未图示)。

如图1所示，下布线9的一部分具有俯视大致L字形状。具体而言，下布线9一体地具有：具有俯视圆弧状的圆弧部37、与圆弧部37的长度方向两端连续的两个直线部38。

圆弧部37具有圆弧部37的长度方向中央部相对于长度方向两端部向宽度方向另一侧突出的俯视大致圆弧状。圆弧部37随着向长度方向另一侧去而向宽度方向一侧弯曲。沿着圆弧部37的假想圆(详细而言，沿着圆弧部37的宽度方向中心的假想的曲率圆)的半径(曲率半径)R1例如为5μm以上，优选为15μm以上，并且，例如为300μm以下，优选为100μm以下。圆弧部37的中心角α1并不特别限定，例如大于0度，优选为30度以上，更优选为45度以上，并且，例如小于90度，优选为75度以下。

两个直线部38以它们的延长线交叉的方式配置。两个直线部38中的位于长度方向一侧的直线部38在俯视时(与“沿厚度方向投影的投影面”同义，以下相同)从圆弧部37的长度方向一端缘向长度方向一侧延伸。位于长度方向另一侧的直线部38在俯视时从圆弧部37的长度方向另一端缘向长度方向另一侧延伸。

如图2所示，下布线9具有剖视大致矩形形状。下布线9在上端部的宽度方向两端缘分别具有两个棱线部20。

下侧导体图案3的厚度例如为1μm以上，优选为3μm以上，例如为20μm以下，优选为12μm以下。下布线9的宽度W1(直线部38的宽度W1以及圆弧部37的宽度W1)例如为5μm以上，优选为8μm以上，例如为200μm以下，优选为100μm以下。

1－3.中间绝缘层

中间绝缘层4是基底绝缘层2、中间绝缘层4以及覆盖绝缘层6中的位于中间的层，是夹在基底绝缘层2和覆盖绝缘层6之间的层。中间绝缘层4以覆盖下侧导体图案3的侧面以及上表面的方式配置在基底绝缘层2的上表面。另外，虽未图示，中间绝缘层4将下侧导体图案3的第1端子(未图示)暴露出来。

中间绝缘层4具有包括第1平面10、第2平面11、斜面12的上表面。

第1平面10以同基底绝缘层2的与下侧导体图案3不重叠的部分隔开间隔地相对的方式配置在该部分的上侧。第1平面10是与面方向(沿着基底绝缘层2的上表面的方向、即沿着长度方向以及宽度方向的方向)平行的面。

第2平面11与下布线9的上表面相对应。具体而言，第2平面11以与下布线9的上表面隔开间隔地相对的方式配置在下布线9的上表面的上侧。第2平面11将接下来要说明的两个斜面12的上端部连结起来。第2平面11与第1平面10平行。

斜面12与下布线9相对应。斜面12与第1平面10以及第2平面11连续。斜面12是相对于面方向倾斜的面。具体而言，斜面12与下布线9的两个棱线部20相对应地设置。斜面12是这样的面：从第1平面10起，随着朝向上方去而向宽度方向内侧倾斜(隆起)，之后，到达第2平面11的宽度方向两端部。

斜面12与第1平面10所成的角度β’的补角β、即斜面12相对于第1平面10的斜度β例如为5度以上，优选为20度以上，并且，例如为小于90度，优选为60度以下。

如图1的点阴影所示，位于宽度方向一侧的斜面12具有分别与两个直线部38相对应的两个绝缘斜面直线部14、以及与圆弧部37相对应的绝缘斜面圆弧部13，绝缘斜面直线部14分别与绝缘斜面圆弧部13连续。

两个绝缘斜面直线部14分别具有在俯视时与两个直线部38各自的宽度方向一侧的棱线部20(参照图2)的直线形状相同的直线形状。

绝缘斜面圆弧部13具有在俯视时与圆弧部37的圆弧状相似的圆弧状。沿着绝缘斜面圆弧部13的假想圆15(图1中的假想线，详细而言，沿着绝缘斜面圆弧部13的宽度方向中心的假想圆15)的半径R2例如为5μm以上，优选为15μm以上，并且，例如为300μm以下，优选为100μm以下。

1－4.上侧导体图案

如图2所示，上侧导体图案5是下侧导体图案3和上侧导体图案5中的位于上侧的导体图案。上侧导体图案5位于中间绝缘层4的上表面。上侧导体图案5具有：在宽度方向上相互隔开间隔地相邻的第1布线21以及第2布线22、与第1布线21以及第2布线22各自的长度方向两端连续的第2端子(未图示)。

1－4.1.第1布线

如图1所示，第1布线21是上侧导体图案5中的位于宽度方向一侧的布线。在俯视时，第1布线21与下布线9隔有间隔地位于下布线9的宽度方向一侧。第1布线21的一部分具有与下布线9相同的俯视大致L字形状。具体而言，下布线9一体地具有第1布线弯曲部41、与第1布线弯曲部41的长度方向两端连续的两个第1布线直线部42。

第1布线弯曲部41随着朝向长度方向另一侧去而向宽度方向一侧弯曲。在俯视时，第1布线弯曲部41位于下布线9的圆弧部37的宽度方向一侧，与布线9的圆弧部37隔有间隔。

并且，第1布线弯曲部41与绝缘斜面圆弧部13相对应地设置。具体而言，在俯视时，第1布线弯曲部41位于绝缘斜面圆弧部13的宽度方向一侧，与绝缘斜面圆弧部13隔有间隔。并且，第1布线弯曲部41与沿着绝缘斜面圆弧部13的假想圆15重叠。详细而言，在俯视时，第1布线弯曲部41包含于所述假想圆15。

并且，在俯视时，第1布线弯曲部41包含所述假想圆15的中心C。具体而言，在俯视时，第1布线弯曲部41的宽度方向中央部与中心C重叠。

两个第1布线直线部42以它们的延长线交叉的方式配置。两个第1布线直线部42分别与下布线9的两个直线部38隔开间隔地位于两个直线部38各自的宽度方向一侧。在俯视时，两个第1布线直线部42分别与两个直线部38平行。位于长度方向一侧的第1布线直线部42在俯视时从第1布线弯曲部41的长度方向一端部向长度方向一侧延伸。位于长度方向另一侧的第1布线直线部42在俯视时从第1布线弯曲部41的长度方向另一端部向长度方向另一侧延伸。

另外，位于长度方向一侧的第1布线直线部42的长度方向另一端部与位于长度方向另一侧的第1布线直线部42的长度方向一端部、连同第1布线弯曲部41，与沿着绝缘斜面圆弧部13的假想圆15重叠。详细而言，位于长度方向一侧的第1布线直线部42的长度方向另一端部与位于长度方向另一侧的第1布线直线部42的长度方向一端部包含于所述假想圆15。

第1布线21的宽度W2(第1布线直线部42的宽度W2、以及、第1布线弯曲部41的宽度W2)例如为5μm以上，优选为8μm以上，例如为200μm以下，优选为100μm以下。第1布线21与下布线9之间的宽度方向上的间隔S1(第1布线直线部42与直线部38之间的间隔S1、以及、第1布线弯曲部41与圆弧部37之间的间隔S1)例如为20μm以上，优选为30μm以上，并且，例如为300μm以下，优选为150μm以下。

1－4.2.第2布线

第2布线22是上侧导体图案5中的位于宽度方向另一侧的布线。在俯视时，第2布线22与第1布线21隔开间隔地位于第1布线21的宽度方向另一侧(相邻)。并且，第2布线22相对于第1布线21独立。即，第2布线22与第1布线21绝缘。第2布线22的一部分具有俯视大致L字形状。

并且，在俯视时，第2布线22与下布线9重叠。具体而言，在俯视时，第2布线22包含下布线9的宽度方向一端部以及中央部。

另外，在俯视时，第2布线22与绝缘斜面弯曲部13以及绝缘斜面直线部14重叠。具体而言，第2布线22包含绝缘斜面弯曲部13以及绝缘斜面直线部14。

第2布线22一体地具有第2布线弯曲部43和与第2布线弯曲部43的长度方向两端连续的两个第2布线直线部44。

如图1以及图2所示，第2布线弯曲部43与第1布线弯曲部41相对应。第2布线弯曲部43与第1布线弯曲部41隔开间隔地位于第1布线弯曲部41的宽度方向另一侧。

第2布线弯曲部43在长度方向上位于两个第2布线直线部44之间。具体而言，第2布线弯曲部43与位于长度方向一侧的第2布线直线部44的长度方向后端缘和位于长度方向另一侧的第2布线直线部44的长度方向一端缘连续，将它们在长度方向上连结起来。

第2布线弯曲部43还与下布线9的圆弧部37相对应。具体而言，在俯视时，第2布线弯曲部43包含圆弧部37。

并且，在俯视时，第2布线弯曲部43包含整个绝缘斜面圆弧部13。

第2布线弯曲部43的俯视形状与圆弧部37的俯视形状相似。具体而言，第2布线弯曲部43具有在俯视时比圆弧部37宽的大致圆弧状。第2布线弯曲部43的宽度W3与圆弧部37的宽度W1之比(宽度W3/宽度W1)例如为1以上，优选为1.2以上，更优选为1.5以上，并且，例如为5以下。具体而言，第2布线弯曲部43的宽度W3例如为5μm以上，优选为8μm以上，并且，例如为100μm以下，优选为50μm以下。

第2布线弯曲部43的宽度方向一端部与假想圆15(成为假想圆15的一部分的扇形部分)重叠。

两个第2布线直线部44分别与两个第1布线直线部42相对应。

并且，两个第2布线直线部44分别与下布线9的两个直线部38相对应。具体而言，在俯视时，两个第2布线直线部44分别包含两个直线部38各自的宽度方向一端部以及中央部。

并且，在俯视时，两个第2布线直线部44分别包含两个绝缘斜面直线部14。

在俯视时，位于长度方向一侧的第2布线直线部44的长度方向另一端部和位于长度方向另一侧的第2布线直线部44的长度方向一端部与假想圆15重叠。具体而言，在俯视时，位于长度方向一侧的第2布线直线部44的长度方向另一端部的宽度方向一端部以及中央部和位于长度方向另一侧的第2布线直线部44的长度方向一端部的宽度方向一端部以及中央部包含于假想圆15。

第2布线22和第1布线21之间的间隔S2(第2布线弯曲部43和第1布线弯曲部41之间的间隔S2、以及，第2布线直线部44和第1布线直线部42之间的间隔S2)例如为5μm以上，优选为10μm以上，并且，例如为200μm以下，优选为100μm以下。

第2布线弯曲部43的宽度方向一端缘和圆弧部37的宽度方向一端之间的间隔S3比第1布线弯曲部41和圆弧部37之间的间隔S1狭。具体而言，间隔S3与间隔S1之比(S3/S1)例如小于1，优选为0.1以下，更优选为0.05以下，并且，例如为0以上，优选为大于0，更优选为，0.001以上。详细而言，第2布线弯曲部43的宽度方向一端缘与圆弧部37的宽度方向一端之间的间隔S3例如为1μm以上，优选为15μm以上，并且，例如为100μm以下，优选为50μm以下。

上侧导体图案5的厚度例如为1μm以上，优选为3μm以上，例如为20μm以下，优选为12μm以下。

1－5.覆盖绝缘层

覆盖绝缘层6是布线电路基板1的最上层。覆盖绝缘层6以覆盖上侧导体图案5的侧面以及上表面的方式配置在中间绝缘层4的上表面。另外，虽未图示，覆盖绝缘层6将上侧导体图案5的第2端子(未图示)暴露出来。覆盖绝缘层6由在基底绝缘层2例示的绝缘材料形成。覆盖绝缘层6的厚度例如为1μm以上，优选为3μm以上，例如为40μm以下，优选为10μm以下。

2.布线电路基板的制造方法

布线电路基板1的制造方法具备：准备基底绝缘层2的工序(i)(参照图3A)、在基底绝缘层2的上表面设置下侧导体图案3的工序(ii)(参照图3B)、以将下侧导体图案3覆盖的方式在基底绝缘层2的上表面设置中间绝缘层4的工序(1)(参照图3C)、在中间绝缘层4的上表面设置金属薄膜7的工序(2)(参照图3D)。

另外，布线电路基板1的制造方法还具备：在金属薄膜7的上表面设置光致抗蚀剂层23的工序(3)(参照图4A)、隔着光掩模28对光致抗蚀剂层23进行曝光的工序(4)(参照图4B)、将光致抗蚀剂层23中的与第1布线21相对应的第1曝光部分24和与第2布线22相对应的第2曝光部分25除去而使金属薄膜7的与第1曝光部分24以及第2曝光部分25相对应的部分暴露出来的工序(5)(参照图4C)。

并且，布线电路基板1的制造方法还具备：在金属薄膜7的从光致抗蚀剂层23暴露出来的部分的上表面设置上侧导体图案5的工序(6)(参照图5A)、将光致抗蚀剂层23除去的工序(iii)(参照图5B)、将金属薄膜7的与光致抗蚀剂层23相对应的部分除去的工序(iv)(参照图5C)、以将上侧导体图案5覆盖的方式在中间绝缘层4的上表面设置覆盖绝缘层6的工序(v)(参照图5D)。

在布线电路基板1的制造方法中，依次实施工序(i)～工序(ii)、工序(1)～工序(6)、工序(iii)～工序(v)。以下，对各工序进行详述。

2－1.工序(i)

如图3A所示，在工序(i)，准备基底绝缘层2。

2－2.工序(ii)

如图3B所示，在工序(ii)，利用添加法、减去法等在基底绝缘层2的上表面设置下侧导体图案3。

2－3.工序(1)

如图3C所示，在工序(1)，以将下侧导体图案3覆盖的方式在基底绝缘层2的上表面设置中间绝缘层4。

在基底绝缘层2之上设置中间绝缘层4，例如将感光性的绝缘材料的清漆涂布于基底绝缘层2的上表面，进行曝光以及显影，之后，根据需要加热。或者，借助未图示的粘接剂将预先形成为使未图示的第1端子暴露出来的图案的中间绝缘层4粘接于基底绝缘层2之上。

此时，在中间绝缘层4的与下侧导体图案3相对应的部分的上表面形成有斜面12以及第2平面11。另外，在中间绝缘层4的离开下侧导体图案3的部分的上表面形成有第1平面10。

由此，设置在上表面具有第1平面10、第2平面11以及斜面12的中间绝缘层4。

2－4.工序(2)

如图3D所示，在工序(2)中，在中间绝缘层4的上表面设置金属薄膜7。

金属薄膜7能够作为工序(6)(后述，参照图5A)中的添加法的种膜(供电层)发挥作用。并且，金属薄膜7是在利用添加法得到了上侧导体图案5时能够与上侧导体图案5一体化的层(参照图2)。

金属薄膜7例如设置于中间绝缘层4的整个上表面(包含第1平面10、斜面12以及第2平面11的上表面)。

金属薄膜7由金属材料形成。作为金属材料，例如能够列举出铜、铬、镍以及它们的合金，优选为铜、铬。金属薄膜7也可以由单层和多层(在图3D中未图示)中的任一种形成。优选为，金属薄膜7由第1薄膜(具体而言，铬薄膜)和设于其上的第2薄膜(铜薄膜)这两层形成。

并且，金属薄膜7追随中间绝缘层4的上表面。

因此，金属薄膜7中的分别与中间绝缘层4的第1平面10以及第2平面11相对应的部分的上表面分别与第1平面10以及第2平面11平行、即沿着面方向。

另一方面，金属薄膜7中的与斜面12相对应的部分的上表面与中间绝缘层4的斜面12平行、即相对于面方向倾斜。

金属薄膜7的厚度例如为10nm以上，优选为30nm以上，并且，例如为300nm以下，优选为200nm以下。并且，在金属薄膜7由第1薄膜以及第2薄膜这两层形成的情况下，第1薄膜的厚度例如为10nm以上，100nm以下，第2薄膜的厚度例如为50nm以上，200nm以下。

为了在中间绝缘层4的上表面设置金属薄膜7，例如使用溅射法、镀敷法等，优选使用溅射法。

金属薄膜7的针对波长为400nm的光在入射角为45度时的表面反射率例如为60％以上，优选为70％以上，更优选为80％以上，并且，例如为99％以下。表面反射率例如依据由日本标准JIS Z8741(1997年)所记载的方法来算出。在金属薄膜7的表面反射率低于所述下限值的情况下，存在不会产生后述的反射光B’(参照图4B)、本发明的问题不成立的情况。

2－5.工序(3)

如图4A所示，在工序(3)中，在金属薄膜7之上设置光致抗蚀剂层23。

光致抗蚀剂层23是正型的光致抗蚀剂层(正光致抗蚀剂层)。正型的光致抗蚀剂层是这样的抗蚀剂：在曝光时被(以规定光量以上)照射光的部位在之后的显影中被除去，而在曝光时被遮光的部位(没有照射到光的部位，详细而言，没有到达规定光量的部位)在之后的显影中留下来。光致抗蚀剂层23例如包含干膜抗蚀剂(DFR)。并且，光致抗蚀剂层23如图5A所示那样在工序(6)的镀敷中能够作为镀敷抗蚀剂发挥作用。

另外，光致抗蚀剂层23能够使工序(4)(参照图4B)中的光(例如，紫外线等)部分透过，具体而言，光致抗蚀剂层23对紫外线的透过率例如为10％以上，优选为20％以上，并且，例如为60％以下，优选为50％以下。

所述光致抗蚀剂层23配置于金属薄膜7的整个上表面。

此时，例如使用平板等按压(按于)干膜抗蚀剂。因此，光致抗蚀剂层23的上表面成为平坦面。

光致抗蚀剂层23的厚度例如为10μm以上，并且，例如为50μm以下，优选为30μm以下。

2－6.工序(4)

如图4B所示，在工序(4)中，首先，配置光掩模28，接下来，隔着光掩模28对光致抗蚀剂层23曝光。

光掩模28具有遮光部分29以及透光部分30。

遮光部分29对从位于光掩模28的上侧的光源(未图示)照射来的光进行遮挡。由此，光致抗蚀剂层23的与遮光部分29相对应的部分被遮挡。

如图4B以及图4C所示，遮光部分29具有在俯视时与工序(5)后的光致抗蚀剂层23同样的图案。并且，如图4B以及图5A所示，遮光部分29具有在俯视时与在工序(6)设置的第1布线21以及第2布线22相反(翻转)的图案。

透光部分30构成为：使从光源照射来的光透过，由此，使光到达光致抗蚀剂层23。

如图1、图4B以及图4C所示，透光部分30具有与工序(5)后的光致抗蚀剂层23的开口部8相同的图案。并且，如图1、图4B以及图5A所示，透光部分30具有在俯视时与在工序(6)设置的第1布线21以及第2布线22相同的图案。透光部分30具有在俯视时与第1布线21同一图案的第1透光部分51和与第2布线22同一图案的第2透光部分52，第1透光部分51和第2透光部分52彼此独立。

在工序(4)中，将光掩模28配置于光致抗蚀剂层23的上侧。并且，将光掩模28定位为：在光致抗蚀剂层23中，透过第1透光部分51和第2透光部分52的光分别生成第1曝光部分24和第2曝光部分25。

之后，在工序(4)中，如图4B的箭头所示，隔着光掩模28对光致抗蚀剂层23曝光。

为了对光致抗蚀剂层23曝光，从配置于光掩模28的上方的光源对光掩模28照射光。光的波长例如为100nm以上，优选为350nm以上，并且，例如为800nm以下，优选为450nm以下。照射(曝光)量例如为100mJ/cm²以上、800mJ/cm²以下。

透过第1透光部分51的光A在光致抗蚀剂层23生成第1曝光部分24。第1曝光部分24具有在俯视时与之后要设置的第1布线21(参照图1以及图5A)相同的形状。

详细而言，如图1所示，第1曝光部分24的与第1布线21的第1布线弯曲部41、位于长度方向一侧的第1布线直线部42的长度方向另一端部、以及位于长度方向另一侧的第1布线直线部42的长度方向一端部相对应的部分在俯视时与假想圆15重叠(满足条件A的“第1曝光部分的一部分在俯视时与假想圆重叠”的一例)。

另一方面，透过第2透光部分52的光B在光致抗蚀剂层23生成第2曝光部分25。第2曝光部分25具有在俯视时与之后要设置的第2布线22(参照图1以及图5A)相同的形状。

详细而言，第2曝光部分25的与第2布线22的第2布线弯曲部43的宽度方向一端部以及中央部、位于长度方向一侧的第2布线直线部44的长度方向另一端部的宽度方向一端部以及中央部、位于长度方向另一侧的第2布线直线部44的长度方向一端部的宽度方向一端部以及中央部相对应的部分在俯视时与假想圆15重叠(满足条件A的“第2曝光部分的一部分在俯视时与假想圆重叠”的一例)。

另外，如图4B所示，第2曝光部分25包含作为与绝缘斜面圆弧部13相对的相对部分的一例的斜面相对部48。

其中，透过第2透光部分52的光B的一部分透过光致抗蚀剂层23的斜面相对部48，在金属薄膜7的与绝缘斜面圆弧部13相对应的部分生成反射光B’。

反射光B’在第1曝光部分24生成后述的聚光部分16。即、聚光部分16是由透过第1透光部分51的光A和在金属薄膜7的与绝缘斜面圆弧部13相对应的部分生成的反射光B’以足够的光量曝光而生成的。

2－7.工序(5)

如图4C所示，在工序(5)中，将光致抗蚀剂层23的第1曝光部分24(包含聚光部分16)以及第2曝光部分25除去。

具体而言，首先，根据需要，对曝光后的光致抗蚀剂层23进行加热(曝光后加热)。

接着，利用显影液使光致抗蚀剂层23显影。由此，使光致抗蚀剂层23的除了第1曝光部分24以及第2曝光部分25以外的部分留下，并仅将第1曝光部分24以及第2曝光部分25除去。即、在光致抗蚀剂层23形成与第1曝光部分24以及第2曝光部分25相对应的开口部8。开口部8在厚度方向上贯穿光致抗蚀剂层23。

由此，使金属薄膜7的与第1曝光部分24以及第2曝光部分25相对应的部分从开口部8暴露出来。

之后，根据需要，通过加热使光致抗蚀剂层23硬化。

2－8.工序(6)

如图5A所示，在工序(6)中，首先，在金属薄膜7的从光致抗蚀剂层23的开口部8暴露出来的部分的上表面设置上侧导体图案5。

为了在金属薄膜7的上表面设置上侧导体图案5，使用从金属薄膜7供电的电解镀。

此时，光致抗蚀剂层23被用作镀敷抗蚀剂。并且，将金属薄膜7用作供电层。

由此，以具有彼此相邻且独立的第1布线21以及第2布线22的图案形成上侧导体图案5。

2－9.工序(iii)

如图5B所示，在工序(iii)中，将光致抗蚀剂层23除去。

具体而言，例如利用湿蚀刻将光致抗蚀剂层23除去。

2－10.工序(iv)

如图5C所示，在工序(iv)中，将金属薄膜7的与光致抗蚀剂层23(图5A)相对应的部分除去。

具体而言，例如通过剥离将金属薄膜7的位于光致抗蚀剂层23之下的部分除去。

2－11.工序(v)

如图5D所示，在工序(v)中，以将上侧导体图案5的第1布线21以及第2布线22覆盖且使第2端子(未图示)暴露出来的图案设置覆盖绝缘层6。利用与中间绝缘层4同样的方法设置覆盖绝缘层6。

由此，得到具备基底绝缘层2、下侧导体图案3、中间绝缘层4、金属薄膜7以及上侧导体图案5、覆盖绝缘层6的布线电路基板1。

另外，在该布线电路基板1中，金属薄膜7与上侧导体图案5一体化，具体而言，也可以将金属薄膜7作为上侧导体图案5的一部分。此时，如图2所示，存在金属薄膜7和上侧导体图案5没有被明确区分的情况。

另外，对于这样的布线电路基板1的用途，并不特别限定，例如，能够用作搭载于硬盘驱动器的具有金属支承基板40(配置于基底绝缘层2的下表面的金属支承基板40，参照图2的假想线)的带电路的悬挂基板、不具有金属支承基板的具有挠性的挠性布线电路基板等各种布线电路基板。尤其是，该布线电路基板1适用于需要高密度布线(导体图案)的带电路的悬挂基板，且是在磁头搭载区域具有圆弧部37、第1布线弯曲部41以及第2布线弯曲部43的带电路的悬挂基板。

3.与第1实施方式相对应的假设1

作为与第1实施方式相对应的假设1，一边参照图6～图8，一边研究具有对第1实施方式的第1曝光部分24不进行曝光的工序(4)的布线电路基板1的制造方法。

3－1.假设1的工序(4)

如图6以及图7A所示，对于在工序(4)配置的光掩模28，透光部分30不具有第1透光部分51(参照图1及图4B)，具有第2透光部分52。优选为，透光部分30仅由第2透光部分52形成。即，在该假设1中，曾在第1实施方式中为第1透光部分51的部分(预定为形成第1布线21的图案)包含于遮光部分29。

如图7A的箭头所示，在该假设1的工序(4)中，当隔着所述光掩模28对光致抗蚀剂层23进行曝光时，与第1实施方式同样，透过第2透光部分52的光B在光致抗蚀剂层23生成第2曝光部分25。

并且，通过了斜面相对部48的光B在金属薄膜7的与绝缘斜面圆弧部13相对应的部分生成反射光B’。从剖视角度来看，该反射光B’一边朝向斜上方宽度方向一侧透过光致抗蚀剂层23，一边到达光致抗蚀剂层23的聚光部分16。

并且，如图6的箭头所示，在金属薄膜7的与绝缘斜面圆弧部13相对应的部分(图7A)生成的反射光B’在俯视时朝向沿着绝缘斜面圆弧部13的假想圆15的中心C聚光。即，在俯视时，金属薄膜7的与绝缘斜面圆弧部13相对应的部分成为像凹透镜那样，使反射光B’向中心C聚光成点状。因此，包含中心C及其附近的聚光部分16处的光量相对变高。具体而言，聚光部分16处的光量为在工序(5)能够将聚光部分16除去的界限光量以上的光量。界限光量是若在聚光部分16被照射界限光量以上的光量则聚光部分16会被除去(参照图7B)、若被照射小于界限光量的光量则聚光部分16会留下的界限值。

聚光部分16具有以俯视时沿着绝缘斜面圆弧部13的假想圆15的中心C为中心的俯视大致圆形形状。聚光部分16的圆的直径根据向光致抗蚀剂层23照射的光的光量、斜面12的斜度β、绝缘斜面圆弧部13的曲率半径等来适当设定，例如为2μm以上，优选为5μm以上，并且，例如为50μm以下，优选为20μm以下。

另外，如图6所示，在俯视时，聚光部分16同第2曝光部分25的与假想圆15重叠的部分隔有间隔。具体而言，在俯视时，聚光部分16同第2曝光部分25中的与第2布线弯曲部43(参照图1)相对应的曝光部分隔有间隔。

另一方面，遮光部分29的与聚光部分16相对应的部分(遮光部分29的配置在聚光部分16的上侧的部分)将光A(在第1实施方式中，透过第1透光部分51的光A)遮挡。因此，在聚光部分16，不是来自上方的光直接曝光。

即，聚光部分16仅因在金属薄膜7的与绝缘斜面圆弧部13相对应的部分(图7A)生成的反射光B’的聚光而生成。

3－2.假设1的工序(5)

如图7B所示，在工序(5)，对曝光后的光致抗蚀剂层23进行显影。

于是，第2曝光部分25以及聚光部分16(参照图7A)被除去。在光致抗蚀剂层23形成与第2曝光部分25相对应的开口部8以及与聚光部分16相对应的聚光开口部47。

3－3.假设1的工序(6)

例如，如图7C以及图8所示，实施从金属薄膜7供电的电解镀。由此，在金属薄膜7的从开口部8暴露出来的部分之上形成第2布线22。与此同时，在金属薄膜7的从聚光开口部47暴露出来的部分之上形成孤立导体部17。

孤立导体部17在俯视时具有与聚光部分16(参照图1)相同的形状。

另外，该孤立导体部17与第2布线22(包括第2布线弯曲部43)在宽度方向上隔有间隔。孤立导体部17与第2布线22绝缘。

在该假设1中，如图8所示，利用具备对第1曝光部分24不进行曝光的工序(4)(参照图7A)的制造方法形成孤立导体部17。

而在第1实施方式中，如图1所示，利用具备对第1曝光部分24进行曝光的工序(5)(参照图4B)的制造方法，形成具有在俯视时包含孤立导体部17的俯视形状的第1布线21(第1布线弯曲部41)。该第1布线21与第2布线22绝缘。

于是，在该第1实施方式中，在工序(4)中，满足条件A。具体而言，第1布线21的第1布线弯曲部41、位于长度方向一侧的直线部38的长度方向另一端部以及位于长度方向另一侧的直线部38的长度方向一端部、第2布线的第2布线弯曲部43、长度方向一侧的第2布线直线部44的长度方向一端部以及长度方向另一侧的第2布线直线部44的长度方向另一端部在俯视时与沿着绝缘斜面圆弧部13的假想圆15重叠。因此，能够以高密度配置第1布线21以及第2布线22。

另一方面，在条件B中，若满足对第1曝光部分24不进行曝光、对第2曝光部分25进行曝光的假设1，则如图6的假想线所示，生成起因于由斜面13产生的反射光B’的聚光部分16。在以高密度配置第1布线21以及第2布线22时，该聚光部分16容易与用假想线表示的第2曝光分25连结。于是，产生下述不良状况：如图28C以及图29所示，在工序(6)中，与聚光部分16相对应的短路部分55与第1布线21以及第2布线22相连接，它们短路。

但是，本发明满足条件C的假设1，因此，如图6以及图7A所示，即使满足条件B的假设1，聚光部分16也会同在俯视时与假想圆15重叠的第2曝光部分25隔开间隔。因此，在工序(6)中，如图7C以及图8所示，与聚光部分16相对应的孤立导体部17同与第2曝光部分25相对应的第2布线22隔有间隔。因此，能够防止起因于孤立导体部17的第2布线22的短路。

结果，能够得到一种能够一边以高密度设置第1布线21及第2布线22、一边防止它们的短路的布线电路基板1。

并且，采用该第1实施方式，如图1所示，第1曝光部分24将在假设1中设置的聚光部分16(参照图1的假想线)整个包含。因此，第1布线21将整个孤立导体部17包含。因此，能够更可靠地防止起因于孤立导体部17的第1布线21以及第2布线22的短路。

＜第1实施方式的变形例＞

在变形例中，对与第1实施方式同样的构件以及制造工序标注与第1实施方式同样的附图标记，并省略其详细说明。

在第1实施方式中，如图1所示，第1布线21以及第2布线22各自的一部分分别具有俯视大致L字形状(弯曲形状)。但是，第1布线21以及第2布线22的俯视形状不限于此。

如图9所示，例如，在该变形例中，第1布线21以及第2布线22各自的一部分分别具有俯视大致直线形状。

第1布线21的延伸方向的中央部与沿着绝缘斜面圆弧部13的假想圆15重叠。另外，在工序(4)中生成的与第1布线21相对应的第1曝光部分24具有在俯视时包含在假设1的工序(4)中生成的聚光部分16的图案。

第2布线22与沿着绝缘斜面圆弧部13的假想圆15重叠。并且，第2布线22的延伸方向中央部的宽度方向一端部在俯视时与绝缘斜面圆弧部13重叠。

采用该变形例，也能够取得与第1实施方式同样的作用效果。

＜第2实施方式＞

在第2实施方式中，对与第1实施方式同样的构件以及制造工序标注与第1实施方式同样的附图标记，并省略其详细说明。

在第1实施方式中，如图6以及图7B所示，在假设1的工序(4)中生成的聚光部分16与第2曝光部分25隔有间隔。

但是，在第2实施方式中，如图13以及图14A所示，在假设2的工序(4)中生成的聚光部分16与第1曝光部分24隔有间隔。

1.布线电路基板

如图10以及图11所示，在布线电路基板1中，第2布线22的第2布线弯曲部43包含沿着绝缘斜面圆弧部13的假想圆15的中心C。

第2布线22的宽度方向另一端缘在俯视时不与下布线9的宽度方向一端缘以及另一端缘重叠。

2.布线电路基板的制造方法

第2实施方式的布线电路基板的制造方法按照第1实施方式的布线电路基板的制造方法进行。

在第2实施方式的制造方法中，图12A所示的工序(4)与第1实施方式的图4B所示的工序(4)相对应。

在第2实施方式的制造方法中，图12B所示的工序(5)与第1实施方式的图4C所示的工序(5)相对应。

在第2实施方式的制造方法中，图12C所示的工序(6)与第1实施方式的图5A所示的工序(6)相对应。

3.与第2实施方式相对应的假设2

一边参照图13～图15，一边研究作为与第2实施方式相对应的假设2的具备对第2实施方式的第2曝光部分25中的斜面相对部48不进行曝光的工序(4)的布线电路基板1的制造方法。

3－1.假设2的工序(4)

如图13以及图14A所示，于在工序(4)配置的光掩模28中，第2透光部分52具有能够在光致抗蚀剂层23生成斜面相对部48的图案。即，第2透光部分52具有与绝缘斜面圆弧部13同样的俯视形状。并且，在第2实施方式中，如图12A所示那样在第2透光部分52中光B透过的部分在假设2中成为遮光部分29。

如图14A的箭头所示，在该假设2中，当如图14A所示那样隔着光掩模28对光致抗蚀剂层23曝光时，透过第2透光部分52的光B在光致抗蚀剂层23仅生成斜面相对部48。

在金属薄膜7的与斜面相对部48相对应的部分生成反射光B’。之后，反射光B’到达聚光部分16。并且，如图13的箭头所示，反射光B’朝向所述中心C聚光。

这里，第1透光部分51和与斜面相对部48相对应的第2透光部分52之间的遮光部分29将光致抗蚀剂层23的与聚光部分16相对应的部分(在第1实施方式中，成为第1曝光部分24(参照图12A)的部分)遮挡。因此，在聚光部分16，不是来自上方的光直接曝光。

即，聚光部分16仅因在金属薄膜7的与绝缘斜面圆弧部13相对应的部分(图7A)生成的反射光B’的聚光而生成。

另一方面，透过第1透光部分51的光A生成第1曝光部分24。

并且，如图13以及图14A所示，聚光部分16同第1曝光部分24的与假想圆15重叠的部分隔有间隔。具体而言，聚光部分16在俯视时同第1曝光部分24的与第1布线弯曲部41(参照图10)相对应的曝光部分隔有间隔。

3－2.假设2的工序(5)

如图14B所示，在工序(5)中，对曝光后的光致抗蚀剂层23进行显影。

于是，第1曝光部分24、斜面相对部48以及聚光部分16(参照图14A)被除去。在光致抗蚀剂层23形成第1曝光部分24、与斜面相对部48相对应的开口部8以及与聚光部分16相对应的聚光开口部47。

3－3.假设2的工序(6)

例如，如图14C以及图15所示，实施由金属薄膜7供电的电解镀。由此，形成第1布线21。与此同时，形成孤立导体部17。另外，还与斜面相对部48相对应地形成在俯视时与斜面相对部48同一形状的第2布线22的一部分。

孤立导体部17具有在俯视时与聚光部分16(参照图14A)相同的形状。孤立导体部17与第1布线21在宽度方向上隔有间隔。

该孤立导体部17与第1布线21(包含第1布线弯曲部41)在宽度方向上隔有间隔。孤立导体部17与第1布线21绝缘。

在该假设2中，利用具备不对光致抗蚀剂层23中的斜面相对部48进行曝光的工序(4)(参照图14A)的制造方法形成孤立导体部17。

另一方面，在第2实施方式中，如图10所示，利用具备对斜面相对部48进行曝光的工序(5)(参照图4B)的制造方法形成具有在俯视时包含孤立导体部17的俯视形状的第1布线21(第1布线弯曲部41)。该第2布线22与第1布线21绝缘。

采用第2实施方式，在工序(4)中，满足条件A，因此，在工序(6)中设置的第1布线21的至少一部分在俯视时与绝缘斜面圆弧部13的假想圆15重叠。因此，能够以高密度配置第1布线21以及第2布线22。

另一方面，在条件B中，若满足对第1曝光部分24进行曝光、对第2曝光部分25的除了斜面相对部48以外的部分不进行曝光、对第2曝光部分25的第2曝光部分25进行曝光的假设2时，则如图13的假想线所示，生成聚光部分16。在以高密度配置第1布线21以及第2布线22时，该聚光部分16容易与用假想线表示的第1曝光部分24相连结。那样的话，如图28C以及图29所示，在工序(6)中，产生下述不良状况：与聚光部分16相对应的短路部分55与第1布线21以及第2布线22相连接，它们短路。

但是，在该第2实施方式中，满足条件C的假设2，因此，如图13以及图14A所示，即使满足条件B的假设2，聚光部分16也会同在俯视时与假想圆15重叠的第1曝光部分24隔开间隔。因此，在工序(6)中，如图14C以及图15所示，与聚光部分16相对应的孤立导体部17同与第1曝光部分24相对应的第1布线21隔有间隔。因此，能够防止起因于孤立导体部17的第1布线21的短路。

结果，能够得到能够一边以高密度设置第1布线21以及第2布线22、一边防止它们短路的布线电路基板1。

另外，采用该第2实施方式，如图10所示，第2曝光部分25将在假设2中设置的聚光部分16(参照图10的假想线)整个包含。因此，在工序(6)中，能够防止起因于聚光部分16的突出部分49的形成。结果，能够更可靠地防止起因于孤立导体部17的第1布线21以及第2布线22的短路。

并且，采用该第2实施方式，如图10所示，第2曝光部分25将在假设1中设置的聚光部分16(参照图1的假想线)整个包含。因此，第2布线22包含整个孤立导体部17。因此，能够更可靠地防止起因于孤立导体部17的第1布线21以及第2布线22的短路。

＜第2实施方式的变形例＞

在变形例中，对与第2实施方式同样的构件以及制造工序标注与第2实施方式同样的附图标记，并省略其详细说明。

在第2实施方式中，如图10所示，第1布线21以及第2布线22各自的一部分具有俯视大致L字形状(弯曲形状)。但是，第1布线21以及第2布线22的俯视形状不限于此。

如图16所示，例如，在该变形例中，第1布线21以及第2布线22各自的一部分具有俯视大致直线形状。

在工序(4)中生成的与第2布线22相对应的第2曝光部分25具有在俯视时将在假设2的工序(4)中生成的聚光部分16包含的图案。

采用该变形例，也能够取得与第2实施方式同样的作用效果。

＜第3实施方式＞

在第3实施方式中，对与第1以及第2实施方式同样的构件及制造工序标注与第1以及第2实施方式同样的附图标记，并省略其详细说明。

在第1实施方式的制造方法中，在假设1中，如图7A所示，于在工序(4)中对第1曝光部分24不进行曝光、对第2曝光部分25进行曝光的情况下，之后，如图6以及图7B所示，在工序(5)中生成聚光部分16。

另外，在第2实施方式的制造方法中，在假设2中，如图14A所示，于在工序(4)中对光致抗蚀剂层23的位于斜面相对部48的周围的部分不进行曝光、仅对第1曝光部分24以及斜面相对部48进行曝光的情况下，之后，如图13以及图14B所示，在工序(5)中生成聚光部分16。

但是，在第3实施方式中，如图17以及图19A所示，不研究对光致抗蚀剂层23的一部分不进行曝光的所述假设1或假设2，而在光致抗蚀剂层23生成聚光部分16。

1.布线电路基板

如图17以及图18所示，上侧导体图案5除了第1布线21以及第2布线22之外还具备孤立导体部17。

孤立导体部17位于第1布线弯曲部41以及第2布线弯曲部43之间。具体而言，孤立导体部17相对于第1布线弯曲部41的宽度方向另一端缘位于宽度方向另一侧，且，相对于第2布线弯曲部43的宽度方向一端缘位于宽度方向一侧。

孤立导体部17具有在俯视时以沿着绝缘斜面圆弧部13的假想圆15的中心C为中心的大致圆形形状。孤立导体部17的直径L1根据在工序(4)中对光致抗蚀剂层23照射的光的光量、斜面12的斜度β、绝缘斜面圆弧部13的曲率半径等适当设定，例如为2μm以上，优选为5μm以上，并且，例如为50μm以下，优选为20μm以下。

该孤立导体部17本来是在上侧导体图案5中不必要的图案。但是，由于孤立导体部17与第1布线21或者第2布线22在俯视时不相接触，因此孤立导体部17是在上侧导体图案5中容许其存在的导体部。

2.布线电路基板的制造方法

第3实施方式的布线电路基板的制造方法依照第1以及第2实施方式的布线电路基板的制造方法进行。

在第3实施方式的制造方法中，图19A所示的工序(4)与第1实施方式的图4B所示的工序(4)相对应。

在第3实施方式的制造方法中，图19B所示的工序(5)与第1实施方式的图4C所示的工序(5)相对应。

在第3实施方式的制造方法中，图19C所示的工序(6)与第1实施方式的图5A所示的工序(6)相对应。

2－1.工序(4)

如图19A所示，在工序(4)中，首先，配置光掩模28，接下来，隔着光掩模28对光致抗蚀剂层23进行曝光。

透过第1透光部分51的光A在光致抗蚀剂层23生成第1曝光部分24。第1曝光部分24具有在俯视时与在工序(6)中设置的第1布线21(参照图17及图19C)相同的形状。

另外，透过第2透光部分52的光B在光致抗蚀剂层23生成第2曝光部分25。第2曝光部分25具有在俯视时与在工序(6)中设置的第2布线22(参照图17及图19C)相同的形状。

此外，透过第2透光部分52的光B的一部分透过光致抗蚀剂层23的斜面相对部48，在金属薄膜7的与绝缘斜面圆弧部13相对应的部分生成反射光B’。

反射光B’在光致抗蚀剂层23中的第1曝光部分24以及第2曝光部分25之间生成聚光部分16。并且，如图17的箭头所示，在金属薄膜7的与绝缘斜面圆弧部13相对应的部分(图19A)生成的反射光B’在俯视时朝向沿着绝缘斜面圆弧部13的假想圆15的中心C聚光。因此，包含中心C及其附近的聚光部分16处的光量相对变高。由此，聚光部分16处的光量成为所述界限光量以上。

2－2.工序(5)

如图19B所示，在工序(5)中，对曝光后的光致抗蚀剂层23进行显影。

于是，第1曝光部分24、第2曝光部分25以及聚光部分16被除去。在光致抗蚀剂层23形成与第1曝光部分24以及第2曝光部分25相对应的开口部8、与聚光部分16相对应的聚光开口部47。

2－3.工序(6)

例如，如图17以及图19C所示，实施从金属薄膜7供电的电解镀。由此，在金属薄膜7的从开口部8暴露出来的部分之上分别形成第1布线21以及第2布线22。与此同时，在金属薄膜7的从聚光开口部47暴露出来的部分之上形成孤立导体部17。

孤立导体部17具有在俯视时与聚光部分16相同的形状。

并且，该孤立导体部17与第1布线21以及第2布线22均隔有间隔。详细而言，孤立导体部17位于第1布线弯曲部41以及第2布线弯曲部43之间。由此，孤立导体部17相对于第1布线21以及第2布线22都绝缘。

在第3实施方式中，如图19A所示，在工序(4)中，聚光部分与第1曝光部分24以及第2曝光部分25均隔有间隔。因此，如图17以及图19C所示，在工序(6)中，基于聚光部分16的孤立导体部17与第1布线弯曲部41以及第2布线弯曲部43隔有间隔。因此，能够防止起因于孤立导体部17的第1布线21以及第2布线22间的短路。

与具有孤立导体部17的第3实施方式相比，优选第1实施方式以及第2实施方式。即，孤立导体部17在布线电路基板1是不必要的图案，因此与第3实施方式相比，优选不具有孤立导体部17的第1实施方式以及第2实施方式。

另外，从能够将第1布线弯曲部41以及第2布线弯曲部43的间隔S2设定得较小的观点出发，与第3实施方式相比，也优选第1实施方式以及第2实施方式。

＜第3实施方式的变形例＞

在变形例中，对与第3实施方式同样的构件以及制造工序标注与第3实施方式同样的附图标记，并省略其详细说明。

在第3实施方式中，如图17所示，第1布线21以及第2布线22各自的一部分具有俯视大致L字形状(弯曲形状)。但是，第1布线21以及第2布线22的俯视形状不限于此。

如图20所示，例如，在该变形例中，第1布线21以及第2布线22各自的一部分具有俯视大致直线形状。

采用该变形例，也能够取得与第3实施方式同样的作用效果。

＜第4实施方式＞

在第4实施方式中，对与第1～第3实施方式同样的构件以及制造工序标注与第1～第3实施方式同样的附图标记，并省略其详细说明。

在第1实施方式中，如图1所示，整个聚光部分16在俯视时都包含于第1曝光部分24。

但是，在第4实施方式中，如图21所示，聚光部分16的一部分在俯视时包含于第1曝光部分24。而聚光部分16的其余部分不包含于第1曝光部分24。

聚光部分16的不包含于第1曝光部分24的其余部分在工序(6)中成为突出部分49。突出部分49从第1布线弯曲部41的宽度方向另一端缘向宽度方向另一侧突出。

突出部分49的宽度方向长度(突出长度)L2比第2布线弯曲部43和第1布线弯曲部41之间的间隔S2小，具体而言，L2与S2之比(L2/S2)例如为0.1以上，优选为0.2以上，并且，例如为0.5以下，优选为0.4以下。详细而言，L2例如为0.5μm以上，优选为1μm以上，并且，例如为100μm以下，优选为20μm以下。

在L2为所述上限以下的情况下，能够有效地防止第1布线21以及第2布线22的短路。

另外，突出部分49本来是在上侧导体图案5中不需要的图案。但是，突出部分49没有与第2布线22相接触(连结)，因此，突出部分49是在上侧导体图案5中容许其存在的导体部。

采用第4实施方式，也能够取得与第1实施方式同样的作用效果。

在第1实施方式以及第4实施方式中，优选第1实施方式。

在第1实施方式的情况下，如图1所示，第1曝光部分24将在假设1中设置的整个聚光部分16(参照图1的假想线)包含。因此，在工序(6)中，能够防止起因于聚光部分16的突出部分49的形成。因此，能够更可靠地防止起因于孤立导体部17的第1布线21以及第2布线22的短路。

另一方面，在第4实施方式中，第1布线21的宽度W2在与突出部分49相对应的部分变宽。即，由于突出部分49，宽度W2变动。

而在第1实施方式的情况下，能够防止与第1布线21连续的突出部分49的形成，因此能够抑制由宽度W2的变动引起的第1布线21的电流的紊乱。因此，能够得到可靠性优良的布线电路基板1。

＜第4实施方式的变形例＞

在变形例中，对与第4实施方式同样的构件以及制造工序标注与第4实施方式同样的附图标记，并省略其详细说明。

在第5实施方式中，如图21所示，第1布线21以及第2布线22各自的一部分具有俯视大致L字形状(弯曲形状)。但是，第1布线21以及第2布线22的俯视形状不限于此。

例如，虽未图示，在该变形例中，第1布线21以及第2布线22各自的一部分具有俯视大致直线形状。

采用该变形例，也能够取得与第4实施方式同样的作用效果。

＜第5实施方式＞

在第5实施方式中，对与第1～第4实施方式同样的构件以及制造工序标注与第1～第4实施方式同样的附图标记，并省略其详细说明。

在第2实施方式中，如图10所示，整个聚光部分16在俯视时包含于第2曝光部分25。

但是，在第5实施方式中，如图22所示，聚光部分16的一部分在俯视时包含于第2曝光部分25，另一方面，其余部分没有包含于第2曝光部分25。

聚光部分16的没有包含于第2曝光部分25的其余部分在工序(6)中成为突出部分49。突出部分49从第2布线弯曲部43的宽度方向一端缘向宽度方向一侧突出。

突出部分49的宽度方向长度(突出长度)L2比第2布线弯曲部43和第1布线弯曲部41之间的间隔S2小，具体而言，L2与S2之比(L2/S2)例如为0.1以上，优选为0.2以上，并且，例如为0.5以下，优选为0.4以下。详细而言，L2例如为0.5μm以上，优选为1μm以上，并且，例如为100μm以下，优选为20μm以下。

在L2为所述上限以下的情况下，能够有效防止第1布线21以及第2布线22的短路。

另外，突出部分49本来是在上侧导体图案5不需要的图案。但是，由于突出部分49不与第1布线21相接触(连结)，因此突出部分49是在上侧导体图案5中容许其存在的导体部。

采用第5实施方式，也能够取得与第2实施方式同样的作用效果。

在第2实施方式以及第5实施方式中，优选第2实施方式。

在第2实施方式的情况下，如图10所示，第2曝光部分25将在假设2中设置的整个聚光部分16(参照图10的假想线)包含。因此，在工序(6)中，能够防止起因于聚光部分16的突出部分49的形成。因此，能够更可靠地防止起因于孤立导体部17的第1布线21以及第2布线22的短路。

另一方面，在第5实施方式中，如图22所示，第2布线22的宽度W3在与突出部分49相对应的部分变宽。即，由于突出部分49，宽度W3变动。

而在第2实施方式的情况下，能够防止与第2布线22连续的突出部分49的形成，因此能够抑制由宽度W3的变动引起的第2布线22的电流紊乱。因此，能够得到可靠性优良的布线电路基板1。

＜第5实施方式的变形例＞

在变形例中，对与第5实施方式同样的构件以及制造工序标注与第5实施方式同样的附图标记，并省略其详细说明。

在第5实施方式中，如图22所示，第1布线21以及第2布线22各自的一部分具有俯视大致L字形状(弯曲形状)。但是，第1布线21以及第2布线22的俯视形状不限于此。

例如，虽未图示，在该变形例中，第1布线21以及第2布线22各自的一部分具有俯视大致直线形状。

采用该变形例，也能够取得与第5实施方式同样的作用效果。

＜第6实施方式＞

在第6实施方式中，对与第1～第5实施方式同样的构件以及制造工序标注与第1～第5实施方式同样的附图标记，并省略其详细说明。

在第1～5实施方式中，如图3D～图5C所示，使用正型的光致抗蚀剂层23利用添加法形成上侧导体图案5。

但是，在第6实施方式中，如图23D～图25B所示，使用负型的光致抗蚀剂层23利用减去法形成上侧导体图案5。

利用第6实施方式的布线电路基板1的制造方法得到的布线电路基板1具有与第1实施方式的下侧导体图案3以及上侧导体图案5俯视同一形状的下侧导体图案3以及上侧导体图案5。

第6实施方式的制造方法具备：准备基底绝缘层2的工序(i)(参照图23A)、在基底绝缘层2的上表面设置下侧导体图案3的工序(ii)(参照图23B)、以覆盖下侧导体图案3的方式在基底绝缘层2的上表面设置中间绝缘层4的工序(1)(参照图23C)、以及在中间绝缘层4的上表面设置导体层33的工序(2)(参照图23D)。

另外，布线电路基板1的制造方法还具备：在导体层33的上表面设置光致抗蚀剂层23的工序(3)(参照图24A)、隔着光掩模28对光致抗蚀剂层23进行曝光的工序(4)(参照图24B)、以及将光致抗蚀剂层23中的除了与第1布线21相对应的第1曝光部分24以及与第2布线22相对应的第2曝光部分25以外的部分除去而使导体层33从第1曝光部分24以及第2曝光部分25(以外的部分？)暴露出来的工序(5)(参照图24C)。

并且，布线电路基板1的制造方法还具备：将导体层33的从第1曝光部分24以及第2曝光部分25暴露出来的部分除去而形成上侧导体图案5的工序(6)(参照图25A)、将第1曝光部分24以及第2曝光部分25除去的工序(iii)(参照图25B)、以及以覆盖上侧导体图案5的方式在中间绝缘层4的上表面设置覆盖绝缘层6的工序(v)(参照图25C)。

1.工序(1)以及工序(2)

在第6实施方式中，如图23C以及图23D所示，依次实施工序(1)以及工序(2)。或者，例如同时实施工序(1)以及工序(2)。在同时实施工序(1)以及工序(2)的情况下，将预先层叠了中间绝缘层4以及导体层33而成的两层基材39以覆盖下侧导体图案3的方式设于基底绝缘层2的上表面。

在中间绝缘层4的包含第1平面10、第2平面11以及斜面12的整个上表面都配置有导体层33。导体层33沿着中间绝缘层4的上表面、沿着面方向延伸。导体层33由与上侧导体图案5同样的导体材料形成。导体层33的厚度与上侧导体图案5的厚度相同。导体层33的针对波长为400nm的光在入射角为45度时的表面反射率例如为60％以上，优选为70％以上，更优选为80％以上，并且，例如为99％以下。表面反射率例如依据由日本标准JIS Z8741(1997年)所记载的方法来算出。在导体层33的表面反射率低于所述下限值的情况下，存在不会产生后述假设的反射光B’、本发明的问题不成立的情况。

2.工序(4)

如图24B所示，在工序(4)中，将光掩模28配置到光致抗蚀剂层23的上侧。

光致抗蚀剂层23是负型的光致抗蚀剂层(负光致抗蚀剂层)。负型的光致抗蚀剂层是这样的抗蚀剂层：在曝光时被光(规定光量以上)照射的部位在之后的显影时留下，另一方面，在曝光时被遮挡光的部位(没有被照射到的部位，详细而言，没有达到规定光量的部位)在之后的显影时被除去。

之后，如图24B的箭头所示，隔着光掩模28对光致抗蚀剂层23进行曝光。光致抗蚀剂层23包括具有与所述同样的图案的遮光部分29以及透光部分30。

在隔着光掩模28对光致抗蚀剂层23曝光时，透过第1透光部分51的光A在光致抗蚀剂层23生成第1曝光部分24。第1曝光部分24具有在俯视时与第1布线21(参照图1)相同的形状。

另一方面，透过第2透光部分52的光B在光致抗蚀剂层23生成第2曝光部分25。第2曝光部分25具有在俯视时与第2布线22(参照图1)相同的形状。

另外，第2曝光部分25具有作为与绝缘斜面圆弧部13相对的相对部分的一例的斜面相对部48。

这里，透过第2透光部分52的光B的一部分透过光致抗蚀剂层23的斜面相对部48在导体层33的与绝缘斜面圆弧部13相对应的部分生成反射光B’。

反射光B’在光致抗蚀剂层23的与第1布线弯曲部41(参照图1)相对应的部分生成聚光部分16。即，聚光部分16利用透过第1透光部分51的光A和在导体层33的与绝缘斜面圆弧部13相对应的部分生成的反射光B’而以足够的光量被曝光，构成第1曝光部分24。

3.工序(5)

如图24C所示，在工序(5)中，例如利用显影液对曝光后的光致抗蚀剂层23进行显影，将除了第1曝光部分24以及第2曝光部分25以外的部分除去，使第1曝光部分24以及第2曝光部分25留下。

4.工序(6)

如图25A所示，在工序(6)中，将导体层33的从第1曝光部分24以及第2曝光部分25(显影后的光致抗蚀剂层23)暴露出来的部分除去。

例如，将第1曝光部分24以及第2曝光部分25用作蚀刻抗蚀剂层，对导体层33的从第1曝光部分24以及第2曝光部分25暴露出来的部分进行蚀刻。

由此，形成具有第1布线21、第2布线22以及第2端子(未图示)的上侧导体图案5。

5.工序(iii)

如图25B所示，在工序(iii)中，例如利用剥离等将第1曝光部分24以及第2曝光部分25除去。

6.布线电路基板

利用第6实施方式的制造方法得到的布线电路基板1如图25C所示那样包括基底绝缘层2、下侧导体图案3、中间绝缘层4、上侧导体图案5以及覆盖绝缘层6。并且，第6实施方式的布线电路基板1与第1～5实施方式的布线电路基板1不同，不具有金属薄膜7(参照图5D)。

另一方面，第6实施方式的布线电路基板1在上侧导体图案5以及中间绝缘层4之间也可以具有用于将它们粘接的粘接剂层(未图示)。

采用第6实施方式，也能够取得与第1实施方式同样的作用效果。

另外，参照图27、图29以及图30说明与第6实施方式进行对比的比较例2。

在比较例2中，如图27以及图30A所示，光致抗蚀剂层23具有因工序(4)中的反射光B’的聚光而在图30B所示的工序(5)中被除去的聚光部分50。并且，在工序(5)中，第1曝光部分24中的与第1布线弯曲部41(参照图29)相对应的部分以及第2曝光部分25中的与第2布线弯曲部43(参照图29)相对应的部分这两者都与聚光部分50接触。

并且，在工序(6)中，在导体层33的与聚光部分50相对应的部分形成连结第1布线21以及第2布线22的短路部分55。短路部分55使第1布线21以及第2布线22短路。

而在该第6实施方式中，如所述那样，能够防止第1布线21以及第2布线22的短路。

8.第6实施方式的变形例

采用第6实施方式的制造方法，也能够得到具有与第2～第5实施方式所记载的第1布线21以及第2布线22俯视同一形状的第1布线21以及第2布线22的布线电路基板1。

＜第1～第6实施方式的变形例＞

在第1～第6实施方式中，作为由本发明的方法得到的布线电路基板，列举布线电路基板1为例进行了说明，但是不限于此，如图2的假想线所示，也可以是具有金属支承基板40的带电路的悬挂基板。在该情况下，带电路的悬挂基板具备金属支承基板40、基底绝缘层2、下侧导体图案3、中间绝缘层4、上侧导体图案5以及覆盖绝缘层6。

由第1～第6实施方式得到的布线电路基板1的中间绝缘层5的斜面12与下布线9的棱线部20相对应。但是，例如，虽未图示，也能够是，如图26所示，斜面12与下侧导体图案3不相对应，仅通过作为绝缘层的一例的基底绝缘层2具有多个厚度T1以及T2，从而基底绝缘层2具有斜面12。其中，厚度T1是第1平面10处的基底绝缘层2的厚度。另一方面，厚度T2是第2平面11处的基底绝缘层2的厚度。厚度T2比厚度T1厚。

在第1～第6实施方式中，如以图2为代表的那样，中间绝缘层4的上表面具有第2平面11，但是，只要至少具有斜面12即可，虽未图示，例如，也可以不具有第2平面11。

另外，如图1所示，下侧导体图案3具有下布线9，但是，例如，虽未图示，能够还具有其他布线。

另外，如图1所示，上侧导体图案5具有第1布线21以及第2布线22，但是，例如，虽未图示，能够还具有其他布线。

另外，所述发明是作为本发明的例示的实施方式提供的，它们仅是示例，不能够进行限定性的解释。对于本领域技术人员而言显而易见的本发明的变形例也包含在随附的权利要求书中。

Claims (4)

1.一种布线电路基板的制造方法，该布线电路基板包括绝缘层和相互隔有间隔且相邻的第1布线及第2布线，其特征在于，

该制造方法包括：

工序(1)，设置具有斜面的所述绝缘层；

工序(2)，在包含所述斜面的所述绝缘层的表面设置金属薄膜；

工序(3)，在所述金属薄膜的表面设置光致抗蚀剂层；

工序(4)，将光掩模配置为，所述光致抗蚀剂层中的与所述第1布线相对应的第1曝光部分和所述光致抗蚀剂层中的与所述第2布线相对应的第2曝光部分能够被曝光，隔着所述光掩模对所述光致抗蚀剂层进行曝光；

工序(5)，除去所述光致抗蚀剂层的所述第1曝光部分及所述第2曝光部分，使所述金属薄膜的与所述第1曝光部分及所述第2曝光部分相对应的部分暴露出来；

工序(6)，在所述金属薄膜的表面设置所述第1布线及所述第2布线，

所述斜面具有俯视大致圆弧状，

在所述工序(4)中，所述光致抗蚀剂层的所述第2曝光部分具有与所述斜面相对的相对部分，

在所述工序(4)中，由所述金属薄膜的与所述圆弧相对应的部分反射的反射光向所述光致抗蚀剂层的与沿着所述圆弧的假想圆的中心相对应的部分聚光，

在所述工序(4)中，以满足下述条件A～C的方式配置所述光掩模，

条件A：所述第1曝光部分的至少一部分以及所述第2曝光部分的至少一部分在俯视时与所述假想圆重叠，

条件B：在假设1和假设2的任一假设中，所述光致抗蚀剂层都具有因工序(4)中所述反射光的聚光而在工序(5)时被除去的聚光部分，其中，所述假设1为，对所述第1曝光部分不进行曝光，而对所述第2曝光部分进行曝光；所述假设2为，对所述第1曝光部分进行曝光，而对所述第2曝光部分的所述相对部分以外的部分不进行曝光，对所述第2曝光部分的相对部分进行曝光，

条件C：在所述假设1的情况下，所述聚光部分在所述俯视时同所述第2曝光部分的与所述假想圆重叠的部分隔有间隔；在所述假设2的情况下，所述聚光部分在所述俯视时同所述第1曝光部分的与所述假想圆重叠的部分隔有间隔。

2.根据权利要求1所述的布线电路基板的制造方法，其特征在于，

所述第1曝光部分和所述第2曝光部分中的任一者包含整个所述聚光部分。

3.一种布线电路基板的制造方法，该布线电路基板包括绝缘层和相互隔有间隔且相邻的第1布线及第2布线，其特征在于，

该制造方法包括：

工序(1)，设置具有斜面的所述绝缘层；

工序(2)，在包含所述斜面的所述绝缘层的表面设置导体层；

工序(3)，在所述导体层的表面设置光致抗蚀剂层；

工序(4)，将光掩模配置为，所述光致抗蚀剂层中的与所述第1布线相对应的第1曝光部分和所述光致抗蚀剂层中的与所述第2布线相对应的第2曝光部分能够被曝光，隔着所述光掩模对所述光致抗蚀剂层进行曝光；

工序(5)，除去所述光致抗蚀剂层中的除所述第1曝光部分及所述第2曝光部分以外的部分，使所述导体层从所述部分暴露出来；

工序(6)，除去所述导体层的从所述部分暴露出来的部分，形成所述第1布线及所述第2布线，

所述斜面具有俯视大致圆弧状，

在所述工序(4)中，所述光致抗蚀剂层的所述第2曝光部分具有与所述斜面相对的相对部分，

在所述工序(4)中，由所述导体层的与所述圆弧相对应的部分反射的反射光向所述光致抗蚀剂层的与沿着所述圆弧的假想圆的中心相对应的部分聚光，

在所述工序(4)中，以满足下述条件A～C的方式配置所述光掩模，

条件A：所述第1曝光部分的至少一部分以及所述第2曝光部分的至少一部分在俯视时与所述假想圆重叠，

条件B：在假设1和假设2的任一假设中，所述光致抗蚀剂层都具有因工序(4)中所述反射光的聚光而在工序(5)时被除去的聚光部分，其中，所述假设1为，对所述第1曝光部分不进行曝光，而对所述第2曝光部分进行曝光；所述假设2为，对所述第1曝光部分进行曝光，而对所述第2曝光部分的所述相对部分以外的部分不进行曝光，对所述第2曝光部分的相对部分进行曝光，

条件C：在所述假设1的情况下，所述聚光部分在所述俯视时同所述第2曝光部分的与所述假想圆重叠的部分隔有间隔；所述假设2的情况下，所述聚光部分在所述俯视时同所述第1曝光部分的与所述假想圆重叠的部分隔有间隔。

4.根据权利要求3所述的布线电路基板的制造方法，其特征在于，

所述第1曝光部分和所述第2曝光部分中的任一者包含整个所述聚光部分。

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